JPH0731370B2

JPH0731370B2 - 放射線像変換方法およびそれに用いられる放射線像変換体

Info

Publication number: JPH0731370B2
Application number: JP30975286A
Authority: JP
Inventors: 哲荒川
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1986-12-27
Filing date: 1986-12-27
Publication date: 1995-04-10
Anticipated expiration: 2010-04-10
Also published as: JPS63165842A

Description

【発明の詳細な説明】［発明の分野］本発明は、放射線像変換方法およびその方法に用いられ
る放射線像変換体に関するものである。

［発明の背景］従来の放射線写真法に代わる方法として、たとえば特開
昭55-12145号公報等に記載されているような輝尽性蛍光
体を利用する放射線像変換方法が知られている。この方
法は被写体を透過した放射線、あるいは被検体から発せ
られた放射線のエネルギーを輝尽性蛍光体に吸収させ、
そののち輝尽性蛍光体を可視光線および赤外線から選ば
れる電磁波（励起光）時系列的に励起することにより、
輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを蛍
光（輝尽発光光）として放出させ、この蛍光を光電的に
読取って電気信号を得たのち電気信号を感光フィルム等
の記録材料、CRT等の表示装置上に可視像として再生す
るものである。

この放射線像変換方法によれば、従来の放射線写真法を
利用した場合に比較してはるかに少ない被曝線量で情報
量の豊富な放射線画像を得ることができるという利点が
ある。従って、この方法は、特に医療診断を目的とする
Ｘ線撮影などの直接医療用放射線撮影において利用価値
が非常に高いものである。

放射線像変換方法に用いられる放射線像変換パネル（蓄
積性蛍光体シートとも称する）は、基本構造として、支
持体とその片面に設けられた輝尽性蛍光体層とから構成
される。なお、輝尽性蛍光体層が自己支持性である場合
には支持体を必要としない。また、輝尽性蛍光体層の支
持体とは反対側の表面（支持体に面していない側の表
面）には、一般に透明な保護膜が設けられていて蛍光体
層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から保護してい
る。

上記放射線像変換方法および放射線像変換パネルの感度
はできる限り高いことが望ましく、従って、それに用い
られる輝尽性蛍光体は輝尽発光量ができる限り多いこと
が望ましいが、同時にフェーディング特性、放射線残光
特性、消去特性および残像特性などの他の発光特性も良
好であることが望まれている。

フェーディングとは、輝尽性蛍光体が放射線エネルギー
を吸収蓄積したのち経時により徐々に蓄積エネルギーを
失って、ある時間経過後に蛍光体を電磁波で励起したと
き輝尽発光量が少なくなる現象をいい、放射線の照射に
よる放射線像の記録と励起光の照射による読出しとが時
間的に離れている場合には、放射線像変換方法およびパ
ネルの実質的な感度低下をもたらす。

二価ユーロピウム賦活弗化臭化ハロゲン化物蛍光体など
の輝尽性蛍光体はＸ線等の放射線の照射を受けると瞬時
発光を示すが、放射線残光とは、放射線の照射を停止し
たのちなお輝尽性発光体から放射される瞬時発光光をい
い、放射線の照射直後に励起光による読出しを行なう場
合には画像のS/N比の低下を引き起こし、画質を低下さ
せることになる。

また、輝尽性蛍光体からなる放射線像変換パネルは繰り
返し使用されるものであるが、レーザー光でパネルを走
査することからなる通常の読出し操作では放射線エネル
ギーは放出し尽されず、読出し後および／または放射線
像の記録前にパネルに光、熱などを加えて残存する放射
線エネルギーを除去すること（消去操作）が行なわれて
いる。従って同じく画質の点から、残存エネルギーの消
去が容易であって消去効率が優れていること、さらに消
去後経時により残存エネルギーの一部が読出し可能とな
る現象（残像の浮き上がり）が生じないことが望まれ
る。

［発明の要旨］本発明は、フェーディング特性の向上した放射線像変換
方法およびその方法に用いられる放射線像変換体を提供
するものである。

また、本発明は、放射線残光特性の向上した放射線像変
換方法およびその方法に用いられる放射線像変換体を提
供するものである。

さらに、本発明は、消去・残像特性の向上した放射線像
変換方法およびその方法に用いられる放射線像変換体を
提供するものである。

本発明は、輝尽性蛍光体層と熱電冷却素子からなる冷却
板との積層体を用意し、冷却板で冷却することにより輝
尽性蛍光体層を25℃より低い温度に冷却しながら、この
輝尽性蛍光体層に、被写体を透過したあるいは被写体か
ら発せられた放射線を照射して放射線エネルギーを吸収
させた後、輝尽性蛍光体層の25℃以下の冷却を続けなが
ら輝尽性蛍光体層に励起光を照射して輝尽性蛍光体層に
蓄積されていた放射線エネルギーを輝尽発光光として放
出させ、ついでこの輝尽発光光を検出することからなる
放射線像変換方法にある。

また、本発明は、熱電冷却素子からなる冷却板と、この
上に積層された輝尽性蛍光体層とを含む上記の放射線像
変換方法に有利に使用される放射線像変換体にもある。

すなわち、本発明は、輝尽性蛍光体からなる輝尽性蛍光
体層を常温より低い温度状態において放射線像の記録お
よび再生を行なうことにより、フェーディング特性、放
射線残光特性など輝尽性蛍光体の発光特性の向上を実現
し、これにより、放射線像変換方法および放射線像変換
体の感度および画像の画質の改良を図るものである。

本発明において、輝尽性蛍光体層の冷却は熱電冷却素子
からなる冷却器を用いて行なわれる。この熱電冷却素子
からなる冷却器は、二種の金属または半導体を接続して
電流を流すとこの接点で熱の発生または吸収が生じる現
象（『ペルチエ効果』）を利用するものであり、異種金
属または半導体に電子が流れ込むときにその接点では電
位障壁の大きさに応じたエネルギーが失われて冷却され
る一方で、該金属または半導体から電子が流れ出るとき
には他方の接点で同じエネルギーが与えられて発熱を生
じる。従って、放熱側の温度を下げることにより更に冷
却側の温度を下げたり、あるいは放熱側の温度を調節す
ることにより冷却側を一定温度に保つことができる。

