JPH03258004A - Lc複合回路におけるインピーダンス調整方法 - Google Patents
Lc複合回路におけるインピーダンス調整方法Info
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- JPH03258004A JPH03258004A JP5563290A JP5563290A JPH03258004A JP H03258004 A JPH03258004 A JP H03258004A JP 5563290 A JP5563290 A JP 5563290A JP 5563290 A JP5563290 A JP 5563290A JP H03258004 A JPH03258004 A JP H03258004A
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- impedance
- capacitor
- circuit
- trimming
- pattern
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
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- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Filters And Equalizers (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、LC複合回路番こおけるインピーダンス調整
方法に関し、更に詳しくいえば、高周波回路等に用いる
LC複合回路、例えば、高周波アンプの最終段に接続さ
れたLPF等をプリント回路基板に実装する際に用いら
れ、特に、インピーダンスを正確に、且つ容易に調整で
きるようにした、LC複合回路におけるインピーダンス
調整方法に関する。
方法に関し、更に詳しくいえば、高周波回路等に用いる
LC複合回路、例えば、高周波アンプの最終段に接続さ
れたLPF等をプリント回路基板に実装する際に用いら
れ、特に、インピーダンスを正確に、且つ容易に調整で
きるようにした、LC複合回路におけるインピーダンス
調整方法に関する。
第5図は、従来のLPFの回路例、第6図は従来のLP
Fの等価回路を示す、図中、Ll、L2はコイル、C1
〜C3はコンデンサ、INは入力端子、OUTは出力端
子を示す。
Fの等価回路を示す、図中、Ll、L2はコイル、C1
〜C3はコンデンサ、INは入力端子、OUTは出力端
子を示す。
従来、例えば高周波アンプの最終段に接続されたLPF
(ローパスフィルタ)としては例えば、第5図のよう
な回路が知られていた。このようなLPFをプリント回
路基板に実装した場合、基本波を通過させ、第2次高調
波を組止す4よう仁設計することは可能であるが、第3
次高調波を阻止することは困難であった。
(ローパスフィルタ)としては例えば、第5図のよう
な回路が知られていた。このようなLPFをプリント回
路基板に実装した場合、基本波を通過させ、第2次高調
波を組止す4よう仁設計することは可能であるが、第3
次高調波を阻止することは困難であった。
ところが、第3次高調波も阻止したいと・いう要望もあ
り、この対策も考えられていた。その対策の一つに、コ
ンデンサC3(第6図参照)と直列にコイルを接続し、
第3次高調波周波数に対する直列共振回路を作ることが
考えられていた。
り、この対策も考えられていた。その対策の一つに、コ
ンデンサC3(第6図参照)と直列にコイルを接続し、
第3次高調波周波数に対する直列共振回路を作ることが
考えられていた。
この場合、第3次高調波は周波数が極めて高く、コンデ
ンサC3と直列接続するコイルのインダクタンス値は極
めて小さい。このようなインダクタンス値の極めて小さ
いコイルは、ディスクリート部品としては存在しないた
め、コンデンサC3の結線長を数mm長くすることで上
記コイルの役目をさせていた。
ンサC3と直列接続するコイルのインダクタンス値は極
めて小さい。このようなインダクタンス値の極めて小さ
いコイルは、ディスクリート部品としては存在しないた
め、コンデンサC3の結線長を数mm長くすることで上
記コイルの役目をさせていた。
上記コンデンサC3の結線は、プリント配m基板上に厚
膜の配線パターンとして形成するものであり、この配線
パターンを、基本回路(第5図の回路で第3次高調波を
考慮しない場合の回路)の長さより数mm程度長くする
。このようにすれば極めて小さなインダクタンス値のコ
イルが得られ、基本波周波数の人力インピーダンスを大
きく変化させることなく、第3次高調波の人力インピー
ダンスを大きく変化させることができ、第3次高調波の
阻止が可能となる。
膜の配線パターンとして形成するものであり、この配線
パターンを、基本回路(第5図の回路で第3次高調波を
考慮しない場合の回路)の長さより数mm程度長くする
。このようにすれば極めて小さなインダクタンス値のコ
イルが得られ、基本波周波数の人力インピーダンスを大
