JPH0513602A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0513602A JPH0513602A JP3164167A JP16416791A JPH0513602A JP H0513602 A JPH0513602 A JP H0513602A JP 3164167 A JP3164167 A JP 3164167A JP 16416791 A JP16416791 A JP 16416791A JP H0513602 A JPH0513602 A JP H0513602A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- frame
- semiconductor device
- convex portion
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/06—Hermetically-sealed casings
- H05K5/062—Hermetically-sealed casings sealed by a material injected between a non-removable cover and a body, e.g. hardening in situ
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 フレーム４をヒートシンク１に接着させると
きの樹脂厚が均一であり、接着強度が大きい半導体装置
を提供する。 【構成】 ヒートシンク１の面の端縁部に対向する、フ
レーム４の開口部の凹所の部分に凸部７を設けてある。 【効果】 耐塩水性及びパッケージの気密性が向上し、
装置の信頼性が高くなる。
きの樹脂厚が均一であり、接着強度が大きい半導体装置
を提供する。 【構成】 ヒートシンク１の面の端縁部に対向する、フ
レーム４の開口部の凹所の部分に凸部７を設けてある。 【効果】 耐塩水性及びパッケージの気密性が向上し、
装置の信頼性が高くなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は例えば混成集積回路装置
等の半導体装置に関し、詳しくはヒートシンクにフレー
ムを接着させ、ヒートシンクの外面及びフレームにより
内部を保護してある半導体装置に関する。
等の半導体装置に関し、詳しくはヒートシンクにフレー
ムを接着させ、ヒートシンクの外面及びフレームにより
内部を保護してある半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の半導体装置を示す縦断面図
であり、図中１はヒートシンクである。板状のヒートシ
ンク１上には回路基板２が貼付され、回路基板２上には
半導体素子３が実装されている。ヒートシンク１には回
路基板２側の面の端縁部及び周面を接着面として、角筒
状のフレーム４がシリコン樹脂５によって接着されてい
る。フレーム４の開口部はカバー６により封止されてい
る。
であり、図中１はヒートシンクである。板状のヒートシ
ンク１上には回路基板２が貼付され、回路基板２上には
半導体素子３が実装されている。ヒートシンク１には回
路基板２側の面の端縁部及び周面を接着面として、角筒
状のフレーム４がシリコン樹脂５によって接着されてい
る。フレーム４の開口部はカバー６により封止されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の如くヒートシン
ク１の外面及びフレーム４により半導体素子３及び回路
基板２を外部の環境から保護していたが、ヒートシンク
１とフレーム４との間のシリコン樹脂５の樹脂厚は薄
く、しかもバラツキがあるので接着強度が弱いという問
題があった。従って塩水テストを行ったときにヒートシ
ンク１とフレーム４との接着界面から塩水が侵入し、回
路基板２が腐食する等の問題が発生していた。
ク１の外面及びフレーム４により半導体素子３及び回路
基板２を外部の環境から保護していたが、ヒートシンク
１とフレーム４との間のシリコン樹脂５の樹脂厚は薄
く、しかもバラツキがあるので接着強度が弱いという問
題があった。従って塩水テストを行ったときにヒートシ
ンク１とフレーム４との接着界面から塩水が侵入し、回
路基板２が腐食する等の問題が発生していた。
【０００４】本発明は斯かる事情に鑑みなされたもので
あり、ヒートシンクの面の端縁部に対向する、フレーム
の開口部の凹所の部分に凸部を設けることにより、ヒー
トシンクにフレームを接着させるときに凸部をスペーサ
として凸部以外の部分の接着樹脂厚を均一にし、接着強
度を増加させる半導体装置を提供することを目的とす
る。
あり、ヒートシンクの面の端縁部に対向する、フレーム
の開口部の凹所の部分に凸部を設けることにより、ヒー
トシンクにフレームを接着させるときに凸部をスペーサ
として凸部以外の部分の接着樹脂厚を均一にし、接着強
度を増加させる半導体装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、ヒートシンクの面の端縁部に対向する、フレームの
開口部の凹所の部分に凸部を設け、ヒートシンクにフレ
ームを接着させるときに凸部をスペーサとして凸部以外
の部分の接着樹脂厚を均一にするものである。
は、ヒートシンクの面の端縁部に対向する、フレームの
開口部の凹所の部分に凸部を設け、ヒートシンクにフレ
ームを接着させるときに凸部をスペーサとして凸部以外
の部分の接着樹脂厚を均一にするものである。
【０００６】
【作用】本発明の半導体装置においては、ヒートシンク
の面の端縁部に対向する、フレームの開口部の凹所の部
分に凸部を設けてあるので、フレームをヒートシンクに
接着させるときに、前記凸部をスペーサとしてフレーム
の凸部以外の部分とヒートシンクとの間隔を一定に保持
して樹脂を塗布することになり、樹脂厚が均一になって
接着強度が増加する。
の面の端縁部に対向する、フレームの開口部の凹所の部
分に凸部を設けてあるので、フレームをヒートシンクに
接着させるときに、前記凸部をスペーサとしてフレーム
の凸部以外の部分とヒートシンクとの間隔を一定に保持
して樹脂を塗布することになり、樹脂厚が均一になって
接着強度が増加する。
