JPS5824143A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS5824143A JPS5824143A JP56123422A JP12342281A JPS5824143A JP S5824143 A JPS5824143 A JP S5824143A JP 56123422 A JP56123422 A JP 56123422A JP 12342281 A JP12342281 A JP 12342281A JP S5824143 A JPS5824143 A JP S5824143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photomask
- film
- chromium
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフォトマスクに関する。
従来フォトマスクとしては、ガラス基板上に酸化クロム
膜、クロム膜をスパッタリング或いは蒸着等で形成した
後、基板上にレジスト層を形成し。
膜、クロム膜をスパッタリング或いは蒸着等で形成した
後、基板上にレジスト層を形成し。
電子ビーム、Ｘ線、遠紫外線或いは紫外光等を照射して
レジスト層を露光し、現儂バターニング後。
レジスト層を露光し、現儂バターニング後。
ドライエツチング、ウェットエツチング等で不要部分の
クロム膜、ｌｌ化クロム膜を除去してノ・−ドマスクを
形成している。
クロム膜、ｌｌ化クロム膜を除去してノ・−ドマスクを
形成している。
さらにフォトマスクを使用する時にマスク用乾板やウェ
ハーに１着露光すると静電気によりパターンが破壊され
る為、第１図の如き、基板上に透明導電膜であるＳｎＯ
，、Ｉｎ０４等を形成したフォトマスクが知られている
。
ハーに１着露光すると静電気によりパターンが破壊され
る為、第１図の如き、基板上に透明導電膜であるＳｎＯ
，、Ｉｎ０４等を形成したフォトマスクが知られている
。
図において、１はガラス基板、２は透明導電膜。
３は酸化クロム及びクロム膜である。。
しかし、ｆａ１図の如くフォトマスクは電子ビーム検査
等の価電粒子によるチャージアップは防ぐことができる
ものの基板裏面には透明導電膜は形成されていないので
１石英ガラス等から成るガラス基板は一般に帯電しやす
く、基板裏面側にはチリ、ゴミ４等が付着しやすくパタ
ーン形成に用いた場合に欠陥を生ずる原因となっていた
。
等の価電粒子によるチャージアップは防ぐことができる
ものの基板裏面には透明導電膜は形成されていないので
１石英ガラス等から成るガラス基板は一般に帯電しやす
く、基板裏面側にはチリ、ゴミ４等が付着しやすくパタ
ーン形成に用いた場合に欠陥を生ずる原因となっていた
。
また、電子ビーム露光或いは蒸着、ドライエツチング等
で７オトマスクを真空中で処理する場合。
で７オトマスクを真空中で処理する場合。
フォトマスクを保持するチャックとして１機械的に行う
メカニカルチャック、静電力を利用する静電チャック等
が知られている。
メカニカルチャック、静電力を利用する静電チャック等
が知られている。
メカニカルチャックは彼処璃基板め表面の一部をチャツ
キ・ングのツメが覆−望ましくない。またチャッキング
の力は−ｓＫしかかからず破損等のを生ずるおそれがあ
る。
キ・ングのツメが覆−望ましくない。またチャッキング
の力は−ｓＫしかかからず破損等のを生ずるおそれがあ
る。
一方、静電チャックは静電引力を原理としておシ真空中
でも用いることができ、チャッキン、グのツメは不要で
、チャッキングの力も一様にかかるので有利である。絶
縁性のガラス基板から成るフォトマスクを静電的にチャ
ッキングする静電チャックとしては、第２図（ａ） 、
（ｂ）に示す如き一対のくし盤状の電極５，６を有す
るものが用いられる。
でも用いることができ、チャッキン、グのツメは不要で
、チャッキングの力も一様にかかるので有利である。絶
縁性のガラス基板から成るフォトマスクを静電的にチャ
ッキングする静電チャックとしては、第２図（ａ） 、
（ｂ）に示す如き一対のくし盤状の電極５，６を有す
るものが用いられる。
Ｋ２図（ａ）は断面図、第２図（１））は平面図である
。フは絶縁物質である。８は直流電源である。
。フは絶縁物質である。８は直流電源である。
これ社一対の電極４，５の間隔を極めて狭くして強い電
界を作シ、これにより被ｅ、７１Ｆ物９に分極を起こさ
せて電極との間に引力を生せしめるものであり１ｗａ着
−物として導電性物質、絶縁性物質共に適用できるが、
フォトマスク等のガラス基板を吸着するには吸着力が弱
いと云ン欠点があつ九。
界を作シ、これにより被ｅ、７１Ｆ物９に分極を起こさ
せて電極との間に引力を生せしめるものであり１ｗａ着
−物として導電性物質、絶縁性物質共に適用できるが、
フォトマスク等のガラス基板を吸着するには吸着力が弱
いと云ン欠点があつ九。
本発明は上述の欠点に鑑みなされたもので、ガラス基板
上に金属或いは金“属酸化物のし辛党薄膜を設けたフォ
トマスクに於て、少なくとも基板裏面に透明導電膜を有
するフォトマスクを提供するものである。
上に金属或いは金“属酸化物のし辛党薄膜を設けたフォ
トマスクに於て、少なくとも基板裏面に透明導電膜を有
するフォトマスクを提供するものである。
以下本発明を図面を参照して説明する。
第３図は本発明のフォトマスクの製造工程断面図である
。
。
第３図（ａ）の如く、２枚の８ｎ０２板１ｏをカソード