冷却器（冷却板）は、冷却部側で輝尽性蛍光体層と接す
るように蛍光体層の片側（読出し側とは反対の側）に、
一体化されて使用されるか、あるいは別体で設けられて
使用される。

本発明者の研究によれば、フェーディング特性は輝尽性
蛍光体が低温であるほど良好であるから、放熱線の照射
から励起光による読出しに至るまで上記冷却器を用いて
輝尽性蛍光体層を低温下におくことにより輝尽性蛍光体
のフェーディング特性を顕著に改良することができ、こ
れを用いた放射線像変換方法および放射線像変換体の感
度を実質的に高めることができる。

また、輝尽性蛍光体のＸ線等の放射線に対する残光特性
は一般に温度依存性を有している。本発明者の研究によ
れば、輝尽性蛍光体層の温度を常温より低く設定するこ
とにより、輝尽性蛍光体の放射線残光を著しく軽減する
ことができ、放射線像変換方法および放射線像変換体に
よって得られる画像の画質を改善することができる。

さらに、残像の浮き上がりも輝尽性蛍光体層を低温に保
つことにより軽減することができる。また、冷却器に電
流を逆に流すことにより冷却部と放熱部を逆転させるこ
とができるから、蛍光体層を加熱して熱消去を行なうこ
とが可能であり、消去操作が容易となる。

以上の利点に加えて、輝尽性蛍光体層を一定温度に維持
することができるから、測定毎あるいはパネル毎に輝尽
性蛍光体の諸発光特性に差異が生じるのを軽減もしくは
解消することができる。また、輝尽性蛍光体自体の耐久
性を高めることができる。

［発明の構成］本発明の放射線像変換方法に用いられる放射線像変換体
および放射線像変換パネルと冷却器との組合せについ
て、添付図面を参照しながら説明する。

第１図は、本発明の放射線像変換体の構成例を示す断面
図であり、冷却板が輝尽性蛍光体層に一体化された構成
をとる。第２図は、本発明の方法に用いられる放射線像
変換パネルと冷却器との組合せからなる放射線像変換体
の例を示す断面図であり、冷却器は輝尽性蛍光体層と別
体で設けられている。

第１図において、放射線像変換体は、順に熱電冷却素子
からなる冷却板１、輝尽性蛍光体層２および保護膜３か
ら構成される。冷却板１には電圧をかけるためのリード
線1aが引かれており、そして蛍光体層が設けられている
側の表面1bが冷却部（正電流を流した場合）であり、反
対側の裏面1cが放熱部である。

第２図において、独立の冷却器４にはリード線4aが引か
れており、表面4bは冷却部（正電流を流した場合）であ
り、裏面4cは放熱部である。放射線像変換パネル５は、
順に支持体4a、輝尽性蛍光体層4bおよび保護膜4cから構
成される。使用に際しては、冷却器４とパネル５とをそ
の冷却部4bと支持体5aとが向かい合うように接触させ
る。

冷却板１および冷却器４それぞれの冷却部と放熱部と
は、逆電流を流した場合に逆転させることができる。

ただし、本発明の放射線像変換体はいずれも上記の構成
例に限定されるものではなく、輝尽性蛍光体層（または
パネル）を冷却板（冷却器）の冷却部と接触状態で使用
することができる限り、任意の構成をとることができ
る。たとえば、冷却部表面の温度をより低温に、もしく
は一定温度に保つために反対側の放熱部側には冷却装
置、ファンなどの熱交換器が一体化されてまたは別体で
設けられていてもよい。

本発明の放射線像変換方法を第１図の放射線像変換体を
用いる態様を例にとり、第３図に示す概略図を用いて具
体的に説明する。

第３図において、11はＸ線などの放射線発生装置、12は
被写体、13は本発明の放熱線像変換体（a:輝尽性蛍光体
層、b:冷却板、c:ファン）、14は放射線像変換体13上に
形成された放射線エネルギーの蓄積像を蛍光として放出
させるための励起源としての光源、15は放射線像変換体
13より放射された蛍光を検出する光電変換装置、16は光
電変換装置15で検出された光電変換信号を画像として再
生する装置、17は再生された画像を表示する装置、そし
て18は光源14からの反射光を透過させないで放射線像変
換体13より放射された蛍光のみを透過させるためのフィ
ルターである。

なお、第３図は被写体の放射線透過像を得る場合の例を
示しているが、被写体12自体が放射線を発するもの（本
明細書においてはこれを被検体という）である場合に
は、上記の放射線発生装置11は特に設置する必要はな
い。また、光電変換装置15〜画像表示装置17までは、放
射線像変換体13から蛍光（輝尽発光光）として放出され
る情報を何らかの形で画像として再生できる他の適当な
装置を変えることもできる。

第３図に示すように、まず放射線像変換体13の冷却板ｂ
に電流を流して、隣接する輝尽性蛍光体層ａを常温（25
℃）より低い温度に保つ。好ましくは０〜20℃の範囲で
ある。また一定温度に保つのが望ましい。このとき、フ
ァンｃを稼動させることにより、輝尽性蛍光体層ａをよ
り一層低くかつ一定の温度に維持することができる。

次に、被写体12に放射線発生装置11からＸ線などの放射
線を照射すると、その放射線は被写体12をその各部の放
射線透過率に比例して透過する。被写体12を透過した放
射線は、次に放射線像変換体13の輝尽性蛍光体層ａ側か
ら入射し、その放射線の強弱に比例して輝尽性蛍光体層
ａに吸収される。すなわち、輝尽性蛍光体層ａ上には放
射線透過像に相当する放射線エネルギーの蓄積像（一種
の潜像）が形成される。

次いで、放射線像変換体13の輝尽性蛍光体層ａに光源14
を用いて可視乃至赤外領域から選ばれる電磁波（励起
光）を照射すると、輝尽性蛍光体層ａに形成された放射
線エネルギーの蓄積像は蛍光として放射される。この放
射される蛍光は、吸収された放射線エネルギーの強弱に
比例している。この蛍光の強弱で構成される光信号を、
たとえば光電子増倍管などの光電変換装置15で電気信号
に変換し、画像再生装置16によって画像として再生し、
画像表示装置17によってこの画像を表示する。

