JPH0514018A - 方向性結合器 - Google Patents
方向性結合器Info
- Publication number
- JPH0514018A JPH0514018A JP15701791A JP15701791A JPH0514018A JP H0514018 A JPH0514018 A JP H0514018A JP 15701791 A JP15701791 A JP 15701791A JP 15701791 A JP15701791 A JP 15701791A JP H0514018 A JPH0514018 A JP H0514018A
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- Japan
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- coupling
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】主伝送路１とカップリング伝送路２を誘電体基
板上に成膜する。主伝送路１とカップリング伝送路２の
入、出射ポートＰ１，Ｐ２とカップリング伝送路に接続
された引出端子Ｐ３，Ｐ４を誘電体の基底の一辺に設
け、主伝送路とカップリング伝送路をオーバーコート
７，８，９で電磁遮蔽する。また、主伝送路を成膜する
誘電体基板とカップリング伝送路を成膜する誘電体基板
を相互に背面実装する。 【効果】プリント基板に佇立して実装可能とし、スペー
スファクタの改善、外部回路からの妨害信号の防止を図
る。また、背面実装により反射波カップリング伝送路を
追加できる。
板上に成膜する。主伝送路１とカップリング伝送路２の
入、出射ポートＰ１，Ｐ２とカップリング伝送路に接続
された引出端子Ｐ３，Ｐ４を誘電体の基底の一辺に設
け、主伝送路とカップリング伝送路をオーバーコート
７，８，９で電磁遮蔽する。また、主伝送路を成膜する
誘電体基板とカップリング伝送路を成膜する誘電体基板
を相互に背面実装する。 【効果】プリント基板に佇立して実装可能とし、スペー
スファクタの改善、外部回路からの妨害信号の防止を図
る。また、背面実装により反射波カップリング伝送路を
追加できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は方向性結合器に係わり、
特に佇立した誘電体基板の基底の一辺に主伝送路及びカ
ップリング伝送路の入、出射ポート及びカップリング側
ボートが接続された引出端子を設けた方向性結合器に関
する。
特に佇立した誘電体基板の基底の一辺に主伝送路及びカ
ップリング伝送路の入、出射ポート及びカップリング側
ボートが接続された引出端子を設けた方向性結合器に関
する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】一般に
自動車電話、携帯電話等に用いる方向性結合器は誘電体
基板上に主伝送路と、主伝送路に平行したカップリング
伝送路を成膜する。主伝送路の入、出射ポート及びカッ
プリング側ポートは誘電体基板上の一方並びに他方の辺
に設けられた引出端子に接続され、この引出端子を経由
してマイクロ波を出力する。主伝送路の一方の入射ポー
トから入力されるマイクロ波の電力をＰｉ、他方の出射
ポートから出力される電力をＰｏとすれば、ＰｉとＰｏ
の電力比は挿入損（insertion loss）となる。また、カ
ップリング伝送路の一方の側から出力される進行波をＰ
ｆ、他方の側へ出力される反射波をＰｒとすればＰｉと
Ｐｆの電力比は結合度（coupling）、ＰｆとＰｒの電力
比は方向性（directivity）となる。誘電体基板上に設
けられた分布定数回路要素で方向性結合器を形成する
と、取扱うマイクロ波が９００ＭＨＺのときの完成品の
面積は５mm×４.５mm、プリント基板に対する高さは０.