として石英ガラス基板ｌをアノードとしてアルゴｙプｊ
ズマ中スパッタリングを行いガラス基板−面Ｋｚｏｏ
〜１ａｏｏＸ程度の５ｎｏｔｌｉｌ（を形成する。
として石英ガラス基板ｌをアノードとしてアルゴｙプｊ
ズマ中スパッタリングを行いガラス基板−面Ｋｚｏｏ
〜１ａｏｏＸ程度の５ｎｏｔｌｉｌ（を形成する。
１ユは真空ベルジャ、１２は高周波電源である。
なお、 ８ｎＯ１，工ｎｏ、等の透明導電膜はｓｎ＋ｏ
ｘの反応性スパッタ、或いはｓｎｏ、の蒸着等によって
も形成できる。
ｘの反応性スパッタ、或いはｓｎｏ、の蒸着等によって
も形成できる。
さらに、 Ｓｎ、Ｉｎ系の有機金属化合資のアルコール
溶液等をスピンコード、或いは溶液中に浸漬し、塗膜形
成後３００〜８００１：８度の酸化熱処理を行ない、８
ｎＯ１ｊｎｏｌ等の透明導電膜を形成しても良い。本発
明ではガラス基板と密着の良い導電膜が得られることか
ら、スパッ、タリノグ法にょり透明導電膜を形成した。
溶液等をスピンコード、或いは溶液中に浸漬し、塗膜形
成後３００〜８００１：８度の酸化熱処理を行ない、８
ｎＯ１ｊｎｏｌ等の透明導電膜を形成しても良い。本発
明ではガラス基板と密着の良い導電膜が得られることか
ら、スパッ、タリノグ法にょり透明導電膜を形成した。
第３図（ｂ）はガラス基板上にクロム層を形成する工程
、第３図（ｃ）はクロム層上のレジスト層に露光する工
程の断面図である。クロム層線酸（ＩＩ、クロム層とｃ
ｒ層とを含んでもよい。第３図（ｂ） 、 （０）で５
゜６は一対の電極、フは絶縁物、８は直流電源、Ａは静
電チェック、１はフォトマスク用基板となる石英ガラス
基板、２は２００〜１２ｏｏ’ｈ 程度の８ｎｏ、透
明導電膜、１３は蒸着用の、Ｏｒのビーム。
、第３図（ｃ）はクロム層上のレジスト層に露光する工
程の断面図である。クロム層線酸（ＩＩ、クロム層とｃ
ｒ層とを含んでもよい。第３図（ｂ） 、 （０）で５
゜６は一対の電極、フは絶縁物、８は直流電源、Ａは静
電チェック、１はフォトマスク用基板となる石英ガラス
基板、２は２００〜１２ｏｏ’ｈ 程度の８ｎｏ、透
明導電膜、１３は蒸着用の、Ｏｒのビーム。
３は基板上に蒸着されたＯｒ、１４株レジスト層。
１４′はレジスト層の露光部分、１５は露光用のエネル
ギー線である。
ギー線である。
いずれの場合にもガラス基板１は基板裏面に導電性の透
明導電膜２を形成しであるので、絶縁物７を介して一対
の平面電極５．６閾に１０００〜５０００７１ｉ［の電
圧を印加することにより、電極５，６と対向する８ｎＯ
１透明導電膜２間とで各々コンデンサーを形成すると考
えられ、ガラス基板６は静電チェックＡに強く吸着され
る。
明導電膜２を形成しであるので、絶縁物７を介して一対
の平面電極５．６閾に１０００〜５０００７１ｉ［の電
圧を印加することにより、電極５，６と対向する８ｎＯ
１透明導電膜２間とで各々コンデンサーを形成すると考
えられ、ガラス基板６は静電チェックＡに強く吸着され
る。
従来のガラス基板をそのまま吸着せしめる場合に比べ、
或いは厚さ１〜３ｍ＋ｊ程度のガラス基板表面にのみ透
明導電膜を形成し九ものに比べ１本発明の如く、ガラス
基板の裏面にも透明導電膜を形成することにより静電吸
着力は約７倍程度強くなった。
或いは厚さ１〜３ｍ＋ｊ程度のガラス基板表面にのみ透
明導電膜を形成し九ものに比べ１本発明の如く、ガラス
基板の裏面にも透明導電膜を形成することにより静電吸
着力は約７倍程度強くなった。
本実施例では基板裏面の導電膜として８ｎＯ１と透明導
電膜として用いたので一フォトマスク形成後も、そのま
ま露光に用いる事ができる。
電膜として用いたので一フォトマスク形成後も、そのま
ま露光に用いる事ができる。
また１本発明のフォトマスクはガラス基板表面接地する
ことにより帯電を防止する仁とができ。
ことにより帯電を防止する仁とができ。
フォトマスク上にチリ、ゴミ等が不着することを防止す
ることができ、半導体装置の製造歩留りに寄与する。
ることができ、半導体装置の製造歩留りに寄与する。
本実施例では透明導電膜としてＳｎｕｇを用いる例を上
げ九が、■ｎｏ、を用いることができる。
げ九が、■ｎｏ、を用いることができる。
第１図は従来のフォトマスクの断面図、第２図はくシ匿
状静電チャックの断面図及び平面図、第３図は本発明の
フォトマスクの季造工程の断面図である。 １：石英ガラス基板、２°：透明導電膜、３ニクロム層
、４：チリ、ゴミ、５，６：電極、）：絶練物、８：直
流電源、１０：５ｎ０４アノード。 １１：真空ベルジャ、１２：ＲＩＰ電源、１３ニクロム
ビーム、１４ニレジスト、１５：ｌｌ光用エネ（ｂ） 第３１２Ｉ（ａ）
状静電チャックの断面図及び平面図、第３図は本発明の
フォトマスクの季造工程の断面図である。 １：石英ガラス基板、２°：透明導電膜、３ニクロム層
、４：チリ、ゴミ、５，６：電極、）：絶練物、８：直
流電源、１０：５ｎ０４アノード。 １１：真空ベルジャ、１２：ＲＩＰ電源、１３ニクロム
ビーム、１４ニレジスト、１５：ｌｌ光用エネ（ｂ） 第３１２Ｉ（ａ）
Claims (1)
- ガラス基板上に金属或いは金属酸化物のしヤ光薄膜を設
けたフォトマスクに於て少な−くとも基板裏面に透明導
