JPH05160049A - 液相エピタキシャル結晶成長用治具及び該治具を用いた多元半導体結晶の製造方法 - Google Patents
液相エピタキシャル結晶成長用治具及び該治具を用いた多元半導体結晶の製造方法Info
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- JPH05160049A JPH05160049A JP3324474A JP32447491A JPH05160049A JP H05160049 A JPH05160049 A JP H05160049A JP 3324474 A JP3324474 A JP 3324474A JP 32447491 A JP32447491 A JP 32447491A JP H05160049 A JPH05160049 A JP H05160049A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は液相エピタキシャル結晶成長用治具及
び該治具を用いた多元半導体結晶の製造方法に関し、均
一な厚みの結晶成長層が得られるようにすることを目的
としている。 【構成】結晶成長用基板８を保持する基板ホルダ２と、
基板ホルダ２がメルト材料１０と共に封入される円筒状
のアンプル４と、アンプル４内で基板ホルダ２の端面に
当接する内管１４とを備えた液相エピタキシャル結晶成
長用治具において、基板ホルダ２に平板状の突起１８を
形成し、この突起１８が嵌合する切り欠き２０を内管１
４に形成して構成する。
び該治具を用いた多元半導体結晶の製造方法に関し、均
一な厚みの結晶成長層が得られるようにすることを目的
としている。 【構成】結晶成長用基板８を保持する基板ホルダ２と、
基板ホルダ２がメルト材料１０と共に封入される円筒状
のアンプル４と、アンプル４内で基板ホルダ２の端面に
当接する内管１４とを備えた液相エピタキシャル結晶成
長用治具において、基板ホルダ２に平板状の突起１８を
形成し、この突起１８が嵌合する切り欠き２０を内管１
４に形成して構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液相エピタキシャル結晶
成長用治具及び該治具を用いた多元半導体結晶の製造方
法に関する。
成長用治具及び該治具を用いた多元半導体結晶の製造方
法に関する。
【０００２】複数の組成元素からなる多元半導体結晶、
例えばガリウム・砒素、ガリウム・アルミニウム・砒素
等の化合物半導体結晶を結晶基板上に成長させる方法の
一つに、これらの半導体を溶質とした溶液を高温で結晶
基板に接触させた後、次第に温度を下げ半導体結晶を基
板上に析出成長させるようにした方法がある。
例えばガリウム・砒素、ガリウム・アルミニウム・砒素
等の化合物半導体結晶を結晶基板上に成長させる方法の
一つに、これらの半導体を溶質とした溶液を高温で結晶
基板に接触させた後、次第に温度を下げ半導体結晶を基
板上に析出成長させるようにした方法がある。
【０００３】この方法は一般に液相エピタキシャル結晶
成長法と称され、高純度で結晶性の良好な単結晶を成長
させる方法として、特に半導体工業の分野で広く採用さ
れている。また、近年においては、鉛・錫・テルルや易
蒸発性の成分元素を含む水銀・カドミウム・テルル等の
化合物半導体結晶を構成材料として、赤外線検知素子や
赤外線半導体レーザ素子等の光電変換素子を製造するの
に上記方法は用いられている。
成長法と称され、高純度で結晶性の良好な単結晶を成長
させる方法として、特に半導体工業の分野で広く採用さ
れている。また、近年においては、鉛・錫・テルルや易
蒸発性の成分元素を含む水銀・カドミウム・テルル等の
化合物半導体結晶を構成材料として、赤外線検知素子や
赤外線半導体レーザ素子等の光電変換素子を製造するの
に上記方法は用いられている。
【０００４】特に易蒸発性の成分元素を含む多元半導体
結晶を液相エピタキシャル成長により製造する場合に
は、蒸発により溶液濃度が変化することを防止するため
に、石英アンプル等の密閉容器内で結晶成長させる必要
があり、その方法の最適化が模索されている。
