JPH05152464A - 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH05152464A JPH05152464A JP30944791A JP30944791A JPH05152464A JP H05152464 A JPH05152464 A JP H05152464A JP 30944791 A JP30944791 A JP 30944791A JP 30944791 A JP30944791 A JP 30944791A JP H05152464 A JPH05152464 A JP H05152464A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 多官能脂環式エポキシ樹脂と３官能エポキシ
樹脂を総エポキシ樹脂量の２０〜１００重量％含有し、
更にテトラヘキサ無水フタル酸および２−メチルイミダ
ゾールからなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【効果】 これらのエポキシ樹脂を用いることにより耐
熱性が向上し、高温高湿雰囲気下における光透過性の著
しい低下を抑えられる。
樹脂を総エポキシ樹脂量の２０〜１００重量％含有し、
更にテトラヘキサ無水フタル酸および２−メチルイミダ
ゾールからなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【効果】 これらのエポキシ樹脂を用いることにより耐
熱性が向上し、高温高湿雰囲気下における光透過性の著
しい低下を抑えられる。
Description
【０００１】
【産業上の詳細な説明】本発明は光透過性に優れた光半
導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】オプトエレクトロニクス関連分野におい
て酸無水物硬化タイプのエポキシ樹脂組成物は、透明性
に優れかつ波長９００〜１０００ｎｍの近赤外光領域で
の透過率が優れているためフォトセンサー等に使用され
ている。しかし、従来の酸無水物硬化タイプのエポキシ
樹脂組成物は温度１００〜１２５℃、湿度８５〜１００
％の高温高湿雰囲気下では耐湿性に難点があり、光透過
率が著く低下する欠点があった。これらの欠点を改良す
るためシリコーンオイルを添加して耐湿性を良くする方
法（特開昭６１−１２７７２３号公報）、カップリング
剤を添加して耐湿性を良くする方法（特開昭６１−１２
７７２４号公報）などが試みられているが、いまだ満足
できるものでなかった。従って、耐湿性が必要とされる
エリアセンサーなどの用途にはガラスを用いて気密封止
した光半導体が用いられている。しかし、組立コストが
高いという欠点があり、生産性かつ耐湿性にも優れたエ
ポキシ成形材料の開発が望まれていた。
て酸無水物硬化タイプのエポキシ樹脂組成物は、透明性
に優れかつ波長９００〜１０００ｎｍの近赤外光領域で
の透過率が優れているためフォトセンサー等に使用され
ている。しかし、従来の酸無水物硬化タイプのエポキシ
樹脂組成物は温度１００〜１２５℃、湿度８５〜１００
％の高温高湿雰囲気下では耐湿性に難点があり、光透過
率が著く低下する欠点があった。これらの欠点を改良す
るためシリコーンオイルを添加して耐湿性を良くする方
法（特開昭６１−１２７７２３号公報）、カップリング
剤を添加して耐湿性を良くする方法（特開昭６１−１２
７７２４号公報）などが試みられているが、いまだ満足
できるものでなかった。従って、耐湿性が必要とされる
エリアセンサーなどの用途にはガラスを用いて気密封止
した光半導体が用いられている。しかし、組立コストが
高いという欠点があり、生産性かつ耐湿性にも優れたエ
ポキシ成形材料の開発が望まれていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は高温高湿雰囲
気下で光透過率が劣化しない光半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を提供するものである。
気下で光透過率が劣化しない光半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）下記の
式（１）および（２）で示されるエポキシ樹脂を総エポ
キシ樹脂量の２０〜１００重量％含有し、（Ｂ）硬化剤
および（Ｃ）硬化促進剤からなる光半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物である。
式（１）および（２）で示されるエポキシ樹脂を総エポ
キシ樹脂量の２０〜１００重量％含有し、（Ｂ）硬化剤
および（Ｃ）硬化促進剤からなる光半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物である。
【０００５】
【化３】
【０００６】
【化４】
【０００７】本発明の式（１）および式（２）のエポキ
シ樹脂を用いると多官能の分子構造のため耐熱性が上が
り温度１００〜１２５℃、湿度８５〜１００％のような
高温高湿雰囲気下での吸湿劣化が少なくなり光透過性の
低下が抑えられる。式（１）のｍは４〜３０の範囲でｍ
が３未満だと耐熱性が充分でなく、高温高湿下での光透
過性の低下が抑えられない。また、ｍが３０を越えると
軟化点が高くなり過ぎて、樹脂組成物の製造が困難とな
る。
シ樹脂を用いると多官能の分子構造のため耐熱性が上が
り温度１００〜１２５℃、湿度８５〜１００％のような
高温高湿雰囲気下での吸湿劣化が少なくなり光透過性の
低下が抑えられる。式（１）のｍは４〜３０の範囲でｍ
が３未満だと耐熱性が充分でなく、高温高湿下での光透
過性の低下が抑えられない。また、ｍが３０を越えると
軟化点が高くなり過ぎて、樹脂組成物の製造が困難とな
る。
【０００８】式（２）のｌは３〜２０の範囲でｌが２未
