JPH05150534A - 像保持部材 - Google Patents
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- JPH05150534A JPH05150534A JP33595891A JP33595891A JPH05150534A JP H05150534 A JPH05150534 A JP H05150534A JP 33595891 A JP33595891 A JP 33595891A JP 33595891 A JP33595891 A JP 33595891A JP H05150534 A JPH05150534 A JP H05150534A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 静電像またはトナー画像を保持するための像
保持部材において、像保持部材の下引き層が、セルロー
ス樹脂またはポリビニルアルコールと、金属錯体化合物
との反応生成物を含有する像保持部材。 【効果】 低温低湿下から高温高湿下に至る全環境にお
いて安定した電位特性を有し、良好で画像欠陥のない安
定した画像が得られる。
保持部材において、像保持部材の下引き層が、セルロー
ス樹脂またはポリビニルアルコールと、金属錯体化合物
との反応生成物を含有する像保持部材。 【効果】 低温低湿下から高温高湿下に至る全環境にお
いて安定した電位特性を有し、良好で画像欠陥のない安
定した画像が得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、像保持部材に関し、詳
しくは支持体と感光層との間に設けられた中間層の改良
に関する。
しくは支持体と感光層との間に設けられた中間層の改良
に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、カールソンタイプの電子写真感
光体においては、帯電−露光を繰り返したときに一定の
画像濃度とカブリのない画像を形成するうえで、暗部電
位と明部電位の安定性が重要になっている。
光体においては、帯電−露光を繰り返したときに一定の
画像濃度とカブリのない画像を形成するうえで、暗部電
位と明部電位の安定性が重要になっている。
【0003】このため、支持体から感光層への電荷注入
性改良、支持体と感光層との接着性改良、感光層の塗工
性向上、支持体上の欠陥の被覆などの機能を有する中間
層を支持体と感光層との間に設けることが提案されてい
る。
性改良、支持体と感光層との接着性改良、感光層の塗工
性向上、支持体上の欠陥の被覆などの機能を有する中間
層を支持体と感光層との間に設けることが提案されてい
る。
【0004】また、感光層を電荷発生層と電荷輸送層に
機能分離した積層構造を有するものが提案されている
が、一般に電荷発生層は極めて薄い層として、例えば
0.5μm程度で設けられているため、支持体表面の欠
陥、汚れ、付着物または傷などが電荷発生層の膜厚を不
均一とする原因となる。電荷発生層の膜厚が不均一であ
ると感光体に感度ムラを生じるので、電荷発生層をでき
るだけ均一なものとすることが要求されている。
機能分離した積層構造を有するものが提案されている
が、一般に電荷発生層は極めて薄い層として、例えば
0.5μm程度で設けられているため、支持体表面の欠
陥、汚れ、付着物または傷などが電荷発生層の膜厚を不
均一とする原因となる。電荷発生層の膜厚が不均一であ
ると感光体に感度ムラを生じるので、電荷発生層をでき
るだけ均一なものとすることが要求されている。
【0005】このようなことから、電荷発生層と支持体
との間にバリヤー層としての機能、接着層としての機
能、および支持体上の欠陥を被覆する機能を有する中間
層を設けることが提案されている。
との間にバリヤー層としての機能、接着層としての機
能、および支持体上の欠陥を被覆する機能を有する中間
層を設けることが提案されている。
【0006】これまで感光層と支持体との間に設ける層
として、ポリアミド(特開昭46−47344号、特開
昭52−25638号、特開昭58−95351号公
報)、ポリエステル(特開昭52−20836号、特開
昭54−26738号公報)、ポリウレタン(特開昭4
9−10044号、特開昭53−89435号公報)、
カゼイン(特開昭55−103556号公報)、ポリペ
プチド(特開昭53−48523号公報)、ポリビニル
アルコール(特開昭52−100240号公報)、ポリ
ビニルピロリドン(特開昭48−30936号公報)、
酢酸ビニル−エチレン共重合体(特開昭48−2614
1号公報)、無水マレイン酸エステル重合体(特開昭5
2−10138号公報)、ポリビニルブチラール(特開
昭57−90639号、特開昭58−106549号公
報)、第四級アンモニウム塩含有重合体(特開昭51−
126149号、特開昭56−60448号公報)、エ
チルセルロース(特開昭55−143564号公報)な
どを用いることが知られている。
として、ポリアミド(特開昭46−47344号、特開
昭52−25638号、特開昭58−95351号公
報)、ポリエステル(特開昭52−20836号、特開
昭54−26738号公報)、ポリウレタン(特開昭4
9−10044号、特開昭53−89435号公報)、
カゼイン(特開昭55−103556号公報)、ポリペ
プチド(特開昭53−48523号公報)、ポリビニル
アルコール(特開昭52−100240号公報)、ポリ
ビニルピロリドン(特開昭48−30936号公報)、
酢酸ビニル−エチレン共重合体(特開昭48−2614
1号公報)、無水マレイン酸エステル重合体(特開昭5
2−10138号公報)、ポリビニルブチラール(特開
昭57−90639号、特開昭58−106549号公
報)、第四級アンモニウム塩含有重合体(特開昭51−
126149号、特開昭56−60448号公報)、エ
チルセルロース(特開昭55−143564号公報)な
どを用いることが知られている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
材料を中間層として用いた電子写真感光体では、温湿度
変化により中間層の抵抗が変化するために、低温低湿下
より高温高湿下に至る全環境に対して常に安定した電位
特性、画質を得るのが困難であった。
材料を中間層として用いた電子写真感光体では、温湿度
変化により中間層の抵抗が変化するために、低温低湿下
より高温高湿下に至る全環境に対して常に安定した電位
特性、画質を得るのが困難であった。
【0008】例えば、中間層の抵抗が高くなる低温低湿
下で感光体を繰り返し使用した場合、中間層に電荷が残
留するため明部電位、残留電位が上昇しコピーした画像
にカブリを生じ、また反転現像を行なう電子写真方式の
プリンターにこのような感光体を用いた場合には画像の
濃度が薄くなったり、一定の画質を有するコピーが得ら
れない問題があった。
下で感光体を繰り返し使用した場合、中間層に電荷が残
留するため明部電位、残留電位が上昇しコピーした画像
にカブリを生じ、また反転現像を行なう電子写真方式の
プリンターにこのような感光体を用いた場合には画像の
濃度が薄くなったり、一定の画質を有するコピーが得ら
れない問題があった。
【0009】また高温、高湿下になると中間層の低抵抗
化によりバリヤー機能が低下し、支持体側からのキャリ
アー注入が増え暗部電位が低下してしまう。このため、
高温高湿下ではコピーした画像の濃度が薄くなったり、
反転現像を行なう電子写真方式のプリンターにこのよう
な感光体を用いた場合には、画像に黒点状の欠陥(黒ポ
チ)、およびカブリを生じ易くなるといった問題があっ
た。さらに耐溶剤性の優れていない下引き層を用いた場
合、光導電層を積層することにより下引き層が溶解また
は膨潤して電子写真特性が著しく悪化するという傾向が
あった。
化によりバリヤー機能が低下し、支持体側からのキャリ
アー注入が増え暗部電位が低下してしまう。このため、
高温高湿下ではコピーした画像の濃度が薄くなったり、
反転現像を行なう電子写真方式のプリンターにこのよう
な感光体を用いた場合には、画像に黒点状の欠陥(黒ポ
チ)、およびカブリを生じ易くなるといった問題があっ
た。さらに耐溶剤性の優れていない下引き層を用いた場
合、光導電層を積層することにより下引き層が溶解また
は膨潤して電子写真特性が著しく悪化するという傾向が
あった。
【0010】
【発明の目的】したがって本発明の目的は、低温低湿下
から高温高湿下に至る全環境に対して安定した電位特性
と画像の得られる像保持部材を提供することにある。
から高温高湿下に至る全環境に対して安定した電位特性
と画像の得られる像保持部材を提供することにある。
【0011】また本発明の別の目的は、支持体上の欠陥
を十分に被覆できる下引き層を形成して、欠陥のない良
好な画像の得られる像保持部材を提供することにある。
を十分に被覆できる下引き層を形成して、欠陥のない良
好な画像の得られる像保持部材を提供することにある。
【0012】本発明のさらに別の目的は、耐溶剤性の優
れた下引き層を形成して、光導電層を塗布しても下引き
層が溶解または膨潤することなく、平滑な下引き層を保
ち、画像欠陥のない像保持部材を提供することにある。
れた下引き層を形成して、光導電層を塗布しても下引き
層が溶解または膨潤することなく、平滑な下引き層を保
ち、画像欠陥のない像保持部材を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の像保持部材は、
少なくとも下引き層が、セルロース樹脂またはポリビニ
ルアルコールと金属錯体化合物との反応生成物を含有す
ることを特徴とする。本発明の像保持部材の構成として
は、例えば以下の形態が挙げられる。 (1)導電性支持体/下引き層/光導電層 (2)導電性支持体/下引き層/誘電層 (3)導電性支持体/下引き層/光導電層/誘電層 以下、上記(1)に関して詳細に説明する。
少なくとも下引き層が、セルロース樹脂またはポリビニ
ルアルコールと金属錯体化合物との反応生成物を含有す
ることを特徴とする。本発明の像保持部材の構成として
は、例えば以下の形態が挙げられる。 (1)導電性支持体/下引き層/光導電層 (2)導電性支持体/下引き層/誘電層 (3)導電性支持体/下引き層/光導電層/誘電層 以下、上記(1)に関して詳細に説明する。
【0014】本発明における導電性支持体としては、例
えば以下に示した形態のものを挙げることができる。 (a)アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス、
銅などの金属を板形状またはドラム形状にしたもの。 (b)ガラス、樹脂、紙などの非導電性支持体や前記
