JPH05158174A - 放射線画像読取装置 - Google Patents
放射線画像読取装置Info
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- JPH05158174A JPH05158174A JP32056891A JP32056891A JPH05158174A JP H05158174 A JPH05158174 A JP H05158174A JP 32056891 A JP32056891 A JP 32056891A JP 32056891 A JP32056891 A JP 32056891A JP H05158174 A JPH05158174 A JP H05158174A
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- conversion panel
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- phosphor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/02—Dosimeters
- G01T1/10—Luminescent dosimeters
- G01T1/11—Thermo-luminescent dosimeters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2012—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using stimulable phosphors, e.g. stimulable phosphor sheets
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B42/00—Obtaining records using waves other than optical waves; Visualisation of such records by using optical means
- G03B42/02—Obtaining records using waves other than optical waves; Visualisation of such records by using optical means using X-rays
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- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放射線画像変換パネルを用いる放射線画像読
取装置において、実用低温領域で読取信号のフェーデン
グが極めて小さく、画質が良好であり、かつ信号読取り
感度の高い放射線画像読取システムの提供。 【構成】 変換パネルに沃素含有の輝尽性蛍光体を用い
かつ変換パネルを内装した読取装置内部を250〜300゜k
ならしめる。
取装置において、実用低温領域で読取信号のフェーデン
グが極めて小さく、画質が良好であり、かつ信号読取り
感度の高い放射線画像読取システムの提供。 【構成】 変換パネルに沃素含有の輝尽性蛍光体を用い
かつ変換パネルを内装した読取装置内部を250〜300゜k
ならしめる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は輝尽性蛍光体を有する放
射線画像変換パネルに蓄積記録された放射線画像情報の
読取りに関するものであり、さらに具体的には効率の良
い放射線画像情報の読取装置に関するものである。
射線画像変換パネルに蓄積記録された放射線画像情報の
読取りに関するものであり、さらに具体的には効率の良
い放射線画像情報の読取装置に関するものである。
【０００２】
【従来技術】Ｘ線画像のような放射線画像は医療用とし
て多く用いられている。この放射線画像を得る一方法と
して、被写体を透過した放射線を蛍光体層（蛍光スクリ
−ン）に照射し、これにより可視光を生じさせて、この
可視光を通常の写真を撮るときと同じように銀塩感光材
料に照射して現像するいわゆる放射線写真が利用されて
いる。しかし、近年、銀塩感光材料からなる放射線写真
フィルムを使用せずに放射線画像情報を得る方法が工夫
されるようになった。このような方法としては、被写体
を透過した放射線をある種の蛍光体に吸収せしめ、しか
る後、この蛍光体を例えば光又は熱エネルギーで励起す
ることにより、この蛍光体が前記吸収により蓄積してい
る放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光
を検出して画像化するものがある。具体的には、例えば
米国特許3,859,527号又は特開昭55-12144号に開示され
ている。これらは輝尽性蛍光体を用い、可視光線又は赤
外線を励起光とした放射線画像変換方法を示したもの
で、支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変
換パネルを使用し、この放射線画像変換パネルの輝尽性
蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて被写体各部
の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させ
て潜像を形成し、しかる後、この輝尽性蛍光体層を前記
励起光で走査することによって、該パネル各部に蓄積さ
れた放射線エネルギーを放射させてこれを光に変換し、
この光の強弱による光信号を光電子増倍管、フォトダイ
オード等の光電変換素子で検出して放射線画像を得るも
のである。
て多く用いられている。この放射線画像を得る一方法と
して、被写体を透過した放射線を蛍光体層（蛍光スクリ
−ン）に照射し、これにより可視光を生じさせて、この
可視光を通常の写真を撮るときと同じように銀塩感光材
料に照射して現像するいわゆる放射線写真が利用されて
いる。しかし、近年、銀塩感光材料からなる放射線写真
フィルムを使用せずに放射線画像情報を得る方法が工夫
されるようになった。このような方法としては、被写体
を透過した放射線をある種の蛍光体に吸収せしめ、しか
る後、この蛍光体を例えば光又は熱エネルギーで励起す
ることにより、この蛍光体が前記吸収により蓄積してい