放射線像変換体の輝尽性蛍光体層に記録された画像情報
を蛍光として読み出す操作は、一般にレーザー光で輝尽
性蛍光体層を時系列的に走査し、この走査によって輝尽
性蛍光体層から放射される蛍光を適当な集光体を介して
光電子増倍管等の光検出器で検出し、時系列電気信号を
得ることによって行なわれる。この読出しは観察読影性
能のより優れた画像を得るために、低エネルギーの励起
光の照射による先読み操作と高エネルギーの励起光の照
射による本読み操作とから構成されていてもよい（特開
昭58-67240号公報参照）。この先読み操作を行なうこと
により本読み操作における読出し条件を好適に設定する
ことができるとの利点がある。

上記の読出し操作は、たとえば放射線像変換体を装置に
固定した状態で、もしくは面方向に水平に移動させなが
ら行なわれる。

また、たとえば光電変換装置として光導電体およびフォ
トダイオードなどの固体光電変換素子を用いることもで
きる（特開昭59-211263号、特開昭59-211264号、特開昭
60-111568号、特開昭60-111571号および特開昭58-12187
4号の各公報参照）。この場合には、多数の固体光電変
換素子が輝尽性蛍光体層の全表面を覆うように構成さ
れ、放射線像変換体と一体化されていてもよいし、ある
いは放射線像変換体に近接した状態で配置されていても
よい。また、光電変換装置は複数の光電変換素子が線状
に連なったラインセンサであってもよいし、あるいは一
画素に対応する一個の固体光電変換素子から構成されて
いてもよい。

上記の場合の光源としては、レーザー等のように点光源
のほかに、発光ダイオード（LED）や半導体レーザー等
を列状に連ねてなるアレイなどの線光源であってもよ
い。このような装置を用いて読出しを行なうことによ
り、放射線像変換体から放出される蛍光の損失を防ぐと
同時に受光立体角を大きくしてS/N比を高めることがで
きる。また、得られる電気信号は励起光の時系列的な照
射によってではなく、光検出器の電気的な処理によって
時系列化されるために、読出し速度を速くすることが可
能である。

画像情報の読出しが行なわれた放射線像変換体に対して
は、蛍光体の励起光の波長領域の光を照射することによ
り、あるいは加熱することにより、残存している放射線
エネルギーの消去を行なってもよく、そうするのが好ま
しい（特開昭56-11392号および特開昭56-12599号公報参
照）。この消去操作を行なうことにより、次にこの放射
線像変換体を使用した時の残像によるノイズの発生を防
止することができる。さらに、読出し後と次の使用直前
の二度に渡って消去操作を行なうことにより、自然放射
能などによるノイズの発生を防いで更に効率良く消去を
行なうこともできる（特開昭57-116300号公報参照）。

なお、本発明においては、冷却板に逆電流を流すことに
より冷却板の輝尽性蛍光体層側表面を放熱部に変換して
蛍光体層を加熱することにより、消去操作を行なうこと
が可能であり、この場合には特別の消去装置を必要とし
ない。あるいは、従来の光消去操作と組み合わせて行な
うことにより消去時間を短縮化することができる。

本発明の放射線像変換方法において、被写体の放射線透
過像を得るのに用いられる放射線は、上記放射線像変換
体に含まれる輝尽性蛍光体がこの放射線の照射を受けた
後、さらに電磁波で励起された時に輝尽発光を示しうる
ものであればいかなる放射線であってもよく、たとえば
Ｘ線、中性子線、電子線、紫外線など一般によく知られ
ている放射線を用いることができる。また、被写体の放
射線像を得る場合に直接に被検体から発せられる放射線
も、同様に輝尽性蛍光体に吸収されて輝尽発光のエネル
ギー源となるものであればいかなる放射線であってもよ
く、その例としてはγ線、α線、β線などの放射線を挙
げることができる。

上記のようにして被写体もしくは被検体からの放射線を
吸収した輝尽性蛍光体を励起する電磁波の光源として
は、可視乃至赤外領域（約400〜900nmの波長領域）にバ
ンドスペクトル分布をもつ光を放射する光源のほかに、
Arイオンレーザー、He-Neレーザー、ルビー・レーザ
ー、半導体レーザー、ガラス・レーザー、YAGレーザ
ー、Krイオンレーザー、色素レーザー等のレーザーおよ
び発光ダイオードなどの光源を使用することができる。
これらのうちではレーザー光は、単位面積当りのエネル
ギー密度の高いレーザービームを放射線像変換体に照射
することができるため、本発明において用いる励起用光
源として好ましい。さらにその安定性および出力などの
点から、好ましいレーザー光はArイオンレーザー、Krイ
オンレーザー、He-Neレーザーおよび半導体レーザーで
ある。また、半導体レーザーは小型であること、駆動電
力が小さいこと、直接変調が可能なのでレーザー出力の
安定化が簡単にできることなどの理由から励起光源とし
て好ましい。

また、消去に用いられる光源としては、輝尽性蛍光体の
励起波長領域の光を放射するものであればよく、その例
としてはタングステンランプ、蛍光灯、ハロゲンラン
プ、高圧ナトリウムランプを挙げることができる。

本発明の放射線像変換方法は、輝尽性蛍光体層に放射線
のエネルギーを吸収蓄積させる蓄積（記録）部、この蛍
光体層に励起光を照射して放射線エネルギーを蛍光とし
て放出させる光検出（読出し）部、および蛍光体層中に
残存するエネルギーを放出させるための消去部を一つの
装置に内蔵したビルトイン型の放射線像変換装置に適用
することもできる（特開昭58-200269号および特開昭59-
192240号の各公報参照）。このようなビルトイン型の装
置を利用することにより放射線像変換体を循環再使用す
ることができ、安定した均質な画像を得ることができ
る。また、ビルトイン型とすることにより装置を小型
化、軽量化することができ、その設置および移動が容易
になる。さらにこの装置を移動車に搭載することによ
り、巡回放射線撮影が可能となる。