(a)の導電性支持体上にアルミニウム、パラジウム、
ロジウム、金、白金などの金属を蒸着もしくはラミネー
トすることにより薄膜形成したもの。 (c)ガラス、樹脂、紙などの非導電性支持体や前記
(a)の導電性支持体上に導電性高分子、酸化スズ、酸
化インジウムなどの導電性化合物の層を蒸着あるいは塗
布することにより形成したもの。
えば以下に示した形態のものを挙げることができる。 (a)アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス、
銅などの金属を板形状またはドラム形状にしたもの。 (b)ガラス、樹脂、紙などの非導電性支持体や前記
(a)の導電性支持体上にアルミニウム、パラジウム、
ロジウム、金、白金などの金属を蒸着もしくはラミネー
トすることにより薄膜形成したもの。 (c)ガラス、樹脂、紙などの非導電性支持体や前記
(a)の導電性支持体上に導電性高分子、酸化スズ、酸
化インジウムなどの導電性化合物の層を蒸着あるいは塗
布することにより形成したもの。
【0015】本発明においては、上記支持体上に下引き
層を設ける。
層を設ける。
【0016】本発明において、下引き層は、セルロース
樹脂またはポリビニルアルコールと金属錯体化合物との
反応生成物を含有することが特徴である。
樹脂またはポリビニルアルコールと金属錯体化合物との
反応生成物を含有することが特徴である。
【0017】セルロース樹脂と金属錯体化合物との反応
生成物は、セルロース樹脂と金属錯体化合物を溶媒中で
混合し、加熱することにより形成される。この反応生成
物は、セルロース樹脂の酸基と、金属錯体化合物中の中
心金属或いは結合または配位している反応基とが反応す
ることにより形成される化合物である。
生成物は、セルロース樹脂と金属錯体化合物を溶媒中で
混合し、加熱することにより形成される。この反応生成
物は、セルロース樹脂の酸基と、金属錯体化合物中の中
心金属或いは結合または配位している反応基とが反応す
ることにより形成される化合物である。
【0018】本発明で用いるセルロース樹脂としては、
酢酸セルロース、エチルセルロース、メチルセルロー
ス、イソプロピルセルロース、ブチルセルロース、ベン
ジルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースなどが挙
げられる。
酢酸セルロース、エチルセルロース、メチルセルロー
ス、イソプロピルセルロース、ブチルセルロース、ベン
ジルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースなどが挙
げられる。
【0019】またポリビニルアルコールは、酢酸ビニル
等のビニルエステル類の集合体等の加水分解により作ら
れ、重合度や鹸化度により数多くの種類が存在するが、
本発明ではこれらの全てを使用することができる。
等のビニルエステル類の集合体等の加水分解により作ら
れ、重合度や鹸化度により数多くの種類が存在するが、
本発明ではこれらの全てを使用することができる。
【0020】本発明で用いる金属錯体化合物は、少なく
とも1種が下記一般式(I)または(II)で表される化
合物である。
とも1種が下記一般式(I)または(II)で表される化
合物である。
【0021】
【化3】 (式中、R1S、R2Sは水素原子、置換または無置換アル
キル基、アルケニル基、芳香族環、シクロアルキル基、
またはOR3基(ここでR3は置換または無置換アルキル
基、アルケニル基、芳香族環、シクロアルキル基)を示
し、R1SとR2Sは同じでも異なっていても良い。
キル基、アルケニル基、芳香族環、シクロアルキル基、
またはOR3基(ここでR3は置換または無置換アルキル
基、アルケニル基、芳香族環、シクロアルキル基)を示
し、R1SとR2Sは同じでも異なっていても良い。
【0022】Mは金属原子、金属酸化物または金属ハロ
ゲン化物を示す。
ゲン化物を示す。
【0023】XはH2O、カルボニル基、置換または無
置換のアルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、
シクロアルケニル基を示す。
置換のアルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、
シクロアルケニル基を示す。
【0024】だだしmは0以上の整数、nは1,2,3
または4、sは1,2または3であり、s≦nであ
る。)
または4、sは1,2または3であり、s≦nであ
る。)
【0025】
【化4】 (式中、R4rは置換または無置換のアルキル基、アルケ
ニル基、芳香族環、シクロアルキル基、またはOR3基
(ここでR3は置換または無置換アルキル基、アルケニ
ル基、芳香族環、シクロアルキル基)を示す。
ニル基、芳香族環、シクロアルキル基、またはOR3基
(ここでR3は置換または無置換アルキル基、アルケニ
ル基、芳香族環、シクロアルキル基)を示す。
【0026】R5rは水素原子、置換または無置換のアル
キル基、アルケニル基、芳香族環、シクロアルキル基、
またはOR3基(ここでR3は置換または無置換アルキル
基、アルケニル基、芳香族環、シクロアルキル基)を示
し、R4rとR5rは同じでも異なっていても良い。
キル基、アルケニル基、芳香族環、シクロアルキル基、
またはOR3基(ここでR3は置換または無置換アルキル
基、アルケニル基、芳香族環、シクロアルキル基)を示
し、R4rとR5rは同じでも異なっていても良い。
【0027】Mは金属原子、金属酸化物または金属ハロ
ゲン化物を示す。
ゲン化物を示す。
【0028】XはH2O、カルボニル、置換または無置
換のアルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シ
クロアルケニル基を示す。
換のアルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シ
クロアルケニル基を示す。
【0029】ただしpは0以上の整数、qは1,2,3
または4、rは1,2または3であり、r≦qであ
る。)前記一般式(I),(II)中のMは金属原子、金
属酸化物、金属ハロゲン化物などである。例えばAg,
Al,Ba,Co,Cr,Cu,Eu,Fe,K,L
a,Mg,Mo,Mn,Ni,Pd,Rh,Ru,S
n,Ti,V,Pb,Zn,Zrなどの金属原子、Mo
O2,TiO,PO,VOなどの金属酸化物,SnB
r2,SnCl2などの金属ハロゲン化物などが挙げられ
る。尚、金属錯体化合物と樹脂の反応生成物を下引き層
として用いた場合接着性が良く、抵抗の環境依存性が優
れているという点で、特に一般式(I),(II)中のM
はAl原子が好ましい。
または4、rは1,2または3であり、r≦qであ
る。)前記一般式(I),(II)中のMは金属原子、金
属酸化物、金属ハロゲン化物などである。例えばAg,
Al,Ba,Co,Cr,Cu,Eu,Fe,K,L
a,Mg,Mo,Mn,Ni,Pd,Rh,Ru,S
n,Ti,V,Pb,Zn,Zrなどの金属原子、Mo
O2,TiO,PO,VOなどの金属酸化物,SnB
r2,SnCl2などの金属ハロゲン化物などが挙げられ
る。尚、金属錯体化合物と樹脂の反応生成物を下引き層
として用いた場合接着性が良く、抵抗の環境依存性が優
れているという点で、特に一般式(I),(II)中のM
はAl原子が好ましい。
【0030】本発明の下引き層は導電性物質、添加剤、
他の樹脂を含有していても良い。導電性物質としては、
アルミニウム、銅、ニッケル、銀などの金属粉体、鱗片
状金属粉体および、金属短繊維;酸化アンチモン、酸化
インジウム、酸化スズなどの導電性金属酸化物;ポリピ
ロール、ポリアニリン、高分子電解質などの高分子導電
材;カーボンファイバー、カーボンブラック、グラファ
イト粉体;有機および無機の電解質;またはこれらの導
電性物質で表面を被覆した導電性粉体などが挙げられ
る。
他の樹脂を含有していても良い。導電性物質としては、
アルミニウム、銅、ニッケル、銀などの金属粉体、鱗片
状金属粉体および、金属短繊維;酸化アンチモン、酸化
インジウム、酸化スズなどの導電性金属酸化物;ポリピ
ロール、ポリアニリン、高分子電解質などの高分子導電
材;カーボンファイバー、カーボンブラック、グラファ
イト粉体;有機および無機の電解質;またはこれらの導
電性物質で表面を被覆した導電性粉体などが挙げられ
る。
【0031】本発明の下引き層の厚さは、電子写真特性
および支持体上の欠陥を考慮して設定されるものであ
り、0.1〜50μm程度まで設定し得るが、通常は
0.5〜5μm、導電性物質を添加したときは1〜30
μmが好適である。下引き層の塗工は浸漬コーティン
グ、スプレーコーティング、ロールコーティングなどの
方法で行なうことができる。
および支持体上の欠陥を考慮して設定されるものであ
り、0.1〜50μm程度まで設定し得るが、通常は
0.5〜5μm、導電性物質を添加したときは1〜30
μmが好適である。下引き層の塗工は浸漬コーティン
グ、スプレーコーティング、ロールコーティングなどの
方法で行なうことができる。
【0032】また、本発明ではバリヤー性のコントロー
ルなど必要に応じて、下引き層上に樹脂を主成分とする
中間層を設けることができる。
ルなど必要に応じて、下引き層上に樹脂を主成分とする
中間層を設けることができる。
【0033】この中間層に用いられる樹脂材料として
は、ポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリウ
レア、フェノール樹脂などが挙げられる。
は、ポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリウ
レア、フェノール樹脂などが挙げられる。
【0034】この中間層の厚さは、0.1〜5μmが好
適であり、前述の下引き層と同様な方法により塗工され
る。
適であり、前述の下引き層と同様な方法により塗工され
る。
【0035】以下に本発明に用いられる金属錯体化合物
を例示する。
を例示する。
【0036】
【表1】
【0037】
【表2】
【0038】
【表3】
【0039】
【表4】
【0040】
【表5】
【0041】
【表6】 以下にセルロース樹脂と金属錯体化合物との反応生成物
の合成例を示す。 (1) 酪酢酸セルロース(置換度2.35、重量平均分子
量81,000)のメチルエチルケトン10wt%溶液
に、例示した金属錯体化合物No.3を 〔セルロース樹脂のOH基〕/〔アルミキレートのモル
数〕=5/1 の比率で加えた。この溶液をKBr板上に塗工し、15
0℃で1時間乾燥した。このサンプルのIRスペクトル
を測定したところ、生成物から検出される水酸基カルボ