【０００７】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は、本発明の半導体装置を示
す縦断面図であり、図中１はヒートシンクである。ヒー
トシンク１上には回路基板２が貼付され、回路基板２上
には半導体素子３が実装されている。図２に示したフレ
ーム４は角筒状であり、一開口部の内周面に適宜の深さ
と幅とを持つ凹所が設けられている。該凹所の幅方向中
央部には、全周にわたって凸部が設けられている。該凸
部の高さはヒートシンク１にフレーム４を接着させると
きの接着代に相当し、前記凹所の深さはヒートシンク１
の厚みに凸部の高さを加えたものとなっている。ヒート
シンク１上面の端縁部および周面を前記凹所に対向させ
て、ヒートシンク１とフレーム４とがシリコン樹脂５に
より接着されている。これらを接着させるときには前記
凸部がスペーサとして作用する。フレーム４の他の開口
部の内周面には深さがカパー６の厚みに相当する凹所が
設けられており、該凹所にカバー６が貼付されて封止さ
れている。
き具体的に説明する。図１は、本発明の半導体装置を示
す縦断面図であり、図中１はヒートシンクである。ヒー
トシンク１上には回路基板２が貼付され、回路基板２上
には半導体素子３が実装されている。図２に示したフレ
ーム４は角筒状であり、一開口部の内周面に適宜の深さ
と幅とを持つ凹所が設けられている。該凹所の幅方向中
央部には、全周にわたって凸部が設けられている。該凸
部の高さはヒートシンク１にフレーム４を接着させると
きの接着代に相当し、前記凹所の深さはヒートシンク１
の厚みに凸部の高さを加えたものとなっている。ヒート
シンク１上面の端縁部および周面を前記凹所に対向させ
て、ヒートシンク１とフレーム４とがシリコン樹脂５に
より接着されている。これらを接着させるときには前記
凸部がスペーサとして作用する。フレーム４の他の開口
部の内周面には深さがカパー６の厚みに相当する凹所が
設けられており、該凹所にカバー６が貼付されて封止さ
れている。
【０００８】本発明の半導体装置は以上の如く、フレー
ム４の凸部以外の部分とヒートシンク１との間隔を一定
に保ってフレーム４をヒートシンク１に接着させること
ができ、シリコン樹脂５の厚みを均一にする。従って接
着強度が増加し、安定するのでパッケージの気密性が向
上し、また塩水テストを行ったときに樹脂接着界面から
塩水が侵入して回路基板２が腐食する等の問題が発生せ
ず、外部環境からの内部部材の保護効果が向上する。
ム４の凸部以外の部分とヒートシンク１との間隔を一定
に保ってフレーム４をヒートシンク１に接着させること
ができ、シリコン樹脂５の厚みを均一にする。従って接
着強度が増加し、安定するのでパッケージの気密性が向
上し、また塩水テストを行ったときに樹脂接着界面から
塩水が侵入して回路基板２が腐食する等の問題が発生せ
ず、外部環境からの内部部材の保護効果が向上する。
【０００９】
【発明の効果】以上の如く本発明においてはヒートシン
クの面の端縁部に対向する、フレームの開口部の凹所の
部分に凸部を設けているので、接着樹脂厚を均一にして
接着強度を増加させることができる。従って外部環境か
らの内部部材の保護効果が向上し、装置の信頼性が高く
なる等、本発明は優れた効果を奏するものである。
クの面の端縁部に対向する、フレームの開口部の凹所の
部分に凸部を設けているので、接着樹脂厚を均一にして
接着強度を増加させることができる。従って外部環境か
らの内部部材の保護効果が向上し、装置の信頼性が高く
なる等、本発明は優れた効果を奏するものである。
【図１】本発明に係る半導体装置を示す縦断面図であ
る。
る。
【図２】フレームの斜視図である。
【図３】従来の半導体装置を示す縦断面図である。
１ ヒートシンク ２ 回路基板 ３ 半導体素子 ４ フレーム ５ シリコン樹脂 ６ カバー ７ 凸部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 回路基板をヒートシンクに貼付してあ
り、筒状のフレームの開口部に形成した凹所に該ヒート
シンクを嵌め込み接着させてある半導体装置において、
前記ヒートシンクの面の端縁部に対向する、前記凹所の
部分に凸部を設けてあることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3164167A JPH0513602A (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3164167A JPH0513602A (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513602A true JPH0513602A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15788004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3164167A Pending JPH0513602A (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513602A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5956576A (en) * | 1996-09-13 | 1999-09-21 | International Business Machines Corporation | Enhanced protection of semiconductors with dual surface seal |
-
1991
- 1991-07-04 JP JP3164167A patent/JPH0513602A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5956576A (en) * | 1996-09-13 | 1999-09-21 | International Business Machines Corporation | Enhanced protection of semiconductors with dual surface seal |
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