なお、上記においては輝尽性蛍光体層と冷却板とが一体
化された構成の放射線像変換体を使用する場合について
説明したが、本発明の放射線像変換方法は、輝尽性蛍光
体層を有する放射線像変換パネルと冷却器とが独立の構
成からなる組合せを用いることもできる。この場合には
実施にあたり、まずパネルの裏面（読出し側とは反対の
側であって、通常は支持体側表面）を冷却器の冷却部に
接触させたのち、冷却器に電流を流してパネルの輝尽性
蛍光体層を低温状態に設定維持し、この接触状態で上述
した放射線像の記録および再生が行なわれる。

また、冷却板（冷却器）による輝尽性蛍光体層の冷却は
放射線像の記録後、すなわち読出し過程でのみ行なうこ
とも勿論可能である。

次に、本発明の放射線像変換方法に用いられる放射線像
変換体について説明する。

放射線像変換体は、前述したように、実質的に冷却板と
この冷却板上に設けられた輝尽性蛍光体層とから構成さ
れる。

放射線像変換体は、たとえば、次に述べるような方法に
より製造することができる。

本発明に用いられる冷却板は、熱電冷却素子からなる。
金属及び半導体（Bi₂Te₃、Sb₂Te₃、PbTe、BiSbTe₃、ZnS
b、GeTeなど）からな群より選ばれる二種類の物質を用
いてペルチエ効果を利用する熱電冷却素子については既
に公知であり、本発明においても公知の熱電冷却素子を
用いることができる。冷却板の冷却部側表面にはアルマ
イト加工されたアルミニウム板が設けられていてもよ
い。また、冷却板の放熱側表面には、冷却部を更に低い
温度もしくは一定温度にする目的で、水冷装置、ファン
などの熱交換器が一体化されてもしくは独立に付設され
ていてもよい。さらに温度を一定に保つためにサーモセ
ンサまたはサーモコントローラが付設されていてもよ
い。

冷却板に電流を流すことにより、表面の冷却部では吸熱
現象が起こって温度が低下する。一方、裏面の放熱部で
は発熱現象が起こって温度が上昇する。この冷却現象を
利用して冷却板に隣接する輝尽性蛍光体層を常温より低
い温度に保つことができる。冷却板は、０〜20℃の範囲
内で一定温度に保ちうる能力を具備しているのが好まし
い。

また、冷却板に逆電流を流した場合には表面の冷却部は
放熱部に逆転し、輝尽性蛍光体層の加熱が可能となる。

なお、本発明において冷却板は金属もしくは半導体材料
から構成されているので、公知の放射線像変換パネルに
おける支持体の機能も果す。

冷却板上に輝尽性蛍光体層を形成するに先立って、冷却
板と蛍光体層の結合を強化するため、あるいは放射線像
変換体としての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を
更に向上させるために、蛍光体層が設けられる側の冷却
板表面にゼラチンなどの高分子物質を塗布して接着性与
層としたり、あるいは二酸化チタンなどの光反射性物質
からなる光反射層、カーボンブラックなどの光吸収性物
質からなる光吸収層などを設けてもよい。

さらに、特開昭58-200200号公報に記載されているよう
に、画像の鮮鋭度を向上させる目的で、冷却板の輝尽性
蛍光体層側の表面（蛍光体層側表面に接着性付与層、光
反射層あるいは光吸収層等が設けられている場合には、
その表面を意味する）には微小の凹凸が形成されていて
もよい。

次に、冷却板の冷却部側表面には輝尽性蛍光体層が形成
される。

輝尽性蛍光体層は基本的には輝尽性蛍光体からなる層で
ある。たとえば、輝尽性蛍光体の粒子とこれを分散状態
で含有支持する結合剤とから構成されていてもよいし、
あるいは実質的に輝尽性蛍光体のみから構成されていて
もよい。