ニル基のピークスペクトルがキレート化合物を添加しな
い場合と比較して減少していた。
の合成例を示す。 (1) 酪酢酸セルロース(置換度2.35、重量平均分子
量81,000)のメチルエチルケトン10wt%溶液
に、例示した金属錯体化合物No.3を 〔セルロース樹脂のOH基〕/〔アルミキレートのモル
数〕=5/1 の比率で加えた。この溶液をKBr板上に塗工し、15
0℃で1時間乾燥した。このサンプルのIRスペクトル
を測定したところ、生成物から検出される水酸基カルボ
ニル基のピークスペクトルがキレート化合物を添加しな
い場合と比較して減少していた。
【0042】次にポリビニルアルコール樹脂と金属錯体
化合物の反応生成物の合成例を示す。
化合物の反応生成物の合成例を示す。
【0043】ポリビニルアルコール(商品名「ポバール
PVA−107」、クラレ(株)製)をメタノール/水
=6/4に溶解した10wt%溶液に、例示錯体化合物
No.2を、 [ポリビニルアルコールのOH基]/[アルミキレート
のモル数]=5/1 の比率で加える。この溶液をKBr板上に塗工し、15
0℃で1時間乾燥する。このサンプルのIRスペクトル
を測定したところ、ポリビニルアルコールから検出され
るOH基のピークスペクトルが、キレート化合物を添加
しない場合と比較して減少していた。
PVA−107」、クラレ(株)製)をメタノール/水
=6/4に溶解した10wt%溶液に、例示錯体化合物
No.2を、 [ポリビニルアルコールのOH基]/[アルミキレート
のモル数]=5/1 の比率で加える。この溶液をKBr板上に塗工し、15
0℃で1時間乾燥する。このサンプルのIRスペクトル
を測定したところ、ポリビニルアルコールから検出され
るOH基のピークスペクトルが、キレート化合物を添加
しない場合と比較して減少していた。
【0044】上記のセルロース樹脂またはポリビニルア
ルコール樹脂と金属錯体化合物との反応生成物は、セル
ロース樹脂またはポリビニルアルコール樹脂の構造、金
属錯体化合物の構造及び金属原子の価数などに依存して
特定の構造をとる。この際金属錯体化合物中の金属原子
がセルロース樹脂またはポリビニルアルコール樹脂樹脂
の配位基すなわち水酸基の1つとのみ作用している場合
と、複数の配位基に作用してキレート環を形成している
場合がある。いずれの場合においてもセルロース樹脂ま
たはポリビニルアルコール樹脂と金属錯体化合物の反応
生成物は配位結合部位の近傍の立体障害、電荷の分布、
溶媒の種類や金属原子の要求する立体配位を考慮して、
エネルギー的に最も安定な構造(架橋構造をとっている
とさらに安定である。)をしている。
ルコール樹脂と金属錯体化合物との反応生成物は、セル
ロース樹脂またはポリビニルアルコール樹脂の構造、金
属錯体化合物の構造及び金属原子の価数などに依存して
特定の構造をとる。この際金属錯体化合物中の金属原子
がセルロース樹脂またはポリビニルアルコール樹脂樹脂
の配位基すなわち水酸基の1つとのみ作用している場合
と、複数の配位基に作用してキレート環を形成している
場合がある。いずれの場合においてもセルロース樹脂ま
たはポリビニルアルコール樹脂と金属錯体化合物の反応
生成物は配位結合部位の近傍の立体障害、電荷の分布、
溶媒の種類や金属原子の要求する立体配位を考慮して、
エネルギー的に最も安定な構造(架橋構造をとっている
とさらに安定である。)をしている。
【0045】このように、樹脂単体と比較して、セルロ
ース樹脂またはポリビニルアルコール樹脂と金属錯体化
合物の反応生成物は、塗膜形成時に塗膜欠陥を作成しに
くく、さらに支持体との接着性も優れている。
ース樹脂またはポリビニルアルコール樹脂と金属錯体化
合物の反応生成物は、塗膜形成時に塗膜欠陥を作成しに
くく、さらに支持体との接着性も優れている。
【0046】また本発明においては、セルロース樹脂ま
たはポリビニルアルコール樹脂と金属錯体化合物の反応
物を下引き層に用いているため、樹脂単体と比較して有
機溶媒に対する耐溶剤性が飛躍的に向上している。その
ため本発明では、下引き層上に積層する光導電層の塗工
液中の溶剤を、幅広く選択することができる。よって従
来下引き層が光導電層塗工時に溶けてしまうために電子
写真特性が悪かった(下引き層−光導電層溶剤)の組み
合わせでも、電子写真特性を劣化させることなく、感光
体に用いることができる。つまり、本発明の下引き層
は、耐溶剤性が良いため、光導電層を塗工しても下引き
層が溶解、膨潤することがなく、平滑かつ欠陥のない塗
膜を保てるからである。
たはポリビニルアルコール樹脂と金属錯体化合物の反応
物を下引き層に用いているため、樹脂単体と比較して有
機溶媒に対する耐溶剤性が飛躍的に向上している。その
ため本発明では、下引き層上に積層する光導電層の塗工
液中の溶剤を、幅広く選択することができる。よって従
来下引き層が光導電層塗工時に溶けてしまうために電子
写真特性が悪かった(下引き層−光導電層溶剤)の組み
合わせでも、電子写真特性を劣化させることなく、感光
体に用いることができる。つまり、本発明の下引き層
は、耐溶剤性が良いため、光導電層を塗工しても下引き
層が溶解、膨潤することがなく、平滑かつ欠陥のない塗
膜を保てるからである。
【0047】さらに本発明においては、セルロース樹脂
またはポリビニルアルコール樹脂と金属錯体化合物の反
応生成物を下引き層に用いることにより、低温低湿下に
おける残留電位の上昇及び高温高湿下におけるバリアー
機能の低下による暗部電位の低下などの環境変動を防止
することができる。これは本発明の下引き層に用いてい
る反応生成物の体積抵抗は各環境下において変動が小さ
いからである。抵抗の環境変動が小さい理由は定かでは
ないが、金属錯体化合物中の金属とセルロース樹脂また
はポリビニルアルコール樹脂中の配位基との配位結合に
関与している電子が、化合物の導電機構に大きく影響し
ているため、環境変動の影響は、打ち消される方向にあ
るのではないかと考えられる。
またはポリビニルアルコール樹脂と金属錯体化合物の反
応生成物を下引き層に用いることにより、低温低湿下に
おける残留電位の上昇及び高温高湿下におけるバリアー
機能の低下による暗部電位の低下などの環境変動を防止
することができる。これは本発明の下引き層に用いてい
る反応生成物の体積抵抗は各環境下において変動が小さ
いからである。抵抗の環境変動が小さい理由は定かでは
ないが、金属錯体化合物中の金属とセルロース樹脂また
はポリビニルアルコール樹脂中の配位基との配位結合に
関与している電子が、化合物の導電機構に大きく影響し
ているため、環境変動の影響は、打ち消される方向にあ
るのではないかと考えられる。
【0048】したがって、セルロース樹脂またはポリビ
ニルアルコール樹脂の構造や金属錯体化合物の構造及び
金属の価数、含有率を選ぶことにより、塗膜の抵抗をコ
ントロールすることが可能である。
ニルアルコール樹脂の構造や金属錯体化合物の構造及び
金属の価数、含有率を選ぶことにより、塗膜の抵抗をコ
ントロールすることが可能である。
【0049】また、この下引き層の塗工液は、セルロー
ス樹脂またはポリビニルアルコール樹脂と金属錯体化合
物を溶媒中に溶解したものであるが、加熱することによ
り始めて反応生成物を生じる。このために溶液の状態で
は、セルロース樹脂またはポリビニルアルコール樹脂と
金属錯体化合物は錯体を形成せずに溶媒中に相溶してい
る状態である。ゆえに下引き層の塗工液はゲル化せずに
常に粘土がある程度一定に保たれており、ポットライフ
も長い。
ス樹脂またはポリビニルアルコール樹脂と金属錯体化合
物を溶媒中に溶解したものであるが、加熱することによ
り始めて反応生成物を生じる。このために溶液の状態で
は、セルロース樹脂またはポリビニルアルコール樹脂と
金属錯体化合物は錯体を形成せずに溶媒中に相溶してい
る状態である。ゆえに下引き層の塗工液はゲル化せずに
常に粘土がある程度一定に保たれており、ポットライフ
も長い。
【0050】尚、本発明において下引き層中の金属錯体
化合物と反応させる樹脂としては、セルロース樹脂また
はポリビニルアルコール樹脂のみならず、これらの樹脂
と他の樹脂との共重合体すなわちブロックポリマー、グ
ラフトポリマー、ランダムコポリマーを用いても良い。
化合物と反応させる樹脂としては、セルロース樹脂また
はポリビニルアルコール樹脂のみならず、これらの樹脂
と他の樹脂との共重合体すなわちブロックポリマー、グ
ラフトポリマー、ランダムコポリマーを用いても良い。
【0051】本発明においては、前記下引き層上に光導
電層を設ける。光導電層は電荷発生層及び電荷輸送層か
ら成る機能分離型光導電層と電荷発生物質及び電荷輸送
物質を単一層に含有する単層型光導電層がある。以下機
能分離型について説明する。本発明に用いられる有効な
電荷発生物質としては、例えば以下のような物質が挙げ
られる。これらの電荷発生物質は単独で用いてもよく、
2種類以上組み合わせてもよい。 (1)モノアゾ、ビスアゾ、トリスアゾなどのアゾ系顔
料 (2)金属フタロシアニン、非金属フタロシアニンなど
のフタロシアニン系顔料 (3)インジゴ、チオインジゴなどのインジゴ系顔料 (4)ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミドなどのペリ
レン系顔料 (5)アンスラキノン、ピレンキノンなどの多環キノン
系顔料 (6)スクワリリウム色素 (7)ピリリウム塩、チオピリリウム塩類 (8)トリフェニルメタン系色素 (9)セレン、非晶質シリコンなどの無機物質 電荷発生物質を含有する層、即ち電荷発生層は前記のよ
うな電荷発生物質を適当な結着剤に分散し、これを導電
性支持体上に塗工することにより形成することができ
る。また、導電性支持体上に蒸着、スパッタ、CVDな
どの乾式法で薄膜を形成することによっても形成するこ
とができる。
電層を設ける。光導電層は電荷発生層及び電荷輸送層か
ら成る機能分離型光導電層と電荷発生物質及び電荷輸送
物質を単一層に含有する単層型光導電層がある。以下機
能分離型について説明する。本発明に用いられる有効な
電荷発生物質としては、例えば以下のような物質が挙げ
られる。これらの電荷発生物質は単独で用いてもよく、
2種類以上組み合わせてもよい。 (1)モノアゾ、ビスアゾ、トリスアゾなどのアゾ系顔
料 (2)金属フタロシアニン、非金属フタロシアニンなど
のフタロシアニン系顔料 (3)インジゴ、チオインジゴなどのインジゴ系顔料 (4)ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミドなどのペリ
レン系顔料 (5)アンスラキノン、ピレンキノンなどの多環キノン
