JPH05136644A - Lc共振器 - Google Patents
Lc共振器Info
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- JPH05136644A JPH05136644A JP29444591A JP29444591A JPH05136644A JP H05136644 A JPH05136644 A JP H05136644A JP 29444591 A JP29444591 A JP 29444591A JP 29444591 A JP29444591 A JP 29444591A JP H05136644 A JPH05136644 A JP H05136644A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、LC共振器に関し、トリミングに
より共振周波数の調整を行っても、特性劣化や不良品の
発生が生じないようにすることを目的とする。 【構成】 複数の誘電体層2を積層した多層基板に、コ
イルパターン5で構成したコイルと、コンデンサ電極パ
ターン4で構成したコンデンサとを内蔵すると共に、そ
の積層方向の両側を、GNDパターン3−1、3−2で
挟んだ構造のLC共振器であって、一方のGNDパター
ン3−1をトリミング用の電極として設定し、この電極
に対し、積層方向で最も近い位置にコイルあるいはコン
デンサ電極以外の他の導体パターンを設定した。
より共振周波数の調整を行っても、特性劣化や不良品の
発生が生じないようにすることを目的とする。 【構成】 複数の誘電体層2を積層した多層基板に、コ
イルパターン5で構成したコイルと、コンデンサ電極パ
ターン4で構成したコンデンサとを内蔵すると共に、そ
の積層方向の両側を、GNDパターン3−1、3−2で
挟んだ構造のLC共振器であって、一方のGNDパター
ン3−1をトリミング用の電極として設定し、この電極
に対し、積層方向で最も近い位置にコイルあるいはコン
デンサ電極以外の他の導体パターンを設定した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高周波フィルタや高周波
発振器等に用いられるLC共振器に関し、特に、多層基
板にコイルやコンデンサを内蔵してモジュール化したL
C共振器に関する。
発振器等に用いられるLC共振器に関し、特に、多層基
板にコイルやコンデンサを内蔵してモジュール化したL
C共振器に関する。
【0002】
【従来の技術】図5は従来例の説明図であり、図5Aは
高周波フィルタの回路例、図5Bは高周波フィルタの断
面図、図5Cはトリミングによる周波数調整の説明図で
ある。
高周波フィルタの回路例、図5Bは高周波フィルタの断
面図、図5Cはトリミングによる周波数調整の説明図で
ある。
【0003】図中、T1 ,T2 は端子、C1 〜C3 はコ
ンデンサ、L1 〜L3 はコイル、1は多層基板、2は誘
電体層、3−1,3−2はGNDパターン、4−1〜4
−4はコンデンサ電極パターン、5はコイルパターン、
6はトリミング位置を示す。
ンデンサ、L1 〜L3 はコイル、1は多層基板、2は誘
電体層、3−1,3−2はGNDパターン、4−1〜4
−4はコンデンサ電極パターン、5はコイルパターン、
6はトリミング位置を示す。
【0004】従来、コンデンサとコイルとから成るLC
共振回路は、高周波フィルタ、高周波発振器などに広く
用いられていた。その内、LC共振回路を用いた高周波
フィルタ(バンドパスフィルタ)の回路例を図5Aに示
す。
共振回路は、高周波フィルタ、高周波発振器などに広く
用いられていた。その内、LC共振回路を用いた高周波
フィルタ(バンドパスフィルタ)の回路例を図5Aに示
す。
【0005】この回路は、コンデンサC1 〜C3 とコイ
ルL1 〜L3 で構成され、それぞれC1 L1 、C
2 L2 、C3 L3 のLC共振回路を構成している。この
ような高周波フィルタの回路は、例えば、基板に実装さ
れて用いられる。
ルL1 〜L3 で構成され、それぞれC1 L1 、C
2 L2 、C3 L3 のLC共振回路を構成している。この
ような高周波フィルタの回路は、例えば、基板に実装さ
れて用いられる。
【0006】ところで従来、多層基板を用いた高周波フ
ィルタとして、例えば図5Bのようなものが提案されて
いた(公知ではない)。図5Bは前記高周波フィルタの
断面図であり、その回路構成は図5Aのようになってい
る。
ィルタとして、例えば図5Bのようなものが提案されて
いた(公知ではない)。図5Bは前記高周波フィルタの
断面図であり、その回路構成は図5Aのようになってい
る。
【0007】この例では、多層基板1の各誘電体層2上
に、印刷(厚膜)で、GNDパターン3−1、3−2、
コンデンサ電極パターン4−1〜4−4、コイルパター
ン5等をパターニングすることにより、コンデンサやコ
イルの実装を行っている。
に、印刷(厚膜)で、GNDパターン3−1、3−2、
コンデンサ電極パターン4−1〜4−4、コイルパター
ン5等をパターニングすることにより、コンデンサやコ
イルの実装を行っている。
【0008】この場合、GNDパターン3−1、3−2
を外側に設定し、その内側に対向電極であるコンデンサ
電極パターン4−1、4−2を設定してコンデンサを作
る。すなわち、多層基板1の一方側では、外側にGND