る放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光
を検出して画像化するものがある。具体的には、例えば
米国特許3,859,527号又は特開昭55-12144号に開示され
ている。これらは輝尽性蛍光体を用い、可視光線又は赤
外線を励起光とした放射線画像変換方法を示したもの
で、支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変
換パネルを使用し、この放射線画像変換パネルの輝尽性
蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて被写体各部
の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させ
て潜像を形成し、しかる後、この輝尽性蛍光体層を前記
励起光で走査することによって、該パネル各部に蓄積さ
れた放射線エネルギーを放射させてこれを光に変換し、
この光の強弱による光信号を光電子増倍管、フォトダイ
オード等の光電変換素子で検出して放射線画像を得るも
のである。
【０００３】斯くして得た放射線画像は、そのままの状
態で、或いはリアルタイムで空間周波数処理や階調処理
等の画像処理を施されて銀塩フィルム、CRT等に出力さ
れて可視化されるか、又は半導体記憶装置、磁気記憶装
置、光ディスク記憶装置等の画像記憶装置に格納され、
その後必要に応じてこれら画像記憶装置から取り出され
て銀塩フィルム、CRT等に出力されて可視化される。
態で、或いはリアルタイムで空間周波数処理や階調処理
等の画像処理を施されて銀塩フィルム、CRT等に出力さ
れて可視化されるか、又は半導体記憶装置、磁気記憶装
置、光ディスク記憶装置等の画像記憶装置に格納され、
その後必要に応じてこれら画像記憶装置から取り出され
て銀塩フィルム、CRT等に出力されて可視化される。
【０００４】前記放射線画像変換方法によれば、従来の
放射線写真法に比較して少ない被曝量で情報量の豊富な
放射線画像を得ることができるという利点を有する。従
って、該放射線画像変換方法は特に医療診断を目的とす
るＸ線撮影等の直接放射線撮影において利用価値の高い
ものである。
放射線写真法に比較して少ない被曝量で情報量の豊富な
放射線画像を得ることができるという利点を有する。従
って、該放射線画像変換方法は特に医療診断を目的とす
るＸ線撮影等の直接放射線撮影において利用価値の高い
ものである。
【０００５】しかし、前記の方法は放射線照射によって
放射線画像情報記録媒体に蓄えられた放射線エネルギー
が時間の経過と共に著しく低下するという問題を有する
（この現象をフェーディングという）。このため、図１
示の如く放射線による画像照射（ｔ0）後、励起光によ
る放射線画像読取り開始（ｔ1）まで、および読取り終
了（ｔ2）までの時間の延長に伴って読取られる画像信
号の強度が低下してしまうという問題点がある。ここで
は、放射線曝射直後Ｔ0の信号強度をＩ0、ｔ1における
信号強度をＩ1としたときに、（Ｉ0−Ｉ1）／Ｉ0をフェ
ーディング値という。
放射線画像情報記録媒体に蓄えられた放射線エネルギー
が時間の経過と共に著しく低下するという問題を有する
（この現象をフェーディングという）。このため、図１
示の如く放射線による画像照射（ｔ0）後、励起光によ
る放射線画像読取り開始（ｔ1）まで、および読取り終
了（ｔ2）までの時間の延長に伴って読取られる画像信
号の強度が低下してしまうという問題点がある。ここで
は、放射線曝射直後Ｔ0の信号強度をＩ0、ｔ1における
信号強度をＩ1としたときに、（Ｉ0−Ｉ1）／Ｉ0をフェ
ーディング値という。
【０００６】すなわち、放射線画像読取り開始（ｔ1）
までの時間の延長にともなって読取られる画像信号の低
下は、信号（Ｓ）／ノイズ（Ｎ）比を低下させ、得られ
る放射線画像の画質を劣化させる。また、読取り終了
（ｔ2）までの時間の延長に伴って読取られる画像信号
の低下は、読取り開始部分と終了部分での画像信号の大
きさに差が生じ、均一な画像が得られない。
までの時間の延長にともなって読取られる画像信号の低
下は、信号（Ｓ）／ノイズ（Ｎ）比を低下させ、得られ
る放射線画像の画質を劣化させる。また、読取り終了
（ｔ2）までの時間の延長に伴って読取られる画像信号
の低下は、読取り開始部分と終了部分での画像信号の大
きさに差が生じ、均一な画像が得られない。
【０００７】上記問題に対処するものとして（１）特開
昭61-123829号には蛍光体層としてCsI：Naを用い、該蛍
光体層を180°K以下に保持する読取装置が開示されてい
る。
昭61-123829号には蛍光体層としてCsI：Naを用い、該蛍
光体層を180°K以下に保持する読取装置が開示されてい
る。
【０００８】また（２）特開昭63-180941号には蛍光体
層を250〜300°Kに保持する読取装置が開示されてい
る。
層を250〜300°Kに保持する読取装置が開示されてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記
（１）に示される方法では、冷却温度が極低温であるた
め冷却装置が大がかりであり、そのため読取装置が大型
かつ複雑なものとなっている。
（１）に示される方法では、冷却温度が極低温であるた
め冷却装置が大がかりであり、そのため読取装置が大型
かつ複雑なものとなっている。
【００１０】また（２）に示される方法では、実用性の
ある低温温度領域においてフェーディングが小さくなる
ことが示されているが、この読取装置において使用する
輝尽性蛍光体については一般的記載にとどまっており、
特性の優れた蛍光体の具体例としてはRbBr：Tlについて
のみ開示されているに過ぎない。
ある低温温度領域においてフェーディングが小さくなる
ことが示されているが、この読取装置において使用する
輝尽性蛍光体については一般的記載にとどまっており、
特性の優れた蛍光体の具体例としてはRbBr：Tlについて
のみ開示されているに過ぎない。
【００１１】本発明は前記の点に鑑み、放射線画像記録
媒体の蓄積したエネルギー画像からの読取信号のフェー
ディングが実用容易な低温領域において極めて小さく、
良質の放射線画像を与える放射線画像読取装置を提供す
ることを目的とするものである。
媒体の蓄積したエネルギー画像からの読取信号のフェー
ディングが実用容易な低温領域において極めて小さく、
