JPH05142804A - 電子写真感光体用導電性基体の洗浄方法 - Google Patents
電子写真感光体用導電性基体の洗浄方法Info
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- JPH05142804A JPH05142804A JP30628791A JP30628791A JPH05142804A JP H05142804 A JPH05142804 A JP H05142804A JP 30628791 A JP30628791 A JP 30628791A JP 30628791 A JP30628791 A JP 30628791A JP H05142804 A JPH05142804 A JP H05142804A
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- cleaning
- substrate
- conductive substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 洗浄不良によるハジキ、シミ及び乾燥不良に
よる乾燥ムラ、シミの発生を抑制し、1,1,1−トリ
クロルエタンとほぼ同等の洗浄・乾燥効果を有する電子
写真感光体用基体の洗浄方法を提供する。 【構成】 導電性基体の外側にギャップを形成するよう
に設けられた、内面に複数本の連続した構形状の流体吹
出口を有する表面洗浄ユニットの下段から順次ダスト除
去用エアー、界面活性剤含有洗浄液、濯ぎ液、乾燥用エ
アーを噴射することから成る。
よる乾燥ムラ、シミの発生を抑制し、1,1,1−トリ
クロルエタンとほぼ同等の洗浄・乾燥効果を有する電子
写真感光体用基体の洗浄方法を提供する。 【構成】 導電性基体の外側にギャップを形成するよう
に設けられた、内面に複数本の連続した構形状の流体吹
出口を有する表面洗浄ユニットの下段から順次ダスト除
去用エアー、界面活性剤含有洗浄液、濯ぎ液、乾燥用エ
アーを噴射することから成る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子写真感光体の導電性
基体の洗浄方法に関する。
基体の洗浄方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般的に電子写真感光体は、ドラム状導
電性基体上に感光層を形成したものである。このドラム
状導電性基体は円筒状のアルミを鏡面加工又は板状のア
ルミをインパクト成形することにより作成される。鏡面
加工又はインパクト成形中に基体表面には、切削油のミ
スト、空気中のダスト、切粉等が付着するため、基体表
面を洗浄処理して除去した後に、縮合多環顔料、アゾ顔
料等の電荷発生物質、樹脂の結着剤等から成る電荷発生
層及びヒドラゾン系又はアリールアミン系電荷輸送物
質、樹脂の結着剤、酸化防止剤等から成る電荷輸送層を
順次塗布・積層し、乾燥して感光層を形成する。
電性基体上に感光層を形成したものである。このドラム
状導電性基体は円筒状のアルミを鏡面加工又は板状のア
ルミをインパクト成形することにより作成される。鏡面
加工又はインパクト成形中に基体表面には、切削油のミ
スト、空気中のダスト、切粉等が付着するため、基体表
面を洗浄処理して除去した後に、縮合多環顔料、アゾ顔
料等の電荷発生物質、樹脂の結着剤等から成る電荷発生
層及びヒドラゾン系又はアリールアミン系電荷輸送物
質、樹脂の結着剤、酸化防止剤等から成る電荷輸送層を
順次塗布・積層し、乾燥して感光層を形成する。
【0003】電荷発生層及び電荷輸送層は、上述した電
荷発生層及び電荷輸送層を構成する物質をそれぞれ含有
する塗布液にドラム状導電性基体を公知の方法で浸漬す
ることによって該基体の表面に形成される。ここでおこ
なう浸漬塗布方法としては、特に制限はなく公知の方法
が使用し得るが、例えば特開昭49−130736、特
開昭57−5047及び特開昭59−46171に開示
される方法が挙げられる。
荷発生層及び電荷輸送層を構成する物質をそれぞれ含有
する塗布液にドラム状導電性基体を公知の方法で浸漬す
ることによって該基体の表面に形成される。ここでおこ
なう浸漬塗布方法としては、特に制限はなく公知の方法
が使用し得るが、例えば特開昭49−130736、特
開昭57−5047及び特開昭59−46171に開示
される方法が挙げられる。
【0004】浸漬塗布方法において、前処理である導電
性基体表面の洗浄が不十分であると、その表面に油、ダ
スト等が残り、塗布の際にハジキ、シミ等の塗布欠陥の
原因となる。このような電子写真感光体上に発生した欠
陥は、コピー画像に黒ポチ、白ポチ、ハーフトーン画像
のムラ等となって現われ、画像品質に悪影響を及ぼし、
かような電子写真感光体は実用に適さないものである。
性基体表面の洗浄が不十分であると、その表面に油、ダ
スト等が残り、塗布の際にハジキ、シミ等の塗布欠陥の
原因となる。このような電子写真感光体上に発生した欠
陥は、コピー画像に黒ポチ、白ポチ、ハーフトーン画像
のムラ等となって現われ、画像品質に悪影響を及ぼし、
かような電子写真感光体は実用に適さないものである。
【0005】基体表面の洗浄としては、通常有機溶媒
中、又は必要に応じて加温された有機溶媒中に基体を浸
漬処理又は超音波の作用下で浸漬処理する浸漬洗浄;基
体を溶媒に浸漬中又は基体に溶媒をシャワーリングしな
がらブラシ、スポンジ等により物理的に擦する接触洗
浄;及び溶媒蒸気中に基体を挿入する蒸気洗浄が挙げら
れ、これらの単独又は組合せにより基体表面の洗浄がお
こなわれている。
中、又は必要に応じて加温された有機溶媒中に基体を浸
漬処理又は超音波の作用下で浸漬処理する浸漬洗浄;基
体を溶媒に浸漬中又は基体に溶媒をシャワーリングしな
がらブラシ、スポンジ等により物理的に擦する接触洗
浄;及び溶媒蒸気中に基体を挿入する蒸気洗浄が挙げら
れ、これらの単独又は組合せにより基体表面の洗浄がお
こなわれている。
【0006】ここで使用される溶媒としては、メチレン
クロライド、エチレンクロライド、1,1,1−トリク
ロルエタン、トリクロルエチレン、パークロルエチレン
等の塩素系溶剤、フロン−112、フロン−113等の
フッ素系溶剤、該フッ素系溶剤とメタノール、メチレン
クロライド等の混合溶剤、ベンゼン、トルエン、メタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコール、石油系炭
化水素等及びこれらの混合物が挙げられる。これらの溶
剤中には引火性、発火性を有するもの、人体に有害であ
るので使用許容濃度が低いもの、洗浄能力が低いものが
含まれており、最も一般的に使用されている溶剤は、
1,1,1−トリクロルエタンである。
クロライド、エチレンクロライド、1,1,1−トリク
ロルエタン、トリクロルエチレン、パークロルエチレン
等の塩素系溶剤、フロン−112、フロン−113等の