系顔料 (6)スクワリリウム色素 (7)ピリリウム塩、チオピリリウム塩類 (8)トリフェニルメタン系色素 (9)セレン、非晶質シリコンなどの無機物質 電荷発生物質を含有する層、即ち電荷発生層は前記のよ
うな電荷発生物質を適当な結着剤に分散し、これを導電
性支持体上に塗工することにより形成することができ
る。また、導電性支持体上に蒸着、スパッタ、CVDな
どの乾式法で薄膜を形成することによっても形成するこ
とができる。
【0052】上記結着剤としては広範囲な結着性樹脂か
ら選択でき、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエス
テル樹脂、ポリアリレート樹脂、ブチラール樹脂、ポリ
スチレン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ジアリルフ
タレート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビ
ニル樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ポリスルホ
ン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、アルキッ
ド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体樹脂などが挙げられるが、これらに限定さ
れるものではない。これらは単独または共重合体ポリマ
ーとして1種または2種以上混合して用いてもよい。
ら選択でき、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエス
テル樹脂、ポリアリレート樹脂、ブチラール樹脂、ポリ
スチレン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ジアリルフ
タレート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビ
ニル樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ポリスルホ
ン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、アルキッ
ド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体樹脂などが挙げられるが、これらに限定さ
れるものではない。これらは単独または共重合体ポリマ
ーとして1種または2種以上混合して用いてもよい。
【0053】電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量
%以下、好ましくは40重量%以下が好ましい。また電
荷発生層の膜厚は45μm以下、特には0.01μm〜
2μmをもつ薄膜層とすることが好ましい。
%以下、好ましくは40重量%以下が好ましい。また電
荷発生層の膜厚は45μm以下、特には0.01μm〜
2μmをもつ薄膜層とすることが好ましい。
【0054】また、電荷発生層には種々の増感剤を添加
してもよい。
してもよい。
【0055】電荷輸送物質を含有する層、すなわち電荷
輸送層は主鎖または側鎖にビフェニレン、アントラセ
ン、ピレン、フェナントレンなどの構造を有する多環芳
香族化合物、インドール、カルバゾール、オキサジアゾ
ール、ピラゾリンなどの含窒素環式化合物、ヒドラゾン
化合物、スチリル化合物などの電荷輸送物質と適当な結
着性樹脂とを組み合わせて形成することができる。ここ
で電荷輸送層に用いられる結着性樹脂としては、前記電
荷発生層に用いられているものが挙げられ、更にポリビ
ニルカルバゾール、ポリビニルアントラセンなどの光導
電性高分子が挙げられる。
輸送層は主鎖または側鎖にビフェニレン、アントラセ
ン、ピレン、フェナントレンなどの構造を有する多環芳
香族化合物、インドール、カルバゾール、オキサジアゾ
ール、ピラゾリンなどの含窒素環式化合物、ヒドラゾン
化合物、スチリル化合物などの電荷輸送物質と適当な結
着性樹脂とを組み合わせて形成することができる。ここ
で電荷輸送層に用いられる結着性樹脂としては、前記電
荷発生層に用いられているものが挙げられ、更にポリビ
ニルカルバゾール、ポリビニルアントラセンなどの光導
電性高分子が挙げられる。
【0056】この結着剤と本発明の化合物との配合割合
は、結着剤100重量部あたり化合物を10〜500重
量部とすることが好ましい。
は、結着剤100重量部あたり化合物を10〜500重
量部とすることが好ましい。
【0057】電荷輸送層は、上述の電荷発生層と電気的
に接続されており、電界の存在下で電荷発生層から注入
された電荷キャリアを受け取るとともに、これらの電荷
キャリアを表面まで輸送できる機能を有している。この
電荷輸送層は電荷キャリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができないが、5μ
m〜40μm、特には10μm〜30μmの範囲が好ま
しい。
に接続されており、電界の存在下で電荷発生層から注入
された電荷キャリアを受け取るとともに、これらの電荷
キャリアを表面まで輸送できる機能を有している。この
電荷輸送層は電荷キャリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができないが、5μ
m〜40μm、特には10μm〜30μmの範囲が好ま
しい。
【0058】更に、電荷輸送層中に酸化防止剤、紫外線
吸収剤、可塑剤または公知の電荷輸送物質を必要に応じ
添加することもできる。
吸収剤、可塑剤または公知の電荷輸送物質を必要に応じ
添加することもできる。
【0059】このような電荷輸送層を形成する際は、適
当な有機溶媒を用い、浸漬コーティング法、スプレーコ
ーティング法、スピンナーコーティング法、ローラーコ
ーティング法、マイヤーバーコーティグ法、ブレードコ
ーティング法などのコーティング法を用いて行なうこと
ができる。
当な有機溶媒を用い、浸漬コーティング法、スプレーコ
ーティング法、スピンナーコーティング法、ローラーコ
ーティング法、マイヤーバーコーティグ法、ブレードコ
ーティング法などのコーティング法を用いて行なうこと
ができる。
【0060】本発明においては上記光導電層上に保護層
を有していても良い。
を有していても良い。
【0061】本発明の下引き層は、セルロース樹脂また
はポリビニルアルコール樹脂と金属錯体化合物との反応
生成物を含有しているため、支持体との接着性が優れた
像保持部材を得ることができた。また、本発明の下引き
層は、抵抗の環境変動が小さいためカブリ、黒ポチ、濃
度ウスを発生しにくく、安定した画像を得ることのでき
る像保持部材を提供することができた。
はポリビニルアルコール樹脂と金属錯体化合物との反応
生成物を含有しているため、支持体との接着性が優れた
像保持部材を得ることができた。また、本発明の下引き
層は、抵抗の環境変動が小さいためカブリ、黒ポチ、濃
度ウスを発生しにくく、安定した画像を得ることのでき
る像保持部材を提供することができた。
【0062】本発明の像保持部材は複写機、レーザープ
リンター、LEDプリンター、液晶シャッター式プリン
ターなどの電子写真装置一般及びディスプレー、記録、
軽印刷、製版、ファクシミリなどの装置にも幅広く適用
し得るものである。
リンター、LEDプリンター、液晶シャッター式プリン
ターなどの電子写真装置一般及びディスプレー、記録、
軽印刷、製版、ファクシミリなどの装置にも幅広く適用
し得るものである。
【0063】
【実施例】実施例1 10%の酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した
導電性酸化チタン粉体40部、フェノール樹脂25部、
メチルセロソルブ20部、メタノール5部およびシリコ
ーンオイル(ポリジメチルシロキサンポリオキシアルキ
レン共重合体、平均分子量3000)0.002部をφ
1mmガラスビーズを用いたサンドミル装置で2時間分散
して導電層用塗料を調製した。
導電性酸化チタン粉体40部、フェノール樹脂25部、
メチルセロソルブ20部、メタノール5部およびシリコ
ーンオイル(ポリジメチルシロキサンポリオキシアルキ
レン共重合体、平均分子量3000)0.002部をφ
1mmガラスビーズを用いたサンドミル装置で2時間分散
して導電層用塗料を調製した。
【0064】アルミニウムシリンダー(φ30mm×26
0mm)上に、上記塗料を浸漬塗布し、140℃で30分
間乾燥させて、膜厚20μmの導電層を形成した。
0mm)上に、上記塗料を浸漬塗布し、140℃で30分
間乾燥させて、膜厚20μmの導電層を形成した。
【0065】次に、酪酢酸セルロース(置換度2.3、
重量平均分子量56,000)10部及び例示錯体化合
物No.4 2部をメチルエチルケトン100部に溶解
した。この塗工液を前述の導電層上に浸漬塗布し、15
0℃で1時間乾燥させ、膜厚1μmの下引き層を形成し
た。
重量平均分子量56,000)10部及び例示錯体化合
物No.4 2部をメチルエチルケトン100部に溶解
した。この塗工液を前述の導電層上に浸漬塗布し、15
0℃で1時間乾燥させ、膜厚1μmの下引き層を形成し
た。
【0066】上記の方法を同様にしてKBr板上に膜を
形成し、IRスペクトルを測定してみた結果、例示樹脂
(1)と比較して水酸基のスペクトルが減少していた。
形成し、IRスペクトルを測定してみた結果、例示樹脂
(1)と比較して水酸基のスペクトルが減少していた。
【0067】次に、構造式(A)
【0068】
【化5】 のトリスアゾ顔料3部、ポリビニルベンザール(ベンザ
ール化率65%、重量平均分子量18,000)2部お
よびシクロヘキサノン35部をφ1mmガラスビーズを用
いたサンドミル装置で6時間分散した後、メチルエチル
ケトン(MEK)60部を加えて電荷発生層用分散液を
調製した。この分散液を上記下引き層上に浸漬塗布し、
80℃で20分間乾燥させ、膜厚0.25μmの電荷発
生層を形成した。
ール化率65%、重量平均分子量18,000)2部お
よびシクロヘキサノン35部をφ1mmガラスビーズを用
いたサンドミル装置で6時間分散した後、メチルエチル
ケトン(MEK)60部を加えて電荷発生層用分散液を
調製した。この分散液を上記下引き層上に浸漬塗布し、
80℃で20分間乾燥させ、膜厚0.25μmの電荷発
生層を形成した。
【0069】次に構造式(B)
【0070】
【化6】 のスチリル化合物11部およびポリカーボネート(重量
平均分子量46,000)10部をジクロルメタン20
部、モノクロルベンゼン40部の混合溶媒中に溶解し、
この溶液を上記の電荷発生層上に浸漬塗布し、120℃
で60分間乾燥させ、膜厚25μmの電荷輸送層を形成