良質の放射線画像を与える放射線画像読取装置を提供す
ることを目的とするものである。
【００１２】また、本発明は、放射線画像記録媒体の蓄
積したエネルギー画像からの信号読取感度が、実用的な
低温領域において極めて高く、良質の放射線画像を与え
る放射線画像読取装置を提供することを目的とするもの
である。
積したエネルギー画像からの信号読取感度が、実用的な
低温領域において極めて高く、良質の放射線画像を与え
る放射線画像読取装置を提供することを目的とするもの
である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明の放射線
画像読取装置は、輝尽発光を示す輝尽性蛍光体層を有す
る放射線画像変換パネル（以後変換パネルと略称する）
に放射線を照射して放射線画像情報を蓄積記録し、該変
換パネルに輝尽励起光を照射して前記蓄積記録されてい
る放射線画像情報を得る放射線画像読取装置（以後読取
装置と略称する）において、前記輝尽性蛍光体が沃素を
含み、かつ前記変換パネルを250〜300゜kに冷却する手
段を有することを特徴とするものである。
画像読取装置は、輝尽発光を示す輝尽性蛍光体層を有す
る放射線画像変換パネル（以後変換パネルと略称する）
に放射線を照射して放射線画像情報を蓄積記録し、該変
換パネルに輝尽励起光を照射して前記蓄積記録されてい
る放射線画像情報を得る放射線画像読取装置（以後読取
装置と略称する）において、前記輝尽性蛍光体が沃素を
含み、かつ前記変換パネルを250〜300゜kに冷却する手
段を有することを特徴とするものである。
【００１４】
【作用】本発明によれば、沃素を含むことを特徴とする
輝尽性蛍光体（以後蛍光体と略称する）を250〜300゜K
に冷却し、該蛍光体にＸ線、紫外線、電子線等の放射線
を照射した後、前記蛍光体に輝尽励起光を照射して輝尽
励起するようにしたことにより、輝尽発光光のフェーデ
ィングを極めて小さい値とすることが可能となる。しか
も温度を下げた場合のフェーディングの低下が図７のよ
うに320〜290゜kにかけて急激に小さくなり280゜k以下
で極めて小さい値でほぼ一定となる。すなわち前記蛍光
体は非常に小さいフェーディング値を250〜300゜k程度
に冷却することにより得ることが可能となり、その温度
以下の極低温にまで冷却する必要はないので、読取装置
を小型化できる。
輝尽性蛍光体（以後蛍光体と略称する）を250〜300゜K
に冷却し、該蛍光体にＸ線、紫外線、電子線等の放射線
を照射した後、前記蛍光体に輝尽励起光を照射して輝尽
励起するようにしたことにより、輝尽発光光のフェーデ
ィングを極めて小さい値とすることが可能となる。しか
も温度を下げた場合のフェーディングの低下が図７のよ
うに320〜290゜kにかけて急激に小さくなり280゜k以下
で極めて小さい値でほぼ一定となる。すなわち前記蛍光
体は非常に小さいフェーディング値を250〜300゜k程度
に冷却することにより得ることが可能となり、その温度
以下の極低温にまで冷却する必要はないので、読取装置
を小型化できる。
【００１５】それに加えて低温における感度を著しく高
く、室温の場合と比べ数倍にすることが可能となる。
く、室温の場合と比べ数倍にすることが可能となる。
【００１６】また、冷却する温度が250〜300゜kと室温
近傍であるので、装置が大型、複雑になることもなく温
度制御も容易となる。
近傍であるので、装置が大型、複雑になることもなく温
度制御も容易となる。
【００１７】
【実施例】以下図面に基づいて本発明の実施態様を説明
する。
する。
【００１８】図２は本発明の読取装置の一例を示す概略
図であり、画像記録部及び画像読取部が一体化した例で
ある。
図であり、画像記録部及び画像読取部が一体化した例で
ある。
【００１９】被写体102が変換パネル103と放射線源101
との間に配された後、放射線源101が点灯されると、変
換パネル103の蛍光体104に被写体102の透過放射線画像
が記録蓄積される。この後、変換パネル103をレーザ等
の輝尽励起光源105により走査し、蛍光体104が発する輝
尽発光を光伝達手段108を介して光検出器107により検出
する。この際、搬送ステージ109は、例えば上方から下
方に副走査し変換パネル103全体の輝尽発光を検出す
る。この時系列化された輝尽発光の電気信号は増幅器11
1で増幅されてから記憶手段113へ送られる。また、変換
パネル103の蛍光体側表面に対向する位置には消去用光
源110が設けられ、輝尽発光を検出後、蛍光体に蓄積し
ている潜像を消去する。
との間に配された後、放射線源101が点灯されると、変
換パネル103の蛍光体104に被写体102の透過放射線画像
が記録蓄積される。この後、変換パネル103をレーザ等
の輝尽励起光源105により走査し、蛍光体104が発する輝
尽発光を光伝達手段108を介して光検出器107により検出
する。この際、搬送ステージ109は、例えば上方から下
方に副走査し変換パネル103全体の輝尽発光を検出す
る。この時系列化された輝尽発光の電気信号は増幅器11
1で増幅されてから記憶手段113へ送られる。また、変換
パネル103の蛍光体側表面に対向する位置には消去用光
源110が設けられ、輝尽発光を検出後、蛍光体に蓄積し
ている潜像を消去する。
【００２０】前記画像記録部及び画像読取部はハウジン
グ121で覆い、外部から熱的に遮断され、変換パネル103
を冷却する手段123を備えている。図中123はその一例で
外部冷却装置125で前記ハウジング121内に冷却した空気
を送り込み、ハウジング内を冷却するようになってい
る。この場合、冷風が直接変換パネル103にあたるとそ
の場所が他の場所と比べ低温になってしまい変換パネル
の温度を一様にすることが難しくなるので、冷風が直接
変換パネルあたらないようにするか、または冷却の効率
を良くするために冷風が変換パネルに一様にあたるよう
にすることが好ましい。外部冷却装置125としては冷却
水等の媒体を用いた熱交換媒体を用いたものでもよい
し、圧縮冷却式の冷却装置等であってもよい。また、ハ
ウジング121を冷却する方法としては、図３に示すよう
に変換パネル103周辺に冷却素子127を隣接させ変換パネ
ルを冷却する方法、他にハウジング外に圧縮式冷却装置
を設けハウジング内の空気を冷却して変換パネルを冷却
する方法、ハウジング内をHe、Ne、Ar等の不活性ガスま