６mm程度となる。なお、この場合の主伝送路とカップリ
ング伝送路はマイクロストリップ線路で形成された４端
子網と見做されるので入、出射ポート及びカップリング
側ポートに接続される引出端子は誘電体基板上の対応し
た辺にそれぞれ実装される。このため、プリント基板に
対するスペースファクタは回路パタ−ンを成膜する誘電
体基板の厚みに関係なく基板の面積により決定される。
この基板の面積は上述したように略々５mm×５mm程度前
後であるから従来技術による場合はプリント基板上のス
ペースファクタは上記面積以下に改善でない難点があ
る。
自動車電話、携帯電話等に用いる方向性結合器は誘電体
基板上に主伝送路と、主伝送路に平行したカップリング
伝送路を成膜する。主伝送路の入、出射ポート及びカッ
プリング側ポートは誘電体基板上の一方並びに他方の辺
に設けられた引出端子に接続され、この引出端子を経由
してマイクロ波を出力する。主伝送路の一方の入射ポー
トから入力されるマイクロ波の電力をＰｉ、他方の出射
ポートから出力される電力をＰｏとすれば、ＰｉとＰｏ
の電力比は挿入損（insertion loss）となる。また、カ
ップリング伝送路の一方の側から出力される進行波をＰ
ｆ、他方の側へ出力される反射波をＰｒとすればＰｉと
Ｐｆの電力比は結合度（coupling）、ＰｆとＰｒの電力
比は方向性（directivity）となる。誘電体基板上に設
けられた分布定数回路要素で方向性結合器を形成する
と、取扱うマイクロ波が９００ＭＨＺのときの完成品の
面積は５mm×４.５mm、プリント基板に対する高さは０.
６mm程度となる。なお、この場合の主伝送路とカップリ
ング伝送路はマイクロストリップ線路で形成された４端
子網と見做されるので入、出射ポート及びカップリング
側ポートに接続される引出端子は誘電体基板上の対応し
た辺にそれぞれ実装される。このため、プリント基板に
対するスペースファクタは回路パタ−ンを成膜する誘電
体基板の厚みに関係なく基板の面積により決定される。
この基板の面積は上述したように略々５mm×５mm程度前
後であるから従来技術による場合はプリント基板上のス
ペースファクタは上記面積以下に改善でない難点があ
る。
【０００３】
【発明の目的】本発明は上述した点に鑑みなされたもの
で、主伝送路とカップリング伝送路の入、出射ポート及
びカップリング側ポートが接続される引出端子を誘電体
基板の基底の一辺に設けることにより、プリント基板は
佇立して実装可能とし、スペースファクタの改善、外部
回路からの妨害信号の防止が図れる方向性結合器を提供
することを目的とする。
で、主伝送路とカップリング伝送路の入、出射ポート及
びカップリング側ポートが接続される引出端子を誘電体
基板の基底の一辺に設けることにより、プリント基板は
佇立して実装可能とし、スペースファクタの改善、外部
回路からの妨害信号の防止が図れる方向性結合器を提供
することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明による方向性結合
器は、マイクロ波の４分の１波長に対応した長さで誘電
体基板上に成膜された入射ポ−トと出射ポ−トを有する
主伝送路と、主伝送路に平行して設けられ入射ポ−ト並
びに出射ポ−トに対応したカップリング側ポ−トを有す
るカップリング伝送路と、佇立した誘電体基板の基底の
−辺に設けられた引出端子と、入射ポ−ト、出射ポ−ト
及びカップリング側ポ−トが引出端子に接続された主伝
送路並びにカップリング伝送路を電磁遮蔽する電磁遮蔽
用オ−バコ−トとで構成する。
器は、マイクロ波の４分の１波長に対応した長さで誘電
体基板上に成膜された入射ポ−トと出射ポ−トを有する
主伝送路と、主伝送路に平行して設けられ入射ポ−ト並
びに出射ポ−トに対応したカップリング側ポ−トを有す
るカップリング伝送路と、佇立した誘電体基板の基底の
−辺に設けられた引出端子と、入射ポ−ト、出射ポ−ト
及びカップリング側ポ−トが引出端子に接続された主伝
送路並びにカップリング伝送路を電磁遮蔽する電磁遮蔽
用オ−バコ−トとで構成する。
【０００５】また、本発明による方向性結合器の誘電体
基板は、主伝送路が成膜された第１の誘電体基板と、カ
ップリング伝送路が成膜され、かつ、第１の誘電体基板
の背面に設けらた第２の誘電体基板とで構成する。
基板は、主伝送路が成膜された第１の誘電体基板と、カ
ップリング伝送路が成膜され、かつ、第１の誘電体基板