結晶を液相エピタキシャル成長により製造する場合に
は、蒸発により溶液濃度が変化することを防止するため
に、石英アンプル等の密閉容器内で結晶成長させる必要
があり、その方法の最適化が模索されている。
【０００５】
【従来の技術】図４により、液相エピタキシャル結晶成
長による従来の多元半導体結晶の製造方法の例を説明す
る。基板ホルダ２は、アンプル４内に内接する外径と所
定長さの例えば石英ガラス或いはカーボン材からなる円
柱の外周部中央の一部を切り欠いた切り欠き凹部６を有
し、この切り欠き凹部６内の対向壁面に結晶成長用基板
８を横架する形に水平に保持する構成からなっている。
長による従来の多元半導体結晶の製造方法の例を説明す
る。基板ホルダ２は、アンプル４内に内接する外径と所
定長さの例えば石英ガラス或いはカーボン材からなる円
柱の外周部中央の一部を切り欠いた切り欠き凹部６を有
し、この切り欠き凹部６内の対向壁面に結晶成長用基板
８を横架する形に水平に保持する構成からなっている。
【０００６】そして液相エピタキシャル結晶成長に際し
ては、切り欠き凹部６内にＣｄＴｅからなる結晶成長用
基板８を水平に架け渡した形に保持し、この基板ホルダ
２と、予め所定組成比に秤量されたＨｇ，Ｃｄ，Ｔｅか
らなる結晶成長用のメルト材料１０とを図示のようにア
ンプル４内に配設し、アンプル内部を排気した後このア
ンプルを気密に封止する。
ては、切り欠き凹部６内にＣｄＴｅからなる結晶成長用
基板８を水平に架け渡した形に保持し、この基板ホルダ
２と、予め所定組成比に秤量されたＨｇ，Ｃｄ，Ｔｅか
らなる結晶成長用のメルト材料１０とを図示のようにア
ンプル４内に配設し、アンプル内部を排気した後このア
ンプルを気密に封止する。
【０００７】しかる後、アンプル４を図示しない電気炉
内に配置し、結晶成長温度よりも高い所定温度に加熱し
てアンプル４内のメルト材料１０を溶融させ、アンプル
４を１８０°回転して、結晶成長用基板８の表面に溶融
したメルト材料を接触させるとともに、加熱温度を所定
結晶成長温度に低下させて結晶成長用基板８上にＨｇ
1-x Ｃｄx Ｔｅからなる単結晶層を成長させる。
内に配置し、結晶成長温度よりも高い所定温度に加熱し
てアンプル４内のメルト材料１０を溶融させ、アンプル
４を１８０°回転して、結晶成長用基板８の表面に溶融
したメルト材料を接触させるとともに、加熱温度を所定
結晶成長温度に低下させて結晶成長用基板８上にＨｇ
1-x Ｃｄx Ｔｅからなる単結晶層を成長させる。
【０００８】次に、所定厚みの単結晶層が形成された時
点でアンプル４を再び１８０°回転することにより、結
晶成長用基板８上のメルト材料を除去して結晶成長を停
止させ、その後炉内よりアンプル４を徐冷しながら引出
し、アンプル４を開封して、単結晶層が形成された基板
８を取り出している。
点でアンプル４を再び１８０°回転することにより、結
晶成長用基板８上のメルト材料を除去して結晶成長を停
止させ、その後炉内よりアンプル４を徐冷しながら引出
し、アンプル４を開封して、単結晶層が形成された基板
８を取り出している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来方法によ
る場合、溶融したメルト材料を結晶成長用基板８に接触
させるに際してアンプル４を回転させたときに、基板ホ
ルダ２がアンプル４に対してスリップして結晶成長用基
板８を正確に水平に配置することが困難になることがあ
る。結晶成長用基板８が水平面に対して傾斜している
と、図５に示すように、成長した結晶層１２の形状が、
重力偏析の影響によって、下方に相当する部分が厚くな
るような形状になる。その結果、結晶成長を停止させた
ときに、得られる結晶層の厚みが不均一になり、品質上
問題が生じる。また、このような問題は、結晶成長用基
板の面積が大きくなるにつれて顕著となる。
る場合、溶融したメルト材料を結晶成長用基板８に接触
させるに際してアンプル４を回転させたときに、基板ホ
ルダ２がアンプル４に対してスリップして結晶成長用基
板８を正確に水平に配置することが困難になることがあ
る。結晶成長用基板８が水平面に対して傾斜している