輝尽性蛍光体は、先に述べたように放射線を照射した
後、励起光を照射すると輝尽発光を示す蛍光体である
が、実用的な面からは波長が400〜900nmの範囲にある励
起光によって300〜500nmの波長範囲の輝尽発光を示す蛍
光体であることが望ましい。本発明の放射線像変換体に
用いられる輝尽性蛍光体の例としては、米国特許第3,859,527号明細書に記載されているSrS:Ce,
Sm、SrS:Eu,Sm、ThO₂:Er、およびLa₂O₂S:Eu,Sm、特開昭55-12142号公報に記載されているZnS:Cu,Pb、BaO
・xAl₂O₃:Eu（ただし、0.8≦ｘ≦10）、および、M^IIO・
xSiO₂:A（ただし、M^IIはMg、Ca、Sr、Zn、Cd、またはBa
であり、ＡはCe、Tb、Eu、Tm、Pb、Tl、Bi、またはMnで
あり、ｘは、0.5≦ｘ≦2.5である）、特開昭55-12143号公報に記載されている（Ba_1-x_-y,Mgx,
Cay）FX:aEu²⁺（ただし、ＸはClおよびBrのうちの少な
くとも一つであり、ｘおよびｙは、０＜ｘ＋ｙ≦0.6、
かつxy≠０であり、ａは、10^-6≦ａ≦５×10^-2であ
る）、特開昭55-12144号公報に記載されているLnOX:xA（ただ
し、LnはLa、Ｙ、Gd、およびLuのうちの少なくとも一
つ、ＸはClおよびBrのうちの少なくとも一つ、ＡはCeお
よびTbのうちの少なくとも一つ、そして、ｘは、０＜ｘ
＜0.1である）、特開昭55-12145号公報に記載されている（Ba_1-x,M²⁺x）
FX:yA（ただし、M²⁺はMg、Ca、Sr、Zn、およびCdのうち
の少なくとも一つ、ＸはCl、Br、およびＩのうちの少な
くとも一つ、ＡはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Y
b、およびErのうちの少なくとも一つ、そしてｘは、０
≦ｘ≦0.6、ｙは、０≦ｙ≦0.2である）、特開昭55-160078号公報に記載されているM^IIFX・xA:yLn
［ただし、M^IIはBa、Ca、Sr、Mg、Zn、およびCdのうち
の少なくとも一種、ＡはBeO、MgO、CaO、SrO、BaO、Zn
O、Al₂O₃、Y₂O₃、La₂O₃、In₂O₃、SiO₂、TiO₂、ZrO₂、Ge
O₂、SnO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、およびThO₂のうちの少なくと
も一種、LnはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、E
r、Sm、およびGdのうちの少なくとも一種、ＸはCl、B
r、およびＩのうちの少なくとも一種であり、ｘおよび
ｙはそれぞれ５×10^-5≦ｘ≦0.5、および０＜ｙ≦0.2で
ある］の組成式で表わされる蛍光体、特開昭56-116777号公報に記載されている（Ba_1-x,M
^IIx）F₂・aBaX₂:yEu,zA［ただし、M^IIはベリリウム、マ
グネシウム、カルシウム、ストロンチウム、亜鉛、およ
びカドミウムのうちの少なくとも一種、Ｘは塩素、臭
素、および沃素のうちの少なくとも一種、Ａはジルコニ
ウムおよびスカンジウムのうちの少なくとも一種であ
り、ａ、ｘ、ｙ、およびｚはそれぞれ0.5≦ａ≦1.25、
０≦ｘ≦１、10^-6≦ｙ≦２×10^-1、および０＜ｚ≦10^-2
である］の組成式で表わされる蛍光体、特開昭57-23673号公報に記載されている（Ba_1-x,M^IIx）
F₂・aBaX₂:yEu,zB［ただし、M^IIはベリリウム、マグネ
シウム、カルシウム、ストロンチウム、亜鉛、およびカ
ドミウムのうちの少なくとも一種、Ｘは塩素、臭素、お
よび沃素のうちの少なくとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、
およびｚはそれぞれ0.5≦ａ≦1.25、０≦ｘ≦１、10^-6
≦ｙ≦２×10^-1、および０＜ｚ≦２×10^-1である］の組
成式で表わされる蛍光体、特開昭57-23675号公報に記載されている（Ba_1-x,M^IIx）
F₂・aBaX₂:yEu,zA［ただし、M^IIはベリリウム、マグネ
シウム、カルシウム、ストロンチウム、亜鉛、およびカ
ドミウムのうちの少なくとも一種、Ｘは塩素、臭素、お
よび沃素のうちの少なくとも一種、Ａは砒素および珪素
のうちの少なくとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、およびｚ
はそれぞれ0.5≦ａ≦1.25、０≦ｘ≦１、10^-6≦ｙ≦２
×10^-1、および０＜ｚ≦５×10^-1である］の組成式で表
わされる蛍光体、特開昭58-69281号公報に記載されているM^IIIOX:xCe［た
だし、M^IIIはPr、Nd、Pm、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、T
m、Yb、およびBiからなる群より選ばれる少なくとも一
種の三価金属であり、ＸはClおよびBrのうちのいずれか
一方あるいはその両方であり、ｘは０＜ｘ＜0.1であ
る］の組成式で表わされる蛍光体、特開昭58-206678号公報に記載されているBa_1-xM_X _］ ₂Lx
_］ ₂FX:yEu²⁺［ただし、ＭはLi、Na、Ｋ、Rb、およびCs
からなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属
を表わし;Lは、Sc、Ｙ、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Gd、
Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga、In、およびTlか
らなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属を表わ
し;Xは、Cl、Br、およびＩからなる群より選ばれる少な
くとも一種のハロゲンを表わし；そして、ｘは10^-2≦ｘ
≦0.5、ｙは０＜ｙ≦0.1である］の組成式で表わされる
蛍光体、特開昭59-27980号公報に記載されているBaFX・xA:yEu²⁺
［ただし、Ｘは、Cl、Br、およびＩからなる群より選ば
れる少なくとも一種のハロゲンであり;Aは、テトラフル
オロホウ酸化合物の焼成物であり；そして、ｘは10^-6≦
ｘ≦0.1、ｙは０＜ｙ≦0.1である］の組成式で表わされ
る蛍光体、特開昭59-47289号公報に記載されているBaFX・xA:yEu²⁺
［ただし、Ｘは、Cl、Br、およびＩからなる群より選ば
れる少なくとも一種のハロゲンであり;Aは、ヘキサフル
オロケイ酸、ヘキサフルオロチタン酸およびヘキサフル
オロジルコニウム酸の一価もしくは二価金属の塩からな
るヘキサフルオロ化合物群より選ばれる少なくとも一種
の化合物の焼成物であり；そして、ｘは10^-6≦ｘ≦0.
1、ｙは０＜ｙ≦0.1である］の組成式で表わされる蛍光
体、特開昭59-56479号公報に記載されているBaFX・xNaX′:a
Eu²⁺［ただし、ＸおよびＸ′は、それぞれCl、Br、およ
びＩのうちの少なくとも一種であり、ｘおよびａはそれ
ぞれ０＜ｘ≦２、および０＜ａ≦0.2である］の組成式
で表わされる蛍光体、特開昭59-56480号公報に記載されているM^IIFX・xNaX′:
yEu²⁺:zA［ただし、M^IIは、Ba、Sr、およびCaからなる
群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であ
り;XおよびＸ′は、それぞれCl、Br、およびＩからなる
群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり;Aは、
Ｖ、Cr、Mn、Fe、Co、およびNiより選ばれる少なくとも
一種の遷移金属であり；そして、ｘは０＜ｘ≦２、ｙは
０＜ｙ≦0.2、およびｚは０＜ｚ≦10^-2である］の組成
式で表わされる蛍光体、特開昭59-75200号公報に記載されているM^IIFX・aM^IX′
・bM′^IIX″_２・cM^IIIX_３・xA:yEu²⁺［ただし、M^IIは
Ba、Sr、およびCaからなる群より選ばれる少なくとも一
種のアルカリ土類金属であり;M^IはLi、Na、Ｋ、Rb、お
よびCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカ
リ金属であり;M′^IIはBeおよびMgからなる群より選ばれ
る少なくとも一種の二価金属であり;M^IIIはAl、Ga、I
n、およびTlからなる群より選ばれる少なくとも一種の
三価金属であり;Aは金属酸化物であり;XはCl、Br、およ
びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲン
であり;X′、Ｘ″、およびＸは、Ｆ、Cl、Br、および
Ｉからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンで
あり；そして、ａは０≦ａ≦２、ｂは０≦ｂ≦10^-2、ｃ
は０≦ｃ≦10^-2、かつａ＋ｂ＋ｃ≧10^-6であり;xは０＜
ｘ≦0.5、ｙは０＜ｙ≦0.2である］の組成式で表わされ
る蛍光体、特開昭60-84381号公報に記載されているM^IIX₂・aM^IIX′
₂:xEu²⁺［ただし、M^IIはBa、SrおよびCaからなる群より
選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であり;Xお
よびＸ′はCl、BrおよびＩからなる群より選ばれる少な
くとも一種のハロゲンであって、かつＸ≠Ｘ′であり；
そしてａは0.1≦ａ≦10.0、ｘは０＜ｘ≦0.2である］の
組成式で表わされる輝尽性蛍光体、特開昭60-101173号公報に記載されているM^IIFX・aM
^IX′:xEu²⁺［ただし、M^IIはBa、SrおよびCaからなる群
より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であ
り;M^IはRbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも
一種のアルカリ金属であり;XはCl、BrおよびＩからなる
群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり;X′は
Ｆ、Cl、BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも
一種のハロゲンであり；そしてａおよびｘはそれぞれ０
≦ａ≦4.0および０＜ｘ≦0.2である］の組成式で表わさ
れる輝尽性蛍光体、本出願人による特願昭60-70484号明細書に記載されてい
るM^IX:xBi［ただし、M^IはRbおよびCsからなる群より選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり;XはCl、Br
およびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロ
ゲンであり；そしてｘは０＜ｘ≦0.2の範囲の数値であ
る］の組成式で表わされる輝尽性蛍光体、特開昭61-72087号公報および特開昭61-72088号公報に記
載されているアルカリ金属ハロゲン化物蛍光体、などを挙げることができる。

