JPH05152102A - 角形チツプ抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 円筒チップ抵抗器の代替として用いるための
角形チップ抵抗器において、一括自動実装機における円
形の搬送チューブで詰まりにくくすることを目的とす
る。 【構成】 絶縁基板１１の両主面上にそれぞれ形成され
た上面電極層１２及び裏面電極層１３と、この上面電極
層１２の一部に重なる抵抗層１４と、この抵抗層１４を
完全に覆う第１ガラス層１６と、前記上面電極層１２と
裏面電極層１３とを電気的に接続する端面電極層１８と
を有し、絶縁基板１１の他方の主面に第２ガラス層１７
を形成し、かつ前記第１ガラス層１６及び第２ガラス層
１７を前記絶縁基板１１の主面上において島状に独立さ
せて形成したものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は高密度配線回路に用いら
れる、円筒チップ抵抗器の一括実装機により実装される
円筒チップ抵抗器代替の角形チップ抵抗器に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の軽薄短小化に対する要
求がますます増大していく中、回路基板の配線密度を高
めるため、抵抗素子には非常に小型な角形チップ抵抗器
が多く用いられるようになってきた。また、更に近年で
は実装速度を速めるため、多数のチップ部品を同時に実
装する一括マウントが行われるようになってきている。

【０００３】従来の厚膜タイプの角形チップ抵抗器の構
造の一例を、図１５（ａ），（ｂ）に示す。従来の角形
チップ抵抗器は厚み方向の長さが、幅方向の長さの１０
％〜７０％の長さである角板形の絶縁性の９６アルミナ
基板１と、この９６アルミナ基板１上に形成された一対
の厚膜電極による上面電極層２と裏面電極層８と、この
上面電極層２と接続するように形成されたルテニウム系
厚膜抵抗による抵抗層３と、抵抗層を覆うガラス層５
と、上面電極層２と裏面電極層８の一部と重なる端面電
極層４とからなっており、露出電極面にははんだ付け性
を確保するためにＮｉめっき層６とはんだめっき層７を
電解めっきにより形成している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】また、従来より円筒チ
ップ抵抗器があるが、これに代わる角形チップ抵抗器の
開発が望まれていた。しかしながら、角形チップ抵抗器
を円筒チップ抵抗器の一括実装機により実装した場合、
角形チップ抵抗器自身に方向性があるため、部品が実装
されるとき角形チップ抵抗器が基板の主面ではなく側面
側で実装された場合、はんだ付けされるはんだ量（はん
だ付け部の投射面積）が減り十分な固着強度が得られな
いという課題があった。また、一括実装機内の搬送チュ
ーブとして搬送チューブ内で詰まりにくい円筒チューブ
を用いた場合、搬送チューブ内で詰まりやすいという課
題があった。

【０００５】本発明は上記課題を解決するために、搬送
チューブ内で詰まりにくい形状の角形チップ抵抗器を提
供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、角柱形の絶縁基板と、この絶縁基板の一
方の主面上に形成された一対の上面電極層と、この一対
の上面電極層の一部に重なる抵抗層と、この抵抗層を完
全に覆う第１ガラス層と、前記絶縁基板の他方の主面上
に形成された一対の裏面電極層と、前記一対の上面電極
層と一対の裏面電極層とを電気的に接続する一対の端面
電極層とを有し、前記裏面電極層の一部に重なるように
絶縁基板の他方の主面に第２ガラス層を形成し、かつ前
記第１ガラス層及び第２ガラス層を前記絶縁基板の主面
上において島状に独立させて形成したことを特徴とする
ものである。

【０００７】

【作用】本発明によれば、島状に独立して形成された第
１ガラスと第２ガラスにより角形チップ抵抗器全体が丸
みを帯びた形状となり、搬送チューブ内で詰まりにくく
なる。よって円筒チップ抵抗器に代替できる角形チップ
抵抗器を実現できる。