と、図５に示すように、成長した結晶層１２の形状が、
重力偏析の影響によって、下方に相当する部分が厚くな
るような形状になる。その結果、結晶成長を停止させた
ときに、得られる結晶層の厚みが不均一になり、品質上
問題が生じる。また、このような問題は、結晶成長用基
板の面積が大きくなるにつれて顕著となる。
【００１０】尚、基板ホルダ２のアンプル軸方向のスリ
ップを防止するための公知技術として、基板ホルダ２の
一端がアンプル４の閉端側内壁面に当接するように基板
ホルダ２の他端に当接する内管１４をアンプル４内に設
けるようにしたものがあるが、これにより上記問題が解
決されないのは明らかである。
ップを防止するための公知技術として、基板ホルダ２の
一端がアンプル４の閉端側内壁面に当接するように基板
ホルダ２の他端に当接する内管１４をアンプル４内に設
けるようにしたものがあるが、これにより上記問題が解
決されないのは明らかである。
【００１１】本発明はこのような事情に鑑みて創作され
たもので、均一な厚みの結晶成長層が得られるようにす
ることを目的としている。
たもので、均一な厚みの結晶成長層が得られるようにす
ることを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の液相エピタキシ
ャル結晶成長用治具は、円柱の外周部中央の一部を該円
柱の中心軸方向に切り欠いた切り欠き凹部を有し、該切
り欠き凹部内に結晶成長用基板を保持する基板ホルダ
と、該基板ホルダがメルト材料と共に封入される円筒状
のアンプルと、該アンプル内に設けられ、上記基板ホル
ダの一端が上記アンプルの閉端側内壁面に当接するよう
に上記基板ホルダの他端に当接する内管とを備えた液相
エピタキシャル結晶成長用治具において、上記基板ホル
ダの他端に平板状突起を形成し、該平板状突起が嵌合す
る切り欠きを上記内管の上記基板ホルダ側に形成したも
のである。
ャル結晶成長用治具は、円柱の外周部中央の一部を該円
柱の中心軸方向に切り欠いた切り欠き凹部を有し、該切
り欠き凹部内に結晶成長用基板を保持する基板ホルダ
と、該基板ホルダがメルト材料と共に封入される円筒状
のアンプルと、該アンプル内に設けられ、上記基板ホル
ダの一端が上記アンプルの閉端側内壁面に当接するよう
に上記基板ホルダの他端に当接する内管とを備えた液相
エピタキシャル結晶成長用治具において、上記基板ホル
ダの他端に平板状突起を形成し、該平板状突起が嵌合す
る切り欠きを上記内管の上記基板ホルダ側に形成したも
のである。
【００１３】この治具を用いた本発明の多元半導体結晶
の製造方法は、上記切り欠き凹部が下方を向き且つ上記
結晶成長用基板が水平に支持された状態で加熱により上
記メルト材料を溶融させるステップと、上記アンプルを
１８０°回転させ、溶融メルト材料を上記結晶成長用基
板に接触させて結晶成長を行うステップと、上記アンプ
ルを再び１８０°回転させて上記溶融メルト材料が上記
結晶成長用基板に接触しないようにするステップとを含
む。
の製造方法は、上記切り欠き凹部が下方を向き且つ上記
結晶成長用基板が水平に支持された状態で加熱により上
記メルト材料を溶融させるステップと、上記アンプルを
１８０°回転させ、溶融メルト材料を上記結晶成長用基
板に接触させて結晶成長を行うステップと、上記アンプ
ルを再び１８０°回転させて上記溶融メルト材料が上記
結晶成長用基板に接触しないようにするステップとを含
む。
【００１４】
【作用】本発明の液相エピタキシャル結晶成長治具にあ
っては、基板ホルダに平板状突起を形成し、この平板状
突起が内管の基板ホルダ側に形成された切り欠きに嵌合
するようにしているので、結晶成長に際してアンプルを
回転させたときに、基板ホルダがアンプルに対して回転
方向にスリップする恐れがない。従って、結晶成長用基
板を正確に水平面上に位置させた状態で、溶融したメル
ト材料を結晶成長用基板に接触させることができ、均一
な厚みの結晶成長層を得ることができるようになる。
っては、基板ホルダに平板状突起を形成し、この平板状
突起が内管の基板ホルダ側に形成された切り欠きに嵌合
するようにしているので、結晶成長に際してアンプルを
