JPH05149967A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
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- JPH05149967A JPH05149967A JP3339979A JP33997991A JPH05149967A JP H05149967 A JPH05149967 A JP H05149967A JP 3339979 A JP3339979 A JP 3339979A JP 33997991 A JP33997991 A JP 33997991A JP H05149967 A JPH05149967 A JP H05149967A
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- Japan
- Prior art keywords
- acceleration sensor
- semiconductor acceleration
- circuit board
- vibration absorbing
- vibration
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/144—Stacked arrangements of planar printed circuit boards
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、ダンピング液を用いることなく、
外部からの衝撃を緩衝して、半導体加速度センサが破損
することなく正常な動作を維持することのできる半導体
加速度センサの提供を目的とする。 【構成】この発明は、半導体加速度センサを実装した回
路基板を、振動を吸収する長さに設定し該回路基板の回
路に接続する接続端子自体で保持して、接続端子自体が
外部からの衝撃を吸振緩衝し、さらに、接続端子自体に
吸振構造付加すること、さらに、吸振部材で回路基板を
保持すること、さらに、吸振部材に加えてゲル状絶縁物
質をハウジングに装填することで、外部からの衝撃を吸
振緩衝して、半導体加速度センサの破損を防止する。
外部からの衝撃を緩衝して、半導体加速度センサが破損
することなく正常な動作を維持することのできる半導体
加速度センサの提供を目的とする。 【構成】この発明は、半導体加速度センサを実装した回
路基板を、振動を吸収する長さに設定し該回路基板の回
路に接続する接続端子自体で保持して、接続端子自体が
外部からの衝撃を吸振緩衝し、さらに、接続端子自体に
吸振構造付加すること、さらに、吸振部材で回路基板を
保持すること、さらに、吸振部材に加えてゲル状絶縁物
質をハウジングに装填することで、外部からの衝撃を吸
振緩衝して、半導体加速度センサの破損を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板をエッチ
ングして形成され、例えば、自動車の加速度を検出する
に使用されるような半導体加速度センサに関する。
ングして形成され、例えば、自動車の加速度を検出する
に使用されるような半導体加速度センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】上述の半導体加速度センサは図６に示す
ように構成している。すなわち、半導体で構成される基
板の中央部にエッチングで重り部１を形成することで同
時に周囲に支持枠２を形成し、この支持枠２と重り部１
とを同辺で２箇所に梁部３，３で連結し、これら重り部
１および支持枠２の一側面と対向して固定基板４を対設
し、この固定基板４と前述の重り部１との間に所定の間
隙を形成して、重り部１が固定基板４との面方向に可動
可能に形成し、大きさとしては約３mm平方それ以下の小
型に構成している。
ように構成している。すなわち、半導体で構成される基
板の中央部にエッチングで重り部１を形成することで同
時に周囲に支持枠２を形成し、この支持枠２と重り部１
とを同辺で２箇所に梁部３，３で連結し、これら重り部
１および支持枠２の一側面と対向して固定基板４を対設
し、この固定基板４と前述の重り部１との間に所定の間
隙を形成して、重り部１が固定基板４との面方向に可動
可能に形成し、大きさとしては約３mm平方それ以下の小
型に構成している。
【０００３】このように構成した半導体加速度センサ５
は加速によって重り部１が可動したときの重り部１と固
定基板４間の静電容量の変化、または、梁部３，３の歪
み量を検知して加速度を検出するが、構造としては梁部