きく変化させることなく、第3次高調波の人力インピー
ダンスを大きく変化させることができ、第3次高調波の
阻止が可能となる。
上記のように、コンデンサC3の結線長を長くした場合
の等価回路は、第6図のようになり、以下具体的に説明
する。
の等価回路は、第6図のようになり、以下具体的に説明
する。
この回路は有極型のLPFであり、コイルL2が結線長
を長くしたことによる等価的なコイルである。今、第6
図の回路を高周波アンプの最終段に付加して、基本波に
対する2次高調波及び第3次高調波底分の対策に使う場
合を考える。
を長くしたことによる等価的なコイルである。今、第6
図の回路を高周波アンプの最終段に付加して、基本波に
対する2次高調波及び第3次高調波底分の対策に使う場
合を考える。
基本波の周波数を11、第2次高調波の周波数をf2、
第3次高調波の周波数を13とした時、ft−ft−2
5O程度ならば、f2=500MHz、f3=750M
Hzとなる。
第3次高調波の周波数を13とした時、ft−ft−2
5O程度ならば、f2=500MHz、f3=750M
Hzとなる。
このような各周波数で、f1威分を通過させ、r2と1
3成分を阻止するための各素子定数は計算等により得る
ことができる。例えば、コイルL1とコンデンサC?の
並列回路で第3次高調波成分(「2)を阻止し、コンデ
ンサC3とコイルL2の直列回路で第3次高調波底分(
f3)を阻止する場合、コイルL2のインダクタンス値
は、約5nH(ナノ・ヘンリー)となる。
3成分を阻止するための各素子定数は計算等により得る
ことができる。例えば、コイルL1とコンデンサC?の
並列回路で第3次高調波成分(「2)を阻止し、コンデ
ンサC3とコイルL2の直列回路で第3次高調波底分(
f3)を阻止する場合、コイルL2のインダクタンス値
は、約5nH(ナノ・ヘンリー)となる。
これを厚膜の配線パターンで形成した場合、約数mm程
度の引き回しで得られる。
度の引き回しで得られる。
上記のような従来のものにおいては次のような欠点があ
った。
った。
(1)第3次高調波を阻止するためのコイルを結線の引
き回しで等価的に形成する場合、周波数が極めて高いた
め、その長さが極めて短く、インダクタンス値を決める
のが困難であった。
き回しで等価的に形成する場合、周波数が極めて高いた
め、その長さが極めて短く、インダクタンス値を決める
のが困難であった。
(2)等価的なコイルを、プリント回路基板上に厚膜パ
ターンとして形成するが、その場合、正確なインダクタ
ンス値が決めにくいため、高周波回路を実装した後、計
測し、再びバターニングをやり直すなど、高周波回路の
設計に手間がかかる。
ターンとして形成するが、その場合、正確なインダクタ
ンス値が決めにくいため、高周波回路を実装した後、計
測し、再びバターニングをやり直すなど、高周波回路の
設計に手間がかかる。
(3)厚膜パターンは、該パターンの形成後、インピー
ダンスの微調整ができないため、上記等価的なコイルの
インダクタンス値が、所定の誤差範囲内に収まらない場
合は、そのまま製品歩留りの悪化につながっていた。
ダンスの微調整ができないため、上記等価的なコイルの
インダクタンス値が、所定の誤差範囲内に収まらない場
合は、そのまま製品歩留りの悪化につながっていた。
本発明は、このような従来の欠点を解消し、部品の実装
時に、LC複合回路の素子定数を微調整できるようにし
て、インピーダンス調整が正確、かつ容易にできるよう
にすることを目的とする。
時に、LC複合回路の素子定数を微調整できるようにし
て、インピーダンス調整が正確、かつ容易にできるよう
にすることを目的とする。
本発明は上記の目的を達成するため、少なくともコンデ
ンサを厚膜パターンで形成した回路をプリント回路基板
に実装する際、等価的にコンデンサCとコイルLとから
成るLC複合回路を形成してインピーダンス調整を行う
LC複合回路のインピーダンス調整方法において、 上記プリント回路基板上に形成したコンデンサCの電極
パターンにトリミングを行い、該トリミングにより、等
価的なLC複合回路を形成すると同時に、インピーダン
スの調整を行うようにしたものである。
ンサを厚膜パターンで形成した回路をプリント回路基板
に実装する際、等価的にコンデンサCとコイルLとから
成るLC複合回路を形成してインピーダンス調整を行う
LC複合回路のインピーダンス調整方法において、 上記プリント回路基板上に形成したコンデンサCの電極
パターンにトリミングを行い、該トリミングにより、等
価的なLC複合回路を形成すると同時に、インピーダン
スの調整を行うようにしたものである。
〔作用]
本発明は上記のように構成したので、次のような作用が
ある。
ある。
プリント回路基板上に、コンデンサ電極パタンを印刷し
た後、コンデンサ電極パターンにトリミングを行う。
た後、コンデンサ電極パターンにトリミングを行う。
この場合、出力特性を見ながらファンクショントリミン
グを行い、LC複合回路のインピーダンス調整をする。
グを行い、LC複合回路のインピーダンス調整をする。