の背面に設けらた第２の誘電体基板とで構成する。
【０００６】
【作用】主伝送路とカップリング伝送路を誘電体基板上
に成膜する。主伝送路とカップリング伝送路の入、出射
ポートとカップリング側ポートに接続された引出端子を
誘電体基板の基底の一辺に設け、主伝送路とカップリン
グ伝送路をオーバーコートで電磁遮蔽する。
に成膜する。主伝送路とカップリング伝送路の入、出射
ポートとカップリング側ポートに接続された引出端子を
誘電体基板の基底の一辺に設け、主伝送路とカップリン
グ伝送路をオーバーコートで電磁遮蔽する。
【０００７】また、主伝送路を成膜する誘電体基板とカ
ップリング伝送路を成膜する誘電体基板を相互に背面実
装する。
ップリング伝送路を成膜する誘電体基板を相互に背面実
装する。
【０００８】
【実施例】以下、本発明による方向性結合器の一実施例
を図１、図８に従って詳述する。図１において、１は主
伝送路である。主伝送路１は高さＬＹが２.５mm、幅Ｌ
Ｘが４.９９mm、奥行ＬＺが０.６３５mmの誘電体基板上
に成膜する。また、主伝送路１の入射ポートをピン
Ｐ1、出射ポートをピンＰ2と接続する。また、主伝送路
１に平行してカップリング側伝送路２を成膜し、カップ
リング伝送路３の＃１分配出力をピンＰ3と、＃２分配
出力を終端抵抗４を介してピンＰ4と接続する。主伝送
路１とカップリング伝送路２の回路パターン幅Ｗ1とＷ3
は０.６mm、パターン相互の幅Ｗ2は０.３mmである。主
伝送路１とカップリング伝送路２を図２、図３に示すよ
うに絶縁オーバーコート７で絶縁した上に電磁遮蔽オー
バーコート８で包み、最後に外装オーバーコート９を塗
って完成品とする。絶縁オーバーコート７はガラスペー
スト、電磁遮蔽オーバーコート８はフェノール系銅ペー
スト、外装オーバーコートはエポキシ系樹脂ペーストを
使用する。また、誘電体基板は誘電率εが９.７のアル
ミナ、回路パターンは金９０％、ガラス１０％のペース
トを使用する。また、ピンＰ1〜Ｐ2は銀８７％、パラジ
ュム１３％ペーストを用いる。
を図１、図８に従って詳述する。図１において、１は主
伝送路である。主伝送路１は高さＬＹが２.５mm、幅Ｌ
Ｘが４.９９mm、奥行ＬＺが０.６３５mmの誘電体基板上
に成膜する。また、主伝送路１の入射ポートをピン
Ｐ1、出射ポートをピンＰ2と接続する。また、主伝送路
１に平行してカップリング側伝送路２を成膜し、カップ
リング伝送路３の＃１分配出力をピンＰ3と、＃２分配
出力を終端抵抗４を介してピンＰ4と接続する。主伝送
路１とカップリング伝送路２の回路パターン幅Ｗ1とＷ3
は０.６mm、パターン相互の幅Ｗ2は０.３mmである。主
伝送路１とカップリング伝送路２を図２、図３に示すよ
うに絶縁オーバーコート７で絶縁した上に電磁遮蔽オー
バーコート８で包み、最後に外装オーバーコート９を塗
って完成品とする。絶縁オーバーコート７はガラスペー
スト、電磁遮蔽オーバーコート８はフェノール系銅ペー
スト、外装オーバーコートはエポキシ系樹脂ペーストを
使用する。また、誘電体基板は誘電率εが９.７のアル
ミナ、回路パターンは金９０％、ガラス１０％のペース
トを使用する。また、ピンＰ1〜Ｐ2は銀８７％、パラジ
ュム１３％ペーストを用いる。
【０００９】図４と図５に主伝送路１を成膜した誘電体
基板と、カップリング伝送路を成膜した誘電体基板で相
互に背面実装した例を示す。背面実装した回路パターン
の引出端子相当位置にダミーピンＰＤを設ける。図６、
図７、図８に反射波カップリング伝送路３を背面に設け
た例を示す。反射波カップリング伝送路３は図８に示す
ように、＃３分配出力となるＰ5と＃４分配出力となる
Ｐ6を設け、かつ、両側にダミーピンＰＤ、ＰＤを設け
る。対応する主伝送路１と進行波側となるカップリング
伝送路２を成膜した図６に示す誘電体基板の各部寸法は
図１の場合と同じである。
基板と、カップリング伝送路を成膜した誘電体基板で相
互に背面実装した例を示す。背面実装した回路パターン
の引出端子相当位置にダミーピンＰＤを設ける。図６、
図７、図８に反射波カップリング伝送路３を背面に設け
た例を示す。反射波カップリング伝送路３は図８に示す
ように、＃３分配出力となるＰ5と＃４分配出力となる
Ｐ6を設け、かつ、両側にダミーピンＰＤ、ＰＤを設け
る。対応する主伝送路１と進行波側となるカップリング
伝送路２を成膜した図６に示す誘電体基板の各部寸法は
図１の場合と同じである。