また、上記特開昭60-84381号公報に記載されているM^IIX
₂・aM^IIX′₂:xEu²⁺輝尽性蛍光体には、以下に示すよう
な添加物がM^IIX₂・aM^IIX′₂1モル当り以下の割合で含ま
れていてもよい。

特開昭60-166379号公報に記載されているbM^IX″（ただ
し、M^IはRbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも
一種のアルカリ金属であり、Ｘ″はＦ、Cl、BrおよびＩ
からなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであ
り、そしてｂは０＜ｂ≦10.0である）；特開昭60-22148
3号公報に記載されているbKX″・cMgX_２・dM^IIIX′
_３（ただし、M^IIIはSc、Ｙ、La、GdおよびLuからなる群
より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ″、
ＸおよびＸ′はいずれもＦ、Cl、BrおよびＩからな
る群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そ
してｂ、ｃおよびｄはそれぞれ、０≦ｂ≦2.0、０≦ｃ
≦2.0、０≦ｄ≦2.0であって、かつ２×10^-5≦ｂ＋ｃ＋
ｄである）；特開昭60-228592号公報に記載されているy
B（ただし、ｙは２×10^-4≦ｙ≦２×10^-1である）；特
開昭60-228593号公報に記載されているbA（ただし、Ａ
はSiO₂およびP₂O₅からなる群より選ばれる少なくとも一
種の酸化物であり、そしてｂは10^-4≦ｂ≦２×10^-1であ
る）；特開昭61-120883号公報に記載されているbSiO
（ただし、ｂは０＜ｂ≦３×10^-2である）；特開昭61-1
20885号公報に記載されているbSnX″_２（ただし、Ｘ″
はＦ、Cl、BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくと
も一種のハロゲンであり、そしてｂは０＜ｂ≦10^-3であ
る）；特開昭61-235486号公報に記載されているbCsX″
・cSnX_２（ただし、Ｘ″およびＸはそれぞれＦ、C
l、BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種
のハロゲンであり、そしてｂおよびｃはそれぞれ、０＜
ｂ≦10.0および10^-6≦ｃ≦２×10^-2である）；および特
開昭61-235487号公報に記載されているbCsX″・yLn
³⁺（ただし、Ｘ″はＦ、Cl、BrおよびＩからなる群より
選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、LnはSc、
Ｙ、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ybおよ
びLuからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元
素であり、そしてｂおよびｙはそれぞれ、０＜ｂ≦10.0
および10^-6≦ｙ≦1.8×10^-1である）。

上記の輝尽性蛍光体のうちで、二価ユーロピウム賦活ア
ルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体および希土類元素
賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体は高輝度の輝尽
発光を示すので好ましい。なお、フェーディング特性の
あまり良好でない蛍光体を用いた場合に本発明は特に有
効である。ただし、本発明に用いられる輝尽性蛍光体は
上述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を照射し
たのち励起光を照射した場合に輝尽発光を示す蛍光体で
あればいかなるものであってもよい。

輝尽性蛍光体層に用いられる結合剤の例としては、ゼラ
チン等の蛋白質、デキストラン等のポリサッカライド、
またはアラビアゴムのような天然高分子物質；およびポ
リビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロー
ス、エチルセルロース、塩化ビニリデン・塩化ビニルコ
ポリマー、ポリアルキル（メタ）アクリレート、塩化ビ
ニル・酢酸ビニルコポリマー、ポリウレタン、セルロー
スアセテートブチレート、ポリビニルアルコール、線状
ポリエステルなどのような合成高分子物質などにより代
表される結合剤を挙げることができる。このような結合
剤のなかで特に好ましいものは、ニトロセルロース、線
状ポリエステル、ポリアルキル（メタ）アクリレート、
ニトロセルロースと線状ポリエステルとの混合物、およ
びニトロセルロースとポリアルキル（メタ）アクリレー
トとの混合物である。

輝尽性蛍光体層は、たとえば、次のような方法により冷
却板上に形成することができる。

まず、輝尽性蛍光体の粒子と結合剤とを適当な溶剤に加
え、これを充分に混合して、結合剤溶液中に輝尽性蛍光
体粒子が均一に分散した塗布液を調製する。

塗布液調製用の溶剤の例としては、メタノール、エタノ
ール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノールなどの低級ア
ルコール；メチレンクロライド、エチレンクロライドな
どの塩素原子含有炭化水素；アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級ア
ルコールとのエステル；ジオキサン、エチレングリコー
ルモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチル
エーテルなどのエーテル；およびそれらの混合物を挙げ
ることができる。

