JPH05159235A - 薄膜磁気ヘッド用基板材料とその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド用基板材料とその製造方法Info
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- JPH05159235A JPH05159235A JP34168491A JP34168491A JPH05159235A JP H05159235 A JPH05159235 A JP H05159235A JP 34168491 A JP34168491 A JP 34168491A JP 34168491 A JP34168491 A JP 34168491A JP H05159235 A JPH05159235 A JP H05159235A
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 品質が優れ、耐用寿命が長い薄膜磁気ヘッド
用基板材料とその製造方法を提供すること。 【構成】 薄膜磁気ヘッド用の非磁性基板材料におい
て、ＭｇＯ−ＮｉＯ−Ｌａ2 Ｏ3 系材料を用いて構成さ
れ、平均結晶粒径が１５μｍ以下であって、０．１μｍ
以上の大きさの残留気孔がない薄膜磁気ヘッド用基板材
料。ＭｇＯ−ＮｉＯ−Ｌａ2 Ｏ3 系材料を用いて焼成体
を形成し、そのまわりにＮｉＯやＣｏＯ等の酸化物を含
む粉体を配置し、不活性ガス雰囲気中で熱間静水圧プレ
ス処理を行うことを特徴とする薄膜磁気ヘッド用基板材
料の製造方法。
用基板材料とその製造方法を提供すること。 【構成】 薄膜磁気ヘッド用の非磁性基板材料におい
て、ＭｇＯ−ＮｉＯ−Ｌａ2 Ｏ3 系材料を用いて構成さ
れ、平均結晶粒径が１５μｍ以下であって、０．１μｍ
以上の大きさの残留気孔がない薄膜磁気ヘッド用基板材
料。ＭｇＯ−ＮｉＯ−Ｌａ2 Ｏ3 系材料を用いて焼成体
を形成し、そのまわりにＮｉＯやＣｏＯ等の酸化物を含
む粉体を配置し、不活性ガス雰囲気中で熱間静水圧プレ
ス処理を行うことを特徴とする薄膜磁気ヘッド用基板材
料の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフロッピーディスク装置
やＶＴＲの磁気ヘッド等に用いられる薄膜磁気ヘッド用
基板材料とその製造方法に関するものである。
やＶＴＲの磁気ヘッド等に用いられる薄膜磁気ヘッド用
基板材料とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＶＴＲの磁気ヘッドは、磁性材料
であるフェライトと非磁性材料からなる構造部品がガラ
スで溶着されて作られている。
であるフェライトと非磁性材料からなる構造部品がガラ
スで溶着されて作られている。
【０００３】近年、ＶＴＲの記憶容量の増大に伴って、
高密度記録化や飽和磁束密度の高度化が進んでおり、よ
り高品質の磁気ヘッドが望まれるようになってきた。こ
のような高品位の磁気ヘッドとしては、ＭＩＧ（Ｍｅｔ
ａｌ Ｉｎ Ｇａｐ）タイプ、ＴＳＳ（Ｔｉｌｔｅｄ
Ｓｐｕｔｔｅｒ Ｓｅｎｄｕｓｔ）タイプ、Ｘ膜タイ
プ、ラミネートコアタイプ等がある。初めの３つのタイ
プの磁気ヘッドは、フェライトを基板材料として用いて
いる。ラミネートコアタイプにおいては、非磁性基板材
料を基板材料として用いている。ラミネートタイプで
は、基板上に蒸着またはスパッタリングでセンダスト等
の金属磁性膜を複数層成膜して薄膜磁気ヘッドが構成さ
れる。
高密度記録化や飽和磁束密度の高度化が進んでおり、よ
り高品質の磁気ヘッドが望まれるようになってきた。こ
のような高品位の磁気ヘッドとしては、ＭＩＧ（Ｍｅｔ
ａｌ Ｉｎ Ｇａｐ）タイプ、ＴＳＳ（Ｔｉｌｔｅｄ
Ｓｐｕｔｔｅｒ Ｓｅｎｄｕｓｔ）タイプ、Ｘ膜タイ
プ、ラミネートコアタイプ等がある。初めの３つのタイ