パターン3−1を形成し、その内側にコンデンサ電極パ
ターン4−1を形成する。また多層基板1の他方側で
は、外側にGNDパターン3−2を形成し、その内側に
コンデンサ電極パターン4−2を形成する。
を外側に設定し、その内側に対向電極であるコンデンサ
電極パターン4−1、4−2を設定してコンデンサを作
る。すなわち、多層基板1の一方側では、外側にGND
パターン3−1を形成し、その内側にコンデンサ電極パ
ターン4−1を形成する。また多層基板1の他方側で
は、外側にGNDパターン3−2を形成し、その内側に
コンデンサ電極パターン4−2を形成する。
【0009】そして、前記コンデンサ電極パターン4−
1、4−2の内側には、コイルパターン5や別のコンデ
ンサ電極パターン4−3、4−4をパターニングして形
成する。このように、高周波フィルタの両側をGNDパ
ターン3−1、3−2で挟むようにしてパターニングを
行うことにより、シールド効果の高いモジュールとする
ものである。
1、4−2の内側には、コイルパターン5や別のコンデ
ンサ電極パターン4−3、4−4をパターニングして形
成する。このように、高周波フィルタの両側をGNDパ
ターン3−1、3−2で挟むようにしてパターニングを
行うことにより、シールド効果の高いモジュールとする
ものである。
【0010】しかし、特性の厳しい高周波フィルタにつ
いては、LC共振器の共振周波数を調整しなければなら
ない。このような場合、例えば多層基板1の表面に露出
しているGNDパターン3−1をトリミングすることに
より、共振周波数の調整を行うことが考えられていた。
いては、LC共振器の共振周波数を調整しなければなら
ない。このような場合、例えば多層基板1の表面に露出
しているGNDパターン3−1をトリミングすることに
より、共振周波数の調整を行うことが考えられていた。
【0011】図5Bにおいて、コンデンサ電極パターン
4−1とGNDパターン3−1がコンデンサの電極とな
っており、GNDパターン3−1は、コンデンサのGN
D側の電極を構成している。従って、このGNDパター
ン3−1(コンデンサのGND側の電極)の一部を削る
などしてトリミングすれば、容量の調整ができ、その結
果、LC共振回路の共振周波数が調整できることにな
る。
4−1とGNDパターン3−1がコンデンサの電極とな
っており、GNDパターン3−1は、コンデンサのGN
D側の電極を構成している。従って、このGNDパター
ン3−1(コンデンサのGND側の電極)の一部を削る
などしてトリミングすれば、容量の調整ができ、その結
果、LC共振回路の共振周波数が調整できることにな
る。
【0012】そこで例えば、図5Cに示したように、G
NDパターン3−1上のトリミング位置6で、GNDパ
ターン3−1の一部を削ることにより、共振周波数の調
整を行うことが試みられていた。
NDパターン3−1上のトリミング位置6で、GNDパ
ターン3−1の一部を削ることにより、共振周波数の調
整を行うことが試みられていた。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のも
のにおいては、次のような課題があった。 (1) コンデンサのGND側の電極であるGNDパターン
3−1には、誘電体層2を介してコンデンサ電極パター
ン4−1が対向配置されている。しかも、このコンデン
サ電極パターン4−1は、ベタパターンとして形成され
ている(所定の領域内を、ほぼ全面にわたってパターニ
ングしてある)。
のにおいては、次のような課題があった。 (1) コンデンサのGND側の電極であるGNDパターン
3−1には、誘電体層2を介してコンデンサ電極パター
ン4−1が対向配置されている。しかも、このコンデン
サ電極パターン4−1は、ベタパターンとして形成され
ている(所定の領域内を、ほぼ全面にわたってパターニ
ングしてある)。
【0014】また、誘電体層2も、極めて薄いため、図
6Cのトリミング位置6でGNDパターン3−1の一部
を削ると、内部のコンデンサ電極パターン4−1まで削
ってしまうことがある。このような場合は、そのままに
しておくと、マイグレーションにより、コンデンサの両
電極間が短絡し、特性不良、あるいは不良品となってし
まう。
6Cのトリミング位置6でGNDパターン3−1の一部
を削ると、内部のコンデンサ電極パターン4−1まで削
ってしまうことがある。このような場合は、そのままに
しておくと、マイグレーションにより、コンデンサの両
電極間が短絡し、特性不良、あるいは不良品となってし
まう。
【0015】(2) 前記(1)のようなトリミングを行っ
た際、GNDパターン3−1やコンデンサ電極パターン
4−1の金属は、性質的に粘りがあるため、GNDパタ
ーン3−1とコンデンサ電極パターン4−1とがトリミ
ング中に短絡することもある。このような場合特性不
良、あるいは不良品となってしまう。
た際、GNDパターン3−1やコンデンサ電極パターン
4−1の金属は、性質的に粘りがあるため、GNDパタ
ーン3−1とコンデンサ電極パターン4−1とがトリミ
ング中に短絡することもある。このような場合特性不
良、あるいは不良品となってしまう。
【0016】本発明は、このような従来の課題を解決
し、トリミングにより共振周波数の調整を行っても、特
性劣化や不良品等の発生が生じないようにすることを目
的とする。