【０００８】

【実施例】以下、本発明の一実施例の角形チップ抵抗器
およびその製造方法について、図面を用いて説明する。

【０００９】図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の
角形チップ抵抗器を示す断面図及び斜視図である。図１
（ａ），（ｂ）において本実施例の角形チップ抵抗器
は、絶縁性の角柱形の９６アルミナ基板１１の一方の主
面上に銀系厚膜の一対の上面電極層１２を設け、また前
記９６アルミナ基板１１の他方の主面上に裏面電極層１
３を設けている。そして、前記上面電極層１２の一部に
重なるようにルテニウム系厚膜の抵抗層１４を９６アル
ミナ基板１１の一方の主面上に形成している。さらに、
この抵抗層１４上には、抵抗層１４を完全に覆うため
に、軟化点が５６０±５℃の第１ガラス層１６を形成
し、また９６アルミナ基板１１の他方の主面上には、前
記裏面電極層１３の一部に重なる軟化点が６８０±５℃
の第２ガラス層１７が形成されている。ここで、第１ガ
ラス層１６と第２ガラス層１７はそれぞれ９６アルミナ
基板１１の側面に達しないように島状に独立させて形成
している。

【００１０】そして、前記上面電極層１２と前記裏面電
極層１３の一部に重なるように銀系厚膜の端面電極層１
８を設け、さらに露出電極面にははんだ付け性を向上さ
せるために、Ｎｉめっき層１９とＳｎ−Ｐｂめっき層２
０を電解めっきにより施している。また、前記９６アル
ミナ基板１１の側面には前記上面電極層１２及び端面電
極層１８とを電気的に接続する二対の第１側面電極層２
１が形成され、同じく前記側面に前記裏面電極層１３と
端面電極層１８とを電気的に接続する二対の第２側面電
極層２２が形成されている。

【００１１】次に、図１（ａ），（ｂ）に示した本実施
例の角形チップ抵抗器の製造方法について図２を用いて
説明する。まず、図３に示すような耐熱性および絶縁性
に優れた９６アルミナ基板１１を受け入れる。この９６
アルミナ基板１１には短冊状、および個片状に分割する
ために、分割のための溝１１ａ，１１ｂ（グリーンシー
ト時に金型成形）が形成されている（基板の厚みは０．
６３５mmで、分割のための溝１１ａ，１１ｂは１．５mm
および０．８mmピッチで形成されている）。

【００１２】次に、図４に示すように前記９６アルミナ
基板１１の表面に厚膜銀ペーストをスクリーン印刷・乾
燥し、更に、図５に示すように前記９６アルミナ基板１
１の裏面に厚膜銀ペーストをスクリーン印刷・乾燥し、
ベルト式連続焼成炉によって８５０℃の温度で、ピーク
時間６分，ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルによ
って焼成し、上面電極層１２及び裏面電極層１３を同時
に形成する。

【００１３】次に図６に示すように前記裏面電極層１３
の一部に重なるようにホウケイ酸鉛系ガラスペースト
（白色）をスクリーン印刷・乾燥し、ベルト式連続焼成
炉によって（上面電極層２を搬送ベルトに接するように
する）８５０℃の温度で、ピーク時間６分，ＩＮ−ＯＵ
Ｔ５０分の焼成プロファイルによって焼成し、第２ガラ
ス層１７を形成する。

【００１４】次に、図７に示すように上面電極層１２の
一部に重なるように、ＲｕＯ₂を主成分とする厚膜抵抗
ペーストをスクリーン印刷・乾燥し、ベルト式連続焼成
炉（搬送ベルトから浮かせるようにする）により８５０
℃の温度でピーク時間６分，ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分の
プロファイルによって焼成し、抵抗層１４を形成する。

【００１５】次に、図８に示すように前記上面電極層１
２間の前記抵抗層１４の抵抗値を揃えるために、レーザ
ー光によって、前記抵抗層１４の一部を破壊し抵抗値修
正（Ｌカット，１００mm／秒，１２kHz，５Ｗ）を行
う。

【００１６】続いて、図９に示すように前記抵抗層１４
を完全に覆うように、ホウケイ酸鉛系ガラスペースト
（黒色）をスクリーン印刷・乾燥し、ベルト式連続焼成
炉（第２ガラス層７を搬送ベルトに接するようにする）
によって５９０℃の温度で、ピーク時間６分，ＩＮ−Ｏ
ＵＴ５０分の焼成プロファイルによって焼成し、第１ガ
ラス層１６を形成する。

