JPH0513541B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は例えばオーデイオ用アンプ回路等のよ
うに、多段縦続接続された増幅回路を内蔵した半
導体集積回路（IC）の改良に関する。

(ロ) 従来の技術 従来より、例えば第２図に示す如き縦続接続さ
れた大信号系の出力段増幅回路１と小信号系の前
段増幅回路２とを内蔵したICにおいては、電位
降下による回路間の影響を防ぐ各々に独立したア
ースパツドを設ける手法が例えば特願昭60−
176217号に記載されている。同図において、３は
入力端子、４は出力端子、５はV_cc端子であり、
入力端子３に印加された入力信号を前段増幅回路
２で電圧増幅し、SEPP（シングルエンドプツシ
ユプル）から成る出力段増幅回路１で電流増幅し
て出力端子４に接続される負荷を駆動するように
構成されている。そして出力段増幅回路１と前段
増幅回路２とでアースの電位を共通すると、出力
段増幅回路１で増幅された信号電流によつてアー
スの配線に電位降下が生じ、これが前段増幅回路
２に帰還されて発振等の不都合を生じることにな
るのである。

第３図は斯る構造のICを示す平面図で、６は
半導体チツプ、７，８は第１、第２のアースパツ
ド、９，１０は第１、第２のアース電極である。
半導体チツプ６の表面には所定のプロセスによつ
て第２図の回路が２チヤンネル分組み込まれ、回
路を構成するとトランジスタは夫々分離領域で囲
まれて分離される。そして出力段増幅回路１の周
囲を囲むように第１アース電極９が設けられ、且
つその下の分離領域とオーミツクコンタクトする
ことにより、大電流を扱う出力トランジスタの寄
生電流を直ちに吸い出すように構成している。ま
た、前段増幅回路２の近傍には第２アース電極１
０が設けられ、半導体チツプ６とは電気的に独立
して前段増幅回路２にアース電位を供給する。そ
して上述した理由より、第１、第２のアース電極
９，１０夫々に独立した第１、第２のアースパツ
ド７，８を設け、外部接続用の端子としている。

(ハ) 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、従来の半導体集積回路では出力
段増幅回路１や前段増幅回路２の寄生電流の全て
を第１アース電極９のみで吸い出す為、寄生電流
によつて半導体チツプ６に電位勾配が発生し、前
段増幅回路２部において発振や寄生サイリスタ等
の不都合を生じる欠点があつた。

(ニ) 問題点を解決するための手段 本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、前段増
幅回路２を形成した領域の半導体チツプ６とオー
ミツクコンタクトし且つ出力段増幅回路１が形成
された領域の半導体チツプ６とはオーミツクコン
タクトせず半導体チツプ６上を延在して第１アー
スパツド７に接続する第３のアース電極１１を設
けることにより、従来の欠点を大幅に改善した半
導体集積回路を提供するものである。

(ホ) 作用 本発明によれは、前段増幅回路２付近の寄生電
流を直ちに第３のアース電極１１で吸い出すこと
ができ、しかも第３のアース電極１１を第１アー
スパツド７に接続することによつて他に全く影響
を与えずに半導体チツプ６の電位を安定にするこ
とができる。

(ヘ) 実施例 以下、本発明を図面を参照しながら詳細に説明
する。

第１図は本発明の半導体集積回路を示す平面図
で、６は半導体チツプ、７，８は第１、第２のア
ースパツド、９，１０，１１は第１乃至第３のア
ース電極である。半導体チツプ６の表面には所定
のプロセスによつて第２図の回路が２チヤンネル
分上下対象になるように作り込まれ、前段増幅回
路２を構成するトランジスタ及び出力段増幅回路
１のSEPPを構成するパワートランジスタは夫々
分離領域で囲まれて分離される。個々に分離され
たトランジスタは電極配線によつて所定の機能を
果すように接続され、半導体チツプ６の外周部付
近には外部接続用の互いに独立した第１、第２の
アースパツド７，８が配置される。そして各チヤ
ンネルの出力段増幅回路１の領域を各々囲むよう
にその下の分離領域とコンタクトホール１２を介
してオーミツクコンタクトする第１アース電極９
が設けられ、大電流を扱う出力段増幅回路１の寄
生電流を直ちに回収するように構成されて更に第
１アースパツド７に接続される。また、前段増幅
回路２の近傍には半導体チツプ６とは電気的に独
立した第２アース電極１０が延在し、第２アース
パツド８に接続される。