満では耐熱性が充分に上がらず高温高湿雰囲気下での光
透過性の低下が抑えられない。また、ｌが２０を越える
と軟化点が上がり樹脂組成物の製造が困難になる。式
（１）および式（２）に配合するエポキシ樹脂はビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹
脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられ特に淡色透明のも
のに限定される。式（１）および式（２）のエポキシ樹
脂の総量は総エポキシ樹脂量の２０〜１００重量％で、
好ましくは５０重量％以上である。２０重量％未満であ
ると耐熱性が充分に上がらず、高温高湿雰囲気下での光
透過率の低下が抑えられない。式（１）と式（２）の重
量配合割合は、式（１）／式（２）＝８０／２０〜２０
／８０で、好ましくは７０／３０〜３０／７０である。
満では耐熱性が充分に上がらず高温高湿雰囲気下での光
透過性の低下が抑えられない。また、ｌが２０を越える
と軟化点が上がり樹脂組成物の製造が困難になる。式
（１）および式（２）に配合するエポキシ樹脂はビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹
脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられ特に淡色透明のも
のに限定される。式（１）および式（２）のエポキシ樹
脂の総量は総エポキシ樹脂量の２０〜１００重量％で、
好ましくは５０重量％以上である。２０重量％未満であ
ると耐熱性が充分に上がらず、高温高湿雰囲気下での光
透過率の低下が抑えられない。式（１）と式（２）の重
量配合割合は、式（１）／式（２）＝８０／２０〜２０
／８０で、好ましくは７０／３０〜３０／７０である。
【０００９】硬化剤としては多塩基カルボン酸無水物、
フェノール型ノボラック樹脂等がある。多塩基カルボン
酸無水物としては無水フタル、無水 ヘキサヒドロフタ
ル酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水マレイン酸、無
水ナジック酸などが挙げられる。フェノール型ノボラッ
ク樹脂にはフェノール型、クレゾール型、ビスフェノー
ルＡ型等がある。これらは１種または２種以上を併用し
てもよい。硬化剤とエポキシ樹脂の配合割合はエポキシ
当量１に対して０．５〜１．２当量の硬化剤が望まし
く、この範囲外では成形性に欠陥を起こす場合がある。
フェノール型ノボラック樹脂等がある。多塩基カルボン
酸無水物としては無水フタル、無水 ヘキサヒドロフタ
ル酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水マレイン酸、無
水ナジック酸などが挙げられる。フェノール型ノボラッ
ク樹脂にはフェノール型、クレゾール型、ビスフェノー
ルＡ型等がある。これらは１種または２種以上を併用し
てもよい。硬化剤とエポキシ樹脂の配合割合はエポキシ
当量１に対して０．５〜１．２当量の硬化剤が望まし
く、この範囲外では成形性に欠陥を起こす場合がある。
【００１０】硬化促進剤にはトリメチルアミン、トリエ
タノールアミン等の第３級アミン、トリフェニルホスフ
ィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の有機ホスフィ
ン化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール類
が挙げられる。また、本発明には公知のアゾ系、キノン
系の染料を１種または２種以上を添加してもよい。更に
離型剤として脂肪酸エステル、ステアリン酸等を添加す
ることができる。本発明の組成物の製造は各成分を混合
し、加熱ロールを用いて５０〜９０℃で混練し冷却固化
後、粉砕して粉末状とする。
タノールアミン等の第３級アミン、トリフェニルホスフ
ィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の有機ホスフィ
ン化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール類
が挙げられる。また、本発明には公知のアゾ系、キノン
系の染料を１種または２種以上を添加してもよい。更に
離型剤として脂肪酸エステル、ステアリン酸等を添加す
ることができる。本発明の組成物の製造は各成分を混合
し、加熱ロールを用いて５０〜９０℃で混練し冷却固化
後、粉砕して粉末状とする。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例を用いて具体的に説明
する。
する。
【００１２】実施例 １〜４、比較例１〜３ 表１のエポキシ樹脂１００重量部にテトラヘキサ無水フ
タル酸をエポキシ当量１に対し０．９当量添加し、さら
に２ーメチルイミダゾール１重量部、グリセリン脂肪酸
エステル３重量部を配合し、７０〜９０℃の加熱ロール
を用いて加熱混練を行ない、冷却固化後、粉砕して樹脂
組成物の粉末を得た。樹脂組成物を低圧トランスファー
成形機を用いて温度１５０℃で厚さ１ｍｍの試験片を成
形し、さらに１５０℃で４時間ポストキュアした。この
試験片を用いて未処理および吸湿後の光透過率を評価し
た。結果を表１に示す。
タル酸をエポキシ当量１に対し０．９当量添加し、さら
に２ーメチルイミダゾール１重量部、グリセリン脂肪酸
エステル３重量部を配合し、７０〜９０℃の加熱ロール
を用いて加熱混練を行ない、冷却固化後、粉砕して樹脂
組成物の粉末を得た。樹脂組成物を低圧トランスファー
成形機を用いて温度１５０℃で厚さ１ｍｍの試験片を成
形し、さらに１５０℃で４時間ポストキュアした。この
試験片を用いて未処理および吸湿後の光透過率を評価し
た。結果を表１に示す。