塗布液における結合剤と輝尽性蛍光体との混合比は、目
的とする放射線像変換体の特性、蛍光体の種類などによ
って異なるが、一般には結合剤と蛍光体との混合比は1:
1乃至1:100（重量比）の範囲から選ばれ、そして特に1:
8乃至1:40（重量比）の範囲から選ぶのが好ましい。

なお、塗布液には、該塗布液中における輝尽性蛍光体の
分散性を向上させるための分散剤、また、形成後の輝尽
性蛍光体層中における結合剤と蛍光体との間の結合力を
向上させるための可塑剤などの種々の添加剤が混合され
ていてもよい。そのような目的に用いられる分散剤の例
としては、フタル酸、ステアリン酸、カプロン酸、親油
性界面活性剤などを挙げることができる。そして可塑剤
の例としては、燐酸トリフェニル、燐酸トリクレジル、
燐酸ジフェニルなどの燐酸エステル；フタル酸ジエチ
ル、フタル酸ジメトキシエチルなどのフタル酸エステ
ル；グリコール酸エチルフタリルエチル、グリコール酸
ブチルフタリルブチルなどのグリコール酸エステル；そ
して、トリエチレングリコールとアジピン酸とのポリエ
ステル、ジエチレングリコールとコハク酸とのポリエス
テルなどのポリエチレングリコールと脂肪族二塩基酸と
のポリエステルなどを挙げることができる。

次に、調製された塗布液を冷却板の冷却部側表面に均一
に塗布することにより塗布液の塗膜を形成する。この塗
布操作は、通常の塗布手段、たとえばドクターブレー
ド、ロールコーター、ナイフコーターなどを用いること
により行なうことができる。

冷却板上に塗膜を形成したのち塗膜を乾燥して、冷却板
上への輝尽性蛍光体層の形成を完了する。輝尽性蛍光体
層の層厚は、目的とする放射線像変換体の特性、輝尽性
蛍光体の種類、結合剤と蛍光体との混合比などによって
異なるが、通常は20μｍ乃至1mmとする。ただし、この
層厚は50乃至500μｍとするのが好ましい。

また、輝尽性蛍光体層は、必ずしも上記のように冷却板
上に塗布液を直接塗布して形成する必要はなく、たとえ
ば、別にガラス板、金属板、プラスチックシートなどの
シート上に塗布液を塗布乾燥することにより蛍光体層を
形成したのち、これを冷却板上に押圧するか、あるいは
接着剤を用いるなどして冷却板と蛍光体層とを接合して
もよい。

あるいは、輝尽性蛍光体層は、本出願人による特願昭61
-163284号明細書に記載されているように、輝尽性蛍光
体粒子からなる粉状物または蛍光体粒子と結合剤を含有
する分散液をシート状に成型した後、この成型物を焼結
させ、次いで焼結した蛍光体層を冷却板上に接着剤等を
用いて接合することによっても形成することができる。
また、冷却板上に直接に輝尽性蛍光体を真空蒸着するこ
とにより、蒸着蛍光体層を設けてもよい。特に焼結によ
り蛍光体層を設けた場合には、蛍光体層の相対密度を70
％以上の高密度とすることができ、鮮鋭度等の画質を高
めることができる。

輝尽性蛍光体層の冷却板に接する側とは反対側の表面に
は、蛍光体層を物理的および化学的に保護する目的で透
明な保護膜が設けられていることが好ましい。

透明保護膜は、たとえば、酢酸セルロース、ニトロセル
ロースなどのセルロース誘導体；あるいはポリメチルメ
タクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリカーボネート、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニ
ル・酢酸ビニルコポリマーなどの合成高分子物質のよう
な透明な高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶
液を輝尽性蛍光体層の表面に塗布する方法により形成す
ることができる。あるいは、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミドな
どから別に形成した透明な薄膜を蛍光体層の表面に適当
な接着剤を用いて接着するなどの方法によっても形成す
ることができる。このようにして形成する透明保護膜の
膜厚は約0.1乃至20μｍとするのが望ましい。

本発明の放射線像変換方法において、冷却器と放射線像
変換パネルとの組合せを用いる場合に、冷却器としては
公知の熱電冷却素子からなる冷却器を用いることがで
き、たとえば上述した冷却板と同様の構成のものを使用
することができる。また、放射線像変換パネルとしては
公知の如何なるものでも使用することができるが、温度
調節の点から輝尽性蛍光体が自己支持性であるものおよ
び支持体の厚みが薄いものが好ましい。

次に本発明の実施例および比較例を記載する。ただし、
これらの各例は本発明を制限するものではない。

［実施例１］二価ユーロピウム賦活弗化臭化バリウム蛍光体（BaFBr:
0.0003Eu²⁺）の粒子と線状ポリエステル樹脂との混合物
にメチルエチルケトンを添加し、更に硝化度11.5％のニ
トロセルロースを添加して輝尽性蛍光体を分散状態で含
有する分散液を調製した。次に、この分散液に燐酸トリ
クレジル、ｎ−ブタノール、そしてメチルエチルケトン
を添加した後、プロペラミキサーを用いて充分に撹拌混
合して、蛍光体が均一に分散し、かつ結合剤と蛍光体と
の混合比が1:20、粘度が25〜35PS（25℃）の塗布液を調
製した。

ファン付き冷却板（商品名:SAMOL 4F、日本ブロアー
（株）製）を水平に置き、その冷却部側表面に塗布液を
ドクターブレードを用いて均一に塗布した。そして塗布
後に、塗膜が形成された冷却板を乾燥器内に入れ、この
乾燥器の内部の温度を25℃から100℃に徐々に上昇させ
て塗膜の乾燥を行なった。このようにして、冷却板上に
層厚が250μｍの輝尽性蛍光体層を形成した。

次いで、輝尽性蛍光体層の上にポリエチレンテレフタレ
ートの透明フィルム（厚み:12μｍ、ポリエステル系接
着剤が付与されているもの）を接着剤層側を下に向けて
置いて接着することにより、透明保護膜を形成し、順に
冷却板、輝尽性蛍光体層および透明保護膜から構成され
た放射線像変換体を製造した。