し、トリミングにより共振周波数の調整を行っても、特
性劣化や不良品等の発生が生じないようにすることを目
的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理図で
あり、図中、2は誘電体層、3−1、3−2はGNDパ
ターン、4はコンデンサ電極パターン、5はコイルパタ
ーンを示す。
あり、図中、2は誘電体層、3−1、3−2はGNDパ
ターン、4はコンデンサ電極パターン、5はコイルパタ
ーンを示す。
【0018】本発明は上記の課題を解決するため、次の
ように構成した。 (1) 多層基板に、コイルとコンデンサを内蔵すると共
に、その積層方向の両側をGNDパターン3−1、3−
2で挟んだ構造のLC共振器であって、前記一方のGN
Dパターン3−1をトリミング用の電極として設定し、
前記内蔵コンデンサの電極パターンと、トリミング用の
GNDパターン3−1の間に、他の内部導体を有する層
を設けた。
ように構成した。 (1) 多層基板に、コイルとコンデンサを内蔵すると共
に、その積層方向の両側をGNDパターン3−1、3−
2で挟んだ構造のLC共振器であって、前記一方のGN
Dパターン3−1をトリミング用の電極として設定し、
前記内蔵コンデンサの電極パターンと、トリミング用の
GNDパターン3−1の間に、他の内部導体を有する層
を設けた。
【0019】(2) 前記他の内部導体をコイルパターン5
とした。 (3) 前記コイルパターン5を、前記トリミング用のGN
Dパターン3−1に対し、積層方向で最も近い層に設け
た。
とした。 (3) 前記コイルパターン5を、前記トリミング用のGN
Dパターン3−1に対し、積層方向で最も近い層に設け
た。
【0020】(4) 前記コイルパターン5と、前記コンデ
ンサを構成するコンデンサ電極パターンとを、それぞれ
別々の誘電体層上に設定すると共に、トリミング用のG
NDパターン3−1に対して、積層方向で近い位置に
は、コイルパターンをまとめて設定し、該コイルパター
ンよりも遠い位置には、コンデンサ電極パターンをまと
めて設定した。
ンサを構成するコンデンサ電極パターンとを、それぞれ
別々の誘電体層上に設定すると共に、トリミング用のG
NDパターン3−1に対して、積層方向で近い位置に
は、コイルパターンをまとめて設定し、該コイルパター
ンよりも遠い位置には、コンデンサ電極パターンをまと
めて設定した。
【0021】
【作用】上記構成に基づく本発明の作用を、図1を参照
しながら説明する。トリミング用のGNDパターン3−
1は、多層基板の表面に露出するように設定し、このG
NDパターン3−1のすぐ下側には、コイルパターン5
等、コンデンサ電極パターン以外の内部導体パターンを
設けておく。また、このコイルパターン5等の下側には
コンデンサ電極パターン4を設定し、更にその下側には
GNDパターン3−2を設定しておく。
しながら説明する。トリミング用のGNDパターン3−
1は、多層基板の表面に露出するように設定し、このG
NDパターン3−1のすぐ下側には、コイルパターン5
等、コンデンサ電極パターン以外の内部導体パターンを
設けておく。また、このコイルパターン5等の下側には
コンデンサ電極パターン4を設定し、更にその下側には
GNDパターン3−2を設定しておく。
【0022】このような構成により、2つのGNDパタ
ーン3−1、3−2の間にコイルとコンデンサを作り込
み、LC共振器とする。この場合、コイルパターン5
は、誘電体層2上の一部にしかパターニングされていな
い(コンデンサ電極パターンは、ほぼ全面にパターニン
グされている)。
ーン3−1、3−2の間にコイルとコンデンサを作り込
み、LC共振器とする。この場合、コイルパターン5
は、誘電体層2上の一部にしかパターニングされていな
い(コンデンサ電極パターンは、ほぼ全面にパターニン
グされている)。
【0023】前記LC共振器の共振周波数を調整する場
合には、トリミング用のGNDパターン3−1をトリミ
ングするがトリミング位置としては、コイルパターン5
がパターニングされていない位置を選定して行う。
合には、トリミング用のGNDパターン3−1をトリミ
ングするがトリミング位置としては、コイルパターン5
がパターニングされていない位置を選定して行う。
【0024】このようにすれば、トリミングによってG
NDパターン3−1だけでなく、その下側の誘電体層も
削り取られるが、下側にはコイルパターンがないため、
特性不良や不良品の発生等がない。
NDパターン3−1だけでなく、その下側の誘電体層も
削り取られるが、下側にはコイルパターンがないため、
特性不良や不良品の発生等がない。
【0025】また、一般的には、コンデンサを構成する
誘電体層よりも、他の誘電体層は厚くしてあるため、仮
に、コイルパターン5の形成されている位置でトリミン
グが行われても、コイルパターンまで削り取られること
はほとんどない。従って、この場合でも特性不良等が発
生しない。
誘電体層よりも、他の誘電体層は厚くしてあるため、仮
に、コイルパターン5の形成されている位置でトリミン
グが行われても、コイルパターンまで削り取られること
はほとんどない。従って、この場合でも特性不良等が発
生しない。
【0026】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図2〜図4は、本発明の1実施例を示した図であ