回転させたときに、基板ホルダがアンプルに対して回転
方向にスリップする恐れがない。従って、結晶成長用基
板を正確に水平面上に位置させた状態で、溶融したメル
ト材料を結晶成長用基板に接触させることができ、均一
な厚みの結晶成長層を得ることができるようになる。
【００１５】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。図１は本発
明の実施例を示す液相エピタキシャル結晶成長用治具
（以下、単に「治具」ともいう。）の封止前の分解斜視
図であり、図２はこの治具の封止後の縦断面図である。
明の実施例を示す液相エピタキシャル結晶成長用治具
（以下、単に「治具」ともいう。）の封止前の分解斜視
図であり、図２はこの治具の封止後の縦断面図である。
【００１６】基板ホルダ２は、石英ガラスからなる円柱
の外周部中央の一部をこの円柱の中心軸方向に切り欠い
た切り欠き凹部６を有している。ＣｄＴｅからなる結晶
成長用基板（以下、単に「基板」ともいう。）８は、切
り欠き凹部６の対向壁面に形成された溝１６，１６に側
方から嵌合することによって、切り欠き凹部６内に横架
される。
の外周部中央の一部をこの円柱の中心軸方向に切り欠い
た切り欠き凹部６を有している。ＣｄＴｅからなる結晶
成長用基板（以下、単に「基板」ともいう。）８は、切
り欠き凹部６の対向壁面に形成された溝１６，１６に側
方から嵌合することによって、切り欠き凹部６内に横架
される。
【００１７】１８は基板ホルダ２のアンプルへの挿入方
向手前側の端面に設けられた平板状突起であり、この平
板状突起１８は、基板ホルダ２により保持された基板８
と平行になるように基板ホルダ２と一体に形成されてい
る。また、平板状突起１８の上面１８Ａは、後述のよう
に基板８の水平度を光学的に検知するために、鏡面に形
成されている。平板状突起１８の上面を鏡面にするに
は、平板状突起１８の上面を鏡面研磨するか或いは平板
状突起１８の上面に反射膜を形成すればよい。
向手前側の端面に設けられた平板状突起であり、この平
板状突起１８は、基板ホルダ２により保持された基板８
と平行になるように基板ホルダ２と一体に形成されてい
る。また、平板状突起１８の上面１８Ａは、後述のよう
に基板８の水平度を光学的に検知するために、鏡面に形
成されている。平板状突起１８の上面を鏡面にするに
は、平板状突起１８の上面を鏡面研磨するか或いは平板
状突起１８の上面に反射膜を形成すればよい。
【００１８】基板ホルダ２は、上述のように基板８をセ
ットされた状態で、基板ホルダ２の外径よりも僅かに大
きい内径を有する石英からなるアンプル４内に挿入され
る。このとき、基板ホルダ２と共にメルト材料１０もこ
のメルト材料が切り欠き凹部６内に位置するようにアン
プル４内に挿入される。メルト材料１０の成分元素はＨ
ｇ，Ｃｄ，Ｔｅであり、その組成比は製造すべき多元半
導体結晶の組成比に応じて設定される。
ットされた状態で、基板ホルダ２の外径よりも僅かに大
きい内径を有する石英からなるアンプル４内に挿入され
る。このとき、基板ホルダ２と共にメルト材料１０もこ
のメルト材料が切り欠き凹部６内に位置するようにアン
プル４内に挿入される。メルト材料１０の成分元素はＨ
ｇ，Ｃｄ，Ｔｅであり、その組成比は製造すべき多元半
導体結晶の組成比に応じて設定される。
【００１９】１４はアンプル４と同様に透明な石英から
なる内管であり、この内管１４は、アンプル４内に挿入
されたときに、基板ホルダ２の平板状突起１８が形成さ
れている側の端面に当接して、基板２のアンプル軸方向
の変位を防止するためのものである。
なる内管であり、この内管１４は、アンプル４内に挿入
されたときに、基板ホルダ２の平板状突起１８が形成さ
れている側の端面に当接して、基板２のアンプル軸方向
の変位を防止するためのものである。
【００２０】内管１４の基板ホルダ２側の端部には、平
板状突起１８の厚みよりも僅かに大きい幅で切り欠き２
０が形成されており、基板ホルダ２及び内管１４をアン
プル４内に収容したときに、平板状突起１８が切り欠き
２０に嵌合して、基板ホルダ２がアンプル４に対して殆