【００１０】上記構成の方向性結合器で０.９ＧＨＺの
マイクロ波を入射すると、挿入損失−０.３ｄＢ、結合
度−２０ｄＢ、電圧定在波比（ＶＳＷＲ）が１.３とな
り、周辺回路から入射される電磁波から影響は測定でき
ない程度に少ない。また、実装スペースは従来に比べて
半分以下となりスペースファクタが改善されている。ピ
ンＰ1〜Ｐ6及びダミーピンＰＤの構造は上記実施例に限
定せず、プリント基板に差込める構造としてもよい。
マイクロ波を入射すると、挿入損失−０.３ｄＢ、結合
度−２０ｄＢ、電圧定在波比（ＶＳＷＲ）が１.３とな
り、周辺回路から入射される電磁波から影響は測定でき
ない程度に少ない。また、実装スペースは従来に比べて
半分以下となりスペースファクタが改善されている。ピ
ンＰ1〜Ｐ6及びダミーピンＰＤの構造は上記実施例に限
定せず、プリント基板に差込める構造としてもよい。
【００１１】
【発明の効果】本発明による方向性結合器は、マイクロ
波の４分の１波長の長さで誘電体基板上に成膜された入
射ポ−トと出射ポ−トを有する主伝送路と、主伝送路に
平行して設けられ入射ポ−ト並びに出射ポ−トに対応し
たカップリング側ポ−トを有するカップリング伝送路
と、佇立した誘電体基板の基底の−辺に設けられた引出
端子と、入射ポ−ト、出射ポ−ト及びカップリング側ポ
−トが引出端子に接続された主伝送路並びにカップリン
グ伝送路を電磁遮蔽する電磁遮蔽用オ−バコ−トとで構
成されているのでプリント基板に佇立して実装可能と
し、スペースファクタの改善、外部回路からの妨害信号
の防止が図れる効果がある。
波の４分の１波長の長さで誘電体基板上に成膜された入
射ポ−トと出射ポ−トを有する主伝送路と、主伝送路に
平行して設けられ入射ポ−ト並びに出射ポ−トに対応し
たカップリング側ポ−トを有するカップリング伝送路
と、佇立した誘電体基板の基底の−辺に設けられた引出
端子と、入射ポ−ト、出射ポ−ト及びカップリング側ポ
−トが引出端子に接続された主伝送路並びにカップリン
グ伝送路を電磁遮蔽する電磁遮蔽用オ−バコ−トとで構
成されているのでプリント基板に佇立して実装可能と
し、スペースファクタの改善、外部回路からの妨害信号
の防止が図れる効果がある。
【００１２】また、本発明による方向性結合器の誘電体
基板は、主伝送路が成膜された第１の誘電体基板と、カ
ップリング伝送路が成膜され、かつ、第１の誘電体基板
の背面に設けらた第２の誘電体基板とで構成すればプリ
ント基板に佇立して実装可能であるほか、反射波カップ
リング伝送路を実装できる効果がある。
基板は、主伝送路が成膜された第１の誘電体基板と、カ
ップリング伝送路が成膜され、かつ、第１の誘電体基板
の背面に設けらた第２の誘電体基板とで構成すればプリ
ント基板に佇立して実装可能であるほか、反射波カップ
リング伝送路を実装できる効果がある。
【図１】本発明による方向性結合器の一実施例を示す斜
視図
視図
【図２】本発明による方向性結合器のオーバーコートの
一実施例を示す一部破断した正面図
一実施例を示す一部破断した正面図
【図３】本発明による方向性結合器のオーバーコートの
一実施例を示す一部破断した側面図
一実施例を示す一部破断した側面図
【図４】本発明による方向性結合器の他の実施例を示す
正面図
正面図
【図５】本発明による方向性結合器の他の実施例を示す
背面図
背面図
【図６】本発明による方向性結合器の反射波カップリン
グ伝送路を設けた実施例を示す正面図
グ伝送路を設けた実施例を示す正面図
【図７】本発明による方向性結合器の反射波カップリン
グ伝送路を設けた一実施例を示す側面図
グ伝送路を設けた一実施例を示す側面図
【図８】本発明による方向性結合器の反射波カップリン
グ伝送路を設けた一実施例を示す背面図
グ伝送路を設けた一実施例を示す背面図
１・・・・・・主伝送路
２・・・・・・カップリング伝送路
３・・・・・・反射波カップリング伝送路
Ｐ1・・・・・・ピン（入射ポート用引出端子）
Ｐ2・・・・・・ピン（出射ポート用引出端子）
Ｐ3・・・・・・ピン（＃１分配出力用引出端子）
Ｐ4・・・・・・ピン（＃２分配出力用引出端子）
Ｐ5・・・・・・ピン（＃３分配出力用引出端子）
Ｐ6・・・・・・ピン（＃４分配出力用引出端子）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 富田康則
埼玉県秩父郡吉田町大字下吉田6972 株式
会社タイセー内
(72)発明者 安藤幸浩