プの磁気ヘッドは、フェライトを基板材料として用いて
いる。ラミネートコアタイプにおいては、非磁性基板材
料を基板材料として用いている。ラミネートタイプで
は、基板上に蒸着またはスパッタリングでセンダスト等
の金属磁性膜を複数層成膜して薄膜磁気ヘッドが構成さ
れる。
【０００４】最近は、フェライトを用いた磁気ヘッドよ
りも、非磁性材料を基板に用いた高品位の薄膜磁気ヘッ
ドの方が主流になりつつある。高品位の薄膜磁気ヘッド
を製造する際には、金属磁性膜だけではなく、それを形
成する基板の特性も非常に重要となってくる。基板に要
求される主な特性を次に示す。
りも、非磁性材料を基板に用いた高品位の薄膜磁気ヘッ
ドの方が主流になりつつある。高品位の薄膜磁気ヘッド
を製造する際には、金属磁性膜だけではなく、それを形
成する基板の特性も非常に重要となってくる。基板に要
求される主な特性を次に示す。
【０００５】（１）金属磁性膜と非磁性基板との熱膨張
係数の差をできるだけ小さくすること。
係数の差をできるだけ小さくすること。
【０００６】金属磁性膜と非磁性基板との間で熱膨張係
数が大きく異なると、成膜の際に両者の間に応力が発生
し、クラックや剥離、さらには磁気特性の低下が生じる
からである。
数が大きく異なると、成膜の際に両者の間に応力が発生
し、クラックや剥離、さらには磁気特性の低下が生じる
からである。
【０００７】（２）金属磁性膜と非磁性基板との摩耗特
性を同等にすること。
性を同等にすること。
【０００８】金属磁性膜と非磁性基板との間で摩耗特性
が異なると、使用回数が増えるにつれて薄膜磁気ヘッド
表面に摩耗特性の違いに起因する凹凸が生じ、磁気特性
が低下してくるからである。
が異なると、使用回数が増えるにつれて薄膜磁気ヘッド
表面に摩耗特性の違いに起因する凹凸が生じ、磁気特性
が低下してくるからである。
【０００９】（３）残留気孔の数を少なくすること。
【００１０】金属磁性膜を均一にかつ平坦に成膜できる
ようにするために、非磁性基板の残留気孔数を極力少な
くすることが必要となる。
ようにするために、非磁性基板の残留気孔数を極力少な
くすることが必要となる。
【００１１】（４）チッピングを起こさず、研磨が行い
やすくて加工性がよいこと。
やすくて加工性がよいこと。
【００１２】非磁性基板を切断したり研磨したりすると
きに割れや欠けが生じ、それによる製造歩留の低下を防
ぐ必要がある。
きに割れや欠けが生じ、それによる製造歩留の低下を防
ぐ必要がある。
【００１３】従来、この薄膜磁気ヘッド用基板は、Ｍｇ
Ｏ−ＮｉＯ−ＴｉＯ2 系、ＮｉＯ−ＣｏＯ系、ＭｎＯ−
Ａｌ2 Ｏ3 系等のセラミックス材料を用い、これを加圧
焼成（ホットプレス）や雰囲気焼成することによって製
造されていた。
Ｏ−ＮｉＯ−ＴｉＯ2 系、ＮｉＯ−ＣｏＯ系、ＭｎＯ−
Ａｌ2 Ｏ3 系等のセラミックス材料を用い、これを加圧
焼成（ホットプレス）や雰囲気焼成することによって製
造されていた。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の製法で
は焼成体中の残留気孔を完全になくすことができず、金
属磁性膜を形成したり、加工する際に問題となってい
た。残留気孔を少なくするには焼成温度を高くすればよ
いが、この場合には平均結晶粒径が大きくなって加工性
や耐摩耗性に問題が残る。そこで、予備焼成したものを
不活性ガス雰囲気中で熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）する
ことによって気孔を減少させることが提案された。
は焼成体中の残留気孔を完全になくすことができず、金
属磁性膜を形成したり、加工する際に問題となってい
た。残留気孔を少なくするには焼成温度を高くすればよ
いが、この場合には平均結晶粒径が大きくなって加工性