【００１７】次に、端面電極を形成するための準備工程
として、端面電極を露出させるために、図１０に示すよ
うにアルミナ基板１１を短冊状に分割（１．５mmピッチ
側を分割）し、短冊状アルミナ基板を得る。

【００１８】そして、図１１に示すように前記短冊状ア
ルミナ基板の側面に、前記上面電極層１２および前記裏
面電極層１３の一部に重なるように厚膜銀ペーストをロ
ーラーによって塗布し、ベルト式連続焼成炉（第２ガラ
ス層１７を搬送ベルトに接するようにする）によって６
００℃の温度で、ピーク時間６分，ＩＮ−ＯＵＴ４５分
の焼成プロファイルによって焼成し端面電極層１８を形
成する。この時、短冊状アルミナ基板を端面電極側から
見ると、図１３のように表され、銀ペーストを塗布時に
分割溝中にペーストが流れ込む（図１４参照）。このた
め、端面電極層１７と同時に第１側面電極層２０と第２
側面電極層２１は端面電極層１７と同時に形成される。

【００１９】次に、図１２に示すように電極めっきの準
備工程として、前記端面電極層１８を形成済みの短冊状
アルミナ基板を個片に分割（０．８mmピッチ側を分割）
し、個片状アルミナ基板を得た。

【００２０】そして最後に、露出している上面電極層１
２と裏面電極層１３と端面電極層１８のはんだ付け時の
電極喰われの防止およびはんだ付けの信頼性の確保のた
め、電解めっきによってＮｉめっき層１９とＳｎ−Ｐｂ
のめっき層２０を形成する。

【００２１】以上の工程により、本実施例による角形チ
ップ抵抗器を試作した（完成品の寸法は、長さが１．６
mm、幅が０．８mm、厚さが０．７４mmとなり、厚み方向
の寸法は幅方向の寸法の９２．５％となった）。

【００２２】本実施例によれば、角形チップ抵抗器の表
面及び裏面に、それぞれ第１ガラス層１６と第２ガラス
層１７を形成し、９６アルミナ基板１１の側面に達しな
いような島状で互いに独立した形状であるため、角形チ
ップ抵抗器全体の形状が丸みを帯びたものとなる。従っ
て円筒チップ抵抗器の代替として用いた場合、一括実装
機の搬送チューブ内での詰まりがなくなる。

【００２３】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、島状に
独立して形成された第１ガラスと第２ガラスにより角形
チップ抵抗器の形状が丸みを帯びたものとなり、搬送チ
ューブ内で詰まりにくく円筒チップ抵抗器に代替できる
ような角形チップ抵抗器が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例の
角形チップ抵抗器の構造を示す断面図及び斜視図

【図２】同抵抗器の製造工程図

【図３】同抵抗器の製造方法を順を追って示した平面図

【図４】同じく平面図

【図５】同じく平面図

【図６】同じく平面図

【図７】同じく平面図

【図８】同じく平面図

【図９】同じく平面図

【図１０】同じく斜視図

【図１１】同じく斜視図

【図１２】同じく斜視図

【図１３】同じく斜視図

【図１４】同じく平面図

【図１５】（ａ），（ｂ）はそれぞれ従来の角形チップ
抵抗器の構造を示す断面図及び斜視図

【符号の説明】

１１ ９６アルミナ基板 １２ 上面電極層 １３ 裏面電極層 １４ 抵抗層 １６ 第１ガラス層 １７ 第２ガラス層 １８ 端面電極層 １９ Ｎｉめっき層 ２０ Ｓｎ−Ｐｂめっき層 ２１ 第１側面電極層 ２２ 第２側面電極層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 正人 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山田 博之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】角柱形の絶縁基板と、この絶縁基板の一方
   の主面上に形成された一対の上面電極層と、この一対の
   上面電極層の一部に重なる抵抗層と、この抵抗層を完全
   に覆う第１ガラス層と、前記絶縁基板の他方の主面上に
   形成された一対の裏面電極層と、前記一対の上面電極層
   と一対の裏面電極層とを電気的に接続する一対の端面電
   極層とを有し、前記裏面電極層の一部に重なるように絶
   縁基板の他方の主面に第２ガラス層を形成し、かつ前記
   第１ガラス層および第２ガラス層を前記絶縁基板の主面
   上において島状に独立させて形成したことを特徴とする
   角形チップ抵抗器。