このようにすると、極めて小さな素子定数であっても、
正確かつ容易に調整することが可能となる。
正確かつ容易に調整することが可能となる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は、本発明の第1実施例のコンデンサ電極パター
ンを示した図、第2図、第3図はそれぞれ上記実施例に
おけるトリミング例(1)、(2)を示した図である。
ンを示した図、第2図、第3図はそれぞれ上記実施例に
おけるトリミング例(1)、(2)を示した図である。
図中、1は第1電極パターン、2は第2電極バタン(例
えばアース電極)、3はトリミングバクンを示す。
えばアース電極)、3はトリミングバクンを示す。
この実施例は、第5図に示したL P Fに通用した例
であり、第5図の回路をプリント回路基板番こ実装した
際、等価的に第6図の回路となるようにする。この場合
、少なくともLC複合回路を構成するコンデンサC3は
、厚膜パターンとして形成する。
であり、第5図の回路をプリント回路基板番こ実装した
際、等価的に第6図の回路となるようにする。この場合
、少なくともLC複合回路を構成するコンデンサC3は
、厚膜パターンとして形成する。
先ず、第1図のように、プリント回路基板(図示省略)
を挟んで、コンデンサC3の第1電極パターン1と第2
電極パターン2とを印刷により形成する(厚膜電極パタ
ーンの形り。この時、例えば第2電極2をアース電極と
する。
を挟んで、コンデンサC3の第1電極パターン1と第2
電極パターン2とを印刷により形成する(厚膜電極パタ
ーンの形り。この時、例えば第2電極2をアース電極と
する。
次に、第2図に示したように、第1電極1にトリミング
を行い、トリミングパターン3を形成する。このトリミ
ング方法としては、例えばレーザトリミング方法を用い
る。レーザトリミング方法は、レーザにより電極パター
ンの4体を除去する方法であり、常時、計′!I43に
よりトリ呉ング部分の計測を行い、出力特性を監視しな
がらトリミングを行うことができるものである。
を行い、トリミングパターン3を形成する。このトリミ
ング方法としては、例えばレーザトリミング方法を用い
る。レーザトリミング方法は、レーザにより電極パター
ンの4体を除去する方法であり、常時、計′!I43に
よりトリ呉ング部分の計測を行い、出力特性を監視しな
がらトリミングを行うことができるものである。
このトリミングによるトリミングパターン3の形状によ
り、残りの電極パターン1の形状が決まる。
り、残りの電極パターン1の形状が決まる。
第2図では、トリミングパターンがスパイラル型(満巻
型)になっており、電極パターン1もスパイラル型とな
る。
型)になっており、電極パターン1もスパイラル型とな
る。
第3図は上記トリミングパターン3をスリット状に2ケ
所形威した例である。この例では、第1電極lは、蛇行
線型となる。
所形威した例である。この例では、第1電極lは、蛇行
線型となる。
上記のように、第1電極パターン1にトリミングを行い
、残りの電極をスパイラル型、あるいは蛇行線型とする
と、この電極形状により、等価的にコイル(第6図のL
2)が形成されたことになる。具体的には、コンデンサ
C3を結線するために既に発生している誘導成分(これ
を”lo」とする)と、トリミングにより新たに発生す
る誘導成分(これを「11jとする)との和(16+
11)が等価的なコイルL2のインククタンス埴となる
。
、残りの電極をスパイラル型、あるいは蛇行線型とする
と、この電極形状により、等価的にコイル(第6図のL
2)が形成されたことになる。具体的には、コンデンサ
C3を結線するために既に発生している誘導成分(これ
を”lo」とする)と、トリミングにより新たに発生す
る誘導成分(これを「11jとする)との和(16+
11)が等価的なコイルL2のインククタンス埴となる
。
又、この場合、コンデンサC3の雷極面積は、トリミン
グパターン3の分だけ減少し、その容量は若干源るが、
トリミングパターン3の切り幅が細ければ、はとんど第
6図で設計したフィルタ特性を変化させないで済む。
グパターン3の分だけ減少し、その容量は若干源るが、
トリミングパターン3の切り幅が細ければ、はとんど第
6図で設計したフィルタ特性を変化させないで済む。
今、コンデンサC3のトリミング後の容量をCaとすれ
ば(はとんどC3ξCa)、これによるす るように、上記のトリミングを行えば、第3次高調波を
阻止することができる。この合せ込みは、上記のように
、計測器で出力特性を見ながらファンクショントリミン
グを行えばよい。
ば(はとんどC3ξCa)、これによるす るように、上記のトリミングを行えば、第3次高調波を
阻止することができる。この合せ込みは、上記のように
、計測器で出力特性を見ながらファンクショントリミン
グを行えばよい。
第4図は本発明の第2実施例の説明図であり、A図は実
装基板の分解斜視図、B図はA図のXY線方向断面図で
ある。
装基板の分解斜視図、B図はA図のXY線方向断面図で
ある。
図中、第1図〜第3図、及び第5図と同符号は同一のも