や耐摩耗性に問題が残る。そこで、予備焼成したものを
不活性ガス雰囲気中で熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）する
ことによって気孔を減少させることが提案された。
【００１５】しかしながら、不活性ガス雰囲気中で熱間
静水圧プレスした場合に、材料のＮｉＯと不活性ガスが
反応して予備焼成体の表面が還元され部分的に金属化す
るという現象が起きていた。このため焼成体表面の金属
部と内側のセラミックス部との熱膨張差により、焼成体
が割れるという不都合が生じいてた。
静水圧プレスした場合に、材料のＮｉＯと不活性ガスが
反応して予備焼成体の表面が還元され部分的に金属化す
るという現象が起きていた。このため焼成体表面の金属
部と内側のセラミックス部との熱膨張差により、焼成体
が割れるという不都合が生じいてた。
【００１６】本発明の目的は、ＭｇＯ−ＮｉＯ−Ｌａ2
Ｏ3 系材料を用いた基板材料の製造方法において、その
焼成体表面に金属層が存在せず、かつ残留気孔の少ない
薄膜磁気ヘッド基板材料とその製造方法を提供すること
である。
Ｏ3 系材料を用いた基板材料の製造方法において、その
焼成体表面に金属層が存在せず、かつ残留気孔の少ない
薄膜磁気ヘッド基板材料とその製造方法を提供すること
である。
【００１７】
【課題を解決するための手段】第１発明は、薄膜磁気ヘ
ッド用の非磁性基板材料において、ＭｇＯ−ＮｉＯ−Ｌ
ａ2 Ｏ3 系材料を用いて構成され、平均結晶粒径が１５
μｍ以下であって、０．１μｍ以上の大きさの残留気孔
がない薄膜磁気ヘッド用基板材料を要旨としている。
ッド用の非磁性基板材料において、ＭｇＯ−ＮｉＯ−Ｌ
ａ2 Ｏ3 系材料を用いて構成され、平均結晶粒径が１５
μｍ以下であって、０．１μｍ以上の大きさの残留気孔
がない薄膜磁気ヘッド用基板材料を要旨としている。
【００１８】第２発明は、ＭｇＯ−ＮｉＯ−Ｌａ2 Ｏ3
系材料を用いて焼成体を形成し、そのまわりにＮｉＯや
ＣｏＯ等の酸化物を含む粉体を配置し、不活性ガス雰囲
気中で熱間静水圧プレス処理を行うことを特徴とする薄
膜磁気ヘッド用基板材料の製造方法を要旨としている。
系材料を用いて焼成体を形成し、そのまわりにＮｉＯや
ＣｏＯ等の酸化物を含む粉体を配置し、不活性ガス雰囲
気中で熱間静水圧プレス処理を行うことを特徴とする薄
膜磁気ヘッド用基板材料の製造方法を要旨としている。
【００１９】
【作用】被焼成体の表面を覆ったＮｉＯ等の酸化物を含
む粉末が熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）処理の際に、不活
性ガスによって金属化される。このため、焼成体表面の
金属化、特に焼成体に含まれるＮｉＯの金属化を防止す
ることができる。また熱間静水圧プレス処理によって、
平均結晶粒径が１５μｍ以下であって、０．１μｍ以上
の残留気孔が存在しない焼成体が得られる。
む粉末が熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）処理の際に、不活
性ガスによって金属化される。このため、焼成体表面の
金属化、特に焼成体に含まれるＮｉＯの金属化を防止す
ることができる。また熱間静水圧プレス処理によって、
平均結晶粒径が１５μｍ以下であって、０．１μｍ以上
の残留気孔が存在しない焼成体が得られる。
【００２０】
【実施例】ＮｉＯ等の酸化物を含む粉末は、Ａｌ2 Ｏ3
が０〜５０重量％であり残部がＮｉＯ等の酸化物からな
る混合粉末を用いることが望ましい。また、粉末の粒径
は５０μｍ以下に設定することが望ましい。この限定理
由は粗粉に比べ微粉の方が還元されやすいからである。
が０〜５０重量％であり残部がＮｉＯ等の酸化物からな
る混合粉末を用いることが望ましい。また、粉末の粒径
は５０μｍ以下に設定することが望ましい。この限定理