した。
平均分子量46,000)10部をジクロルメタン20
部、モノクロルベンゼン40部の混合溶媒中に溶解し、
この溶液を上記の電荷発生層上に浸漬塗布し、120℃
で60分間乾燥させ、膜厚25μmの電荷輸送層を形成
した。
【0071】このようにして製造した電子写真感光体
を、帯電−露光−現像−転写−クリーニングのプロセス
を1.0秒サイクルで繰り返す反転現像方式のレーザー
プリンターに取り付け、常温常湿下(23℃、50%R
H)および高温高湿下(30℃、85%RH)の環境で
電子写真特性の評価を行なった。
を、帯電−露光−現像−転写−クリーニングのプロセス
を1.0秒サイクルで繰り返す反転現像方式のレーザー
プリンターに取り付け、常温常湿下(23℃、50%R
H)および高温高湿下(30℃、85%RH)の環境で
電子写真特性の評価を行なった。
【0072】この結果、下記の表7に示すように、実施
例1の感光体では、暗部電位(VD)と明部電位(VL)
の差が大きく、十分な電位コントラストが得られたとと
もに、高温高湿下でも暗部電位(VD)は安定し、黒点
上の欠陥(黒ポチ)、カブリのない良好な画像が得られ
た。
例1の感光体では、暗部電位(VD)と明部電位(VL)
の差が大きく、十分な電位コントラストが得られたとと
もに、高温高湿下でも暗部電位(VD)は安定し、黒点
上の欠陥(黒ポチ)、カブリのない良好な画像が得られ
た。
【0073】実施例2 下引き層用塗料のセルロース樹脂及び金属錯体化合物と
して、酪酢酸セルロース(置換度2.3、重量平均分子
量56,000)及び例示化合物No.5をそれぞれ用
いたほかは、実施例1と同様にして電子写真感光体を製
造し、実施例2とした。
して、酪酢酸セルロース(置換度2.3、重量平均分子
量56,000)及び例示化合物No.5をそれぞれ用
いたほかは、実施例1と同様にして電子写真感光体を製
造し、実施例2とした。
【0074】これらの感光体を実施例1と同様にして評
価したところ、いずれも高温高湿下でも暗部電位
(VD)は安定し、黒点上の欠陥(黒ポチ)、カブリの
ない良好な画像が得られた。
価したところ、いずれも高温高湿下でも暗部電位
(VD)は安定し、黒点上の欠陥(黒ポチ)、カブリの
ない良好な画像が得られた。
【0075】この結果を表7に示す。
【0076】実施例3,4 下引き層用塗料のセルロース樹脂及び金属錯体化合物と
して、酢酸セルロース(置換度2.0、重量平均分子量
36,000)及び例示化合物No.7;酢酸セルロー
ス(置換度2.0、重量平均分子量36,000)及び
例示化合物No.9をそれぞれ用いたほかは、実施例1
と同様にして電子写真感光体を製造し、実施例2とし
た。
して、酢酸セルロース(置換度2.0、重量平均分子量
36,000)及び例示化合物No.7;酢酸セルロー
ス(置換度2.0、重量平均分子量36,000)及び
例示化合物No.9をそれぞれ用いたほかは、実施例1
と同様にして電子写真感光体を製造し、実施例2とし
た。
【0077】中間層用塗料に例示樹脂(2)と例示錯体
化合物No.16及び例示樹脂(3)と例示錯体化合物
No.25の反応生成物をそれぞれ用いたほかは、実施
例1と同様にして電子写真感光体を製造しそれぞれ実施
例3,実施例4とした。
化合物No.16及び例示樹脂(3)と例示錯体化合物
No.25の反応生成物をそれぞれ用いたほかは、実施
例1と同様にして電子写真感光体を製造しそれぞれ実施
例3,実施例4とした。
【0078】これらの感光体を実施例1と同様にして評
価したところ、いずれも高温高湿下でも暗部電位
(VD)は安定し、黒点上の欠陥(黒ポチ)、カブリの
ない良好な画像が得られた。
価したところ、いずれも高温高湿下でも暗部電位
(VD)は安定し、黒点上の欠陥(黒ポチ)、カブリの
ない良好な画像が得られた。
【0079】この結果を表7に示す。
【0080】比較例1 下引き層用塗料に、セルロース樹脂と錯体化合物の代わ
りに、N−メトキシメチル化6ナイロン(重量平均分子
量150000、メトキシメチル基置換率28%)を用
いたほかは、実施例1と同様にして電子写真感光体を製
造し、比較例1とした。
りに、N−メトキシメチル化6ナイロン(重量平均分子
量150000、メトキシメチル基置換率28%)を用
いたほかは、実施例1と同様にして電子写真感光体を製
造し、比較例1とした。
【0081】この感光体を実施例1と同様にして評価し
たところ、高温高湿下になると帯電能が悪化し、暗部電
位(VD)の低下が見られ、画像上には黒点上の欠点
(黒ポチ)が発生するようになった。
たところ、高温高湿下になると帯電能が悪化し、暗部電
位(VD)の低下が見られ、画像上には黒点上の欠点
(黒ポチ)が発生するようになった。
【0082】この結果を表7に示す。
【0083】
【表7】 実施例5 メチルセルロース(置換率30%、重量平均分子量1
8,000)10部及び例示化合物No.12 3部を
メチルエチルケトン90部に溶解した。この塗工液をア
ルミニウムシリンダー(φ30mm×360mm)上に浸漬
塗工し、150℃で1時間乾燥させて、膜厚1.5μm
の下引き層を形成した。
8,000)10部及び例示化合物No.12 3部を
メチルエチルケトン90部に溶解した。この塗工液をア
ルミニウムシリンダー(φ30mm×360mm)上に浸漬
塗工し、150℃で1時間乾燥させて、膜厚1.5μm
の下引き層を形成した。
【0084】次に、τ型フタロシアニン4部、ポリビニ
ルブチラール(ブチラール化率70%、重量平均分子量
24000)2部およびシクロヘキサノン34部をφ1
mmガラスビーズを用いたサンドミル装置で5時間分散し
た後、テトラヒドロフラン(THF)60部を加えて電
荷発生層用分散液を調製した。この分散液を上記下引き
層上に浸漬塗布し、80℃で15分間乾燥させ、膜厚
0.20μmの電荷発生層を形成した。
ルブチラール(ブチラール化率70%、重量平均分子量
24000)2部およびシクロヘキサノン34部をφ1
mmガラスビーズを用いたサンドミル装置で5時間分散し
た後、テトラヒドロフラン(THF)60部を加えて電
荷発生層用分散液を調製した。この分散液を上記下引き
層上に浸漬塗布し、80℃で15分間乾燥させ、膜厚
0.20μmの電荷発生層を形成した。
【0085】次に、実施例1で用いたスチリル化合物
(構造式(D))10部およびポリカーボネート(重量
平均分子量20,000)10部をジクロルメタン15
部、モノクロルベンゼン45部の混合溶媒中に溶解し、
この溶液を上記の電荷発生層上に浸漬塗布し、120℃
で60分間乾燥させ、膜厚20μmの電荷発生層を形成
した。
(構造式(D))10部およびポリカーボネート(重量
平均分子量20,000)10部をジクロルメタン15
部、モノクロルベンゼン45部の混合溶媒中に溶解し、
この溶液を上記の電荷発生層上に浸漬塗布し、120℃
で60分間乾燥させ、膜厚20μmの電荷発生層を形成
した。
【0086】このようにして製造した電子写真感光体
を、帯電−露光−現像−転写−クリーニングのプロセス
を0.8秒サイクルで繰り返す複写機に取り付けた。
を、帯電−露光−現像−転写−クリーニングのプロセス
を0.8秒サイクルで繰り返す複写機に取り付けた。
【0087】この感光体に対して低温低湿下(15℃、
10%RH)の環境で電子写真特性の評価を行なったと
ころ、表8に示すように、この感光体は暗部電位
(VD)と明部電位(VL)との差が大きく、十分な電位
コントラストが得られた。さらに、連続1000枚の画
像を出したところ、明部電位(VL)の上昇も少なく安
定した画像が得られた。
10%RH)の環境で電子写真特性の評価を行なったと
ころ、表8に示すように、この感光体は暗部電位
(VD)と明部電位(VL)との差が大きく、十分な電位
コントラストが得られた。さらに、連続1000枚の画
像を出したところ、明部電位(VL)の上昇も少なく安
定した画像が得られた。
【0088】実施例6 下引き層用塗料中の錯体化合物として、例示錯体化合物
No.16を用いた他は実施例5と同様にして電子写真
感光体を製造し、実施例6とした。
No.16を用いた他は実施例5と同様にして電子写真
感光体を製造し、実施例6とした。
【0089】これらの感光体を実施例5と同様にして評
価したところ、いずれの感光体も暗部電位(VD)と明
部電位(VL)との差が大きく、十分な電位コントラス
トが得られるとともに連続1000枚の画像を出して
も、明部電位(VL)の上昇が少なく、安定した画像が
得られた。
価したところ、いずれの感光体も暗部電位(VD)と明
部電位(VL)との差が大きく、十分な電位コントラス
トが得られるとともに連続1000枚の画像を出して
も、明部電位(VL)の上昇が少なく、安定した画像が
得られた。
【0090】この結果を表8に示す。
【0091】比較例2 下引き層用塗料に実施例5に用いられた樹脂及び金属錯
体化合物の代わりに、アルコール可溶性共重合ナイロン
(重量平均分子量66,000)を用いたほかは、実施
例5と同様にして電子写真感光体を製造し、比較例2と
した。
体化合物の代わりに、アルコール可溶性共重合ナイロン
(重量平均分子量66,000)を用いたほかは、実施
例5と同様にして電子写真感光体を製造し、比較例2と
した。
【0092】この感光体を実施例5と同様にして評価し
たところ、連続1000枚の繰り返しで明部電位
(VL)が上昇し、画像上にはカブリを生じるようにな
った。
たところ、連続1000枚の繰り返しで明部電位
(VL)が上昇し、画像上にはカブリを生じるようにな
った。
【0093】この結果を表8に示す。
【0094】
【表8】 実施例7 10%の酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した
導電性酸化チタン粉体30部、ルチル型酸化チタン粉体
20部、酪酢酸セルロース樹脂(置換度2.35、重量
平均分子量28,000)20部、例示化合物No.1
8 4部、メチルエチルケトン80部を、φ1mmガラス
ビーズを用いたサンドミル装置で1時間分散して導電層
用塗料を調製した。
導電性酸化チタン粉体30部、ルチル型酸化チタン粉体
20部、酪酢酸セルロース樹脂(置換度2.35、重量
平均分子量28,000)20部、例示化合物No.1
8 4部、メチルエチルケトン80部を、φ1mmガラス
ビーズを用いたサンドミル装置で1時間分散して導電層
用塗料を調製した。
【0095】アルミニウムシリンダー(φ60mm×26
0mm)上に、上記塗料を浸漬塗布し、160℃で1時間
乾燥させ、膜厚15μmの下引き層を形成した。
0mm)上に、上記塗料を浸漬塗布し、160℃で1時間
乾燥させ、膜厚15μmの下引き層を形成した。