のを示し、4はセラミンク回路基板、5はコイルパター
ン、6はブラインドスルーホール(内部が導体で詰まっ
ているスルーホール)を示す。
のを示し、4はセラミンク回路基板、5はコイルパター
ン、6はブラインドスルーホール(内部が導体で詰まっ
ているスルーホール)を示す。
この例では、上記第1実施例と同し回路を、セラミック
多層回路基板に実装する場合の例である。
多層回路基板に実装する場合の例である。
その際、コイルLzを厚膜のヘリカル型コイルパターン
としてセラミック多層回路基板に内蔵させ、コンデンサ
(,1とC2をディスクリート部品で構成すると共に、
LC複合回路であるコンデンサC3とコイルL2を上記
第1実施例と同様に形成する。
としてセラミック多層回路基板に内蔵させ、コンデンサ
(,1とC2をディスクリート部品で構成すると共に、
LC複合回路であるコンデンサC3とコイルL2を上記
第1実施例と同様に形成する。
図示のように、セラミック回路基板4を積層しくこの例
では4層)、セラミック多層回#!1基板とする。各セ
ラミック回路基Fi4には、それぞれコイルパターン5
を形成し、それぞれのセラミック回路基板4に設けられ
たブラインドスルーホールによって相互に接続し、ヘリ
カル型のコイルパタンを形成する。このヘリカル型のコ
イルパターンは、コイルLX(第5図参照)となる。
では4層)、セラミック多層回#!1基板とする。各セ
ラミック回路基Fi4には、それぞれコイルパターン5
を形成し、それぞれのセラミック回路基板4に設けられ
たブラインドスルーホールによって相互に接続し、ヘリ
カル型のコイルパタンを形成する。このヘリカル型のコ
イルパターンは、コイルLX(第5図参照)となる。
また、第1実施例と同様にして、コンデンサC3の第1
電極パターン1と第2電極パターン2とを別のセラ名ツ
ク回路基板上にバターニングし、第1電極パターンlに
トリミングを行い、スリント状のトリミングパターン3
を形成する。これにより、第1電極パターンl、第2電
極パターン2及びその間に挟まれたセラミック回路基板
4とでコンデンサC3とコイルL2とのLC複合回路形
成できる。
電極パターン1と第2電極パターン2とを別のセラ名ツ
ク回路基板上にバターニングし、第1電極パターンlに
トリミングを行い、スリント状のトリミングパターン3
を形成する。これにより、第1電極パターンl、第2電
極パターン2及びその間に挟まれたセラミック回路基板
4とでコンデンサC3とコイルL2とのLC複合回路形
成できる。
また、コンデンサC1と02は、それぞれセラミック多
層回路基板の両面に分散して搭載し、ブラインドスルー
ホール6や配線パターンを利用して電気的接続を行う。
層回路基板の両面に分散して搭載し、ブラインドスルー
ホール6や配線パターンを利用して電気的接続を行う。
以上実施例について説明したが、本発明は次のようにし
ても実施可能である。
ても実施可能である。
(1)コンデンサC1,C2及びコイルLtは、全てデ
ィスクリート部品としてもよく、また全て厚膜パターン
として印刷によって形成してもよい。
ィスクリート部品としてもよく、また全て厚膜パターン
として印刷によって形成してもよい。
また、その一部の部品のみをディスクリート部品として
もよい。いずれにしても、少なくともコンデンサC3を
厚膜パターンで作ればよい。
もよい。いずれにしても、少なくともコンデンサC3を
厚膜パターンで作ればよい。
(2) ji用するプリント回路基板としては、単層
の基板でもよく、多層の基板でもよい。
の基板でもよく、多層の基板でもよい。
又、セラミック回路基板に限らず、他の回路基板でもよ
い。
い。
(3)適用する回路としては、LPFに限らず他の高周
波回路でもよい。
波回路でもよい。
(4) マイクロストリップラインを使用したトラン
ジスタの入出力インピーダンスの調整にも応用すること
が可能である。
ジスタの入出力インピーダンスの調整にも応用すること
が可能である。
(5) 上記のトリミングを行う方法として、予めコ
ンデンサC3の電極パターンにカットを入れておき、こ
のカット部分を導電性塗料等で埋めながらトリミングを
行ってもよい。
ンデンサC3の電極パターンにカットを入れておき、こ
のカット部分を導電性塗料等で埋めながらトリミングを
行ってもよい。
(6)コンデンサC3の第1電極パターン1にのみトリ
ミングを行う例について説明したが、このような例に限
らず、第2電極パターン2にトリミングを行ってもよく
、また両方の電極パターンにトリミングを行ってもよい
。
ミングを行う例について説明したが、このような例に限
らず、第2電極パターン2にトリミングを行ってもよく
、また両方の電極パターンにトリミングを行ってもよい
。
(7)トリミング後のコンデンサ電極パターンとしては
、スパイラル型、蛇行線型に限らず、他の型でもよい。
、スパイラル型、蛇行線型に限らず、他の型でもよい。
以上説明したように、本発明によれば次のような効果が
ある。
ある。
(1)部品の実装時に、LC複合回路のインピーダンス
を正確、且つ容易に調整できる。