由は粗粉に比べ微粉の方が還元されやすいからである。
【００２１】酸化物はＮｉＯを用いるのが望ましい。こ
れは、被焼成体と同組成のものを用いる方が被焼成体表
面の金属化を防止する効果が大きいからである。しか
し、不活性ガスと反応して金属化を起す（還元される）
ものならＮｉＯ以外の金属酸化物、例えばＣｏＯやＦｅ
2 Ｏ3 等を用いることも可能である。
れは、被焼成体と同組成のものを用いる方が被焼成体表
面の金属化を防止する効果が大きいからである。しか
し、不活性ガスと反応して金属化を起す（還元される）
ものならＮｉＯ以外の金属酸化物、例えばＣｏＯやＦｅ
2 Ｏ3 等を用いることも可能である。
【００２２】被焼成体を覆う粉体は通常は１回しか使用
することができない。このため材料費を安くする観点か
ら、前述のように安価なＡｌ2 Ｏ3 を混ぜることが望ま
しいのである。添加するＡｌ2 Ｏ3は、前述のように５
０重量％以下とする。なぜなら、Ａｌ2 Ｏ3 が５０重量
％を超えると焼成体表面の金属化を防止する効果が充分
でなくなるからである。また、Ａｌ2 Ｏ3 のかわりにＭ
ｇＯ、ＺｒＯ2 、コーディエライト、ムライト等を用い
ることもできる。
することができない。このため材料費を安くする観点か
ら、前述のように安価なＡｌ2 Ｏ3 を混ぜることが望ま
しいのである。添加するＡｌ2 Ｏ3は、前述のように５
０重量％以下とする。なぜなら、Ａｌ2 Ｏ3 が５０重量
％を超えると焼成体表面の金属化を防止する効果が充分
でなくなるからである。また、Ａｌ2 Ｏ3 のかわりにＭ
ｇＯ、ＺｒＯ2 、コーディエライト、ムライト等を用い
ることもできる。
【００２３】焼成体の囲りに配置する粉体の量は、焼成
体の表面積に応じて決める。粉体の量が少なすぎると焼
成体表面の一部で金属化が起ってしまう。また粉体の量
が多すぎるとコスト高になってしまう。粉体は焼成体の
表面から５〜２０ｍｍの厚さで配置するのが望ましい。
体の表面積に応じて決める。粉体の量が少なすぎると焼
成体表面の一部で金属化が起ってしまう。また粉体の量
が多すぎるとコスト高になってしまう。粉体は焼成体の
表面から５〜２０ｍｍの厚さで配置するのが望ましい。
【００２４】ＭｇＯ−ＮｉＯ−Ｌａ2 Ｏ3 系材料の構成
比は、ＭｇＯを１０〜７０モル％、ＮｉＯを３０〜９０
モル％、Ｌａ2 Ｏ3 を０．１〜５モル％とすることが望
ましく、この場合に熱膨張係数が１２５×１０-7℃以上
で加工性の優れた薄膜磁気ヘッド基板を得ることができ
る。
比は、ＭｇＯを１０〜７０モル％、ＮｉＯを３０〜９０
モル％、Ｌａ2 Ｏ3 を０．１〜５モル％とすることが望
ましく、この場合に熱膨張係数が１２５×１０-7℃以上
で加工性の優れた薄膜磁気ヘッド基板を得ることができ
る。
【００２５】図１を参照する。図１に示すラミネート型
磁気ヘッドは、２枚の非磁性基板１の間に中間膜２や積
層膜３が設けてあり、ガラス４も設けてある。この基板
１は幅が２ｍｍ、厚みが０．３ｍｍ、高さが約１ｍｍで
ある。
磁気ヘッドは、２枚の非磁性基板１の間に中間膜２や積
層膜３が設けてあり、ガラス４も設けてある。この基板
１は幅が２ｍｍ、厚みが０．３ｍｍ、高さが約１ｍｍで
ある。
【００２６】以下、本発明の実験例を説明する。
【００２７】実験例１ 酸化マグネシウム３０モル％、酸化ニッケル６９モル
％、酸化ランタン１モル％をボールミルで２４時間混合
し乾燥させた後、１２００℃で２時間焙焼した。次に、
焙焼粉を平均粒子径が１μｍ以下になるまでボールミル
で粉砕し、造粒した。これを３００ｋｇ／ｃｍ2 で成形
した後、１０００ｋｇ／ｃｍ2 で静水圧プレスして成形
し、１３００〜１５００℃で５時間予備焼成を行った。
この予備焼成体をＡｌ2 Ｏ3 ３０ｗｔ％、ＮｉＯ７０ｗ
ｔ％の混合粉で覆い、温度１１５０〜１２５０℃、圧力