【００１３】※光透過率 試験片を１００℃の純水で２００時間煮沸し分光光度計
を用いて波長９５０ｎｍの光透過率を測定。 光透過率 ◎：９０％以上 ○：８５〜９０％ ×：８５％未満 ※ガラス転移温度 １５ｍｍ×３ｍｍ×４ｍｍの試験片をＴＭＡ試験機を用
いて室温より２６０℃まで加熱し測定。
を用いて波長９５０ｎｍの光透過率を測定。 光透過率 ◎：９０％以上 ○：８５〜９０％ ×：８５％未満 ※ガラス転移温度 １５ｍｍ×３ｍｍ×４ｍｍの試験片をＴＭＡ試験機を用
いて室温より２６０℃まで加熱し測定。
【００１４】
【表１】
【００１５】 Ａ：式（１）のエポキシ樹脂（エポキシ当量１９０、軟
化点７３℃，ｍ＝１５） Ｂ：式（２）のエポキシ樹脂（エポキシ当量１１０、軟
化点６１℃，ｌ＝１０） Ｃ：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４
９０、軟化点６８℃） Ｄ：クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当
量２２０、軟化点７０℃）
化点７３℃，ｍ＝１５） Ｂ：式（２）のエポキシ樹脂（エポキシ当量１１０、軟
化点６１℃，ｌ＝１０） Ｃ：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４
９０、軟化点６８℃） Ｄ：クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当
量２２０、軟化点７０℃）
【００１６】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物を用いると
透明性に優れ、かつ耐湿性が優れており、近赤外光領域
の光透過率の劣化が抑えられエリアセンサー等のような
耐湿性の要求される用途への展開が出来る。また、ガラ
スを用いた気密封止に較べて組立コストを低減できる効
果がある。
透明性に優れ、かつ耐湿性が優れており、近赤外光領域
の光透過率の劣化が抑えられエリアセンサー等のような
耐湿性の要求される用途への展開が出来る。また、ガラ
スを用いた気密封止に較べて組立コストを低減できる効
果がある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 63/00 ＮＪＷ 8830−4Ｊ
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ） 下記式（１）および（２）で示さ
れるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂量の２０〜１００％
重量含有し、（Ｂ）硬化剤 および（Ｃ）硬化促進剤か
らなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 【化２】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30944791A JP2933771B2 (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30944791A JP2933771B2 (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152464A true JPH05152464A (ja) | 1993-06-18 |
| JP2933771B2 JP2933771B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=17993114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30944791A Expired - Fee Related JP2933771B2 (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2933771B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013051708A1 (ja) | 2011-10-07 | 2013-04-11 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 | 異方性導電接着剤及びその製造方法、発光装置及びその製造方法 |
| WO2014129395A1 (ja) | 2013-02-19 | 2014-08-28 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤、発光装置及び異方性導電接着剤の製造方法 |
| KR20160135700A (ko) | 2014-03-19 | 2016-11-28 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 이방성 도전 접착제 |
| KR20180136499A (ko) | 2016-05-31 | 2018-12-24 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 |
-
1991
- 1991-11-25 JP JP30944791A patent/JP2933771B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR20140084076A (ko) | 2011-10-07 | 2014-07-04 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 이방성 도전 접착제 및 그의 제조 방법, 발광 장치 및 그의 제조 방법 |
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