を正確、且つ容易に調整できる。
(2)どんなに小さな素子定数でも、LC複合回路のイ
ンピーダンス調整が容易にできるから、製品の歩留りも
向上する。
ンピーダンス調整が容易にできるから、製品の歩留りも
向上する。
(3)例えば第5図に示したようなLPFに適用した場
合、第2次高調波を阻止できるようにした回路設計で、
更に第3次高調波も阻止しようとする時、本発明を用い
れば、正確かつ容易にLC複合回路のインピーダンスを
調整し、第3次高調波の阻止対策も確実に行える。
合、第2次高調波を阻止できるようにした回路設計で、
更に第3次高調波も阻止しようとする時、本発明を用い
れば、正確かつ容易にLC複合回路のインピーダンスを
調整し、第3次高調波の阻止対策も確実に行える。
(43LC複合回路が小型化できる。
第1図は第1実施例のコンデンサ電極パターン、第2図
は第1実施例のトリジング例(1)、第3図は第1実施
例のトリミングfM (2)、第4図は第2実施例の説
明図、 第5図は従来のLPFの回路例、 第6図は従来の等価回路である。 1−第1電極パターン 2−第2電極パターン 3− トリミングパターン 4−セラミック回路基板 5−コイルパターン 6−ブラインドスルーホール
は第1実施例のトリジング例(1)、第3図は第1実施
例のトリミングfM (2)、第4図は第2実施例の説
明図、 第5図は従来のLPFの回路例、 第6図は従来の等価回路である。 1−第1電極パターン 2−第2電極パターン 3− トリミングパターン 4−セラミック回路基板 5−コイルパターン 6−ブラインドスルーホール
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも厚膜パターンで形成したコンデンサを有す
る回路を、プリント回路基板に実装する際、等価的にコ
ンデンサCとコイルLとから成るLC複合回路を形成し
、インピーダンスを調整するLC複合回路におけるイン
ピーダンス調整方法において、 上記プリント回路基板上に形成したコンデンサCの電極
パターンにトリミングを行い、 該トリミングにより、等価的なLC複合回路を形成する
と同時に、このLC複合回路のインピーダンスの調整を
行うことを特徴とするLC複合回路におけるインピーダ
ンス調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5563290A JPH03258004A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | Lc複合回路におけるインピーダンス調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5563290A JPH03258004A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | Lc複合回路におけるインピーダンス調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03258004A true JPH03258004A (ja) | 1991-11-18 |
Family
ID=13004165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5563290A Pending JPH03258004A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | Lc複合回路におけるインピーダンス調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03258004A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05308207A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Fukushima Nippon Denki Kk | 高周波用半導体パッケージ |
| JP2008167157A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Toko Inc | ハイパスフィルタ |
-
1990
- 1990-03-07 JP JP5563290A patent/JPH03258004A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05308207A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Fukushima Nippon Denki Kk | 高周波用半導体パッケージ |
| JP2008167157A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Toko Inc | ハイパスフィルタ |
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