１０００〜１５００ｋｇ／ｃｍ2 、保持時間４時間、Ａ
ｒガス雰囲気で熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）処理を行っ
た。
％、酸化ランタン１モル％をボールミルで２４時間混合
し乾燥させた後、１２００℃で２時間焙焼した。次に、
焙焼粉を平均粒子径が１μｍ以下になるまでボールミル
で粉砕し、造粒した。これを３００ｋｇ／ｃｍ2 で成形
した後、１０００ｋｇ／ｃｍ2 で静水圧プレスして成形
し、１３００〜１５００℃で５時間予備焼成を行った。
この予備焼成体をＡｌ2 Ｏ3 ３０ｗｔ％、ＮｉＯ７０ｗ
ｔ％の混合粉で覆い、温度１１５０〜１２５０℃、圧力
１０００〜１５００ｋｇ／ｃｍ2 、保持時間４時間、Ａ
ｒガス雰囲気で熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）処理を行っ
た。
【００２８】このようにして図２に示す非磁性基板材料
のブロック５を得た。ブロック５は、縦２５ｍｍ、横４
０ｍｍ、高さ１６．２ｍｍである。このブロック５を加
工して図１に示すラミネート型磁気ヘッドの非磁性基板
１を製造できる。
のブロック５を得た。ブロック５は、縦２５ｍｍ、横４
０ｍｍ、高さ１６．２ｍｍである。このブロック５を加
工して図１に示すラミネート型磁気ヘッドの非磁性基板
１を製造できる。
【００２９】実験例２，３ 実験例２，３では、ＮｉＯとＡｌ2 Ｏ3 の混合比をそれ
ぞれ７０：３０，１００：０とし、他の条件は実験例１
と同一にして非磁性基板材料ブロックを製造した。
ぞれ７０：３０，１００：０とし、他の条件は実験例１
と同一にして非磁性基板材料ブロックを製造した。
【００３０】比較例４〜６ 比較例４ではＮｉＯとＡｌ2 Ｏ3 の混合粉を使用せず、
比較例５，６ではＮｉＯとＡｌ2 Ｏ3 の混合比を４０：
６０，０：１００にして、他の条件は実験例と同一にし
て非磁性基板材料ブロックを製造した。
比較例５，６ではＮｉＯとＡｌ2 Ｏ3 の混合比を４０：
６０，０：１００にして、他の条件は実験例と同一にし
て非磁性基板材料ブロックを製造した。
【００３１】表１に実験例と比較例の結果を示した。実
験例と比較例においては気孔が観察されなかった。ま
た、ＮｉＯが５０重量％以下の場合（比較例５，６）に
は、ブロック表面の金属化を防ぐことができないことが
わかる。また混合粉を全く使用しない場合（比較例４）
には、焼成体表面に形成された金属層の厚さが１．５ｍ
ｍにもなり、このため金属層とその内側のセラミックス
部との熱膨張差によって割れが生じた。また、表には示
していないが、実験例１〜３における平均結晶粒径は５
μｍ以下であった。
験例と比較例においては気孔が観察されなかった。ま
た、ＮｉＯが５０重量％以下の場合（比較例５，６）に
は、ブロック表面の金属化を防ぐことができないことが
わかる。また混合粉を全く使用しない場合（比較例４）
には、焼成体表面に形成された金属層の厚さが１．５ｍ
ｍにもなり、このため金属層とその内側のセラミックス
部との熱膨張差によって割れが生じた。また、表には示
していないが、実験例１〜３における平均結晶粒径は５
μｍ以下であった。
【００３２】表２には従来例７，８として、熱間静水圧
プレスを施さず、常圧焼成のみ又は加圧焼成のみによっ
て製造したブロックに見られる気孔の径を例示した。こ
のように熱間静水圧プレス処理を行なわない場合には残
留気孔をなくすことはできない。
プレスを施さず、常圧焼成のみ又は加圧焼成のみによっ
て製造したブロックに見られる気孔の径を例示した。こ
のように熱間静水圧プレス処理を行なわない場合には残
留気孔をなくすことはできない。
【００３３】以上のことから、被焼成体をＡｌ2 Ｏ3 ０
〜５０ｗｔ％、残部ＮｉＯからなるＮｉＯ−Ａｌ2 Ｏ3
混合粉で覆い、不活性ガス雰囲気中で熱間静水圧プレス