たはN2等その他の乾燥した低温ガスで満たす方法、ある
いは上記冷却方法の組合せによるもの等が挙げられる。
また、前記方法により冷却された装置内の空気は、装置
外に排気せずに装置内を循環させることが望ましい。前
記冷却手段123は前記した装置あるいはこれ以外の装置
による場合でも、前記変換パネルの温度を250〜300゜K
の温度範囲に保持するものでなければならない。また、
より好ましくは270〜300゜Kの温度範囲に保持するもの
であることが望ましい。
グ121で覆い、外部から熱的に遮断され、変換パネル103
を冷却する手段123を備えている。図中123はその一例で
外部冷却装置125で前記ハウジング121内に冷却した空気
を送り込み、ハウジング内を冷却するようになってい
る。この場合、冷風が直接変換パネル103にあたるとそ
の場所が他の場所と比べ低温になってしまい変換パネル
の温度を一様にすることが難しくなるので、冷風が直接
変換パネルあたらないようにするか、または冷却の効率
を良くするために冷風が変換パネルに一様にあたるよう
にすることが好ましい。外部冷却装置125としては冷却
水等の媒体を用いた熱交換媒体を用いたものでもよい
し、圧縮冷却式の冷却装置等であってもよい。また、ハ
ウジング121を冷却する方法としては、図３に示すよう
に変換パネル103周辺に冷却素子127を隣接させ変換パネ
ルを冷却する方法、他にハウジング外に圧縮式冷却装置
を設けハウジング内の空気を冷却して変換パネルを冷却
する方法、ハウジング内をHe、Ne、Ar等の不活性ガスま
たはN2等その他の乾燥した低温ガスで満たす方法、ある
いは上記冷却方法の組合せによるもの等が挙げられる。
また、前記方法により冷却された装置内の空気は、装置
外に排気せずに装置内を循環させることが望ましい。前
記冷却手段123は前記した装置あるいはこれ以外の装置
による場合でも、前記変換パネルの温度を250〜300゜K
の温度範囲に保持するものでなければならない。また、
より好ましくは270〜300゜Kの温度範囲に保持するもの
であることが望ましい。
【００２１】前記変換パネル103は前述の如く沃素を含
む蛍光体を使用するため輝尽発光強度が極めて高く、ま
た前記冷却手段123により250〜300゜Kの温度範囲に冷却
されるため輝尽発光強度のフェーディングを抑制するこ
とができ、信号の補正を容易にする。また他の効果とし
て読取信号が増大することにより被写体102の被曝線量
を減少させ得る。
む蛍光体を使用するため輝尽発光強度が極めて高く、ま
た前記冷却手段123により250〜300゜Kの温度範囲に冷却
されるため輝尽発光強度のフェーディングを抑制するこ
とができ、信号の補正を容易にする。また他の効果とし
て読取信号が増大することにより被写体102の被曝線量
を減少させ得る。
【００２２】前記装置は、前記変換パネル103の温度を
一定に保ち、またパネル面内の温度を均一にする温度制
御手段131を持たねばならない。例えば図４に示す如く
前記変換パネル103の数カ所に温度を測定できる手段Ｓ
を設け、該手段で温度を測定し、その測定データを前記
冷却手段に送り、該データを基に変換パネルの温度を制
御する方法等がある。変換パネル103の温度の経時の変
化は、温度安定後、ある一点でみたとき平均温度に対
し、±３℃以内であることが好ましく、さらに好ましく
は±１℃以内であることが望ましい。また、変換パネル
103の温度のパネル内での位置に関するばらつきは、変
換パネルの平均温度に対し、±３℃以内であることが好
ましく、さらに好ましくは±１℃以内であることが望ま
しい。変換パネル103の冷却は放射線照射の前に行わね
ばならなく、実際の変換パネルの温度が設定温度のばら
つき内に入り、また変換パネル内の温度差もばらつき内
に入った後に画像の撮影および読取を行うことが好まし
い。さらに好ましくはその後10〜20分時間をおいた後に
行うことが望ましい。
一定に保ち、またパネル面内の温度を均一にする温度制
御手段131を持たねばならない。例えば図４に示す如く
前記変換パネル103の数カ所に温度を測定できる手段Ｓ
を設け、該手段で温度を測定し、その測定データを前記
冷却手段に送り、該データを基に変換パネルの温度を制
御する方法等がある。変換パネル103の温度の経時の変
化は、温度安定後、ある一点でみたとき平均温度に対
し、±３℃以内であることが好ましく、さらに好ましく
は±１℃以内であることが望ましい。また、変換パネル
103の温度のパネル内での位置に関するばらつきは、変
換パネルの平均温度に対し、±３℃以内であることが好
ましく、さらに好ましくは±１℃以内であることが望ま
しい。変換パネル103の冷却は放射線照射の前に行わね
ばならなく、実際の変換パネルの温度が設定温度のばら
つき内に入り、また変換パネル内の温度差もばらつき内
に入った後に画像の撮影および読取を行うことが好まし
い。さらに好ましくはその後10〜20分時間をおいた後に
行うことが望ましい。
【００２３】フェーディング特性は前記変換パネル103
の温度が低いほど良いので、読取が遅い位置ほど変換パ
ネルの温度を低温にする方法が考えられる。この方法に
よれば、読取開始直後の変換パネル103の信号値と読取
が遅い位置の変換パネルの信号値の大きさの差が小さく
なり、より均一な画像を得ることができる。この方法を
用いる場合、上記では変換パネル103の温度が均一にな
るように冷風が直接変換パネルにあたらないようにした
が、この冷風を直接変換パネルの下方（読取りを上方か
ら行う場合）にあたるようにすることにより、変換パネ
ルの下方ほど低温にすることができる。直接冷風をあて
ないにしても間接的に変換パネル103の下方を冷却する
ことにより、また別途上記の冷却方法で下方より変換パ
ネルを冷却することにより、変換パネルの下方ほど低温
にすることができる。
の温度が低いほど良いので、読取が遅い位置ほど変換パ
ネルの温度を低温にする方法が考えられる。この方法に
よれば、読取開始直後の変換パネル103の信号値と読取
が遅い位置の変換パネルの信号値の大きさの差が小さく
なり、より均一な画像を得ることができる。この方法を
用いる場合、上記では変換パネル103の温度が均一にな
るように冷風が直接変換パネルにあたらないようにした
が、この冷風を直接変換パネルの下方（読取りを上方か
ら行う場合）にあたるようにすることにより、変換パネ
ルの下方ほど低温にすることができる。直接冷風をあて