次に、得られた放射線像変換体について、以下の種々の
温度条件でフェーディング特性試験および放射線残光特
性試験を行ない、評価した。

ａ）冷却板に電流を流して輝尽性蛍光体層の温度を０℃
に保った。

ｂ）冷却板に電流を流して輝尽性蛍光体層の温度を20℃
に保った。

ｃ）冷却板に逆電流を流して輝尽性蛍光体層の温度を30
℃に保った。

ｄ）冷却板に逆電流を流して輝尽性蛍光体層の温度を40
℃に保った。

ｅ）冷却板に逆電流を流して輝尽性蛍光体層の温度を45
℃に保った。

ｆ）冷却板に逆電流を流して輝尽性蛍光体層の温度を60
℃に保った。

（１）フェーディング特性試験放射線像変換体の保護膜側表面に管電圧80KVpのＸ線を
照射した後、直ちにHe-Neレーザー光（波長632.8nm）で
励起して輝尽発光量を測定した。

次に、上記と同様にして放射線像変換体にＸ線を照射
し、１時間放置した後He-Neレーザー光で励起して輝尽
発光量を測定した。

フェーディング特性は、［１時間後の輝尽発光量/X線照
射直後の輝尽発光量］の比を相対輝尽発光量として評価
を行なった。

（２）放射線残光特性試験蛍光体に管電圧80KVp、管電流300mAのＸ線を0.4秒間照
射したときのＸ線残光（瞬時発光光）の減衰を測定し
た。Ｘ線残光量はＸ線照射後10秒における量を測定値と
し、［Ｘ線残光量／輝尽発光量］の比を相対Ｘ線残光量
として評価を行なった。

得られた結果をそれぞれ第４図および第５図にグラフの
形で示す。

第４図は、横軸に輝尽性蛍光体層の温度をとり、縦軸に
［１時間後の輝尽発光量/X線照射直後の輝尽発光量］を
とったグラフである。

第５図は、横軸に輝尽性蛍光体の温度をとり、縦軸に
［Ｘ線残光量／輝尽発光量］をとったグラフである。

第４図に示した結果から明らかなように、Ｘ線照射１時
間後の輝尽発光量は輝尽性蛍光体層の温度が低くなるに
つれて直線的に増大した。従って、冷却板を具備する本
発明の放射線像変換体、およびそれを用いて常温より低
い温度で実施する本発明の放射線像変換方法によれば、
フェーデイング特性を向上させて実質的に感度を高める
ことができることが判明した。

また、第５図に示した結果から明らかなように、Ｘ線残
光量は輝尽性蛍光体層が25℃より低い温度である場合に
顕著に軽減した。従って、冷却板を具備する本発明の放
射線像変換体、およびそれを用いて常温より低い温度で
実施する本発明の放射線像変換方法によれば、放射線残
光特性を顕著に向上させて得られる画像の画質を高める
ことができることが判明した。

さらに、本発明の放射線像変換方法に用いられる放射線
像変換パネルと冷却器との組合せ（第２図参照）につい
ても、上記のフェーディング特性試験および放射線残光
特性試験を行なったところ、同様の結果が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の放射線像変換体の例を示す断面図で
ある。第２図は、本発明の放射線像変換方法に用いられる放射
線像変換パネルと冷却器との組合せの例を示す断面図で
ある。第３図は、本発明の放射線像変換方法を説明する概略図
である。第４図は、本発明の放射線像変換体について、輝尽性蛍
光体層の温度と［１時間後の輝尽発光量/X線照射直後の
輝尽発光量］との関係を表わすグラフである。第５図は、本発明の放射線像変換体について、輝尽性蛍
光体層の温度と［Ｘ線残光量／輝尽発光量］との関係を
表わすグラフである。 1:熱電変換素子からなる冷却板、1a,4a:リード線、1b,4
b:冷却部、1c,4c:放熱部、2:輝尽性蛍光体層、3:保護
膜、4:熱電変換素子からなる冷却器、5:放射線像変換パ
ネル、5a:支持体、5b:輝尽性蛍光体層、5c:保護膜、11:
放射線発生装置、12:被写体、13:放射線像変換体、a:輝
尽性蛍光体層、b:冷却板、c:熱交換器、14:光源、15:光
電変換装置、16:画像再生装置、17:画像表示装置、18:
フィルター

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ０１Ｔ 1/00 Ｂ 9014−2ＧＧ０６Ｔ 1/00 Ｇ２１Ｋ 4/00 Ｎ 9014−2Ｇ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】輝尽性蛍光体層と熱電冷却素子からなる冷
却板との積層体を用意し、冷却板で冷却することにより
輝尽性蛍光体層を25℃より低い温度に冷却しながら、こ
の輝尽性蛍光体層に、被写体を透過したあるいは被写体
から発せられた放射線を照射して放射線エネルギーを吸
収させた後、輝尽性蛍光体層の25℃以下の冷却を続けな
がら輝尽性蛍光体層に励起光を照射して輝尽性蛍光体層
に蓄積されていた放射線エネルギーを輝尽発光光として
放出させ、ついでこの輝尽発光光を検出することからな
る放射線像変換方法。
【請求項２】輝尽性蛍光体層を、放射線照射の工程から
励起光照射の工程まで冷却下に置き、０〜20℃の温度範
囲内に維持する特許請求の範囲第１項記載の放射線像変
換方法。
【請求項３】輝尽性蛍光体層を、放射線照射の工程から
励起光照射の工程まで冷却下に置き、０〜20℃の範囲内
の一定温度に維持する特許請求の範囲第１項記載の放射
線像変換方法。
【請求項４】上記輝尽発光光の検出後もしくは放射線の
照射前に、積層体の冷却板に逆電流を流して輝尽性蛍光
体層を加熱することにより、輝尽性蛍光体層に残留して
いる放射線エネルギーを除去する工程を含む特許請求の
範囲第１項記載の放射線像変換方法。
【請求項５】熱電冷却素子からなる冷却板と、この上に
積層された輝尽性蛍光体層とを含む放射線像変換体。
【請求項６】冷却板の、輝尽性蛍光体積層側とは反対側
の面に熱交換器が一体化してもしくは別体として付設さ
れている特許請求の範囲第５項記載の放射線像変換体。