することにより、良好な基板材料が得られることがわか
る。
〜５０ｗｔ％、残部ＮｉＯからなるＮｉＯ−Ａｌ2 Ｏ3
混合粉で覆い、不活性ガス雰囲気中で熱間静水圧プレス
することにより、良好な基板材料が得られることがわか
る。
【００３４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、ＭｇＯ−Ｎ
ｉＯ−Ｌａ2 Ｏ3 系焼成体をＮｉＯ等の酸化物を含有す
る粉体で覆って熱間静水圧プレス処理することにより、
平均結晶粒径が１５μｍ以下であって、０．１μｍ以上
の残留気孔がなく、表面が金属化していない良好な焼成
体を得ることができ、基板材料の生産性の向上、さらに
は薄膜磁気ヘッドの製造歩留を高めることができる。
ｉＯ−Ｌａ2 Ｏ3 系焼成体をＮｉＯ等の酸化物を含有す
る粉体で覆って熱間静水圧プレス処理することにより、
平均結晶粒径が１５μｍ以下であって、０．１μｍ以上
の残留気孔がなく、表面が金属化していない良好な焼成
体を得ることができ、基板材料の生産性の向上、さらに
は薄膜磁気ヘッドの製造歩留を高めることができる。
【図１】本発明によって製造した薄膜磁気ヘッド用基板
材料を備えたラミネート型磁気ヘッドの一例を示す斜視
図。
材料を備えたラミネート型磁気ヘッドの一例を示す斜視
図。
【図２】本発明による薄膜磁気ヘッド用基板材料を示す
斜視図。
斜視図。
１ 基板 ２ 中間膜 ３ 積層膜 ４ ガラス ◆
【表１】
【表２】
Claims (2)
- 【請求項１】 薄膜磁気ヘッド用の非磁性基板材料にお
いて、ＭｇＯ−ＮｉＯ−Ｌａ2 Ｏ3 系材料を用いて構成
され、平均結晶粒径が１５μｍ以下であって、０．１μ
ｍ以上の大きさの残留気孔がない薄膜磁気ヘッド用基板
材料。 - 【請求項２】 ＭｇＯ−ＮｉＯ−Ｌａ2 Ｏ3 系材料を用
いて焼成体を形成し、そのまわりにＮｉＯやＣｏＯ等の
酸化物を含む粉体を配置し、不活性ガス雰囲気中で熱間
静水圧プレス処理を行うことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド用基板材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34168491A JPH05159235A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 薄膜磁気ヘッド用基板材料とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34168491A JPH05159235A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 薄膜磁気ヘッド用基板材料とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05159235A true JPH05159235A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18347986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34168491A Pending JPH05159235A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 薄膜磁気ヘッド用基板材料とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05159235A (ja) |
-
1991
- 1991-12-02 JP JP34168491A patent/JPH05159235A/ja active Pending
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