ないにしても間接的に変換パネル103の下方を冷却する
ことにより、また別途上記の冷却方法で下方より変換パ
ネルを冷却することにより、変換パネルの下方ほど低温
にすることができる。
【００２４】冷却するにあたり装置内及び装置外側の結
露の防止のため、前記ハウジング121に結露防止手段141
を施さねばならない。装置内に外気が入ることが装置内
の結露の原因となるので、装置内の気圧を外気よりも高
くする、装置内を完全に密閉する、装置内部に送り込む
空気は十分に乾燥したものを送り込む、またはそれらを
組合せる等の方法をとる。装置内の気圧を高く保った状
態で装置を停止するときは、装置内温度が外気温と同じ
になるまで徐々に装置内温度を上げていき、この間も装
置内の気圧は外気よりも高いまま保持しておく必要があ
る。この他の方法についても同様で、装置内の温度が外
気温と同じになるまで上記措置を継続しなければならな
い。装置外側の結露防止の方法としては前記ハウジング
121の内側または外側を断熱材で覆うか、ハウジングを
断熱材で作る等がある。断熱材としては例えば、有機質
断熱材としてコルク等の天然材料や有機合成材料を基材
とするポリスチレンフォーム、ポリエチレンフォーム、
硬質塩化ビニルフォーム、硬質ポリウレタンフォーム、
ユリアフォーム、フェノールフォーム等があり、無機質
断熱材には繊維質（石綿、ロックウール、グラスウール
等）、粉末質（塩基性炭酸マグネシウム、珪酸カルシウ
ム等）、多気泡質（泡ガラス）、軽量キャスタブル、耐
火断熱煉瓦等がある。図５（ａ）〜（ｃ）は上記結露防
止手段として断熱材を設けた場合の代表例であり、それ
ぞれ前記ハウジング121の内側を断熱材141で覆う態様、
ハウジングの外側を断熱材で覆う態様、ハウジングを断
熱材で作った態様である。
露の防止のため、前記ハウジング121に結露防止手段141
を施さねばならない。装置内に外気が入ることが装置内
の結露の原因となるので、装置内の気圧を外気よりも高
くする、装置内を完全に密閉する、装置内部に送り込む
空気は十分に乾燥したものを送り込む、またはそれらを
組合せる等の方法をとる。装置内の気圧を高く保った状
態で装置を停止するときは、装置内温度が外気温と同じ
になるまで徐々に装置内温度を上げていき、この間も装
置内の気圧は外気よりも高いまま保持しておく必要があ
る。この他の方法についても同様で、装置内の温度が外
気温と同じになるまで上記措置を継続しなければならな
い。装置外側の結露防止の方法としては前記ハウジング
121の内側または外側を断熱材で覆うか、ハウジングを
断熱材で作る等がある。断熱材としては例えば、有機質
断熱材としてコルク等の天然材料や有機合成材料を基材
とするポリスチレンフォーム、ポリエチレンフォーム、
硬質塩化ビニルフォーム、硬質ポリウレタンフォーム、
ユリアフォーム、フェノールフォーム等があり、無機質
断熱材には繊維質（石綿、ロックウール、グラスウール
等）、粉末質（塩基性炭酸マグネシウム、珪酸カルシウ
ム等）、多気泡質（泡ガラス）、軽量キャスタブル、耐
火断熱煉瓦等がある。図５（ａ）〜（ｃ）は上記結露防
止手段として断熱材を設けた場合の代表例であり、それ
ぞれ前記ハウジング121の内側を断熱材141で覆う態様、
ハウジングの外側を断熱材で覆う態様、ハウジングを断
熱材で作った態様である。
【００２５】さらに装置の内側を断熱材で覆う場合は、
ハウジング121を線または面のヒータで加熱しハウジン
グの冷却を防ぐことが好ましい。ここで被写体に対峙す
る前面板を加熱するヒータはＸ線透過率が極めて高い材
料でなければならない。図６は上記ヒータを設けた場合
の代表例であり、ハウジング121と断熱材141の間にヒー
タ143を入れている。また、ハウジングと断熱材の間に
空気層を設ける等の方法も考えられる。
ハウジング121を線または面のヒータで加熱しハウジン
グの冷却を防ぐことが好ましい。ここで被写体に対峙す
る前面板を加熱するヒータはＸ線透過率が極めて高い材
料でなければならない。図６は上記ヒータを設けた場合
の代表例であり、ハウジング121と断熱材141の間にヒー
タ143を入れている。また、ハウジングと断熱材の間に
空気層を設ける等の方法も考えられる。
【００２６】上記輝尽励起光源105としては、He-Neレー
ザ、He-Cdレーザ、Arイオンレーザ、Krイオンレーザ、N
2レーザ、YAGレーザ及びその第２高調波、ルビーレー
ザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レーザ等
の金属蒸気レーザ等のレーザがあげられる。この輝尽励
起光源は小型であること、高出力であること、また輝尽
励起スペクトルとのマッチングが良いものが好ましい。
光源光に輝尽発光スペクトルと重なる部分が含まれてい
る場合には、該スペクトル部分をカットするフィルタを
用いることが好ましい。さらに光電変換器には輝尽発光
を通し輝尽励起光をカットするフィルタを併用すること
が好ましく、前記光電変換器の光電変換系感度及びフィ
ルタの透過波長域と輝尽発光光とのマッチングの良いも
のが好ましい。
ザ、He-Cdレーザ、Arイオンレーザ、Krイオンレーザ、N
2レーザ、YAGレーザ及びその第２高調波、ルビーレー
ザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レーザ等
の金属蒸気レーザ等のレーザがあげられる。この輝尽励
起光源は小型であること、高出力であること、また輝尽
励起スペクトルとのマッチングが良いものが好ましい。
光源光に輝尽発光スペクトルと重なる部分が含まれてい
る場合には、該スペクトル部分をカットするフィルタを
用いることが好ましい。さらに光電変換器には輝尽発光
を通し輝尽励起光をカットするフィルタを併用すること
が好ましく、前記光電変換器の光電変換系感度及びフィ
ルタの透過波長域と輝尽発光光とのマッチングの良いも
のが好ましい。
【００２７】また、前記消去用光源110は輝尽性蛍光体1
04に該蛍光体の励起波長領域を含む光を発する光源であ
り、例えば特開昭56-11392号に示されているようなハロ
ゲンランプ、タングステンランプ、赤外線ランプ、LED
或いはレーザ光源等が任意に選択使用され得る。本発明
ではハウジング121内を冷却するので消去用光源110は極
力熱を発生しないものが好ましい。
04に該蛍光体の励起波長領域を含む光を発する光源であ