【0096】次に、アルコール可溶性共重合ナイロン
(重量平均分子量75000)5部をメタノール95部
に溶解し、上記下引き層上に浸漬塗布後、80℃で10
分間乾燥させ、膜厚0.15μmの中間層を形成した。
(重量平均分子量75000)5部をメタノール95部
に溶解し、上記下引き層上に浸漬塗布後、80℃で10
分間乾燥させ、膜厚0.15μmの中間層を形成した。
【0097】次に、構造式
【0098】
【化7】 のジスアゾ顔料2部、ポリビニルブチラール(ブチラー
ル化率70%、重量平均分子量18000)1部および
シクロヘキサノン30部をφ1mmガラスビーズを用いた
サンドミル装置で24時間分散した後、メチルエチルケ
トン(MEK)65部を加えて電荷発生層用分散液を調
製した。この分散液を中間層上に浸漬塗布し、80℃で
20分間乾燥させ、膜厚0.15μmの電荷発生層を形
成した。
ル化率70%、重量平均分子量18000)1部および
シクロヘキサノン30部をφ1mmガラスビーズを用いた
サンドミル装置で24時間分散した後、メチルエチルケ
トン(MEK)65部を加えて電荷発生層用分散液を調
製した。この分散液を中間層上に浸漬塗布し、80℃で
20分間乾燥させ、膜厚0.15μmの電荷発生層を形
成した。
【0099】次に、構造式
【0100】
【化8】 のヒドラゾン化合物9.5部およびポリカーボネート
(重量平均分子量36,000)10部をジクロルメタ
ン20部、モノクロルベンゼン40部の混合溶媒中に溶
解し、この溶液を上記の電荷発生層上に浸漬塗布し、1
20℃で60分間乾燥させ、膜厚18μmの電荷輸送層
を形成した。
(重量平均分子量36,000)10部をジクロルメタ
ン20部、モノクロルベンゼン40部の混合溶媒中に溶
解し、この溶液を上記の電荷発生層上に浸漬塗布し、1
20℃で60分間乾燥させ、膜厚18μmの電荷輸送層
を形成した。
【0101】このようにして製造した電子写真感光体
を、帯電−露光−現像−転写−クリーニングのプロセス
を1.0秒サイクルで繰り返す複写機に取り付けた。
を、帯電−露光−現像−転写−クリーニングのプロセス
を1.0秒サイクルで繰り返す複写機に取り付けた。
【0102】この感光体に対して低温低湿下(10℃、
10%RH)の環境で電子写真特性の評価を行なったと
ころ、表9に示すように、この感光体は暗部電位
(VD)と明部電位(VL)との差が大きく、十分な電位
コントラストが得られた。さらに、連続1000枚の画
像を出したところ、明部電位(VL)の上昇も少なく安
定した画像が得られた。
10%RH)の環境で電子写真特性の評価を行なったと
ころ、表9に示すように、この感光体は暗部電位
(VD)と明部電位(VL)との差が大きく、十分な電位
コントラストが得られた。さらに、連続1000枚の画
像を出したところ、明部電位(VL)の上昇も少なく安
定した画像が得られた。
【0103】実施例8 中間層を設けなかったほかは実施例7と同様にして下引
き層、電荷発生層、および電荷輸送層を形成し、実施例
8の電子写真感光体を製造した。
き層、電荷発生層、および電荷輸送層を形成し、実施例
8の電子写真感光体を製造した。
【0104】この感光体を実施例7と同様にして評価し
たところ、暗部電位(VD)と明部電位(VL)との差が
大きく、十分な電位コントラストが得られるとともに連
続1000枚の画像を出しても、明部電位(VL)の上
昇が少なく安定した画像が得られた。
たところ、暗部電位(VD)と明部電位(VL)との差が
大きく、十分な電位コントラストが得られるとともに連
続1000枚の画像を出しても、明部電位(VL)の上
昇が少なく安定した画像が得られた。
【0105】この結果を表9に示す。
【0106】比較例3,4 導電性酸化チタン粉体およびルチル型酸化チタン粉体を
含む下引き層用塗料中の金属錯体化合物を除いたほかは
実施例7および8と同様にして電子写真感光体を製造
し、それぞれ比較例3,4とした。
含む下引き層用塗料中の金属錯体化合物を除いたほかは
実施例7および8と同様にして電子写真感光体を製造
し、それぞれ比較例3,4とした。
【0107】この感光体を実施例7と同様にして評価し
たところ、比較例3では連続1000枚の繰り返しで明
部電位(VL)が上昇し、画像上にはカブリを生じるよ
うになった。また、下引き層上に直接、電荷発生層、電
荷輸送層を設けた比較例4では、下引き層のバリヤー性
が不足し、支持体側からの電荷注入が大きく暗部電位
(VD)が低いため、画像形成に必要な電位コントラス
トが得られなかった。
たところ、比較例3では連続1000枚の繰り返しで明
部電位(VL)が上昇し、画像上にはカブリを生じるよ
うになった。また、下引き層上に直接、電荷発生層、電
荷輸送層を設けた比較例4では、下引き層のバリヤー性
が不足し、支持体側からの電荷注入が大きく暗部電位
(VD)が低いため、画像形成に必要な電位コントラス
トが得られなかった。
【0108】この結果を表9に示す。
【0109】
【表9】 実施例9 10%の酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した
導電性酸化チタン粉体40部、フェノール樹脂25部、
メチルセロソルブ20部、メタノール5部およびシリコ
ーンオイル(ポリジメチルシロキサンポリオキシアルキ
レン共重合体、平均分子量3000)0.002部をφ
1mmガラスビーズを用いたサンドミル装置で2時間分散
して導電層用塗料を調製した。
導電性酸化チタン粉体40部、フェノール樹脂25部、
メチルセロソルブ20部、メタノール5部およびシリコ
ーンオイル(ポリジメチルシロキサンポリオキシアルキ
レン共重合体、平均分子量3000)0.002部をφ
1mmガラスビーズを用いたサンドミル装置で2時間分散
して導電層用塗料を調製した。
【0110】アルミニウムシリンダー(φ30mm×26
0mm)上に、上記塗料を浸漬塗布し、140℃で30分
間乾燥させて、膜厚20μmの導電層を形成した。
0mm)上に、上記塗料を浸漬塗布し、140℃で30分
間乾燥させて、膜厚20μmの導電層を形成した。
【0111】次に、ポリビニルアルコール(商品名「ポ
バールPVA−107」、クラレ(株)製)10部及び
例示錯体化合物No.3 2部をメタノール60部、水
30部の混合溶液に溶解した。この塗工液を前述の導電
層上に浸漬塗布し、150℃で1時間乾燥させ、膜厚1
μmの下引き層を形成した。
バールPVA−107」、クラレ(株)製)10部及び
例示錯体化合物No.3 2部をメタノール60部、水
30部の混合溶液に溶解した。この塗工液を前述の導電
層上に浸漬塗布し、150℃で1時間乾燥させ、膜厚1
μmの下引き層を形成した。
【0112】上記の方法を同様にしてKBr板上に膜を
形成し、IRスペクトルを測定してみた結果、例示樹脂
(1)と比較して水酸基のスペクトルが減少していた。
形成し、IRスペクトルを測定してみた結果、例示樹脂
(1)と比較して水酸基のスペクトルが減少していた。
【0113】次に、構造式(C)
【0114】
【化9】 のジスアゾ顔料3部、ポリメチルメタアクリレート(重
量平均分子量20,000)2部およびシクロヘキサノ
ン35部をφ1mmガラスビーズを用いたサンドミル装置
で6時間分散した後、メチルエチルケトン(MEK)6
0部を加えて電荷発生層用分散液を調製した。この分散
液を上記下引き層上に浸漬塗布し、80℃で20分間乾
燥させ、膜厚0.15μmの電荷発生層を形成した。
量平均分子量20,000)2部およびシクロヘキサノ
ン35部をφ1mmガラスビーズを用いたサンドミル装置
で6時間分散した後、メチルエチルケトン(MEK)6
0部を加えて電荷発生層用分散液を調製した。この分散
液を上記下引き層上に浸漬塗布し、80℃で20分間乾
燥させ、膜厚0.15μmの電荷発生層を形成した。
【0115】次に構造式(D)
【0116】
【化10】 のスチリル化合物11部およびポリカーボネート(重量
平均分子量46,000)10部をジクロルメタン20
部、モノクロルベンゼン40部の混合溶媒中に溶解し、
この溶液を上記の電荷発生層上に浸漬塗布し、120℃
で60分間乾燥させ、膜厚25μmの電荷輸送層を形成
した。
平均分子量46,000)10部をジクロルメタン20
部、モノクロルベンゼン40部の混合溶媒中に溶解し、
この溶液を上記の電荷発生層上に浸漬塗布し、120℃
で60分間乾燥させ、膜厚25μmの電荷輸送層を形成
した。
【0117】このようにして製造した電子写真感光体
を、帯電−露光−現像−転写−クリーニングのプロセス
を1.5秒サイクルで繰り返す反転現像方式のレーザー
プリンターに取り付け、常温常湿下(23℃、50%R
H)および高温高湿下(30℃、85%RH)の環境で
電子写真特性の評価を行なった。
を、帯電−露光−現像−転写−クリーニングのプロセス
を1.5秒サイクルで繰り返す反転現像方式のレーザー
プリンターに取り付け、常温常湿下(23℃、50%R
H)および高温高湿下(30℃、85%RH)の環境で
電子写真特性の評価を行なった。
【0118】この結果、下記の表10に示すように、実
施例1の感光体では、暗部電位(VD)と明部電位
(VL)の差が大きく、十分な電位コントラストが得ら
れたとともに、高温高湿下でも暗部電位(VD)は安定
し、黒点上の欠陥(黒ポチ)、カブリのない良好な画像
が得られた。
施例1の感光体では、暗部電位(VD)と明部電位
(VL)の差が大きく、十分な電位コントラストが得ら
れたとともに、高温高湿下でも暗部電位(VD)は安定
し、黒点上の欠陥(黒ポチ)、カブリのない良好な画像
が得られた。
【0119】実施例10 中間層用塗料のポリビニルアルコール(商品名「ポバー
ルPVA−107」、クラレ(株)製)、例示化合物N
o.4をそれぞれ用いたほかは、実施例1と同様にして
電子写真感光体を製造し、実施例2とした。
ルPVA−107」、クラレ(株)製)、例示化合物N
o.4をそれぞれ用いたほかは、実施例1と同様にして
電子写真感光体を製造し、実施例2とした。
【0120】これらの感光体を実施例1と同様にして評
価したところ、いずれも高温高湿下でも暗部電位
(VD)は安定し、黒点上の欠陥(黒ポチ)、カブリの
ない良好な画像が得られた。
価したところ、いずれも高温高湿下でも暗部電位
(VD)は安定し、黒点上の欠陥(黒ポチ)、カブリの
ない良好な画像が得られた。
【0121】この結果を表10に示す。
【0122】実施例11,12 中間層用塗料にポリビニルアルコールと金属錯体化合物
として、ポリビニルアルコール(商品名「ポバールPV
A−224」、クラレ(株)製)と例示化合物No.1
2、およびポリビニルアルコール(商品名「ポバールP
VA−224」、クラレ(株)製)と例示化合物No.