ど回転しないようになっている。
板状突起１８の厚みよりも僅かに大きい幅で切り欠き２
０が形成されており、基板ホルダ２及び内管１４をアン
プル４内に収容したときに、平板状突起１８が切り欠き
２０に嵌合して、基板ホルダ２がアンプル４に対して殆
ど回転しないようになっている。
【００２１】各部材をアンプル４内に収容した後、アン
プル４内は真空に吸引され、この状態で内管１４及びア
ンプル４をバーナ等により外部から円周方向に均一に加
熱してこれらを軟化させることによって、この治具は気
密に封止される。
プル４内は真空に吸引され、この状態で内管１４及びア
ンプル４をバーナ等により外部から円周方向に均一に加
熱してこれらを軟化させることによって、この治具は気
密に封止される。
【００２２】図３は本実施例における液相エピタキシャ
ル結晶成長のプロセスを説明するための図である。ま
ず、気密封止されたアンプル４を電気炉内で結晶成長温
度よりも高い所定の温度に加熱して、図３（Ａ）に示す
ように、アンプル４内のメルト材料を溶融させて溶融メ
ルト材料１０′とする。尚、このとき、基板８が正確に
水平になるようにアンプル４の角度を調整しておく。
ル結晶成長のプロセスを説明するための図である。ま
ず、気密封止されたアンプル４を電気炉内で結晶成長温
度よりも高い所定の温度に加熱して、図３（Ａ）に示す
ように、アンプル４内のメルト材料を溶融させて溶融メ
ルト材料１０′とする。尚、このとき、基板８が正確に
水平になるようにアンプル４の角度を調整しておく。
【００２３】次いで、アンプル４を正確に１８０°回転
させると、基板ホルダ２もアンプル４と共に１８０°回
転する。溶融メルト材料１０′の液面は水平面を維持し
ているので、アンプル４の回転により、基板ホルダ２の
半柱部が溶融メルト材料１０′に埋没して、溶融メルト
材料１０′の液面が上昇し、基板８は溶融メルト材料１
０′に接触する。
させると、基板ホルダ２もアンプル４と共に１８０°回
転する。溶融メルト材料１０′の液面は水平面を維持し
ているので、アンプル４の回転により、基板ホルダ２の
半柱部が溶融メルト材料１０′に埋没して、溶融メルト
材料１０′の液面が上昇し、基板８は溶融メルト材料１
０′に接触する。
【００２４】この状態で炉内温度を所定の結晶成長温度
に低下させると、図３（Ｂ）に示すように、基板８の表
面には、Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅからなる結晶層２２が成長
する。
に低下させると、図３（Ｂ）に示すように、基板８の表
面には、Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔｅからなる結晶層２２が成長
する。
【００２５】その後、所定厚みの結晶層２２が形成され
た時点で、図３（Ｃ）に示すように、アンプル４を再び
１８０°回転させることにより、溶融メルト材料１０′
が基板８に接触しないようにして、結晶成長を停止させ
る。
た時点で、図３（Ｃ）に示すように、アンプル４を再び
１８０°回転させることにより、溶融メルト材料１０′
が基板８に接触しないようにして、結晶成長を停止させ
る。
【００２６】そして最後に、図示はしないが、炉内から
アンプル４を徐冷しながら引出し、アンプル４を開封
し、結晶層２２が形成された基板４を取り出す。ＣｄＴ
ｅからなる結晶成長用基板上にＨｇ1-x Ｃｄx Ｔｅから
なる結晶層を液相エピタキシャル結晶成長法により成長
させる場合、基板が水平面に対して傾斜していると結晶
層の厚みが不均一になることは前述した通りである。
アンプル４を徐冷しながら引出し、アンプル４を開封
し、結晶層２２が形成された基板４を取り出す。ＣｄＴ
ｅからなる結晶成長用基板上にＨｇ1-x Ｃｄx Ｔｅから
なる結晶層を液相エピタキシャル結晶成長法により成長
させる場合、基板が水平面に対して傾斜していると結晶
層の厚みが不均一になることは前述した通りである。
【００２７】本実施例においては、アンプルを回転させ
るに際して、基板ホルダ２がアンプル４とスリップする
ことがないので、基板８の初期状態（水平）と回転角度