り、図2は高周波フィルタの回路例、図3は高周波フィ
ルタの分解斜視図、図4Aは図3のX−Y線断面図、図
4Bはトリミングによる周波数調整の説明図、図4Cは
SMD化した高周波フィルタの斜視図である。
する。図2〜図4は、本発明の1実施例を示した図であ
り、図2は高周波フィルタの回路例、図3は高周波フィ
ルタの分解斜視図、図4Aは図3のX−Y線断面図、図
4Bはトリミングによる周波数調整の説明図、図4Cは
SMD化した高周波フィルタの斜視図である。
【0027】図中、図1、図5と同符号は同一のものを
示す。また、2−1〜2−6は第1〜第6の誘電体層、
6−1、6−2はトリミング位置、7は余白、8はスル
ーホール電極、9はGND電極、10は入力端子用の電
極、11は出力端子用の電極を示す。
示す。また、2−1〜2−6は第1〜第6の誘電体層、
6−1、6−2はトリミング位置、7は余白、8はスル
ーホール電極、9はGND電極、10は入力端子用の電
極、11は出力端子用の電極を示す。
【0028】この実施例は、本発明のLC共振器を高周
波フィルタ(バンドパスフィルタ)に適用した例であ
り、その回路例を図2に示す。この回路は、コイルL1
〜L3 とコンデンサC1 〜C3 から成り、L1 C1 、L
2 C2 、L3 C3 でそれぞれLC共振回路を構成してい
る。
波フィルタ(バンドパスフィルタ)に適用した例であ
り、その回路例を図2に示す。この回路は、コイルL1
〜L3 とコンデンサC1 〜C3 から成り、L1 C1 、L
2 C2 、L3 C3 でそれぞれLC共振回路を構成してい
る。
【0029】そして、コンデンサC1 〜C3 は無調整の
コンデンサとし、コイルL1 〜L3 を調整することによ
り、各LC共振回路の共振周波数を調整するものであ
る。前記回路構成の高周波フィルタ(高周波フィルタモ
ジュール)は、図3のように構成されている。この高周
波フィルタでは、第1〜第6の誘電体層を積層した多層
基板を用いており、各誘電体層上にGNDパターン、コ
イルパターン、コンデンサ電極パターン等が厚膜パター
ンとして形成(印刷)されている。
コンデンサとし、コイルL1 〜L3 を調整することによ
り、各LC共振回路の共振周波数を調整するものであ
る。前記回路構成の高周波フィルタ(高周波フィルタモ
ジュール)は、図3のように構成されている。この高周
波フィルタでは、第1〜第6の誘電体層を積層した多層
基板を用いており、各誘電体層上にGNDパターン、コ
イルパターン、コンデンサ電極パターン等が厚膜パター
ンとして形成(印刷)されている。
【0030】図3に示したように、第1の誘電体層2−
1上にはGNDパターン3−1を形成する。このGND
パターン3−1は、ベタパターン(ほぼ全面にパターニ
ングする)として形成され、多層基板の表面に露出させ
る。
1上にはGNDパターン3−1を形成する。このGND
パターン3−1は、ベタパターン(ほぼ全面にパターニ
ングする)として形成され、多層基板の表面に露出させ
る。
【0031】第2の誘電体層2−2上には、コイル
L1 、L2 、L3 を構成するコイルパターン5を形成
し、第3の誘電体層2−3上にもコイルパターン5を形
成する。また第3の誘電体層2−3上には、中断用のス
ルーホール電極8を形成する。
L1 、L2 、L3 を構成するコイルパターン5を形成
し、第3の誘電体層2−3上にもコイルパターン5を形
成する。また第3の誘電体層2−3上には、中断用のス
ルーホール電極8を形成する。
【0032】第4の誘電体層2−4上には、コンデンサ
電極パターン4−3とスルーホール電極8を形成する。
この場合、コンデンサ電極パターン4−3の中にスルー
ホール電極を形成する際は、スルーホール電極8の周辺
部に余白7(導体のない部分)を形成する。
電極パターン4−3とスルーホール電極8を形成する。
この場合、コンデンサ電極パターン4−3の中にスルー
ホール電極を形成する際は、スルーホール電極8の周辺
部に余白7(導体のない部分)を形成する。
【0033】第5の誘電体層2−5上には、2つのコン
デンサ電極パターン4−1、4−2を形成する。第6の
誘電体層2−6上には、GNDパターン3−2(ベタパ
ターン)を形成する。
デンサ電極パターン4−1、4−2を形成する。第6の
誘電体層2−6上には、GNDパターン3−2(ベタパ
ターン)を形成する。
【0034】前記の各誘電体層上の各パターンは、図3
に示した点線の部分で、ブラインドスルーホール(内部
が導体で満たされたスルーホール)により接続する。こ
の接続により、第2、第3の誘電体層2−2、2−3上
のコイルパターン5により、コイルL1 、L2 、L3 を
構成する。
に示した点線の部分で、ブラインドスルーホール(内部
が導体で満たされたスルーホール)により接続する。こ
の接続により、第2、第3の誘電体層2−2、2−3上
のコイルパターン5により、コイルL1 、L2 、L3 を
構成する。
【0035】また、第4〜第6の誘電体層2−4〜2−
6上の各パターンにより、コンデンサC1 〜C3 を構成
する。すなわち、コンデンサ電極パターン4−1とGN
Dパターン3−2間でコンデンサC1 を構成し、コンデ
ンサ電極パターン4−2とGNDパターン3−2間でコ
ンデンサC2 を構成し、コンデンサ電極パターン4−3
と4−1間でコンデンサC3 を構成する。