24、をそれぞれ用いたほかは、実施例1と同ようにし
て電子写真感光体を製造し、それぞれ実施例10,11
とした。
として、ポリビニルアルコール(商品名「ポバールPV
A−224」、クラレ(株)製)と例示化合物No.1
2、およびポリビニルアルコール(商品名「ポバールP
VA−224」、クラレ(株)製)と例示化合物No.
24、をそれぞれ用いたほかは、実施例1と同ようにし
て電子写真感光体を製造し、それぞれ実施例10,11
とした。
【0123】これらの感光体を実施例1と同様にして評
価したところ、いずれも高温高湿下でも暗部電位
(VD)は安定し、黒点上の欠陥(黒ポチ)、カブリの
ない良好な画像が得られた。
価したところ、いずれも高温高湿下でも暗部電位
(VD)は安定し、黒点上の欠陥(黒ポチ)、カブリの
ない良好な画像が得られた。
【0124】この結果を表10に示す。
【0125】比較例5 下引き層用塗料に、ポリビニルアルコールと錯体化合物
の代わりに、N−メトキシメチル化6ナイロン(重量平
均分子量150000、メトキシメチル基置換率28
%)を用いたほかは、実施例1と同様にして電子写真感
光体を製造し、比較例1とした。
の代わりに、N−メトキシメチル化6ナイロン(重量平
均分子量150000、メトキシメチル基置換率28
%)を用いたほかは、実施例1と同様にして電子写真感
光体を製造し、比較例1とした。
【0126】この感光体を実施例1と同様にして評価し
たところ、高温高湿下になると帯電能が悪化し、暗部電
位(VD)の低下が見られ、画像上には黒点上の欠点
(黒ポチ)が発生するようになった。
たところ、高温高湿下になると帯電能が悪化し、暗部電
位(VD)の低下が見られ、画像上には黒点上の欠点
(黒ポチ)が発生するようになった。
【0127】この結果を表10に示す。
【0128】
【表10】 実施例13 例示錯体化合物No.44 3部、およびポリビニルア
ルコール(商品名「ポバールPVA−205」、クラレ
(株)製)10部をメタノール60部、水40部の混合
溶液に溶解した。この塗工液をアルミニウムシリンダー
(φ30mm×360mm)上に浸漬塗布し、150℃
で1時間乾燥させ、膜厚1.5μmの下引き層を形成し
た。
ルコール(商品名「ポバールPVA−205」、クラレ
(株)製)10部をメタノール60部、水40部の混合
溶液に溶解した。この塗工液をアルミニウムシリンダー
(φ30mm×360mm)上に浸漬塗布し、150℃
で1時間乾燥させ、膜厚1.5μmの下引き層を形成し
た。
【0129】次に、τ型フタロシアニン4部、ポリビニ
ルブチラール(ブチラール化率70%、重量平均分子量
36,000)2部およびシクロヘキサノン34部をφ
1mmガラスビーズを用いたサンドミル装置で5時間分散
した後、テトラヒドロフラン(THF)60部を加えて
電荷発生層用分散液を調製した。この分散液を上記下引
き層上に浸漬塗布し、90℃で15分間乾燥させ、膜厚
0.15μmの電荷発生層を形成した。
ルブチラール(ブチラール化率70%、重量平均分子量
36,000)2部およびシクロヘキサノン34部をφ
1mmガラスビーズを用いたサンドミル装置で5時間分散
した後、テトラヒドロフラン(THF)60部を加えて
電荷発生層用分散液を調製した。この分散液を上記下引
き層上に浸漬塗布し、90℃で15分間乾燥させ、膜厚
0.15μmの電荷発生層を形成した。
【0130】次に、実施例1で用いたスチリル化合物
(構造式(D))10部およびポリカーボネート(重量
平均分子量20,000)10部をジクロルメタン15
部、モノクロルベンゼン45部の混合溶媒中に溶解し、
この溶液を上記の電荷発生層上に浸漬塗布し、120℃
で60分間乾燥させ、膜厚20μmの電荷発生層を形成
した。
(構造式(D))10部およびポリカーボネート(重量
平均分子量20,000)10部をジクロルメタン15
部、モノクロルベンゼン45部の混合溶媒中に溶解し、
この溶液を上記の電荷発生層上に浸漬塗布し、120℃
で60分間乾燥させ、膜厚20μmの電荷発生層を形成
した。
【0131】このようにして製造した電子写真感光体
を、帯電−露光−現像−転写−クリーニングのプロセス
を0.6秒サイクルで繰り返す複写機に取り付けた。
を、帯電−露光−現像−転写−クリーニングのプロセス
を0.6秒サイクルで繰り返す複写機に取り付けた。
【0132】この感光体に対して低温低湿下(15℃、
10%RH)の環境で電子写真特性の評価を行なったと
ころ、表11に示すように、この感光体は暗部電位(V
D)と明部電位(VL)との差が大きく、十分な電位コン
トラストが得られた。さらに、連続1000枚の画像を
出したところ、明部電位(VL)の上昇も少なく安定し
た画像が得られた。
10%RH)の環境で電子写真特性の評価を行なったと
ころ、表11に示すように、この感光体は暗部電位(V
D)と明部電位(VL)との差が大きく、十分な電位コン
トラストが得られた。さらに、連続1000枚の画像を
出したところ、明部電位(VL)の上昇も少なく安定し
た画像が得られた。
【0133】実施例14 下引き層用塗料に、ポリビニルアルコールおよび金属錯
体化合物として、ポリビニルアルコール(商品名「ポバ
ールPVA−205」、クラレ(株)製)および例示錯
体化合物No.8を用いた他は実施例5と同様にして電
子写真感光体を製造し、実施例14とした。
体化合物として、ポリビニルアルコール(商品名「ポバ
ールPVA−205」、クラレ(株)製)および例示錯
体化合物No.8を用いた他は実施例5と同様にして電
子写真感光体を製造し、実施例14とした。
【0134】これらの感光体を実施例5と同様にして評
価したところ、いずれの感光体も暗部電位(VD)と明
部電位(VL)との差が大きく、十分な電位コントラス
トが得られるとともに連続1000枚の画像を出して
も、明部電位(VL)の上昇が少なく、安定した画像が
得られた。
価したところ、いずれの感光体も暗部電位(VD)と明
部電位(VL)との差が大きく、十分な電位コントラス
トが得られるとともに連続1000枚の画像を出して
も、明部電位(VL)の上昇が少なく、安定した画像が
得られた。
【0135】この結果を表11に示す。
【0136】比較例6 下引き層用塗料に、実施例5に用いられた樹脂及び金属
錯体化合物の代わりに、アルコール可溶性共重合ナイロ
ン(重量平均分子量78,000)を用いたほかは、実
施例5と同様にして電子写真感光体を製造し、比較例2
とした。
錯体化合物の代わりに、アルコール可溶性共重合ナイロ
ン(重量平均分子量78,000)を用いたほかは、実
施例5と同様にして電子写真感光体を製造し、比較例2
とした。
【0137】この感光体を実施例5と同様にして評価し
たところ、連続1000枚の繰り返しで明部電位
(VL)が上昇し、画像上にはカブリを生じるようにな
った。
たところ、連続1000枚の繰り返しで明部電位
(VL)が上昇し、画像上にはカブリを生じるようにな
った。
【0138】この結果を表11に示す。
【0139】
【表11】 実施例7 10%の酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した
導電性酸化チタン粉体30部、ルチル型酸化チタン粉体
20部、ポリビニルアルコール(商品名「ポバールPV
A−224」、クラレ(株)製)20部、および例示化
合物No.464部、メタノール60部、水30部を、
φ1mmガラスビーズを用いたサンドミル装置で1時間分
散して導電層用塗料を調製した。
導電性酸化チタン粉体30部、ルチル型酸化チタン粉体
20部、ポリビニルアルコール(商品名「ポバールPV
A−224」、クラレ(株)製)20部、および例示化
合物No.464部、メタノール60部、水30部を、
φ1mmガラスビーズを用いたサンドミル装置で1時間分
散して導電層用塗料を調製した。
【0140】アルミニウムシリンダー(φ60mm×26
0mm)上に、上記塗料を浸漬塗布し、160℃で1時間
乾燥させ、膜厚10μmの下引き層を形成した。
0mm)上に、上記塗料を浸漬塗布し、160℃で1時間
乾燥させ、膜厚10μmの下引き層を形成した。
【0141】次に、アルコール可溶性共重合ナイロン
(重量平均分子量75000)5部をメタノール95部
に溶解し、上記下引き層上に浸漬塗布後、80℃で10
分間乾燥させ、膜厚0.2μmの中間層を形成した。
(重量平均分子量75000)5部をメタノール95部
に溶解し、上記下引き層上に浸漬塗布後、80℃で10
分間乾燥させ、膜厚0.2μmの中間層を形成した。
【0142】次に、構造式
【0143】
【化11】 のジスアゾ顔料2部、ポリビニルブチラール(ブチラー
ル化率70%、重量平均分子量18000)1部および
シクロヘキサノン30部をφ1mmガラスビーズを用いた
サンドミル装置で24時間分散した後、メチルエチルケ
トン(MEK)65部を加えて電荷発生層用分散液を調
製した。この分散液を中間層上に浸漬塗布し、80℃で
20分間乾燥させ、膜厚0.20μmの電荷発生層を形
成した。
ル化率70%、重量平均分子量18000)1部および
シクロヘキサノン30部をφ1mmガラスビーズを用いた