（１８０°）とを正確に規制しておけば、図３（Ｂ）の
状態において基板８は正確に水平面上に位置し、従っ
て、結晶成長層２２の厚みが重力偏析等の影響によって
不均一になることがない。その結果、大型な結晶を得る
ことができる。
るに際して、基板ホルダ２がアンプル４とスリップする
ことがないので、基板８の初期状態（水平）と回転角度
（１８０°）とを正確に規制しておけば、図３（Ｂ）の
状態において基板８は正確に水平面上に位置し、従っ
て、結晶成長層２２の厚みが重力偏析等の影響によって
不均一になることがない。その結果、大型な結晶を得る
ことができる。
【００２８】基板８の回転角度（１８０°）について
は、パルスモータ等を用いた通常の方法により、極めて
正確に設定することができる。また、基板８の初期状態
（水平）については、基板と平行な平板状突起１８の鏡
面を用いて光学的な手法により極めて正確に設定するこ
とができる。具体的には次の通りである。
は、パルスモータ等を用いた通常の方法により、極めて
正確に設定することができる。また、基板８の初期状態
（水平）については、基板と平行な平板状突起１８の鏡
面を用いて光学的な手法により極めて正確に設定するこ
とができる。具体的には次の通りである。
【００２９】治具を加熱炉内に入れる前における基板８
の水平度の確認は、透明なアンプル４及び内管１４を透
過して平板状突起１８の鏡面（１８Ａ）で反射した光に
基づいて行うことができる。即ち、図２に示すように、
光変位計２４からのレーザ光を平板状突起１８の鏡面に
照射し、その反射光に基づいて基板８の水平度を確認す
ることができる。
の水平度の確認は、透明なアンプル４及び内管１４を透
過して平板状突起１８の鏡面（１８Ａ）で反射した光に
基づいて行うことができる。即ち、図２に示すように、
光変位計２４からのレーザ光を平板状突起１８の鏡面に
照射し、その反射光に基づいて基板８の水平度を確認す
ることができる。
【００３０】外径が４０mmのアンプル４及び外径が３６
mmの基板ホルダ２を用い、平板状突起１８と切り欠き２
０間の隙間を０．１mm以下に設定したところ、回転角の
誤差を０．３°以下に抑えることができた。
mmの基板ホルダ２を用い、平板状突起１８と切り欠き２
０間の隙間を０．１mm以下に設定したところ、回転角の
誤差を０．３°以下に抑えることができた。
【００３１】本実施例によると、治具の構成部品を石英
から形成しているので、高純度な半導体結晶を得ること
ができる。
から形成しているので、高純度な半導体結晶を得ること
ができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
液相エピタキシャル結晶成長法を実施するに際して均一
な厚みの結晶成長層を得ることができるようになるとい
う効果を奏する。
液相エピタキシャル結晶成長法を実施するに際して均一
な厚みの結晶成長層を得ることができるようになるとい
う効果を奏する。
【図１】本発明の実施例を示す液相エピタキシャル結晶
成長用治具の封止前の分解斜視図である。
成長用治具の封止前の分解斜視図である。
【図２】本発明の実施例を示す液相エピタキシャル結晶
成長治具の封止後の縦断面図である。
成長治具の封止後の縦断面図である。
【図３】本発明の実施例における液相エピタキシャル結
晶成長のプロセス説明図である。
晶成長のプロセス説明図である。
【図４】従来技術の説明図である。
【図５】従来技術の問題点の説明図である。
２ 基板ホルダ ４ アンプル ８ 結晶成長用基板 １０ メルト材料 １０′ 溶融メルト材料 １４ 内管 １８ 平板状突起 ２０ 切り欠き
Claims (4)
- 【請求項１】 円柱の外周部中央の一部を該円柱の中心
軸方向に切り欠いた切り欠き凹部を有し、該切り欠き凹
部内に結晶成長用基板(8) を保持する基板ホルダ(2)
と、 該基板ホルダがメルト材料(10)と共に封入される円筒状
のアンプル(4) と、 該アンプル内に設けられ、上記基板ホルダの一端が上記
アンプルの閉端側内壁面に当接するように上記基板ホル
ダの他端に当接する内管(14)とを備えた液相エピタキシ