6上の各パターンにより、コンデンサC1 〜C3 を構成
する。すなわち、コンデンサ電極パターン4−1とGN
Dパターン3−2間でコンデンサC1 を構成し、コンデ
ンサ電極パターン4−2とGNDパターン3−2間でコ
ンデンサC2 を構成し、コンデンサ電極パターン4−3
と4−1間でコンデンサC3 を構成する。
【0036】このようにして、最上層の第1の誘電体層
2−1上には、GNDパターン3−1を設けてトリミン
グできるようにすると共に、その下側の第2、第3の誘
電体層2−2、2−3上にはコイルC1 〜C3 をまとめ
て形成し、更にその下側の第4〜第6の誘電体層2−4
〜2−6上には、コンデンサC1 〜C3 をまとめて形成
する。
2−1上には、GNDパターン3−1を設けてトリミン
グできるようにすると共に、その下側の第2、第3の誘
電体層2−2、2−3上にはコイルC1 〜C3 をまとめ
て形成し、更にその下側の第4〜第6の誘電体層2−4
〜2−6上には、コンデンサC1 〜C3 をまとめて形成
する。
【0037】そして、コンデンサC1 〜C3 を構成する
電極の内、最下層の電極をGNDパターン3−2とす
る。この場合、第1〜第3の誘電体層2−1〜2−3の
厚みは、第4〜第5の誘電体層2−4〜2−5よりも厚
くする。すなわち、一般的にコンデンサを形成する誘電
体層よりも,コイル等を形成する誘電体層を厚く設定す
る。
電極の内、最下層の電極をGNDパターン3−2とす
る。この場合、第1〜第3の誘電体層2−1〜2−3の
厚みは、第4〜第5の誘電体層2−4〜2−5よりも厚
くする。すなわち、一般的にコンデンサを形成する誘電
体層よりも,コイル等を形成する誘電体層を厚く設定す
る。
【0038】前記のように構成した高周波フィルタの断
面(図3のX−Y線断面)は、図4Aのようになってい
る。図示のように、多層基板の内部にコイルL1 〜L3
とコンデンサC1 〜C3 を設定し、その両側(積層方向
の両側)にはGNDパターン(ベタパターン)3−1、
3−2を設定してある。
面(図3のX−Y線断面)は、図4Aのようになってい
る。図示のように、多層基板の内部にコイルL1 〜L3
とコンデンサC1 〜C3 を設定し、その両側(積層方向
の両側)にはGNDパターン(ベタパターン)3−1、
3−2を設定してある。
【0039】このようにすると、積層方向の両側でシー
ルドができ、完全なシールド構造の高周波フィルタとな
る。また、一方のGNDパターン3−1は、多層基板の
表面に露出させておき、高周波フィルタを構成する各共
振回路の共振周波数を調整する際、トリミングができる
ようにしておく。
ルドができ、完全なシールド構造の高周波フィルタとな
る。また、一方のGNDパターン3−1は、多層基板の
表面に露出させておき、高周波フィルタを構成する各共
振回路の共振周波数を調整する際、トリミングができる
ようにしておく。
【0040】前記の多層基板の側面に電極を設けてSM
D(表面実装部品)化すると、図4Bのようになる。こ
の例では、側面に入力端子用の電極10と、出力端子用
の電極11とGND電極9とを設け、前記各パターンの
所定の部分と接続する。
D(表面実装部品)化すると、図4Bのようになる。こ
の例では、側面に入力端子用の電極10と、出力端子用
の電極11とGND電極9とを設け、前記各パターンの
所定の部分と接続する。
【0041】このような高周波フィルタにおいて、共振
周波数の調整を行う際は、表面に露出しているGNDパ
ターン3−1の一部をトリミングする(例えば削る)。
このようなトリミングは、図4Cのトリミング位置6−
1、6−2の部分で行う。
周波数の調整を行う際は、表面に露出しているGNDパ
ターン3−1の一部をトリミングする(例えば削る)。
このようなトリミングは、図4Cのトリミング位置6−
1、6−2の部分で行う。
【0042】このトリミング位置6−1、6−2は、下
側にコイルパターン5がない部分を選定して位置決めす
る。そしてトリミング位置が決まると、レーザー等を用
いてGNDパターン3−1を削り取る。このトリミング
では、GNDパターン3−1の金属だけでなく、その下
側にある誘電体層もある程度削り取られる。
側にコイルパターン5がない部分を選定して位置決めす
る。そしてトリミング位置が決まると、レーザー等を用
いてGNDパターン3−1を削り取る。このトリミング
では、GNDパターン3−1の金属だけでなく、その下
側にある誘電体層もある程度削り取られる。
【0043】しかし、この場合、トリミング位置6−
1、6−2の下側にはコイルパターンがなく、かつ誘電
体層も、コンデンサを形成した部分の誘電体層より厚く
してあるため、何ら悪影響は出ない。
1、6−2の下側にはコイルパターンがなく、かつ誘電
体層も、コンデンサを形成した部分の誘電体層より厚く
してあるため、何ら悪影響は出ない。
【0044】このようなGNDパターンのトリミングに
より、その下側に設定されたコイルL1 〜L3 のインピ
ーダンスが変化するから、これにより共振回路の共振周
波数を調整することができる。従って、高周波フィルタ
としての周波数調整ができることになる。
より、その下側に設定されたコイルL1 〜L3 のインピ
ーダンスが変化するから、これにより共振回路の共振周
波数を調整することができる。従って、高周波フィルタ
としての周波数調整ができることになる。