そして本発明の特徴とする第３のアース電極１
１が、前段増幅回路２が形成された領域の近傍で
分離領域を介して半導体チツプ６とオーミツクコ
ンタクトをなし、出力段増幅回路１の領域を半導
体チツプ６とはオーミツクコンタクトせずに横断
して第１アースパツド７に接続される。

斯る構成によれば、第３のアース電極１１によ
つて前段増幅回路２が形成された領域における半
導体チツプ６の寄生電流を効果的に吸出すること
ができ、さらに他の回路へ全く影響を与えること
が無い。

即ち、前段増幅回路２は高利得で設計されるの
が普通であり、吸出した寄生電流によつてアース
電位が不安定になるのは避けなけならないから、
前段増幅回路２が形成された領域の寄生電流を第
２アース電極１０で吸出すことは出来ない。一
方、第１のアース電極９を延長して前段増幅回路
２付近でオーミツクコンタクトされると、第１の
アース電極９のインピーダンスと大電流を吸う出
力段増幅回路１の寄生電流によつてかなり大きな
電位降下が発生し、前段増幅回路２付近の半導体
チツプ６の電位を不安定にして発振等を招き易く
なる。これに対して本発明によれば、前段増幅回
路２付近の寄生電流は出力段増幅回路１付近の寄
生電流に比べれば極く僅かであるから第３のアー
ス電極１１自身の電位も降下も極く僅かであり、
しかも第１のアースパツド７以降は低インピーダ
ンスの金属細線と外部リードによつて吸出される
ので、第１のアース電極９が吸出した寄生電流に
よつて影響されること無く、前段増幅回路２付近
の半導体チツプ６の電位を安定にせしめ、回路の
発振や寄生サイリスタの発生等を未然に防げこと
ができる。また、出力段増幅回路１付近の半導体
チツプ６とは独立しているので、大電流を扱う出
力段増幅回路１の寄生電流には何等影響を受けな
い。尚、出力段増幅回路１が扱う電流がかなり大
きく、金属細線のインピーダンスをも問題になる
ようであれば、第３のアース電極１１専用に独立
したグランドパツドを設ける手法も考えられる。
更にまた、第３のアース電極１１を上下線対象と
なるよう、第１、第２チヤネルの領域の略中央に
配設することによつて各チヤネルにおける半導体
チツプ６の電位がアンバランスになることを防い
でいる。このことは第１、第２アース電極９，１
０についても同様であり、そのため第１、第２ア
ースパツド７，８は第１、第２アース電極９，１
０が上下線対象となるよう、それらの中央に配設
されている。

(ト) 発明の効果 以上説明した如く、本発明によれは第３のアー
ス電極１１によつて前段増幅回路２が形成された
領域における半導体チツプ６の寄生電流を効果的
に吸出すことができるので、前段増幅回路２の領
域の半導体チツプ６の電位を安定にして回路の発
振や寄生サイリスタの発生等を未然に防げる利点
を有する。さらに、第３のアース電極１１を直接
第１のアースパツド７に接続することによつて、
前段増幅回路２の寄生電流を吸出す際に他の回路
への影響を完全に無くすことができる利点をも有
する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体集積回路装置を示す平
面図、第２図は一般的な増幅回路を示す回路図、
第３図は従来の半導体集積回路装置を示す平面図
である。 １は大信号系の出力段増幅回路、２は小信号系
の前段増幅回路、６は半導体チツプ、７，８は第
１、第２のアースパツド、９乃至１１は第１乃至
第３のアース電極である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 出力段増幅回路及びその前段に設けられた前
   段増幅回路と、前記出力段増幅回路のパワートラ
   ンジスタを囲むように半導体チツプとオーミツク
   コンタクトした第１アース電極と、前記前段増幅
   回路に接地電位を印加する第２アース電極と、前
   記第１アース電極と接続した外部接続用の第１ア
   ースパツドと、前記第２アース電極と接続した外
   部接続用の第２アースパツドとを具備した半導体
   集積回路装置において、前記前段増幅回路が形成
   された領域のみで前記半導体チツプとオーミツク
   コンタクトし且つ前記半導体チツプ上を延在して
   前記第１アースパツドに接続した第３アース電極
   を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。