埼玉県秩父郡吉田町大字下吉田6972 株式
会社タイセー内
(72)発明者 掘田 充
埼玉県秩父郡吉田町大字下吉田6972 株式
会社タイセー内
Claims (2)
- 【請求項１】マイクロ波の４分の１波長に対応した長さ
で誘電体基板上に成膜された入射ポ−トと出射ポ−トを
有する主伝送路と、前記主伝送路に平行して設けられ前
記入射ポ−ト並びに出射ポ−トに対応したカップリング
側ポ−トを有するカップリング伝送路と、佇立した前記
誘電体基板の基底の−辺に設けられた引出端子と、前記
入射ポ−ト、前記出射ポ−ト及び前記カップリング側ポ
−トが前記引出端子に接続された前記主伝送路並びに前
記カップリング伝送路を電磁遮蔽する電磁遮蔽用オ−バ
コ−トとを備えたことを特徴とする方向性結合器。 - 【請求項２】前記主伝送路が成膜された第１の誘電体基
板と、前記カップリング伝送路が成膜され、かつ、前記
第１の誘電体基板の背面に設けらた第２の誘電体基板と
を備えたことを特徴とする請求項１記載の方向性結合
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15701791A JPH0514018A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 方向性結合器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15701791A JPH0514018A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 方向性結合器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0514018A true JPH0514018A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15640364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15701791A Pending JPH0514018A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 方向性結合器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0514018A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6017008B2 (ja) * | 1981-04-23 | 1985-04-30 | 昭和アルミニウム株式会社 | アルミニウムの精製方法 |
| JPS6313502A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Yuniden Kk | マイクロ波方向性結合器 |
| JPS6318163U (ja) * | 1986-07-19 | 1988-02-06 | ||
| JPH0244408B2 (ja) * | 1984-09-03 | 1990-10-03 | Nippon Denki Kk | Ekookyanseragatasohokozofukuki |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP15701791A patent/JPH0514018A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6017008B2 (ja) * | 1981-04-23 | 1985-04-30 | 昭和アルミニウム株式会社 | アルミニウムの精製方法 |
| JPH0244408B2 (ja) * | 1984-09-03 | 1990-10-03 | Nippon Denki Kk | Ekookyanseragatasohokozofukuki |
| JPS6313502A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Yuniden Kk | マイクロ波方向性結合器 |
| JPS6318163U (ja) * | 1986-07-19 | 1988-02-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970506 |