３，３が衝撃に弱いので、この部分の破損があり、これ
を解決する１つの手段として、図７に示すように、この
半導体加速度センサ５を金属のケース６で囲繞して、内
部をシリコンオイル等のダンピング液７で充填する手段
が取られ、このようにケース化した半導体加速度センサ
５を、信号検出回路や増幅回路等の必要回路を搭載した
回路基板８に実装して構成していた。
は加速によって重り部１が可動したときの重り部１と固
定基板４間の静電容量の変化、または、梁部３，３の歪
み量を検知して加速度を検出するが、構造としては梁部
３，３が衝撃に弱いので、この部分の破損があり、これ
を解決する１つの手段として、図７に示すように、この
半導体加速度センサ５を金属のケース６で囲繞して、内
部をシリコンオイル等のダンピング液７で充填する手段
が取られ、このようにケース化した半導体加速度センサ
５を、信号検出回路や増幅回路等の必要回路を搭載した
回路基板８に実装して構成していた。
【０００４】しかし、上述のように、ケース化して内部
にダンピング液７を装填する半導体加速度センサ５の場
合、重り部１周囲の流路９が狭く、また、小型化される
ほど流路９が狭くなり、重り部１が加速の検出で可動す
る度にダンピング液７がその流路９を通過する際、ダン
ピング液７の実効粘度が増加して、半導体加速度センサ
５の周波数応答性に悪影響を与える問題点を有し、ま
た、ダンピング液の粘性が温度によって変化するためこ
の変化も上述の周波数応答性に悪影響を与える問題点を
有し、さらに、小さいケース内にダンピング液を封入す
ること自体に作業性が悪い問題点を有する。
にダンピング液７を装填する半導体加速度センサ５の場
合、重り部１周囲の流路９が狭く、また、小型化される
ほど流路９が狭くなり、重り部１が加速の検出で可動す
る度にダンピング液７がその流路９を通過する際、ダン
ピング液７の実効粘度が増加して、半導体加速度センサ
５の周波数応答性に悪影響を与える問題点を有し、ま
た、ダンピング液の粘性が温度によって変化するためこ
の変化も上述の周波数応答性に悪影響を与える問題点を
有し、さらに、小さいケース内にダンピング液を封入す
ること自体に作業性が悪い問題点を有する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、ダンピン
グ液を用いることなく、外部からの衝撃を緩衝して、セ
ンサが破損することなく正常な動作を維持することので
きる半導体加速度センサの提供を目的とする。
グ液を用いることなく、外部からの衝撃を緩衝して、セ
ンサが破損することなく正常な動作を維持することので
きる半導体加速度センサの提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明（請求項１）
は、半導体加速度センサを実装した回路基板を、振動を
吸収する長さに設定し該回路基板の回路に接続する接続
端子自体で保持した半導体加速度センサであることを特
徴とする。
は、半導体加速度センサを実装した回路基板を、振動を
吸収する長さに設定し該回路基板の回路に接続する接続
端子自体で保持した半導体加速度センサであることを特
徴とする。
【０００７】この発明（請求項２）は、半導体加速度セ
ンサを実装した回路基板を、所定の長さに設定し該回路
基板の回路に接続する接続端子自体で保持し、上記接続
端子の中間部に吸振構造を形成した半導体加速度センサ
であることを特徴とする。
ンサを実装した回路基板を、所定の長さに設定し該回路
基板の回路に接続する接続端子自体で保持し、上記接続
端子の中間部に吸振構造を形成した半導体加速度センサ
であることを特徴とする。
【０００８】この発明（請求項３）は、半導体加速度セ
ンサを実装した回路基板を、弾性を持った吸振部材で保
持すると共に、該回路基板に対する接続配線を上記吸振
部材の吸振動作を阻害しない長さのフレキシブルリード
線で形成した半導体加速度センサであることを特徴とす
る。
ンサを実装した回路基板を、弾性を持った吸振部材で保
持すると共に、該回路基板に対する接続配線を上記吸振
部材の吸振動作を阻害しない長さのフレキシブルリード
線で形成した半導体加速度センサであることを特徴とす
る。
【０００９】この発明（請求項４）は、半導体加速度セ
ンサを実装した回路基板を、弾性を持った吸振部材で保
持すると共に、該回路基板に対する接続配線をマルチワ
イヤブラシで形成した半導体加速度センサであることを
特徴とする。
ンサを実装した回路基板を、弾性を持った吸振部材で保
持すると共に、該回路基板に対する接続配線をマルチワ
イヤブラシで形成した半導体加速度センサであることを