【0045】その理由は次のとおりである。先ず、コイ
ルパターン5から発生する磁束は、GNDパターン3−
1と直交するから、該GNDパターン3−1には誘導電
流が発生する。そのため、コイルパターン5から生ずる
磁束に損失が生じて磁束密度が低下する。
ルパターン5から発生する磁束は、GNDパターン3−
1と直交するから、該GNDパターン3−1には誘導電
流が発生する。そのため、コイルパターン5から生ずる
磁束に損失が生じて磁束密度が低下する。
【0046】従って、インダクタンス値及びQ値は、G
NDパターン3−1が設けられていない場合にくらべて
低下する。その低下したインダクタンス値及びQ値は、
GNDパターン3−1に発生する誘導電流を小さくする
ことにより回復させることができる。
NDパターン3−1が設けられていない場合にくらべて
低下する。その低下したインダクタンス値及びQ値は、
GNDパターン3−1に発生する誘導電流を小さくする
ことにより回復させることができる。
【0047】前記誘導電流は、GNDパターン3−1の
有効面積を減らせば小さくできるので、GNDパターン
3−1の有効面積を調整することにより、インダクタン
ス値及びQ値を調整できることになる。このため、図4
Cに示したように、GNDパターン3−1の一部をトリ
ミングすれば、コイルL1 〜L3 のインピーダンスやQ
値を調整できることになる。
有効面積を減らせば小さくできるので、GNDパターン
3−1の有効面積を調整することにより、インダクタン
ス値及びQ値を調整できることになる。このため、図4
Cに示したように、GNDパターン3−1の一部をトリ
ミングすれば、コイルL1 〜L3 のインピーダンスやQ
値を調整できることになる。
【0048】なお、このようなトリミングにより、イン
ダクタンス値やQ値を調整できることは、試験によって
も十分確認されている。 (他の実施例)以上実施例について説明したが、本発明
は次のようにしても実施可能である。
ダクタンス値やQ値を調整できることは、試験によって
も十分確認されている。 (他の実施例)以上実施例について説明したが、本発明
は次のようにしても実施可能である。
【0049】(1) 前記実施例において、第2の誘電体層
2−2上に、コイルパターン5と並んで、コンデンサ電
極パターンや、その他の素子を構成するパターンが形成
されていてもよい(ただしコンデンサは無調整とす
る)。
2−2上に、コイルパターン5と並んで、コンデンサ電
極パターンや、その他の素子を構成するパターンが形成
されていてもよい(ただしコンデンサは無調整とす
る)。
【0050】この場合、GNDパターン3−1のトリミ
ングは、コイルパターンの上方に位置する部分でのみ行
えばよい。 (2) 高周波フィルタでけでなく、高周波発振器など、L
C共振器を用いたものに広く適用可能である。
ングは、コイルパターンの上方に位置する部分でのみ行
えばよい。 (2) 高周波フィルタでけでなく、高周波発振器など、L
C共振器を用いたものに広く適用可能である。
【0051】(3) SMDでけでなく、挿入部品としても
よい。 (4) 実施例ではバンドパスフィルタとしているが、ロー
パスフィルタやハイパスフィルタといったLとC構成に
よるフィルタ全体に応用が可能である。
よい。 (4) 実施例ではバンドパスフィルタとしているが、ロー
パスフィルタやハイパスフィルタといったLとC構成に
よるフィルタ全体に応用が可能である。
【0052】(5) 前記のトリミング用GNDパターンの
直下には、コイルパターン層を直接設ける他、ダミーシ
ート層や内部配線層を設けて、これらの層を介してコイ
ルパターン層を内蔵させても良い。
直下には、コイルパターン層を直接設ける他、ダミーシ
ート層や内部配線層を設けて、これらの層を介してコイ
ルパターン層を内蔵させても良い。
【0053】コイルのインダクタンス調整は,磁束がこ
れら他の層を通過し分布する事から、これらの層を介し
ても、トリミング用GNDパターンを削る事により調整
できる。
れら他の層を通過し分布する事から、これらの層を介し
ても、トリミング用GNDパターンを削る事により調整
できる。
【0054】しかし、調整の上では、実施例の様にトリ
ミング用GNDパターン直下に設けるのが好ましい。 (6) トリミング用GNDパターンを削る位置は、実施例
に示す位置の外、任適の位置を選択しうる。これは、コ
イルの磁束が広がりを持って分布している為で、コイル
直上以外でもインダクタンス調整の効果がある。
ミング用GNDパターン直下に設けるのが好ましい。 (6) トリミング用GNDパターンを削る位置は、実施例
に示す位置の外、任適の位置を選択しうる。これは、コ
イルの磁束が広がりを持って分布している為で、コイル
直上以外でもインダクタンス調整の効果がある。
【0055】しかし、コイル直上が最もインダクタンス
調整では好ましい。
調整では好ましい。
【0056】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 (1) トリミング用のGNDパターンのすぐ下側は、コイ
ルパターン、あるいは、コンデンサ電極パターン以外の
他の導体パターンとなっているため、コイルパターン等
のない部分を選んでトリミングすることが可能となる
(従来のようにベタパターンでないため)。従って、ト
リミングした場合に、その下側に導体がないから、電極