フッ素系溶剤、該フッ素系溶剤とメタノール、メチレン
クロライド等の混合溶剤、ベンゼン、トルエン、メタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコール、石油系炭
化水素等及びこれらの混合物が挙げられる。これらの溶
剤中には引火性、発火性を有するもの、人体に有害であ
るので使用許容濃度が低いもの、洗浄能力が低いものが
含まれており、最も一般的に使用されている溶剤は、
1,1,1−トリクロルエタンである。
【0007】しかしながら、1,1,1−トリクロルエ
タンは、洗浄能力が高い、取扱いが容易等の長所がある
ものの、地球温暖化、オゾン層の破壊等を引起す物質の
一つであると推考され、フロンとともに全世界でその削
減が決定されており、1,1,1−トリクロルエタンの
代替洗浄液の提供又は代替洗浄法の開発が要求されてい
る。
タンは、洗浄能力が高い、取扱いが容易等の長所がある
ものの、地球温暖化、オゾン層の破壊等を引起す物質の
一つであると推考され、フロンとともに全世界でその削
減が決定されており、1,1,1−トリクロルエタンの
代替洗浄液の提供又は代替洗浄法の開発が要求されてい
る。
【0008】1,1,1−トリクロルエタン等の有機溶
媒を用いる洗浄の代替として、いくつかの方法が開発さ
れているが、コストが約10〜20倍程度を要するため
に、実際に使用されている例としては、特に小さくて数
量も少ない基体の洗浄に限られてしまっているのが現状
で、電子写真感光体用導電性基体の洗浄には適するもの
がなかった。
媒を用いる洗浄の代替として、いくつかの方法が開発さ
れているが、コストが約10〜20倍程度を要するため
に、実際に使用されている例としては、特に小さくて数
量も少ない基体の洗浄に限られてしまっているのが現状
で、電子写真感光体用導電性基体の洗浄には適するもの
がなかった。
【0009】最近、1,1,1−トリクロルエタン等の
有機溶媒を用いる洗浄の代替として、純水又は界面活性
剤含有水に浸漬洗浄する、所謂水洗浄が提案されてい
る。
有機溶媒を用いる洗浄の代替として、純水又は界面活性
剤含有水に浸漬洗浄する、所謂水洗浄が提案されてい
る。
【0010】電子写真感光体の基体としては一般的に、
材料(素質)の作製がしやすく、比較的安価で、軽く
て、錆にくく切削加工が容易であるアルミニウムが多く
利用されているが、反応性が高く、柔らかい欠点があ
る。フロンや1,1,1−トリクロルエタン等の有機溶
媒を用いて超音波洗浄処理をした場合には問題はない
が、水を用いて超音波洗浄処理をすると、水はキャビテ
ーションが強いことからアルミニウム基体表面に5〜5
0μm (直径)の凹部ができたり、水との反応によりそ
の表面が腐食したりすることがある。このような基体に
感光層を形成すると、白ポチ、黒ポチの画像欠陥が生ず
ることとなる。
材料(素質)の作製がしやすく、比較的安価で、軽く
て、錆にくく切削加工が容易であるアルミニウムが多く
利用されているが、反応性が高く、柔らかい欠点があ
る。フロンや1,1,1−トリクロルエタン等の有機溶
媒を用いて超音波洗浄処理をした場合には問題はない
が、水を用いて超音波洗浄処理をすると、水はキャビテ
ーションが強いことからアルミニウム基体表面に5〜5
0μm (直径)の凹部ができたり、水との反応によりそ
の表面が腐食したりすることがある。このような基体に
感光層を形成すると、白ポチ、黒ポチの画像欠陥が生ず
ることとなる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】界面活性剤含有水を用
いた水洗浄において、洗浄工程中に生ずる基体表面欠陥
及び水切り・乾燥の不良による乾燥ムラ、シミの欠陥の
発生することのない導電性基体の洗浄方法の開発が強く
望まれている。
いた水洗浄において、洗浄工程中に生ずる基体表面欠陥
及び水切り・乾燥の不良による乾燥ムラ、シミの欠陥の
発生することのない導電性基体の洗浄方法の開発が強く
望まれている。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明者等の鋭意研究の
結果、導電性基体の外側にギャップを形成するように設
けられ且つ内面に複数本の連続した溝形状の流体吹出口
を有する表面洗浄ユニットの下段の吹出口からエアーを
噴射してダストを除去する工程、中段の吹出口から界面
活性剤含有洗浄液を噴射して洗浄する工程、上段の吹出
口から濯ぎ液を噴射して濯ぎ処理をする工程、及び最上
段の吹出口から乾燥エアーを噴射して乾燥する工程を、
相対的に該導電性基体を上昇させることによって、順次
おこなうことにより洗浄工程中に生ずる基体表面の欠陥
の発生を防止でき、且つ水切り・乾燥不良による乾燥ム
ラ、シミ等の欠陥の発生を防止出来ることを見出し、こ
の知見に基づいて本発明を成すに至った。
結果、導電性基体の外側にギャップを形成するように設
けられ且つ内面に複数本の連続した溝形状の流体吹出口
を有する表面洗浄ユニットの下段の吹出口からエアーを
噴射してダストを除去する工程、中段の吹出口から界面
活性剤含有洗浄液を噴射して洗浄する工程、上段の吹出
口から濯ぎ液を噴射して濯ぎ処理をする工程、及び最上
段の吹出口から乾燥エアーを噴射して乾燥する工程を、
相対的に該導電性基体を上昇させることによって、順次
おこなうことにより洗浄工程中に生ずる基体表面の欠陥
の発生を防止でき、且つ水切り・乾燥不良による乾燥ム
ラ、シミ等の欠陥の発生を防止出来ることを見出し、こ
の知見に基づいて本発明を成すに至った。
【0013】
【作用】図1は本発明の表面洗浄環状ユニットを用いた
洗浄方法の概略を示す図であり、図2は該表面洗浄環状
ユニットの断面図である。
洗浄方法の概略を示す図であり、図2は該表面洗浄環状
ユニットの断面図である。
【0014】導電性基体(円筒上基体)100の外側に
は、内周面に複数本の連続した溝形状の流体吹出口を有
する表面洗浄環状ユニット80が該導電性基体の外表面
との間に環状のギャップを形成するように設けられる。
は、内周面に複数本の連続した溝形状の流体吹出口を有
する表面洗浄環状ユニット80が該導電性基体の外表面
との間に環状のギャップを形成するように設けられる。
【0015】導電性基体は主に表面切削加工して製造さ
れているので、材料の切削粉が必ずといっていいほど切
削表面に付着しており、更に空気中のダストも切削表面
に付着してる。このような状態の基体表面に水によるジ
ェット洗浄をおこなうと、切削粉やダストが基体表面に
強く接触するので、該基体表面に傷や凹部が生ずる。
れているので、材料の切削粉が必ずといっていいほど切
削表面に付着しており、更に空気中のダストも切削表面
に付着してる。このような状態の基体表面に水によるジ
ェット洗浄をおこなうと、切削粉やダストが基体表面に
強く接触するので、該基体表面に傷や凹部が生ずる。
【0016】このような傷や凹部の発生を防止するため
に、ダスト除去用エアー管1を経由し吹出口1aからエ
アーを噴射して、切削粉や大きなダストの除去をおこな
う。
に、ダスト除去用エアー管1を経由し吹出口1aからエ
アーを噴射して、切削粉や大きなダストの除去をおこな
う。
【0017】エアーとしてはクリーンエアー及び圧縮空
気を使用し得る。吹出口1aのスリット幅は0.5〜5
mm、好ましくは1〜3mmで、エアー圧は2〜15kg/cm
2 、好ましくは4〜12kg/cm2 で、エアーの基体表面
に当たる角度は10〜80°、好ましくは30〜60°
である。
気を使用し得る。吹出口1aのスリット幅は0.5〜5
mm、好ましくは1〜3mmで、エアー圧は2〜15kg/cm
2 、好ましくは4〜12kg/cm2 で、エアーの基体表面
に当たる角度は10〜80°、好ましくは30〜60°
である。
【0018】エアーの当たる角度が10°未満であると
ダスト除去効果が半減し、80°を超えるとエアーによ
って飛ばされた切削粉、ダスト等が再び基体表面の別の
場所に付着することがある。
ダスト除去効果が半減し、80°を超えるとエアーによ
って飛ばされた切削粉、ダスト等が再び基体表面の別の
場所に付着することがある。
【0019】界面活性剤含有洗浄液は洗浄液管10を経
由して吹出口10aから噴出される。吹出口10aのス
リット幅は0.3〜4mm、好ましくは0.5〜2mmであ
る。スリット幅が0.3mm未満であると洗浄効果が劣
り、4mmを超えると使用する界面活性剤の量が増え、洗
浄コストが高くなり好ましくない。
由して吹出口10aから噴出される。吹出口10aのス
リット幅は0.3〜4mm、好ましくは0.5〜2mmであ
る。スリット幅が0.3mm未満であると洗浄効果が劣
り、4mmを超えると使用する界面活性剤の量が増え、洗
浄コストが高くなり好ましくない。
【0020】洗浄液の水圧は20〜180kg/cm2 、好
ましくは40〜130kg/cm2 である。水圧が20kg/
cm2 未満であると洗浄効果が劣り、180kg/cm2 を超
えると基体に凹部、穴があくことが度々起る。洗浄液の
基体表面に当たる角度は10〜80°、好ましくは30
〜60°である。洗浄液の当たる角度が10°未満であ
ると、洗浄効果が半減し、80°を超えると洗浄された
汚れが再び基体表面の別の場所に付着することがある。
ましくは40〜130kg/cm2 である。水圧が20kg/
cm2 未満であると洗浄効果が劣り、180kg/cm2 を超
えると基体に凹部、穴があくことが度々起る。洗浄液の
基体表面に当たる角度は10〜80°、好ましくは30
〜60°である。洗浄液の当たる角度が10°未満であ
ると、洗浄効果が半減し、80°を超えると洗浄された
汚れが再び基体表面の別の場所に付着することがある。
【0021】本発明で使用する界面活性剤としては、基
体を腐食することのないノニオン系界面活性剤及び/又
はアニオン系界面活性剤が使用し得、その具体例として
は、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポ
リオキシエチレン・ポリオキシプロピレン・ブロックコ
ポリマー型及びノニルフェノールポリオキシエチンエー
テルのノニオン系界面活性剤及びアルキルベンゼン、高
級アルコール、α−オレフィンなどの硫酸塩、ケイ酸
塩、炭酸塩又はリン酸塩のアニオン系界面活性剤が挙げ
られる。洗浄液としては純水及びイオン交換水が挙げら
れる。
体を腐食することのないノニオン系界面活性剤及び/又
はアニオン系界面活性剤が使用し得、その具体例として
は、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポ
リオキシエチレン・ポリオキシプロピレン・ブロックコ
ポリマー型及びノニルフェノールポリオキシエチンエー
テルのノニオン系界面活性剤及びアルキルベンゼン、高
級アルコール、α−オレフィンなどの硫酸塩、ケイ酸
塩、炭酸塩又はリン酸塩のアニオン系界面活性剤が挙げ
られる。洗浄液としては純水及びイオン交換水が挙げら
れる。
【0022】本発明の洗浄液の界面活性剤の濃度は0.
5〜30%、好ましくは4〜15%である。
5〜30%、好ましくは4〜15%である。
【0023】また、洗浄液の温度は、35〜90℃、好
ましくは40〜80℃である。
ましくは40〜80℃である。
【0024】濯ぎ液は配管20を経由して吹出口20a
から噴出される。濯ぎ処理が不充分であると感光層が基
体上に均一に形成されず、画像ムラの原因となることが
ある。洗浄効果の向上及び洗浄による品質の向上を考慮
すると、複数回の濯ぎを行なうこと、例えば、配管21
を経由して吹出口21aからも濯ぎ液を噴射することが
好ましい。
から噴出される。濯ぎ処理が不充分であると感光層が基
体上に均一に形成されず、画像ムラの原因となることが
ある。洗浄効果の向上及び洗浄による品質の向上を考慮
すると、複数回の濯ぎを行なうこと、例えば、配管21
を経由して吹出口21aからも濯ぎ液を噴射することが
好ましい。
【0025】吹出口20a及び21aのスリット幅はそ
れぞれ0.2〜4mm、好ましくは0.5〜2mmで、濯ぎ
液の水圧はそれぞれ20〜180kg/cm2 、好ましくは
40〜120kg/cm2である。スリット幅が0.2mm未
満であると濯ぎ効果が半減し、スリット幅が4mmを超え
ると、使用する濯ぎ液の量が増え、洗浄コスト高の原因
となり好ましくない。濯ぎ液の水圧が20kg/cm2 未満
であると、洗浄効果が劣り、180kg/cm2 を超えると
基体に凹部、穴があくことが度々起る。
れぞれ0.2〜4mm、好ましくは0.5〜2mmで、濯ぎ
液の水圧はそれぞれ20〜180kg/cm2 、好ましくは
40〜120kg/cm2である。スリット幅が0.2mm未
満であると濯ぎ効果が半減し、スリット幅が4mmを超え
ると、使用する濯ぎ液の量が増え、洗浄コスト高の原因
となり好ましくない。濯ぎ液の水圧が20kg/cm2 未満
であると、洗浄効果が劣り、180kg/cm2 を超えると
基体に凹部、穴があくことが度々起る。
【0026】濯ぎ処理を複数回行なう場合には、各スリ
ット幅や水圧を変えても良い。この場合、洗浄後の第一
濯ぎ処理が重要で、第二濯ぎ処理以降は第一濯ぎ処理よ
りも、スリット幅を狭くしたり、水圧を低くしたりし
て、使用水量を少なくすることも出来る。
ット幅や水圧を変えても良い。この場合、洗浄後の第一
濯ぎ処理が重要で、第二濯ぎ処理以降は第一濯ぎ処理よ
りも、スリット幅を狭くしたり、水圧を低くしたりし
て、使用水量を少なくすることも出来る。
【0027】濯ぎ液の基体表面に当たる角度は10〜8
0℃、好ましくは20〜60℃である。濯ぎ液の当たる
角度が10°未満であると、濯ぎ効果が半減し、80°
を超えると、濯いだ液の水滴がはね返って再び基体表面
に付着することがあるので好ましくない。
0℃、好ましくは20〜60℃である。濯ぎ液の当たる
角度が10°未満であると、濯ぎ効果が半減し、80°
を超えると、濯いだ液の水滴がはね返って再び基体表面
に付着することがあるので好ましくない。
【0028】濯ぎ液としては純水及びイオン交換水が挙
げられる。濯ぎ液の温度は特に制限はされないが、乾燥
を考慮すると40〜70℃が好ましい。
げられる。濯ぎ液の温度は特に制限はされないが、乾燥
を考慮すると40〜70℃が好ましい。
【0029】洗浄工程及び濯ぎ工程の後、基体表面に付
着した水滴を出来るだけ早く、且つ完全に除去すること
が必要である。従来の有機溶媒による洗浄後の乾燥は、
空気中への開放により溶媒が瞬時に蒸発して乾燥が完了
するが、水洗浄の場合は、常温における水の蒸発速度が
遅いので、乾燥処理に時間がかかり乾燥処理中に空気中
のダストが付着したり、乾燥ムラ、シミが導電性基体表
面に生じたりする傾向があり、この導電性基体を用いて
製造した電子写真感光体は、コピー画像に黒ポチ、白ポ
チ、ハーフトーン等の画像欠陥を生じることが度々あ
る。
着した水滴を出来るだけ早く、且つ完全に除去すること
が必要である。従来の有機溶媒による洗浄後の乾燥は、
空気中への開放により溶媒が瞬時に蒸発して乾燥が完了
するが、水洗浄の場合は、常温における水の蒸発速度が
遅いので、乾燥処理に時間がかかり乾燥処理中に空気中
のダストが付着したり、乾燥ムラ、シミが導電性基体表
面に生じたりする傾向があり、この導電性基体を用いて
製造した電子写真感光体は、コピー画像に黒ポチ、白ポ
チ、ハーフトーン等の画像欠陥を生じることが度々あ
る。
【0030】従って、水洗浄における乾燥は、濯ぎ処理
後、直ちに行ない且つ瞬時に、均一にそして確実に乾燥
されなければならない。
後、直ちに行ない且つ瞬時に、均一にそして確実に乾燥
されなければならない。
【0031】乾燥エアーを配管30を経由して、吹出口
30aから噴射することによって、基体表面の乾燥は瞬
時に、均一に且つ確実におこなわれる。
30aから噴射することによって、基体表面の乾燥は瞬
時に、均一に且つ確実におこなわれる。
【0032】吹出口30aのスリット幅は0.5mm以
上、好ましくは1〜3mmで、乾燥エアーの圧力は、8〜
40kg/cm2 、好ましくは10〜30kg/cm2 である。
スリット幅が0.5mm未満であると、水滴除去効果が半
減する。またエアー圧が8kg/cm2 未満であると、水滴
除去効果が劣る。
上、好ましくは1〜3mmで、乾燥エアーの圧力は、8〜
40kg/cm2 、好ましくは10〜30kg/cm2 である。
スリット幅が0.5mm未満であると、水滴除去効果が半
減する。またエアー圧が8kg/cm2 未満であると、水滴
除去効果が劣る。
【0033】乾燥エアーの基体表面に当る角度は10〜
80°、好ましくは15〜45°である。乾燥エアーの
当る角度が10°未満であると、水滴除去効果が劣り、
80°を超えると、エアーにより吹き飛した水滴が再び
基体表面に付着することがあるので好ましくない。
80°、好ましくは15〜45°である。乾燥エアーの
当る角度が10°未満であると、水滴除去効果が劣り、
80°を超えると、エアーにより吹き飛した水滴が再び
基体表面に付着することがあるので好ましくない。
【0034】乾燥エアーの温度は30〜300℃、好ま
しくは50〜150℃である。30〜300℃の乾燥エ
アーを噴射すると、基体全体の温度が上昇するので、界
面活性剤含有洗浄液の洗浄効果、濯ぎ効果も相乗的に向
上する。
しくは50〜150℃である。30〜300℃の乾燥エ
アーを噴射すると、基体全体の温度が上昇するので、界
面活性剤含有洗浄液の洗浄効果、濯ぎ効果も相乗的に向
上する。
【0035】乾燥をより完全にするために、第二乾燥と
して、乾燥エアーを配管40を経由して吹出口40aか
ら噴射しても良い、また乾燥処理により暖たまった基体
を冷却させるために或いは仕上げ処理としてクリーンエ
アー吹出口40aから噴射しても良い。
して、乾燥エアーを配管40を経由して吹出口40aか
ら噴射しても良い、また乾燥処理により暖たまった基体
を冷却させるために或いは仕上げ処理としてクリーンエ
アー吹出口40aから噴射しても良い。
【0036】表面洗浄ユニット80における、ダスト除
去エアーの吹出口1aと界面活性剤含有洗浄液の吹出口
10aとの距離は5〜30mm、好ましくは10〜15mm
で、該界面活性剤含有洗浄液の吹出口10aと濯ぎ液の
吹出口20aとの距離は5〜30mm、好ましくは10〜
15mmで、該濯ぎ液の吹出口20aと乾燥エアーの吹出
口30aとの距離は5〜30mm、好ましくは10〜15
mmである。また、乾燥エアーの吹出口30aと冷却エア
ーの吹出口40aとの距離は20〜30mmであることが
好ましい。
去エアーの吹出口1aと界面活性剤含有洗浄液の吹出口
10aとの距離は5〜30mm、好ましくは10〜15mm
で、該界面活性剤含有洗浄液の吹出口10aと濯ぎ液の
吹出口20aとの距離は5〜30mm、好ましくは10〜
15mmで、該濯ぎ液の吹出口20aと乾燥エアーの吹出
口30aとの距離は5〜30mm、好ましくは10〜15
mmである。また、乾燥エアーの吹出口30aと冷却エア
ーの吹出口40aとの距離は20〜30mmであることが
好ましい。
【0037】導電性基体の内部の両端部には、表面切削
の加工精度を高めるために、且つ感光層を形成後、回転
治具に組込まれるようにインロー加工によりインロー部
が形成されている。即ち、基体内部も切削加工されてい
るのであって、切削粉やクーラント剤が内面に付着して
いる。従って、内面洗浄を行なわずに塗布液中に浸漬さ
せると塗布液中に該付着物が混入したりして、そのよう
な塗布液を用いて浸漬塗布により感光層を形成すると、
白ポチ、黒ポチ、ムラ等の画像欠陥が発生するばかりで
なく、塗布液の劣化の原因となる。特に、浸漬塗布にお
いては、導電性基体の内部もその表面と同じとはいかな
いまでも、洗浄することが必要である。
の加工精度を高めるために、且つ感光層を形成後、回転
治具に組込まれるようにインロー加工によりインロー部
が形成されている。即ち、基体内部も切削加工されてい
るのであって、切削粉やクーラント剤が内面に付着して
いる。従って、内面洗浄を行なわずに塗布液中に浸漬さ
せると塗布液中に該付着物が混入したりして、そのよう
な塗布液を用いて浸漬塗布により感光層を形成すると、
白ポチ、黒ポチ、ムラ等の画像欠陥が発生するばかりで
なく、塗布液の劣化の原因となる。特に、浸漬塗布にお
いては、導電性基体の内部もその表面と同じとはいかな
いまでも、洗浄することが必要である。
【0038】導電性基体内部洗浄ユニット90は、パイ
プ95によって支持されており、パイプ95の内部には
基体内部を洗浄するに必要な流体の配管が組み込まれて
いる。
プ95によって支持されており、パイプ95の内部には
基体内部を洗浄するに必要な流体の配管が組み込まれて
いる。
【0039】界面活性剤含有洗浄液は配管15を経由し
て吹出口15aから噴射される。吹出口15aのスリッ
ト幅は0.1〜3mm、好ましくは0.2〜1mmである。
スリット幅から0.1mm未満であると洗浄効率が半減す
る。洗浄液の水圧は20〜180kg/cm2 、好ましくは
30〜100kg/cm2 である。水圧が20kg/cm2 未満
であると、洗浄効率が半減する。洗浄液の基体内面に当
てる角度は10〜90°、好ましくは20〜70°であ
る。
て吹出口15aから噴射される。吹出口15aのスリッ
ト幅は0.1〜3mm、好ましくは0.2〜1mmである。
スリット幅から0.1mm未満であると洗浄効率が半減す
る。洗浄液の水圧は20〜180kg/cm2 、好ましくは
30〜100kg/cm2 である。水圧が20kg/cm2 未満
であると、洗浄効率が半減する。洗浄液の基体内面に当
てる角度は10〜90°、好ましくは20〜70°であ
る。
【0040】濯ぎ液は配管25を経由して吹出口25a
から噴射される。吹出口25aのスリット幅、濯ぎ液の
水圧及び基体内面に当てる角度は上述の界面活性剤含有
洗浄液で基体内部を洗浄する場合と同じである。
から噴射される。吹出口25aのスリット幅、濯ぎ液の
水圧及び基体内面に当てる角度は上述の界面活性剤含有
洗浄液で基体内部を洗浄する場合と同じである。
【0041】乾燥エアーは配管35を経由して吹出口3
5aから噴射される。基体内部の乾燥に関する条件は基
体表面の乾燥条件と同じである。
5aから噴射される。基体内部の乾燥に関する条件は基
体表面の乾燥条件と同じである。
【0042】導電性基体内部洗浄ユニットにおいて、界
面活性剤含有洗浄液吹出口15aと濯ぎ液の吹出口25
aとの距離は5〜50mm、好ましくは20〜30mmで、
該濯ぎ液の吹出口25aと乾燥エアー吹出口35aとの
距離は5〜50mm、好ましくは20〜30mmである。
面活性剤含有洗浄液吹出口15aと濯ぎ液の吹出口25
aとの距離は5〜50mm、好ましくは20〜30mmで、
該濯ぎ液の吹出口25aと乾燥エアー吹出口35aとの
距離は5〜50mm、好ましくは20〜30mmである。
【0043】導電性基体100は、表面洗浄環状ユニッ
ト80との間に環状のギャップを形成するようにその内
側に挿入され、支持板55に付いている環状の固定治具
50により固定される。該基板55はボールネジ70に
より昇降する。支持パイプの外径よりも大きい内径を有
する環状の固定治具50の内側には導電性基体内部洗浄
ユニット90を頭部に有するパイプ95が貫通してい
る。
ト80との間に環状のギャップを形成するようにその内
側に挿入され、支持板55に付いている環状の固定治具
50により固定される。該基板55はボールネジ70に
より昇降する。支持パイプの外径よりも大きい内径を有
する環状の固定治具50の内側には導電性基体内部洗浄
ユニット90を頭部に有するパイプ95が貫通してい
る。
【0044】図1の方法では噴射口は連続する溝が環状
になって、その中心を洗浄物が通過するのであるが、連
続する噴射溝は環状である必要はなく、例えば、シート
状の感光体に対しては連続した線状の噴射溝にすればよ
い。また図1は、基体の内面もジェット洗浄を行ったが
内面洗浄ユニット90をブラシ洗浄ユニットに変更すれ
ば、基体表面をジェット洗浄、内面をブラシ洗浄の洗浄
方法となる。
になって、その中心を洗浄物が通過するのであるが、連
続する噴射溝は環状である必要はなく、例えば、シート
状の感光体に対しては連続した線状の噴射溝にすればよ
い。また図1は、基体の内面もジェット洗浄を行ったが
内面洗浄ユニット90をブラシ洗浄ユニットに変更すれ
ば、基体表面をジェット洗浄、内面をブラシ洗浄の洗浄
方法となる。
【0045】図3は本発明の洗浄方法の他の態様の概略
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【0046】導電性基体100の外側に設けられた、内
周面に複数本の連続した溝形状の流体吹出口を有する表
面洗浄環状ユニット80は、昇降装置120により上下
に移動する。
周面に複数本の連続した溝形状の流体吹出口を有する表
面洗浄環状ユニット80は、昇降装置120により上下
に移動する。
【0047】導電性基体100は表面洗浄環状ユニット
80との間に環状のギャップを形成するように内側に挿
入され、超音波振動を与える超音波振動子110に固定
される。超音波振動子110の外径は導電性基体100
の内径よりも0.1〜1.5mm、好ましくは0.3〜
1.0mm小さい。該外径と内径との幅が0.1mm未満と
なると、超音波振動子110と導電性基体100が熱を
持ち接合してしまい、また幅が1.51を超えると超音
波振動が導電性基体100に伝わらない。
80との間に環状のギャップを形成するように内側に挿
入され、超音波振動を与える超音波振動子110に固定
される。超音波振動子110の外径は導電性基体100
の内径よりも0.1〜1.5mm、好ましくは0.3〜
1.0mm小さい。該外径と内径との幅が0.1mm未満と
なると、超音波振動子110と導電性基体100が熱を
持ち接合してしまい、また幅が1.51を超えると超音
波振動が導電性基体100に伝わらない。
【0048】超音波振動子としては、10〜20kHz の
周波数の超音波を発振するものであれば特に制限はない
が、例えば積層磁歪型NA型N超音波発振措置((株)
東洋理工製作所製)等が挙げられる。
周波数の超音波を発振するものであれば特に制限はない
が、例えば積層磁歪型NA型N超音波発振措置((株)
東洋理工製作所製)等が挙げられる。
【0049】導電性基体を振動させることは、該基体に
付いている水が瞬時に飛散して水切・乾燥処理が簡単に
なるばかりか、界面活性剤含有洗浄液による洗浄及び濯
ぎ処理においても、洗浄効果、濯ぎ効果が相乗的に向上
するので好ましい。
付いている水が瞬時に飛散して水切・乾燥処理が簡単に
なるばかりか、界面活性剤含有洗浄液による洗浄及び濯
ぎ処理においても、洗浄効果、濯ぎ効果が相乗的に向上
するので好ましい。
【0050】図1の導電性基体表面の洗浄は、次のよう
にしておこなわれる。
にしておこなわれる。
【0051】洗浄されるべき導電性基体100の上端イ
ンロー部101を基体上部保持具60のクランプ部61
にクランプさせる。導電性基体100を保持した上部保
持具60は表面洗浄環状ユニット80と内部洗浄ユニッ
ト90の間にそれぞれ接することなく下降し、内部洗浄
ユニット90の下方で待機している支持板55上の環状
固定治具50と接合した時点で停止した後、上部保持具
60のクランプ部61によるクランプが解除される。
ンロー部101を基体上部保持具60のクランプ部61
にクランプさせる。導電性基体100を保持した上部保
持具60は表面洗浄環状ユニット80と内部洗浄ユニッ
ト90の間にそれぞれ接することなく下降し、内部洗浄
ユニット90の下方で待機している支持板55上の環状
固定治具50と接合した時点で停止した後、上部保持具
60のクランプ部61によるクランプが解除される。
【0052】表面洗浄環状ユニット80と導電性基体
(円筒状基体)との間には均一の幅の環状ギャップが形
成され、このギャップは1〜50mm、好ましくは3〜1
0mmである。また、該導電性基体と、内部洗浄ユニット
90との間にも均一の幅の環状ギャップが形成され、こ
のギャップは1〜50mm、好ましくは3〜10mmであ
る。
(円筒状基体)との間には均一の幅の環状ギャップが形
成され、このギャップは1〜50mm、好ましくは3〜1
0mmである。また、該導電性基体と、内部洗浄ユニット
90との間にも均一の幅の環状ギャップが形成され、こ
のギャップは1〜50mm、好ましくは3〜10mmであ
る。
【0053】ボールネジ70を回転させることによっ
て、導電性基体100をのせた支持板55を設定された
最下端まで下げる。この時、導電性基体100の上端は
表面洗浄用の洗浄液噴射と内面洗浄用の洗浄液噴射とが
交わる位置よりも下方になければならない。
て、導電性基体100をのせた支持板55を設定された
最下端まで下げる。この時、導電性基体100の上端は
表面洗浄用の洗浄液噴射と内面洗浄用の洗浄液噴射とが
交わる位置よりも下方になければならない。
【0054】まず、エアー吹出口1aからエアーを噴射
し、ダストを除去する。ボールネジ70を回転させるこ
とによって、導電性基体100を上昇させ、洗浄液吹出
口10aから洗浄液を、濯ぎ液吹出口20aから濯ぎ液
を、乾燥エアー吹出口30aから乾燥エアを噴射して、
洗浄・濯ぎ・乾燥が順次なされる。
し、ダストを除去する。ボールネジ70を回転させるこ
とによって、導電性基体100を上昇させ、洗浄液吹出
口10aから洗浄液を、濯ぎ液吹出口20aから濯ぎ液
を、乾燥エアー吹出口30aから乾燥エアを噴射して、
洗浄・濯ぎ・乾燥が順次なされる。
【0055】導電性基体100の上端インロー部101
が待機している上部保持具60と接合した時点でボール
ネジの回転は停止する。基体上部保持具60のクランプ
部61が上端インロー部をクランプすると、上部保持具
60は、ボールネジ70の回転による上昇速度と同じ速
度で上昇する。環状固定治具50は、ボールネジの回転
が停止した位置で次の洗浄のための導電性基体の下降を
待機する。
が待機している上部保持具60と接合した時点でボール
ネジの回転は停止する。基体上部保持具60のクランプ
部61が上端インロー部をクランプすると、上部保持具
60は、ボールネジ70の回転による上昇速度と同じ速
度で上昇する。環状固定治具50は、ボールネジの回転
が停止した位置で次の洗浄のための導電性基体の下降を
待機する。
【0056】導電性基体100の上昇速度は洗浄能力に
比例するが導電性基体の汚れ、吹出口のスリット幅、吹
出口の角度(流体の基体表面に当る角度)によっても変
わるため、導電性基体の洗浄具合を見ながら決定する、
が好ましい上昇速度は0.5〜5mm/sec である。
比例するが導電性基体の汚れ、吹出口のスリット幅、吹
出口の角度(流体の基体表面に当る角度)によっても変
わるため、導電性基体の洗浄具合を見ながら決定する、
が好ましい上昇速度は0.5〜5mm/sec である。
【0057】洗浄処理された導電性基体表面に公知の方
法で感光層を形成する。例えば、浸漬塗布法、リング方
式塗布法又はスプレー塗布法によって、洗浄処理された
導電性基体表面に電荷発生層を形成し、次いで、電荷発
生層の上に浸漬塗布法又はスプレー塗布法によって電荷
輸送層を形成する。
法で感光層を形成する。例えば、浸漬塗布法、リング方
式塗布法又はスプレー塗布法によって、洗浄処理された
導電性基体表面に電荷発生層を形成し、次いで、電荷発
生層の上に浸漬塗布法又はスプレー塗布法によって電荷
輸送層を形成する。
【0058】本発明で用いる電子写真感光体の導電性基
体としては、アルミニウム、銅、ニッケル、ステンレ
ス、真ちゅう等の金属の円筒状基体又は薄膜シート、ま
たはアルミニウム、錫合金、酸化インジウム等をポリエ
ステルフィルムあるいは紙、金属フィルムの円筒状基体
などに蒸着したものが上げられる。
体としては、アルミニウム、銅、ニッケル、ステンレ
ス、真ちゅう等の金属の円筒状基体又は薄膜シート、ま
たはアルミニウム、錫合金、酸化インジウム等をポリエ
ステルフィルムあるいは紙、金属フィルムの円筒状基体
などに蒸着したものが上げられる。
【0059】感光体層の接着性改良、塗布性改良、基体
上の欠陥の被覆及び基体から電荷発生層への電荷注入性
改良などのために下引き層が設けられることが有る。下
引き層の材料としては、ポリアミド、共重合ナイロン、
カゼイン、ポリビニルアルコール、セルロース、ゼラチ
ン等の樹脂が知られている。これらを各種有機溶媒に溶
解し、膜厚が0.1〜5μm 程度になるように導電性円
筒状基体上に塗布される。
上の欠陥の被覆及び基体から電荷発生層への電荷注入性
改良などのために下引き層が設けられることが有る。下
引き層の材料としては、ポリアミド、共重合ナイロン、
カゼイン、ポリビニルアルコール、セルロース、ゼラチ
ン等の樹脂が知られている。これらを各種有機溶媒に溶
解し、膜厚が0.1〜5μm 程度になるように導電性円
筒状基体上に塗布される。
【0060】電荷発生層は、光照射により電荷を発生す
る電荷発生材料を主成分とし、必要に応じて公知の結合
剤、可塑剤、増感剤を含有し、膜厚が1.0μm 以下
(乾燥膜厚)となるように導電性円筒状基体又は下引き
層の上に塗布される。
る電荷発生材料を主成分とし、必要に応じて公知の結合
剤、可塑剤、増感剤を含有し、膜厚が1.0μm 以下
(乾燥膜厚)となるように導電性円筒状基体又は下引き
層の上に塗布される。
【0061】電荷発生材料としては、ペリレン系顔料、
多環キノン系顔料、フタロシアニン顔料、金属フタロシ
アニン系顔料、スクエアリウム色素、アズレニウム色
素、チアピリリウム色素、及びカルバゾール骨格、スチ
リルスチルベン骨格、トリフェニルアミン骨格、ジベン
ゾチオフェン骨格、オキサジアゾール骨格、フルオレノ
ン骨格、ビススチルベン骨格、ジスチリルオキサジアゾ
ール骨格又はジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ
顔料などが挙げられる。
多環キノン系顔料、フタロシアニン顔料、金属フタロシ
アニン系顔料、スクエアリウム色素、アズレニウム色
素、チアピリリウム色素、及びカルバゾール骨格、スチ
リルスチルベン骨格、トリフェニルアミン骨格、ジベン
ゾチオフェン骨格、オキサジアゾール骨格、フルオレノ
ン骨格、ビススチルベン骨格、ジスチリルオキサジアゾ
ール骨格又はジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ
顔料などが挙げられる。
【0062】電荷輸送層は、電荷発生材料が発生した電
荷を受け入れこれを輸送する能力を有する電荷輸送材
料、シリコーン系レベリング剤及び結着剤を必須成分と
し、必要に応じて公知の可塑剤、増感剤などを含有し、
乾燥膜厚5〜70μm となるように電荷発生層の上に塗
布される。
荷を受け入れこれを輸送する能力を有する電荷輸送材
料、シリコーン系レベリング剤及び結着剤を必須成分と
し、必要に応じて公知の可塑剤、増感剤などを含有し、
乾燥膜厚5〜70μm となるように電荷発生層の上に塗
布される。
【0063】電荷輸送材料としては、ポリ−N−ビニル
カルバゾール及びその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリル
エチルグルタメート及びその誘導体、ピレン−ホルムア
ルデヒド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、ポ
リビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、オキソ
ジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、9−(p−ジ
エチルアミノスチリル)アントラセン、1,1−ビス
(4−ジベンジルアミノフェニル)プロパン、スチリル
アントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾ
ン類、ヒドラゾン誘導体等の電子供与性物質、或いはフ
ルオレノン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、インデ
ノチオフェン誘導体、フェナンスレンキノン誘導体、イ
ンデノピリジン誘導体、チオキサントン誘導体、ベンゾ
[c]シンノリン誘導体、フェナジンオキサイド誘導
体、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタ
ン、プロマニル、クロラニル、ベンゾキノン等の電子受
容性物質などが挙げられる。
カルバゾール及びその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリル
エチルグルタメート及びその誘導体、ピレン−ホルムア
ルデヒド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、ポ
リビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、オキソ
ジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、9−(p−ジ
エチルアミノスチリル)アントラセン、1,1−ビス
(4−ジベンジルアミノフェニル)プロパン、スチリル
アントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾ
ン類、ヒドラゾン誘導体等の電子供与性物質、或いはフ
ルオレノン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、インデ
ノチオフェン誘導体、フェナンスレンキノン誘導体、イ
ンデノピリジン誘導体、チオキサントン誘導体、ベンゾ
[c]シンノリン誘導体、フェナジンオキサイド誘導
体、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタ
ン、プロマニル、クロラニル、ベンゾキノン等の電子受
容性物質などが挙げられる。
【0064】電荷輸送層を構成する結着剤としては、電
荷輸送材料と相溶性を有するものであれば良く、例えば
ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリアミ
ド、ポリエステル、ポリケトン、エポキシ樹脂、ポリウ
レタン、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリアクリ
ルアミド、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げら
れる。
荷輸送材料と相溶性を有するものであれば良く、例えば
ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリアミ
ド、ポリエステル、ポリケトン、エポキシ樹脂、ポリウ
レタン、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリアクリ
ルアミド、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げら
れる。
【0065】本発明の方法で製造された電子写真感光体
はハジキ、シミ等による画像への黒ポチ、白ポチの発生
がほとんどなく、良品率が高い。更に、洗浄工程におい
て、有機溶媒を使用しないので、有機溶媒の使用による
大気汚染、人体への影響、高い引火性及び発火性による
爆発の危険等がない。
はハジキ、シミ等による画像への黒ポチ、白ポチの発生
がほとんどなく、良品率が高い。更に、洗浄工程におい
て、有機溶媒を使用しないので、有機溶媒の使用による
大気汚染、人体への影響、高い引火性及び発火性による
爆発の危険等がない。
【0066】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。
るが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。
【0067】実施例1−4 図1及び図2の洗浄方法における各条件を次の通り設定
した。
した。
【0068】 円筒状基体上昇(洗浄)速度: 5mm/sec ダスト除去用エアー吹出口スリット幅: 2mm ダスト除去用エアー圧: 8kg/cm2 ダスト除去用エアー吹出角度: 45° 界面活性剤名: CW-5520 (第一工業製薬(株)製) 界面活性剤の濃度: 10% 界面活性剤含有純水の水温: 60℃ 界面活性剤含有水吹出口スリット幅: 1mm 界面活性剤含有水の水圧: 80kg/cm2 界面活性剤含有水吹出角度: 45° 濯ぎ用水の種類: 純水 濯ぎ用水の水温: 60℃ 濯ぎI,IIの吹出口スリット幅: 1mm 濯ぎI,IIの水圧: 60kg/cm2 濯ぎIの吹出角度: 45° 濯ぎIIの吹出角度: 40° 乾燥用エアーの温度: 100℃ 乾燥用エアー吹出口スリット幅: 1mm 乾燥用エアー圧: 12kg/cm2 乾燥用エフー吹出角度: 45° 冷却用エアーの温度: 5℃ 冷却用エアー吹出口スリット幅: 1mm 冷却用エアー圧: 6kg/cm2 冷却用エアー吹出角度: 45° (注)濯ぎIは第1回目の濯ぎで、濯ぎIIは第2回目の
濯ぎを意味する。
濯ぎを意味する。
【0069】以上の条件において図1及び図2の洗浄方
法によって円筒状基体を洗浄した。
法によって円筒状基体を洗浄した。
【0070】得られた円筒状基体を公知の浸漬塗布方法
により下記A液を円筒状基体の表面に乾燥後の膜厚0.
5μm になるように浸漬塗布し、75℃の温度で1時間
乾燥し、更に下記B液をA液が塗布された円筒状基体の
表面に乾燥後の膜厚20μmになるように浸漬塗布し、
75℃の温度で1時間乾燥した。
により下記A液を円筒状基体の表面に乾燥後の膜厚0.