り、例えば特開昭56-11392号に示されているようなハロ
ゲンランプ、タングステンランプ、赤外線ランプ、LED
或いはレーザ光源等が任意に選択使用され得る。本発明
ではハウジング121内を冷却するので消去用光源110は極
力熱を発生しないものが好ましい。
【００２８】本発明の態様として、輝尽性蛍光体104は
下記一般式（１）で表されるアルカリハロゲン化物、ま
たは一般式（２）で表されるアルカリ土類弗化ハロゲン
化物であることが好ましい。
下記一般式（１）で表されるアルカリハロゲン化物、ま
たは一般式（２）で表されるアルカリ土類弗化ハロゲン
化物であることが好ましい。
【００２９】一般式（１）Ｍ1・aM2・bM3X1-xIx：Ａ Ｍ1：Li、Na、K、Rb、Cs のうち少なくとも一種のアル
カリ金属 Ｍ2：Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu、Niのうち少な
くとも一種の金属 Ｍ3：Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、D
y、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga、Inのうち少なくとも
一種の金属 Ｘ：F、Cl、Brのうち少なくとも一種のハロゲン Ａ：Eu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、L
u、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu、Mgのうち少なくとも一種の
金属 ０≦ａ≦0.3 ０≦ｂ≦0.3 一般式（２）Ba・aM2FX1-xIx：Ａ Ｍ2：Mg、Ca、Sr、Zn、Cdのうち少なくとも一種の金属 Ｘ：Cl、Brのうち少なくとも一種のハロゲン Ａ：Eu、Td、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Sm、Gd
のうち少なくとも一種の金属 ０≦ａ≦0.5 上記一般式中のｘの値は0.5≦ｘ≦１の範囲が好まし
く、さらに好ましくは0.8≦ｘ≦１の範囲であることが
望ましい。これは、低温にした場合、沃素が多い蛍光体
ほど感度の向上率が高くなるからである。また、付活剤
Ａの添加量は一般に蛍光体の付活剤の付活量として知ら
れている程度、即ち、母体の量１モルに対して10-1モル
以下が適当であり、さらに好ましくは10-6乃至10-2モル
である。
カリ金属 Ｍ2：Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu、Niのうち少な
くとも一種の金属 Ｍ3：Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、D
y、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga、Inのうち少なくとも
一種の金属 Ｘ：F、Cl、Brのうち少なくとも一種のハロゲン Ａ：Eu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、L
u、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu、Mgのうち少なくとも一種の
金属 ０≦ａ≦0.3 ０≦ｂ≦0.3 一般式（２）Ba・aM2FX1-xIx：Ａ Ｍ2：Mg、Ca、Sr、Zn、Cdのうち少なくとも一種の金属 Ｘ：Cl、Brのうち少なくとも一種のハロゲン Ａ：Eu、Td、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Sm、Gd
のうち少なくとも一種の金属 ０≦ａ≦0.5 上記一般式中のｘの値は0.5≦ｘ≦１の範囲が好まし
く、さらに好ましくは0.8≦ｘ≦１の範囲であることが
望ましい。これは、低温にした場合、沃素が多い蛍光体
ほど感度の向上率が高くなるからである。また、付活剤
Ａの添加量は一般に蛍光体の付活剤の付活量として知ら
れている程度、即ち、母体の量１モルに対して10-1モル
以下が適当であり、さらに好ましくは10-6乃至10-2モル
である。
【００３０】蛍光体としてRbBr1-xＩx：５×10-4Tl（x=
0,0.2,0.5,0.8,1）を用いて作製した変換パネルを各種
温度に保ち、そこに放射線を照射したのち輝尽励起光を
照射した際に生じるフェーディング値と輝尽発光強度を
測定した結果を図８〜図10に示す。図８はフェーディン
グ値の測定結果で、350゜kでの値を１としている。RbBr
0.7Ｉ0.3：Tlではフェーディング値は温度とともに徐々
に低下してくるが、沃素の割合が0.5となったRbBr0.5Ｉ
0.5：Tlでは320゜k付近から低温になるにつれその値は
急激に小さくなり、280゜kでは350゜kにおける値に対し
て32％になる。そして、この変化は沃素の割合が多い程
大きい。表１はそれぞれx=0,0.3,0.5,0.8,1.0での温度2
50、300、350゜kにおけるフェーディング値を示してあ
る。
0,0.2,0.5,0.8,1）を用いて作製した変換パネルを各種
温度に保ち、そこに放射線を照射したのち輝尽励起光を
照射した際に生じるフェーディング値と輝尽発光強度を
測定した結果を図８〜図10に示す。図８はフェーディン
グ値の測定結果で、350゜kでの値を１としている。RbBr
0.7Ｉ0.3：Tlではフェーディング値は温度とともに徐々
に低下してくるが、沃素の割合が0.5となったRbBr0.5Ｉ
0.5：Tlでは320゜k付近から低温になるにつれその値は
急激に小さくなり、280゜kでは350゜kにおける値に対し
て32％になる。そして、この変化は沃素の割合が多い程
大きい。表１はそれぞれx=0,0.3,0.5,0.8,1.0での温度2
50、300、350゜kにおけるフェーディング値を示してあ
る。
【００３１】
【表１】
【００３２】図９には輝尽発光強度の温度依存性が示し
てある。RbBr0.7Ｉ0.3：Tlでは輝尽発光強度は温度が下
がるほど徐々に大きくなっていくが、RbBr0.5Ｉ0.5：Tl
では320゜k付近から低温になるにつれその値は著しく大
きくなり、280゜kでは350゜kにおける値に対して3.8倍
にもなる。そして、この変化は沃素の割合が多い程大き
い。また図10は温度250、300、320、350゜kにおける輝