間のショートやマイグレーションによる特性劣化等が発
生しない。
のような効果がある。 (1) トリミング用のGNDパターンのすぐ下側は、コイ
ルパターン、あるいは、コンデンサ電極パターン以外の
他の導体パターンとなっているため、コイルパターン等
のない部分を選んでトリミングすることが可能となる
(従来のようにベタパターンでないため)。従って、ト
リミングした場合に、その下側に導体がないから、電極
間のショートやマイグレーションによる特性劣化等が発
生しない。
【0057】(2) トリミング用のGNDパターンとコイ
ルパターンとの間の誘電体層は、コンデンサを構成する
誘電体層よりも厚くできるため、仮に、コイルパターン
の上方でトリミングを行っても、コイルパターンまで削
り取られることはほとんどない。従って、特性の劣化等
はほとんど生じない。
ルパターンとの間の誘電体層は、コンデンサを構成する
誘電体層よりも厚くできるため、仮に、コイルパターン
の上方でトリミングを行っても、コイルパターンまで削
り取られることはほとんどない。従って、特性の劣化等
はほとんど生じない。
【0058】(3) 従来のようなトリミングによるパター
ン間のショートや、マイグレーションによる特性劣化は
ほとんどなくなる。
ン間のショートや、マイグレーションによる特性劣化は
ほとんどなくなる。
【図1】本発明の原理図である。
【図2】本発明の実施例における高周波フィルタの回路
例である。
例である。
【図3】本発明の実施例における高周波フィルタの分解
斜視図である。
斜視図である。
【図4】A図は図3のX−Y線断面図、B図はSMD化
した高周波フィルタの斜視図、C図はトリミングによる
周波数調整の説明図である。
した高周波フィルタの斜視図、C図はトリミングによる
周波数調整の説明図である。
【図5】従来例の説明図であり、A図は高周波フィルタ
の回路例、B図は高周波フィルタの断面図、C図はトリ
ミングによる周波数調整の説明図である。
の回路例、B図は高周波フィルタの断面図、C図はトリ
ミングによる周波数調整の説明図である。
2−1〜2−4 第1〜第4の誘電体層 3−1、3−2 GNDパターン 4 コンデンサ電極パターン 5 コイルパターン
Claims (4)
- 【請求項1】 多層基板に、コイルとコンデンサを内蔵
すると共に、その積層方向の両側をGNDパターン(3
−1、3−2)で挟んだ構造のLC共振器であって、 前記一方のGNDパターン(3−1)をトリミング用の
電極として設定し、 前記内蔵コンデンサの電極パターンと、トリミング用の
GNDパターン(3−1)の間に、 他の内部導体を有する層を設けたことを特徴とするLC
共振器。 - 【請求項2】 前記他の内部導体がコイルパターンであ
ることを特徴とする請求項1記載のLC共振器。 - 【請求項3】 前記コイルパターンが、前記トリミング
用のGNDパターン(3−1)に対し、積層方向で最も
近い層に設けられたことを特徴とする請求項1又は2記
載のLC共振器。 - 【請求項4】 前記コイルを構成するコイルパターン
(5)と、 前記コンデンサを構成するコンデンサ電極パターン(4
−1〜4−3)とを、それぞれ別々の誘電体層上に設定
すると共に、 トリミング用のGNDパターン(3−1)に対して、積
層方向で近い位置には、コイルパターン(5)をまとめ
て設定し、 該コイルパターン(5)よりも遠い位置には、コンデン
サ電極パターン(4−1〜4−3)をまとめて設定した
ことを特徴とする請求項1又は2又は3記載のLC共振
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29444591A JPH05136644A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | Lc共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29444591A JPH05136644A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | Lc共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136644A true JPH05136644A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17807873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29444591A Withdrawn JPH05136644A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | Lc共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136644A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5777533A (en) * | 1995-05-16 | 1998-07-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | LC filter with external electrodes only on a smaller layer |