特徴とする。
【００１０】この発明（請求項５）は、半導体加速度セ
ンサを実装した回路基板をハウジングで囲繞すると共
に、ハウジング内壁に保持し弾性を持った吸振部材に上
記回路基板を保持し、上記ハウジング内にゲル状絶縁物
質を充填した半導体加速度センサであることを特徴とす
る。
ンサを実装した回路基板をハウジングで囲繞すると共
に、ハウジング内壁に保持し弾性を持った吸振部材に上
記回路基板を保持し、上記ハウジング内にゲル状絶縁物
質を充填した半導体加速度センサであることを特徴とす
る。
【００１１】
【作用】この発明は、請求項１では、接続端子自体が外
部からの衝撃を吸振緩衝し、また、請求項２では、接続
端子自体に加えて吸振構造が外部からの衝撃を吸振緩衝
し、また、請求項３および請求項４は、吸振部材で外部
からの衝撃を吸振緩衝し、また、請求項５は、吸振部材
に加えてゲル状絶縁物質が外部からの衝撃を吸振緩衝
し、これら各請求項の構成による吸振緩衝によって、半
導体加速度センサの破損を防止する。
部からの衝撃を吸振緩衝し、また、請求項２では、接続
端子自体に加えて吸振構造が外部からの衝撃を吸振緩衝
し、また、請求項３および請求項４は、吸振部材で外部
からの衝撃を吸振緩衝し、また、請求項５は、吸振部材
に加えてゲル状絶縁物質が外部からの衝撃を吸振緩衝
し、これら各請求項の構成による吸振緩衝によって、半
導体加速度センサの破損を防止する。
【００１２】
【発明の効果】この発明によれば、吸振部材にダンピン
グ液を使用しないので、ダンピング液の実効粘度の変
化、また、温度変化による粘度の変化で周波数の応答性
を損なうことがなく、簡単な構造で吸振緩衝作用が得ら
れ、正確な加速度を検出することができる。またダンピ
ング液の封入がないので、製作の作業性がよくなる。
グ液を使用しないので、ダンピング液の実効粘度の変
化、また、温度変化による粘度の変化で周波数の応答性
を損なうことがなく、簡単な構造で吸振緩衝作用が得ら
れ、正確な加速度を検出することができる。またダンピ
ング液の封入がないので、製作の作業性がよくなる。
【００１３】さらに、接続配線をフレキシブルリード線
やマルチワイヤブラシで構成することで、吸振部材の緩
衝性を損なうことがなく、狭い構造部分に対しても自由
に接続ができ、構造設計の自由度が向上する。
やマルチワイヤブラシで構成することで、吸振部材の緩
衝性を損なうことがなく、狭い構造部分に対しても自由
に接続ができ、構造設計の自由度が向上する。
【００１４】
【実施例】この発明の実施例を以下図面に基づいて説明
する。図１は第１実施例の半導体加速センサユニットを
示し、半導体加速度センサ１０は先の図６で示した従来
のセンサ５と同様に構成されていて、第１の回路基板１
１に実装されている。この第１の回路基板１１は半導体
加速度センサ１０の電極と接続する回路配線をプリント
して形成しており、必要最少限度の電子部品も搭載して
いる。一方、第２の回路基板１２には、例えば、定電圧
回路、アンプ、比較回路等の検出回路等を構成する電子
部品１３を搭載して樹脂等で形成されたハウジング１４
の底部に固定されると共に、前述の第１の回路基板１１
とは上下に配置して、垂直方向に所定の間隔、すなわ
ち、振動を吸収し得る長さに設定した接続端子１５…で
両者の回路を接続すると共に、第１の回路基板１１を振
動吸収可能に保持してセンサユニット１６を構成してい
る。なお、図中１７は外部に接続するリード線である。
する。図１は第１実施例の半導体加速センサユニットを
示し、半導体加速度センサ１０は先の図６で示した従来
のセンサ５と同様に構成されていて、第１の回路基板１
１に実装されている。この第１の回路基板１１は半導体
加速度センサ１０の電極と接続する回路配線をプリント
して形成しており、必要最少限度の電子部品も搭載して
いる。一方、第２の回路基板１２には、例えば、定電圧
回路、アンプ、比較回路等の検出回路等を構成する電子
部品１３を搭載して樹脂等で形成されたハウジング１４
の底部に固定されると共に、前述の第１の回路基板１１
とは上下に配置して、垂直方向に所定の間隔、すなわ
ち、振動を吸収し得る長さに設定した接続端子１５…で
両者の回路を接続すると共に、第１の回路基板１１を振
動吸収可能に保持してセンサユニット１６を構成してい
る。なお、図中１７は外部に接続するリード線である。
【００１５】このように半導体加速度センサ１０を構成
したときは、外部から受ける衝撃を接続端子１５の材料
弾性で吸振緩衝して、半導体加速度センサ１０のことに
梁部（図６参照）の破損を防止することができ、さら