尽発光強度の沃素濃度依存性である。300゜k以下ではx=
0.5をこえると輝尽発光強度は急激に大きくなる。
てある。RbBr0.7Ｉ0.3：Tlでは輝尽発光強度は温度が下
がるほど徐々に大きくなっていくが、RbBr0.5Ｉ0.5：Tl
では320゜k付近から低温になるにつれその値は著しく大
きくなり、280゜kでは350゜kにおける値に対して3.8倍
にもなる。そして、この変化は沃素の割合が多い程大き
い。また図10は温度250、300、320、350゜kにおける輝
尽発光強度の沃素濃度依存性である。300゜k以下ではx=
0.5をこえると輝尽発光強度は急激に大きくなる。
【００３３】図11〜図13はBaFBr1-xＩx：Eu（X=0,0.2,
0.5,0.8,1）についての測定であるがRbBr1-xIx：Tlと同
様の結果を示している。
0.5,0.8,1）についての測定であるがRbBr1-xIx：Tlと同
様の結果を示している。
【００３４】前記効果はXの値が大きいほどすなわち沃
素を多く含んでいるほど大きく、特に温度領域が250〜3
00゜ｋでフェーディングは極めて小さくなる。そして、
280゜ｋ以下ではほぼ一定の値を示す。
素を多く含んでいるほど大きく、特に温度領域が250〜3
00゜ｋでフェーディングは極めて小さくなる。そして、
280゜ｋ以下ではほぼ一定の値を示す。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は極低温
に限られることのない温度で他の蛍光体と比べて極めて
小さいフェーディングとともに非常に高い読取信号を得
ることができる輝尽性蛍光体層を用いており、従って技
術的、コスト的に実用価値の高い、また良質の放射線画
像情報を得る放射線画像読取装置を提供することができ
る。即ち、該装置において前記変換パネルを冷却する程
度はたかだか250〜300゜Kであり冷却技術的には何の困
難もなく、しかもその冷却によって輝尽性蛍光体の熱に
よるフェーディングを極めて小さい値に抑制でき、また
他の輝尽性蛍光体と比較して著しく高い感度を得ること
ができる。その結果として蓄積記録量を増大することが
可能となるという優れた効果を奏することができる。
に限られることのない温度で他の蛍光体と比べて極めて
小さいフェーディングとともに非常に高い読取信号を得
ることができる輝尽性蛍光体層を用いており、従って技
術的、コスト的に実用価値の高い、また良質の放射線画
像情報を得る放射線画像読取装置を提供することができ
る。即ち、該装置において前記変換パネルを冷却する程
度はたかだか250〜300゜Kであり冷却技術的には何の困
難もなく、しかもその冷却によって輝尽性蛍光体の熱に
よるフェーディングを極めて小さい値に抑制でき、また
他の輝尽性蛍光体と比較して著しく高い感度を得ること
ができる。その結果として蓄積記録量を増大することが
可能となるという優れた効果を奏することができる。
【図１】輝尽性蛍光体の画像信号（例えば輝尽発光強
度）の減衰を示す図
度）の減衰を示す図
【図２】本発明の放射線画像読取装置の一例を示す概略
図
図
【図３】冷却手段の代表例を示す概略図
【図４】放射線画像変換パネルの温度測定手段の代表例
を示す概略図
を示す概略図
【図５】（ａ）〜（ｃ）図は装置に断熱材を設けた場合
の代表例を示す概略図
の代表例を示す概略図
【図６】装置にヒータを設けた場合の代表例を示す概略
図
図
【図７】蛍光体のフェーディング値の温度依存性の概略
図
図
【図８】本発明実施例の沃素含量の異る蛍光体のフェー
ディング値と温度（゜k）の関係を示す図
ディング値と温度（゜k）の関係を示す図
【図９】本発明実施例の沃素含量の異る蛍光体の輝尽発
光強度と温度（゜k）の関係を示す図
光強度と温度（゜k）の関係を示す図
【図１０】本発明実施例の各温度（゜k）における蛍光
体の沃素含量と輝尽発光強度の関係を示す図
体の沃素含量と輝尽発光強度の関係を示す図
【図１１】本発明実施例の沃素含量の異る蛍光体のフェ
ーディング値と温度（゜k）の関係を示す図
ーディング値と温度（゜k）の関係を示す図
【図１２】本発明実施例の沃素含量の異る蛍光体の輝尽
発光強度と温度（゜k）の関係を示す図
発光強度と温度（゜k）の関係を示す図
【図１３】本発明実施例の各温度（゜k）における蛍光
体の沃素含量と輝尽発光強度の関係を示す図
体の沃素含量と輝尽発光強度の関係を示す図
【符号の説明】 101 放射線源 102 被写体 103 放射線画像変換パネル 104 輝尽性蛍光体 105 励起光源 106 偏光器 107 光検出器 108 光伝達手段 109 搬送ステージ 110 消去用光源 121 ハウジング 123 冷却手段 125 外部冷却装置 127 冷却素子 131 温度制御手段 141 結露防止手段（断熱材） 143 ヒータ
Claims (4)
- 【請求項１】 輝尽発光を示す輝尽性蛍光体層を有する
放射線画像変換パネルに放射線を照射して放射線画像情
報を蓄積記録し、該放射線画像変換パネルに輝尽励起光
を照射して前記蓄積記録されている放射線画像情報を得
る放射線画像読取装置において、前記輝尽性蛍光体が沃
素を含み、かつ前記放射線画像変換パネルを250〜300゜
kの温度範囲に冷却する手段を有することを特徴とする
放射線画像読取装置。 - 【請求項２】 前記放射線画像変換パネルを270〜300゜
kの温度範囲に冷却することを特徴とする請求項１に記
載の放射線画像読取装置。 - 【請求項３】 前記輝尽性蛍光体がハロゲンとして沃素
を50パーセント以上含むアルカリハライド蛍光体である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線画像読
取装置。 - 【請求項４】 前記輝尽性蛍光体がハロゲンとして沃素
を50パーセント以上含むアルカリ土類弗化ハロゲン化物
蛍光体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の
放射線画像読取装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32056891A JPH05158174A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 放射線画像読取装置 |