ャル結晶成長用治具において、 上記基板ホルダ(2) の他端に平板状突起(18)を形成し、 該平板状突起が嵌合する切り欠き(20)を上記内管(14)の
上記基板ホルダ側に形成したことを特徴とする液相エピ
タキシャル結晶成長用治具。 - 【請求項２】 上記平板状突起(18)は上記結晶成長用基
板(8) と平行であり、上記平板状突起(18)の表面及び裏
面の少なくとも一方は鏡面に形成され、上記アンプル
(4) 及び内管(14)は透明な材質からなることを特徴とす
る請求項１に記載の液相エピタキシャル結晶成長用治
具。 - 【請求項３】 請求項１に記載の液相エピタキシャル結
晶成長用治具を用いた多元半導体結晶の製造方法であっ
て、 上記切り欠き凹部が下方を向き且つ上記結晶成長用基板
(8) が水平に支持された状態で加熱により上記メルト材
料(10)を溶融させるステップと、 上記アンプル(4) を１８０°回転させ、溶融メルト材料
(10′) を上記結晶成長用基板(8) に接触させて結晶成
長を行うステップと、 上記アンプル(4) を再び１８０°回転させて上記溶融メ
ルト材料(10′) が上記結晶成長用基板(8) に接触しな
いようにするステップとを含むことを特徴とする多元半
導体結晶の製造方法。 - 【請求項４】 請求項２に記載の液相エピタキシャル結
晶成長用治具を用いた請求項３に記載の多元半導体結晶
の製造方法であって、 上記結晶成長用基板(8) の水平度の確認は、上記アンプ
ル(4) 及び内管(14)を透過して上記平板状突起(18)の鏡
面で反射した光に基づいてなされることを特徴とする多
元半導体結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3324474A JPH05160049A (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 液相エピタキシャル結晶成長用治具及び該治具を用いた多元半導体結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3324474A JPH05160049A (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 液相エピタキシャル結晶成長用治具及び該治具を用いた多元半導体結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160049A true JPH05160049A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18166211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3324474A Withdrawn JPH05160049A (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 液相エピタキシャル結晶成長用治具及び該治具を用いた多元半導体結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160049A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009263162A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体製造装置および種結晶ホルダ |
-
1991
- 1991-12-09 JP JP3324474A patent/JPH05160049A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009263162A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体製造装置および種結晶ホルダ |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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