に、回路基板が第１と第２の回路基板１１，１２に２分
割して上下に配置しているので、投影面積を減少させる
ことができて小型化に有効である。
したときは、外部から受ける衝撃を接続端子１５の材料
弾性で吸振緩衝して、半導体加速度センサ１０のことに
梁部（図６参照）の破損を防止することができ、さら
に、回路基板が第１と第２の回路基板１１，１２に２分
割して上下に配置しているので、投影面積を減少させる
ことができて小型化に有効である。
【００１６】図２は第２実施例の半導体加速度センサユ
ニットを示し、上述の第１実施例と同様の機能を有する
部分には同一の符号を付してその詳細を省略する。すな
わち、この第２実施例では、接続端子１５…の中間部を
Ｕ字状に屈曲して吸振構造１８を形成している。なお、
この吸振構造１８の形状は、くの字状、コの字状、その
他の形状であるもよい。
ニットを示し、上述の第１実施例と同様の機能を有する
部分には同一の符号を付してその詳細を省略する。すな
わち、この第２実施例では、接続端子１５…の中間部を
Ｕ字状に屈曲して吸振構造１８を形成している。なお、
この吸振構造１８の形状は、くの字状、コの字状、その
他の形状であるもよい。
【００１７】このように構成した場合、前述の第１実施
例で説明した接続端子１５…自体の吸振緩衝の作用に加
えて、吸振構造１８の形状による吸振緩衝作用を得るこ
とができ、有効な吸振緩衝が得られ、半導体加速度セン
サ１０の破損を防止する。
例で説明した接続端子１５…自体の吸振緩衝の作用に加
えて、吸振構造１８の形状による吸振緩衝作用を得るこ
とができ、有効な吸振緩衝が得られ、半導体加速度セン
サ１０の破損を防止する。
【００１８】図３は第３実施例の半導体加速度センサユ
ニットを示し、前述の第１実施例と同様の機能を有する
部分には同一の符号を付してその詳細を省略する。すな
わち、この第２実施例では、第１の回路基板１１を、例
えば、シリコンゴムのような弾性を有する吸振部材１９
で保持し（吸振部材１９の上下両端は適宜の接着手段で
両回路基板１１，１２に接着している）、両回路基板１
１，１２の回路を接続するリード線はフレキシブルリー
ド線２０…を使用すると共に、このフレキシブルリード
線２０…の長さは吸振部材１９の吸振緩衝作用を阻害し
ない必要最短の長さに設定している。
ニットを示し、前述の第１実施例と同様の機能を有する
部分には同一の符号を付してその詳細を省略する。すな
わち、この第２実施例では、第１の回路基板１１を、例
えば、シリコンゴムのような弾性を有する吸振部材１９
で保持し（吸振部材１９の上下両端は適宜の接着手段で
両回路基板１１，１２に接着している）、両回路基板１
１，１２の回路を接続するリード線はフレキシブルリー
ド線２０…を使用すると共に、このフレキシブルリード
線２０…の長さは吸振部材１９の吸振緩衝作用を阻害し
ない必要最短の長さに設定している。
【００１９】このように構成した場合、吸振部材１９が
外部からの衝撃に対して吸振緩衝作用を得ることがで
き、有効な吸振緩衝が得られ、半導体加速度センサ１０
の破損を防止する。同時に吸振部材１９が可動しても、
フレキシブルリード線２０はその可動量より長いので、
緩衝作用を阻害することはない。
外部からの衝撃に対して吸振緩衝作用を得ることがで
き、有効な吸振緩衝が得られ、半導体加速度センサ１０
の破損を防止する。同時に吸振部材１９が可動しても、
フレキシブルリード線２０はその可動量より長いので、
緩衝作用を阻害することはない。
【００２０】図４は第４実施例の半導体加速度センサユ
ニットを示し、前述の第１実施例と同様の機能を有する
部分には同一の符号を付してその詳細を省略する。すな
わち、この第４実施例では、半導体加速度センサ１０を
搭載した第１の回路基板１１を、例えば、シリコンゴム
のような弾性を有する吸振部材２１，２１で挟持して第
２の回路基板１２の上面に搭載し、両回路基板１１，１
２の回路を接続するリード線は該両回路基板１１，１２
間に配置したマルチワイヤブラシ２２を使用して吸振部
材２１，２１の吸振緩衝作用を阻害しないように設けて
いる。
ニットを示し、前述の第１実施例と同様の機能を有する
部分には同一の符号を付してその詳細を省略する。すな
わち、この第４実施例では、半導体加速度センサ１０を
搭載した第１の回路基板１１を、例えば、シリコンゴム
のような弾性を有する吸振部材２１，２１で挟持して第
２の回路基板１２の上面に搭載し、両回路基板１１，１
２の回路を接続するリード線は該両回路基板１１，１２
間に配置したマルチワイヤブラシ２２を使用して吸振部
材２１，２１の吸振緩衝作用を阻害しないように設けて