| JP2002374139A (ja) * | 2001-06-13 | 2002-12-26 | Murata Mfg Co Ltd | バランス型lcフィルタ |
| JP2003008383A (ja) * | 2001-06-18 | 2003-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 積層高周波フィルタ |
| JP2005244286A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Hitachi Metals Ltd | 積層ローパスフィルタ及びそれを用いた高周波スイッチモジュール |
| WO2010100997A1 (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-10 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子装置 |
| JP2011130083A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | 可変フィルタ |
| WO2015059963A1 (ja) * | 2013-10-24 | 2015-04-30 | 株式会社村田製作所 | 複合lc共振器および帯域通過フィルタ |
| WO2016157928A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| JP2021534582A (ja) * | 2018-08-28 | 2021-12-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 量子マイクロ波回路用の極低温分散−抵抗ハイブリッド減衰器のパッケージングおよび熱平衡化 |
| JP2022515134A (ja) * | 2018-12-20 | 2022-02-17 | エイブイエックス コーポレイション | 高周波数多層フィルタ |
-
1991
- 1991-11-11 JP JP29444591A patent/JPH05136644A/ja not_active Withdrawn
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5777533A (en) * | 1995-05-16 | 1998-07-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | LC filter with external electrodes only on a smaller layer |
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| JP5516572B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2014-06-11 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子装置 |
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| WO2015059963A1 (ja) * | 2013-10-24 | 2015-04-30 | 株式会社村田製作所 | 複合lc共振器および帯域通過フィルタ |
| WO2016157928A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| JPWO2016157928A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2017-12-07 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| US10340875B2 (en) | 2015-03-27 | 2019-07-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
| JP2021534582A (ja) * | 2018-08-28 | 2021-12-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 量子マイクロ波回路用の極低温分散−抵抗ハイブリッド減衰器のパッケージングおよび熱平衡化 |
| JP2022515134A (ja) * | 2018-12-20 | 2022-02-17 | エイブイエックス コーポレイション | 高周波数多層フィルタ |
| US11838002B2 (en) | 2018-12-20 | 2023-12-05 | KYOCERA AVX Components Corporation | High frequency multilayer filter |
| JP2024056900A (ja) * | 2018-12-20 | 2024-04-23 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | 高周波数多層フィルタ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |