JPH05144490A - ピングリツドアレイの製造法 - Google Patents
ピングリツドアレイの製造法Info
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- JPH05144490A JPH05144490A JP3307695A JP30769591A JPH05144490A JP H05144490 A JPH05144490 A JP H05144490A JP 3307695 A JP3307695 A JP 3307695A JP 30769591 A JP30769591 A JP 30769591A JP H05144490 A JPH05144490 A JP H05144490A
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- pin
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- pin grid
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Landscapes
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 信頼性が高く、放熱性に優れるピングリッド
アレイを安価に製造する。 【構成】 セラミック基板１の表面を粗化した後、該セ
ラミック基板１の表面に金属被膜２を形成し、しかる後
金属被膜２を有するスルーホールにリードピン４を挿入
又は圧入して半田７で固着する。
アレイを安価に製造する。 【構成】 セラミック基板１の表面を粗化した後、該セ
ラミック基板１の表面に金属被膜２を形成し、しかる後
金属被膜２を有するスルーホールにリードピン４を挿入
又は圧入して半田７で固着する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック製のピング
リッドアレイの製造法に関する。
リッドアレイの製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のピングリッドアレイは、セラミッ
ク配線板に形成されたスルーホールにコバール、４２合
金、５２合金等の鉄及びニッケルを主成分とする合金材
料で製作されたリードピンを挿入又は圧入して銀ローで
固着するか又はプラスチック配線板に形成されたスルー
ホールに上記と同様のリードピンを挿入又は圧入して半
田で固着したものが一般に知られている。
ク配線板に形成されたスルーホールにコバール、４２合
金、５２合金等の鉄及びニッケルを主成分とする合金材
料で製作されたリードピンを挿入又は圧入して銀ローで
固着するか又はプラスチック配線板に形成されたスルー
ホールに上記と同様のリードピンを挿入又は圧入して半
田で固着したものが一般に知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前者の方法によれば、
構造上搭載されるＬＳＩが気密封止となり、信頼性が高
く、放熱性に優れるが、リードピンを固着するのに銀ロ
ーを用いるためコスト高となる欠点がある。一方後者の
方法では、セラミック製のピングリッドアレイに比較し
て安価に製造することができるが、耐熱性、放熱性に劣
るという欠点がある。
構造上搭載されるＬＳＩが気密封止となり、信頼性が高
く、放熱性に優れるが、リードピンを固着するのに銀ロ
ーを用いるためコスト高となる欠点がある。一方後者の
方法では、セラミック製のピングリッドアレイに比較し
て安価に製造することができるが、耐熱性、放熱性に劣
るという欠点がある。
【０００４】本発明は上記のような欠点のないピングリ
ッドアレイの製造法を提供することを目的とするもので
ある。
ッドアレイの製造法を提供することを目的とするもので
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はセラミック基板
の表面を粗化した後、該セラミック基板の表面に金属被
膜を形成し、しかる後金属被膜を有するスルーホールに
リードピンを挿入又は圧入して半田で固着するピングリ
ッドアレイの製造法に関する。
の表面を粗化した後、該セラミック基板の表面に金属被
膜を形成し、しかる後金属被膜を有するスルーホールに
リードピンを挿入又は圧入して半田で固着するピングリ
ッドアレイの製造法に関する。
【０００６】本発明においてセラミック基板の表面を粗
化する方法については特に制限はなく、従来公知の方法
で行われる。また金属被膜を形成する方法についても制
限はないが、めっき法で行えば連続的に作業ができ、か
つ密着性に優れるので好ましい。めっきとしては銅めっ
き、ニッケルめっき、金めっき等を施すことが好まし
い。
化する方法については特に制限はなく、従来公知の方法
で行われる。また金属被膜を形成する方法についても制
限はないが、めっき法で行えば連続的に作業ができ、か
つ密着性に優れるので好ましい。めっきとしては銅めっ
き、ニッケルめっき、金めっき等を施すことが好まし
い。
【０００７】本発明において用いられるリードピンの素
材は、固着するセラミック基板の種類又は用途により適
した材質のものが選択して用いられ特に制限はなく、例
えば電気伝導性を重視する場合には銅又は銅合金が用い
られ、熱膨張係数の小さいものが要求される場合には、
コバール、４２合金、５２合金等の鉄及びニッケルを主
成分とする合金材料が用いられる。なおリードピンの表
面には必要に応じすず又は半田めっきが施される。
材は、固着するセラミック基板の種類又は用途により適
した材質のものが選択して用いられ特に制限はなく、例
えば電気伝導性を重視する場合には銅又は銅合金が用い
られ、熱膨張係数の小さいものが要求される場合には、
コバール、４２合金、５２合金等の鉄及びニッケルを主
成分とする合金材料が用いられる。なおリードピンの表
面には必要に応じすず又は半田めっきが施される。
【０００８】リードピンの形状についても制限はない
が、中間部分で変形するようなリードピンを用いれば、
セラミック基板にダメージを与えずに十分な接着強度を
得ることができるので好ましい。またスルーホール径よ
り小さな径を有するリードピンを用いて、半田付け時に
上方を固定するか又は加重をかけて半田付けをすれば上
記と同様にセラミック基板にダメージを与えずに十分な
接着強度を得ることができるので好ましい。
が、中間部分で変形するようなリードピンを用いれば、
セラミック基板にダメージを与えずに十分な接着強度を
得ることができるので好ましい。またスルーホール径よ
り小さな径を有するリードピンを用いて、半田付け時に
上方を固定するか又は加重をかけて半田付けをすれば上
記と同様にセラミック基板にダメージを与えずに十分な
接着強度を得ることができるので好ましい。
【０００９】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。 実施例１ まず従来公知の方法によりセラミック基板の表面を粗化
した後、その表面及びスルーホール内に銅めっき、ニッ
ケルめっき及び金めっきを順次施して金属被膜を形成し
た。
した後、その表面及びスルーホール内に銅めっき、ニッ
ケルめっき及び金めっきを順次施して金属被膜を形成し
た。
【００１０】次に図１の（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、セラミック基板１に形成した金属被膜２を有するス
ルーホール６に半田めっきを施した４２合金製のリード
ピン４を図２の（ａ）及び（ｂ）に示すように挿入し
た。なお図１の（ｃ）は（ａ）及び（ｂ）のＡ−Ａ′線
断面図である。
に、セラミック基板１に形成した金属被膜２を有するス
ルーホール６に半田めっきを施した４２合金製のリード
ピン４を図２の（ａ）及び（ｂ）に示すように挿入し
た。なお図１の（ｃ）は（ａ）及び（ｂ）のＡ−Ａ′線
断面図である。
【００１１】この後図２の（ａ）に示すものはリードピ
ン４の頭頂部５を、一方（ｂ）に示すものはリードピン
４の挿入する方向とは反対側のセラミック基板１の上部
をプレス１０で加圧し、リードピン４の変形部３を弾性
的に変形させながら圧入し、ついで３００℃の温度で半
田付けを行って図３の（ａ）及び（ｂ）に示すようにリ
ードピン４をセラミック基板１に固着した。なお図３の
（ａ）及び（ｂ）において７は半田である。
ン４の頭頂部５を、一方（ｂ）に示すものはリードピン
４の挿入する方向とは反対側のセラミック基板１の上部
をプレス１０で加圧し、リードピン４の変形部３を弾性
的に変形させながら圧入し、ついで３００℃の温度で半
田付けを行って図３の（ａ）及び（ｂ）に示すようにリ
ードピン４をセラミック基板１に固着した。なお図３の
（ａ）及び（ｂ）において７は半田である。
【００１２】実施例２ 図４に示すように、実施例１で得たセラミック基板１に
形成した金属被膜２を有するスルーホール６に半田めっ
きを施したリードピン４を挿入した。ついでリードピン
４の頭頂部５に固定用ブロック８を載置し、リードピン
４の先端部分を、半田を溶融した半田槽９に浸漬して図
５に示すようにリードピン４をセラミック基板１に固着
した。なお図５において７は半田である。
形成した金属被膜２を有するスルーホール６に半田めっ
きを施したリードピン４を挿入した。ついでリードピン
４の頭頂部５に固定用ブロック８を載置し、リードピン
４の先端部分を、半田を溶融した半田槽９に浸漬して図
５に示すようにリードピン４をセラミック基板１に固着
した。なお図５において７は半田である。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、信頼性が高く放熱性に
優れるピングリッドアレイを安価に製造することができ
る。
優れるピングリッドアレイを安価に製造することができ
る。
【図１】（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例になるピ
ングリッドアレイに用いられるリードピンの正面図、並
びに（ｃ）は（ａ）及び（ｂ）のＡ−Ａ線断面図であ
る。
ングリッドアレイに用いられるリードピンの正面図、並
びに（ｃ）は（ａ）及び（ｂ）のＡ−Ａ線断面図であ
る。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例になるピ
ングリッドアレイを得るための製造作業状態を示す一部
断面正面図である。
ングリッドアレイを得るための製造作業状態を示す一部
断面正面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例になるピ
ングリッドアレイの一部断面正面図である。
ングリッドアレイの一部断面正面図である。
【図４】本発明の他の一実施例になるピングリッドアレ
イを得るための製造作業状態を示す一部断面正面図であ
る。
イを得るための製造作業状態を示す一部断面正面図であ
る。
【図５】本発明の他の一実施例になるピングリッドアレ
イの一部断面正面図である。
イの一部断面正面図である。
１ セラミック基板 ２ 金属被膜 ３ 変形部 ４ リードピン ５ 頭頂部 ６ スルーホール ７ 半田 ８ 固定用ブロック ９ 半田槽 １０ プレス
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミック基板の表面を粗化した後、該
セラミック基板の表面に金属被膜を形成し、しかる後金
属被膜を有するスルーホールにリードピンを挿入又は圧
入して半田で固着することを特徴とするピングリッドア
レイの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3307695A JPH05144490A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | ピングリツドアレイの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3307695A JPH05144490A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | ピングリツドアレイの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144490A true JPH05144490A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17972115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3307695A Pending JPH05144490A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | ピングリツドアレイの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144490A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101032961B1 (ko) * | 2009-07-28 | 2011-05-09 | 주식회사 세미라인 | Ｌｅｄ 방열기판의 제조방법 및 그의 구조 |
| WO2011013966A3 (ko) * | 2009-07-28 | 2011-05-19 | 익스팬테크주식회사 | Led 방열기판의 제조방법 및 그의 구조 |
-
1991
- 1991-11-22 JP JP3307695A patent/JPH05144490A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101032961B1 (ko) * | 2009-07-28 | 2011-05-09 | 주식회사 세미라인 | Ｌｅｄ 방열기판의 제조방법 및 그의 구조 |
| WO2011013966A3 (ko) * | 2009-07-28 | 2011-05-19 | 익스팬테크주식회사 | Led 방열기판의 제조방법 및 그의 구조 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040506 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040518 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040716 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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