いる。
【００２１】このように構成した場合、吸振部材２１，
２１が外部からの衝撃に対して吸振緩衝作用を得ること
ができ、有効な吸振緩衝が得られ、半導体加速度センサ
１０の破損を防止する。同時に吸振部材２１が可動して
も、マルチワイヤブラシ２２の弾性で回路の接続を維持
することができ、加速度検出に支障がない。
２１が外部からの衝撃に対して吸振緩衝作用を得ること
ができ、有効な吸振緩衝が得られ、半導体加速度センサ
１０の破損を防止する。同時に吸振部材２１が可動して
も、マルチワイヤブラシ２２の弾性で回路の接続を維持
することができ、加速度検出に支障がない。
【００２２】図５は第５実施例の半導体加速度センサユ
ニットを示し、前述の第１実施例と同様の機能を有する
部分には同一の符号を付してその詳細を省略する。すな
わち、この第５実施例では、ハウジング１４の内壁面に
シリコンゴムのような弾性を有する吸振部材２３を貼設
し、この吸振部材２３に半導体加速度センサ１０を搭載
した第１の回路基板１１を挟持し、第２の回路基板（図
外）とはハウジング１４の外部でリード線１７で接続す
る。そして、ハウジング１４内部にはシリコン樹脂のよ
うなゲル状絶縁物質２４を充填している。
ニットを示し、前述の第１実施例と同様の機能を有する
部分には同一の符号を付してその詳細を省略する。すな
わち、この第５実施例では、ハウジング１４の内壁面に
シリコンゴムのような弾性を有する吸振部材２３を貼設
し、この吸振部材２３に半導体加速度センサ１０を搭載
した第１の回路基板１１を挟持し、第２の回路基板（図
外）とはハウジング１４の外部でリード線１７で接続す
る。そして、ハウジング１４内部にはシリコン樹脂のよ
うなゲル状絶縁物質２４を充填している。
【００２３】このように構成した場合、吸振部材２３，
２３が外部からの衝撃に対して吸振緩衝作用をなすこと
に加えて、ゲル状絶縁物質２４も吸振緩衝作用を行な
い、これらの作用で、有効な吸振緩衝が得られ、半導体
加速度センサ１０の破損を防止する。なお、この発明は
上述の種々の実施例の構成のみに限定されるものではな
い。
２３が外部からの衝撃に対して吸振緩衝作用をなすこと
に加えて、ゲル状絶縁物質２４も吸振緩衝作用を行な
い、これらの作用で、有効な吸振緩衝が得られ、半導体
加速度センサ１０の破損を防止する。なお、この発明は
上述の種々の実施例の構成のみに限定されるものではな
い。
【図１】半導体加速センサユニットの第１実施例を示す
断面図。
断面図。
【図２】半導体加速センサユニットの第２実施例を示す
断面図。
断面図。
【図３】半導体加速センサユニットの第３実施例を示す
断面図。
断面図。
【図４】半導体加速センサユニットの第４実施例を示す
断面図。
断面図。
【図５】半導体加速センサユニットの第５実施例を示す
断面図。
断面図。
【図６】従来の半導体加速度センサを示す斜視図。
【図７】従来の半導体加速度センサを搭載したセンサユ
ニットの断面図。
ニットの断面図。
１０…半導体加速度センサ １１…第１の回路基板 １２…第２の回路基板 １３…電子部品 １４…ハウジング １５…接続端子 １８…吸振構造 １９，２１，２３…吸振部材 ２０…フレキシブルリード線 ２２…マルチワイヤブラシ ２４…ゲル状絶縁物質
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 日笠 浩一 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内 (72)発明者 椎木 正和 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内 (72)発明者 細谷 克己 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】半導体加速度センサを実装した回路基板
を、振動を吸収する長さに設定し該回路基板の回路に接
続する接続端子自体で保持した半導体加速度センサ。 - 【請求項２】半導体加速度センサを実装した回路基板
を、所定の長さに設定し該回路基板の回路に接続する接
続端子自体で保持し、上記接続端子の中間部に吸振構造
を形成した半導体加速度センサ。 - 【請求項３】半導体加速度センサを実装した回路基板
を、弾性を持った吸振部材で保持すると共に、該回路基
板に対する接続配線を上記吸振部材の吸振動作を阻害し
ない長さのフレキシブルリード線で形成した半導体加速
度センサ。 - 【請求項４】半導体加速度センサを実装した回路基板
を、弾性を持った吸振部材で保持すると共に、該回路基
板に対する接続配線をマルチワイヤブラシで形成した半
導体加速度センサ。 - 【請求項５】半導体加速度センサを実装した回路基板を
ハウジングで囲繞すると共に、ハウジング内壁に保持し
弾性を持った振部材に上記回路基板を保持し、上記ハウ
ジング内にゲル状絶縁物質を充填した半導体加速度セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3339979A JPH05149967A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3339979A JPH05149967A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05149967A true JPH05149967A (ja) | 1993-06-15 |
Family
ID=18332583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3339979A Pending JPH05149967A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05149967A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19745387B4 (de) * | 1997-04-15 | 2005-02-17 | Mitsubishi Denki K.K. | Halbleiter-Beschleunigungserfassungsvorrichtung |
| WO2007105346A1 (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Mitsubishi Electric Corporation | 加速度センサ |
| JP2009156581A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Kitakyushu Foundation For The Advancement Of Industry Science & Technology | 傾斜検出素子 |
| WO2012146547A1 (de) * | 2011-04-28 | 2012-11-01 | Robert Bosch Gmbh | Leiterplattenanordnung mit einem schwingfähigen system |
| JP2013108886A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-06-06 | Seiko Epson Corp | センサーユニット及びそれを用いた運動計測システム |
| JP2013253792A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Seiko Epson Corp | センサーユニット及びそれを用いた運動計測システム |
| KR101496949B1 (ko) * | 2013-05-20 | 2015-03-02 | 드림스페이스월드주식회사 | 진동 감쇄 기능을 구비한 관성센서 및 그의 제조 방법 |
| WO2016088468A1 (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | ローム株式会社 | 加速度センサおよび振動モニタリングシステム |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP3339979A patent/JPH05149967A/ja active Pending
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| US9363893B2 (en) | 2011-04-28 | 2016-06-07 | Robert Bosch Gmbh | Printed circuit board arrangement comprising an oscillatory system |
| JP2013108886A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-06-06 | Seiko Epson Corp | センサーユニット及びそれを用いた運動計測システム |
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