| US08/341,272 US5432354A (en) | 1991-12-04 | 1994-11-17 | Radiographic image reading apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32056891A JPH05158174A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 放射線画像読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05158174A true JPH05158174A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18122891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32056891A Pending JPH05158174A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 放射線画像読取装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5432354A (ja) |
| JP (1) | JPH05158174A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000249796A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Japan Atom Energy Res Inst | 輝尽性蛍光体を用いた放射線計測装置及びその計測方法 |
| JP2006343172A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Hitachi Ltd | コンピュータ断層撮影装置 |
| JP2011221042A (ja) * | 2011-07-28 | 2011-11-04 | Fujifilm Corp | 画像検出器及び画像撮影システム |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5923043A (en) * | 1996-09-25 | 1999-07-13 | Agfa-Gevaert | Electron beam image recording and reproduction method |
| US6389156B1 (en) * | 1997-10-09 | 2002-05-14 | Konica Corporation | Method and apparatus for reading radiographic images |
| US6529618B1 (en) * | 1998-09-04 | 2003-03-04 | Konica Corporation | Radiation image processing apparatus |
| JP2001281345A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | エネルギー線検出装置およびその温度調整方法 |
| JP2003215736A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像撮像装置 |
| JP4328651B2 (ja) * | 2004-03-22 | 2009-09-09 | 富士フイルム株式会社 | 画像読取装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE31847E (en) * | 1973-01-02 | 1985-03-12 | Eastman Kodak Company | Apparatus and method for producing images corresponding to patterns of high energy radiation |
| JPS6090286A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換方法 |
| JPH0631910B2 (ja) * | 1986-12-03 | 1994-04-27 | コニカ株式会社 | 発熱体を組込んだ放射線画像変換パネル |
| JPH0731370B2 (ja) * | 1986-12-27 | 1995-04-10 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換方法およびそれに用いられる放射線像変換体 |
| DE8717526U1 (de) * | 1987-11-17 | 1989-04-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Autoradiographievorrichtung für Speicherleuchtstoffolien |
-
1991
- 1991-12-04 JP JP32056891A patent/JPH05158174A/ja active Pending
-
1994
- 1994-11-17 US US08/341,272 patent/US5432354A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000249796A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Japan Atom Energy Res Inst | 輝尽性蛍光体を用いた放射線計測装置及びその計測方法 |
| JP2006343172A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Hitachi Ltd | コンピュータ断層撮影装置 |
| JP2011221042A (ja) * | 2011-07-28 | 2011-11-04 | Fujifilm Corp | 画像検出器及び画像撮影システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5432354A (en) | 1995-07-11 |
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