5μm になるように浸漬塗布し、75℃の温度で1時間
乾燥し、更に下記B液をA液が塗布された円筒状基体の
表面に乾燥後の膜厚20μmになるように浸漬塗布し、
75℃の温度で1時間乾燥した。
【0071】A液 ジブロムアンスアンスロン2重量部、ブチラール樹脂
[エスレックBM−2、セキスイ化学(株)製]2重量
部、シクロヘキサノン230重量部をボールミルにて8
時間分散処理して得られた液。
[エスレックBM−2、セキスイ化学(株)製]2重量
部、シクロヘキサノン230重量部をボールミルにて8
時間分散処理して得られた液。
【0072】B液 ヒドラゾン系電荷輸送材[ABPH、日本化薬(株)
製]1重量部、ポリカーボネート樹脂[パンライトL−
1250、帝人化成(株)製]1重量部をジクロルエタ
ン8重量部で溶解して得られた液。
製]1重量部、ポリカーボネート樹脂[パンライトL−
1250、帝人化成(株)製]1重量部をジクロルエタ
ン8重量部で溶解して得られた液。
【0073】得られた電子写真感光体それぞれ30本ず
つを回転用治具に装着し複写機[SF−8100、シャ
ープ(株)製]に搭載してコピーを取り画像評価を行な
った。結果を表1に示す。
つを回転用治具に装着し複写機[SF−8100、シャ
ープ(株)製]に搭載してコピーを取り画像評価を行な
った。結果を表1に示す。
【0074】実施例5 図3の洗浄方法によって導電性基体を洗浄した。CW−
5520の界面活性剤10%含有純水の水温:50℃、
濯ぎ用純水の水温:50℃、乾燥用エアーの温度:60
℃及び内部洗浄ユニットのかわりに超音波発振子110
(最大超音波発振出力:700W、超音波の使用周波
数:10〜20kHz )を用いた以外は実施例1と同じ条
件で洗浄処理をおこなった。
5520の界面活性剤10%含有純水の水温:50℃、
濯ぎ用純水の水温:50℃、乾燥用エアーの温度:60
℃及び内部洗浄ユニットのかわりに超音波発振子110
(最大超音波発振出力:700W、超音波の使用周波
数:10〜20kHz )を用いた以外は実施例1と同じ条
件で洗浄処理をおこなった。
【0075】得られた円筒状基体に実施例1と同じよう
に感光層を形成し、画像評価を行なった。結果を表1に
示す。
に感光層を形成し、画像評価を行なった。結果を表1に
示す。
【0076】比較例1 切削加工した円筒状基体を、有機溶剤として60℃の
1,1,1−トリクロルエタンを用いた超音波・温浴洗
浄処理を30秒間行なった。20℃の1,1,1−トリ
クロルエタンで30秒間冷浴した後、1,1,1−トリ
クロルエタンを用いた蒸気洗浄を30秒間行ない、クリ
ーンルームで20分間放冷した。得られた円筒状基体の
表面に実施例と同様の方法で感光体層を形成した。
1,1,1−トリクロルエタンを用いた超音波・温浴洗
浄処理を30秒間行なった。20℃の1,1,1−トリ
クロルエタンで30秒間冷浴した後、1,1,1−トリ
クロルエタンを用いた蒸気洗浄を30秒間行ない、クリ
ーンルームで20分間放冷した。得られた円筒状基体の
表面に実施例と同様の方法で感光体層を形成した。
【0077】得られた電子写真感光体30本を実施例1
と同様の方法で画像評価を行なった。結果を表1に示
す。
と同様の方法で画像評価を行なった。結果を表1に示
す。
【0078】参考例 第1の超音波洗浄槽に実施例1と同じ界面活性剤の10
%含有純水を洗浄液として用い、60℃に加温し、超音
波(使用周波数:10〜20kHz)を発振し、1分間洗浄
処理をし、第2及び第3の純水槽にて濯ぎ処理を行な
い、80℃のクリーンエアを3分間吹き付けて乾燥し
た。
%含有純水を洗浄液として用い、60℃に加温し、超音
波(使用周波数:10〜20kHz)を発振し、1分間洗浄
処理をし、第2及び第3の純水槽にて濯ぎ処理を行な
い、80℃のクリーンエアを3分間吹き付けて乾燥し
た。
【0079】得られた円筒状基体の表面に実施例1と同
様の方法で感光層を形成し、得られた電子写真感光体3
0本を実施例1と同様の方法で画像評価を行なった。結
果を表1に示す。
様の方法で感光層を形成し、得られた電子写真感光体3
0本を実施例1と同様の方法で画像評価を行なった。結
果を表1に示す。
【0080】比較例2 更に、洗浄処理をしない円筒状基体の表面に実施例1と
同様の方法で感光体層を形成した。得られた電子写真感
光体30本を実施例1と同様の方法で画像評価をおこな
った。結果を表1に示す。
同様の方法で感光体層を形成した。得られた電子写真感
光体30本を実施例1と同様の方法で画像評価をおこな
った。結果を表1に示す。
【0081】
【表1】
【0082】
【発明の効果】本発明の方法は、洗浄不良によるハジ
キ、シミ等の発生が防止され、良品率においても、従来
の1,1,1−トリクロルエタン洗浄液を使用する場合
とほとんど同じで、良品率の低下が防止されて、実用可
能な高収率が得られる。更に、洗浄液として有機溶剤を
使用しないので、有機溶剤の使用による大気汚染、人体
への影響、高い引火性及び発火性による爆発の危険、特
に1,1,1−トリクロルエタン、フロンの洗浄液とし
ての使用による地球温暖化及びオゾン層の破壊等の問題
が解消される。
キ、シミ等の発生が防止され、良品率においても、従来
の1,1,1−トリクロルエタン洗浄液を使用する場合
とほとんど同じで、良品率の低下が防止されて、実用可
能な高収率が得られる。更に、洗浄液として有機溶剤を
使用しないので、有機溶剤の使用による大気汚染、人体
への影響、高い引火性及び発火性による爆発の危険、特
に1,1,1−トリクロルエタン、フロンの洗浄液とし
ての使用による地球温暖化及びオゾン層の破壊等の問題
が解消される。
【0083】また、基体の上昇一工程により洗浄から乾
燥、冷却までが可能なため多槽浸漬水洗浄よりも大幅に
洗浄時間が短縮でき、洗浄槽置も小型になるので生産コ
スト削減が出来る。
燥、冷却までが可能なため多槽浸漬水洗浄よりも大幅に
洗浄時間が短縮でき、洗浄槽置も小型になるので生産コ
スト削減が出来る。
【0084】また、排水を濾過や蒸留すればくり返し利
用できるので、ランニングコストも安く出来る。
用できるので、ランニングコストも安く出来る。
【図1】本発明の表面洗浄環状ユニットを用いた洗浄方
法の概略を示す図である。
法の概略を示す図である。
【図2】図1の洗浄方法の断面図である。
【図3】超音波振動子を用いた洗浄方法の概略を示す断
面図である。
面図である。
1 ダスト除去用エアー管 1a 除去用エアーの吹出口 10 界面活性剤含有洗浄液の洗浄液管 10a 洗浄液の吹出口 20 濯ぎ液配管 20a 濯ぎ液の吹出口 30 乾燥エアー配管 30a 乾燥エアーの吹出口 80 表面洗浄環状ユニット 90 内部洗浄ユニット 110 超音波振動子
フロントページの続き (72)発明者 松本 雅則 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (72)発明者 松本 浩史 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (72)発明者 忍 充弘 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (72)発明者 谷口 英明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】 導電性基体の外側にギャップを形成する
ように設けられ且つ内面に複数本の連続した溝形状の流
体吹出口を有する表面洗浄ユニットの下段の吹出口から
エアーを噴射してダストを除去する工程、中段の吹出口
から界面活性剤含有洗浄液を噴射して洗浄する工程、上
段の吹出口から濯ぎ液を噴射して濯ぎ処理をする工程、
及び最上段の吹出口から乾燥エアーを噴射して乾燥する
工程を、相対的に該導電性基体を上昇させることによっ
て、順次おこなうことを特徴とする電子写真感光体用導
電性基体の洗浄方法。 - 【請求項2】 導電性基体を超音波振動子に固定して洗
浄及び乾燥処理中に超音波振動を与えることを特徴とす
る請求項1の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30628791A JPH05142804A (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 電子写真感光体用導電性基体の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30628791A JPH05142804A (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 電子写真感光体用導電性基体の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05142804A true JPH05142804A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17955280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30628791A Pending JPH05142804A (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 電子写真感光体用導電性基体の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05142804A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008009196A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、その製造方法および製造装置、電子写真画像形成装置 |
| CN109499956A (zh) * | 2017-09-14 | 2019-03-22 | Kyb 株式会社 | 清洗装置 |
-
1991
- 1991-11-21 JP JP30628791A patent/JPH05142804A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008009196A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、その製造方法および製造装置、電子写真画像形成装置 |
| CN109499956A (zh) * | 2017-09-14 | 2019-03-22 | Kyb 株式会社 | 清洗装置 |
| JP2019051468A (ja) * | 2017-09-14 | 2019-04-04 | Kyb株式会社 | 洗浄装置 |
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