電膜を有することを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56123422A JPS5824143A (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56123422A JPS5824143A (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5824143A true JPS5824143A (ja) | 1983-02-14 |
Family
ID=14860157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56123422A Pending JPS5824143A (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5824143A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01142636A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Hoya Corp | 露光方法並びにこの露光方法に使用するフォトマスクブランク及びフォトマスクブランクの保持具 |
| US5600530A (en) * | 1992-08-04 | 1997-02-04 | The Morgan Crucible Company Plc | Electrostatic chuck |
| US6309976B1 (en) * | 1999-03-22 | 2001-10-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Critical dimension controlled method of plasma descum for conventional quarter micron and smaller dimension binary mask manufacture |
| JP2014532313A (ja) * | 2011-10-14 | 2014-12-04 | フンダシオ インスティテュート デ サイエンセズ フォトニクス | 光透過性導電性コーティング及び基板上へのそれらの堆積の方法 |
| CN105911743A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-08-31 | 安徽今上显示玻璃有限公司 | Uv光屏蔽组件 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596951A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Mitsubishi Electric Corp | Negative for photomask |
-
1981
- 1981-08-06 JP JP56123422A patent/JPS5824143A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596951A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Mitsubishi Electric Corp | Negative for photomask |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01142636A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Hoya Corp | 露光方法並びにこの露光方法に使用するフォトマスクブランク及びフォトマスクブランクの保持具 |
| US5600530A (en) * | 1992-08-04 | 1997-02-04 | The Morgan Crucible Company Plc | Electrostatic chuck |
| US6309976B1 (en) * | 1999-03-22 | 2001-10-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Critical dimension controlled method of plasma descum for conventional quarter micron and smaller dimension binary mask manufacture |
| JP2014532313A (ja) * | 2011-10-14 | 2014-12-04 | フンダシオ インスティテュート デ サイエンセズ フォトニクス | 光透過性導電性コーティング及び基板上へのそれらの堆積の方法 |
| US9519209B2 (en) | 2011-10-14 | 2016-12-13 | Fundació Institut De Ciències Fotòniques | Optically transparent and electrically conductive coatings and method for their deposition on a substrate |
| CN105911743A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-08-31 | 安徽今上显示玻璃有限公司 | Uv光屏蔽组件 |
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