サンドミル装置で24時間分散した後、メチルエチルケ
トン(MEK)65部を加えて電荷発生層用分散液を調
製した。この分散液を中間層上に浸漬塗布し、80℃で
20分間乾燥させ、膜厚0.20μmの電荷発生層を形
成した。
【0144】次に、構造式
【0145】
【化12】 のヒドラゾン化合物9.5部およびポリカーボネート
(重量平均分子量36,000)10部をジクロルメタ
ン20部、モノクロルベンゼン40部の混合溶媒中に溶
解し、この溶液を上記の電荷発生層上に浸漬塗布し、1
20℃で60分間乾燥させ、膜厚20μmの電荷輸送層
を形成した。
(重量平均分子量36,000)10部をジクロルメタ
ン20部、モノクロルベンゼン40部の混合溶媒中に溶
解し、この溶液を上記の電荷発生層上に浸漬塗布し、1
20℃で60分間乾燥させ、膜厚20μmの電荷輸送層
を形成した。
【0146】このようにして製造した電子写真感光体
を、帯電−露光−現像−転写−クリーニングのプロセス
を1.0秒サイクルで繰り返す複写機に取り付けた。
を、帯電−露光−現像−転写−クリーニングのプロセス
を1.0秒サイクルで繰り返す複写機に取り付けた。
【0147】この感光体に対して低温低湿下(10℃、
10%RH)の環境で電子写真特性の評価を行なったと
ころ、表12に示すように、この感光体は暗部電位(V
D)と明部電位(VL)との差が大きく、十分な電位コン
トラストが得られた。さらに、連続1000枚の画像を
出したところ、明部電位(VL)の上昇も少なく安定し
た画像が得られた。
10%RH)の環境で電子写真特性の評価を行なったと
ころ、表12に示すように、この感光体は暗部電位(V
D)と明部電位(VL)との差が大きく、十分な電位コン
トラストが得られた。さらに、連続1000枚の画像を
出したところ、明部電位(VL)の上昇も少なく安定し
た画像が得られた。
【0148】実施例16 中間層を設けなかったほかは実施例7と同様にして下引
き層、電荷発生層、および電荷輸送層を形成し、実施例
8の電子写真感光体を製造した。
き層、電荷発生層、および電荷輸送層を形成し、実施例
8の電子写真感光体を製造した。
【0149】この感光体を実施例7と同様にして評価し
たところ、暗部電位(VD)と明部電位(VL)との差が
大きく、十分な電位コントラストが得られるとともに連
続1000枚の画像を出しても、明部電位(VL)の上
昇が少なく安定した画像が得られた。
たところ、暗部電位(VD)と明部電位(VL)との差が
大きく、十分な電位コントラストが得られるとともに連
続1000枚の画像を出しても、明部電位(VL)の上
昇が少なく安定した画像が得られた。
【0150】この結果を表12に示す。
【0151】比較例7,8 導電性酸化チタン粉体およびルチル型酸化チタン粉体を
含む下引き層用塗料中の金属錯体化合物を除いたほかは
実施例7および8と同様にして電子写真感光体を製造
し、それぞれ比較例3,4とした。
含む下引き層用塗料中の金属錯体化合物を除いたほかは
実施例7および8と同様にして電子写真感光体を製造
し、それぞれ比較例3,4とした。
【0152】この感光体を実施例7と同様にして評価し
たところ、比較例3では連続1000枚の繰り返しで明
部電位(VL)が上昇し、画像上にはカブリを生じるよ
うになった。また、下引き層上に直接、電荷発生層、電
荷輸送層を設けた比較例4では、下引き層のバリヤー性
が不足し、支持体側からの電荷注入が大きく暗部電位
(VD)が低いため、画像形成に必要な電位コントラス
トが得られなかった。
たところ、比較例3では連続1000枚の繰り返しで明
部電位(VL)が上昇し、画像上にはカブリを生じるよ
うになった。また、下引き層上に直接、電荷発生層、電
荷輸送層を設けた比較例4では、下引き層のバリヤー性
が不足し、支持体側からの電荷注入が大きく暗部電位
(VD)が低いため、画像形成に必要な電位コントラス
トが得られなかった。
【0153】この結果を表12に示す。
【0154】
【表12】
【0155】
【発明の効果】以上の実施例からもわかるように、本発
明の像保持部材は、支持体と感光層との間の下引き層
が、セルロース樹脂またはポリビニルアルコール樹脂と
錯体化合物との反応物を含有することを特徴とする。
明の像保持部材は、支持体と感光層との間の下引き層
が、セルロース樹脂またはポリビニルアルコール樹脂と
錯体化合物との反応物を含有することを特徴とする。
【0156】このことにより、低温低湿下から高温高湿
下に至る全環境において安定した電位特性と良好な画像
の得られるものとなっている。
下に至る全環境において安定した電位特性と良好な画像
の得られるものとなっている。
【0157】また、本発明の下引き層は耐溶剤性が優れ
ているため、光導電層を塗工しても平滑で欠陥のない塗
膜を保つことができ、画像欠陥のない安定した画像を得
ることができる。
ているため、光導電層を塗工しても平滑で欠陥のない塗
膜を保つことができ、画像欠陥のない安定した画像を得
ることができる。
Claims (4)
- 【請求項1】 静電像またはトナー画像を保持するため
の像保持部材において、前記像保持部材の下引き層が、
セルロース樹脂およびポリビニルアルコールからなる群
から選ばれた1種と、金属錯体化合物との反応生成物を
含有することを特徴とする像保持部材。 - 【請求項2】 前記金属錯体化合物の少なくとも1種が
下記の一般式(I)で表される化合物であることを特徴
とする第1項記載の像保持部材。 【化1】 (式中、 R1S、R2Sは水素原子、置換または無置換アルキル基、
アルケニル基、芳香族環、シクロアルキル基、またはO
R3基(ここでR3は置換または無置換アルキル基、アル
ケニル基、芳香族環、シクロアルキル基)を示し、R1S
とR2Sは同じでも異なっていても良い。Mは金属原子、
金属酸化物または金属ハロゲン化物を示す。XはH
2O、カルボニル基、置換または無置換のアルキル基、
アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基
を示す。だだしmは0以上の整数、nは1,2,3また
は4、sは1,2または3であり、s≦nである。) - 【請求項3】 前記金属錯体化合物の少なくとも1種が
下記一般式(II)で表される化合物であることを特徴と
する請求項1に記載の像保持部材。 【化2】 (式中、 R4rは置換または無置換のアルキル基、アルケニル基、
芳香族環、シクロアルキル基、またはOR3基(ここで
R3は置換または無置換アルキル基、アルケニル基、芳
香族環、シクロアルキル基)を示す。R5rは水素原子、
置換または無置換のアルキル基、アルケニル基、芳香族
環、シクロアルキル基、またはOR3基(ここでR3は置
換または無置換アルキル基、アルケニル基、芳香族環、
シクロアルキル基)を示し、R4rとR5rは同じでも異な
っていても良い。Mは金属原子、金属酸化物または金属
ハロゲン化物を示す。XはH2O、カルボニル、置換ま
たは無置換のアルキル基、アルコキシ基、シクロアルキ
ル基、シクロアルケニル基を示す。ただしpは0以上の
整数、qは1,2,3または4、rは1,2または3で
あり、r≦qである。) - 【請求項4】 支持体上に前記下引き層を介して光導電
層または誘電層、あるいは光導電層および誘電層を設け
たことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載
の像保持部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33595891A JPH05150534A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 像保持部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33595891A JPH05150534A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 像保持部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05150534A true JPH05150534A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18294235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33595891A Pending JPH05150534A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 像保持部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05150534A (ja) |
-
1991
- 1991-11-27 JP JP33595891A patent/JPH05150534A/ja active Pending
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