JPH05163575A - 薄膜の形成方法 - Google Patents
薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH05163575A JPH05163575A JP3350779A JP35077991A JPH05163575A JP H05163575 A JPH05163575 A JP H05163575A JP 3350779 A JP3350779 A JP 3350779A JP 35077991 A JP35077991 A JP 35077991A JP H05163575 A JPH05163575 A JP H05163575A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- conductor
- film
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁性基体上に直流グロ―放電プラズマＣＶ
Ｄ法により、簡便な装置で、大面積の均一な薄膜を隙間
なく形成する。 【構成】 絶縁性基体１３上に導体薄膜１４を設けて形
成した基板１７の外周を、環状の導体板１６で覆い、導
体板１６の内周面と導体薄膜１４の外周上部とを線接触
させて、基板１７と導体板１６を同電位に保ち、ア―ク
発生を防止し、直流グロ―放電プラズマＣＶＤ法により
基板１７上に所望の薄膜１５を形成する。
Ｄ法により、簡便な装置で、大面積の均一な薄膜を隙間
なく形成する。 【構成】 絶縁性基体１３上に導体薄膜１４を設けて形
成した基板１７の外周を、環状の導体板１６で覆い、導
体板１６の内周面と導体薄膜１４の外周上部とを線接触
させて、基板１７と導体板１６を同電位に保ち、ア―ク
発生を防止し、直流グロ―放電プラズマＣＶＤ法により
基板１７上に所望の薄膜１５を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は直流グロ―放電プラズマ
ＣＶＤ法により、絶縁性基体上にも薄膜形成を可能とす
る薄膜の形成方法に関する。
ＣＶＤ法により、絶縁性基体上にも薄膜形成を可能とす
る薄膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日、エレクトロニクス・デバイスのス
ケ―ルは年々縮小化の傾向にある。今までになかった小
さなスケ―ルのデバイスを作製するためには、従来のバ
ルク技術ではもはや不可能になってきており、より高度
な薄膜化が要求されている。そういったなかで、薄膜の
作製技術が注目され、様々な薄膜の形成手法が研究・開
発されてきた。なかでも、気体のプラズマ放電を利用し
た薄膜の作製方法は、クリ―ンな条件で薄膜を形成する
ことができるため、様々なデバイスの作製に広く利用さ
れている。なかでも、直流グロ―放電プラズマを利用し
た化学的気相合成法（直流グロ―放電ＰＣＶＤ法）は、
電極間に直流電圧を印加し、気体原料をプラズマ状態に
励起する事により化学的に分解したものを薄膜として堆
積させる方法であり、簡便な装置で、稠密な薄膜を得る
ことができ、また、大面積で、比較的凹凸のあるものに
も均一に薄膜を形成することができるという利点を持っ
ている。ただし、直流グロ―放電ＰＣＶＤ法では、導電
性の基体には薄膜を形成できるが、通常絶縁性の基体に
は薄膜を形成することができないという欠点が存在す
る。
ケ―ルは年々縮小化の傾向にある。今までになかった小
さなスケ―ルのデバイスを作製するためには、従来のバ
ルク技術ではもはや不可能になってきており、より高度
な薄膜化が要求されている。そういったなかで、薄膜の
作製技術が注目され、様々な薄膜の形成手法が研究・開
発されてきた。なかでも、気体のプラズマ放電を利用し
た薄膜の作製方法は、クリ―ンな条件で薄膜を形成する
ことができるため、様々なデバイスの作製に広く利用さ
れている。なかでも、直流グロ―放電プラズマを利用し
た化学的気相合成法（直流グロ―放電ＰＣＶＤ法）は、
電極間に直流電圧を印加し、気体原料をプラズマ状態に
励起する事により化学的に分解したものを薄膜として堆
積させる方法であり、簡便な装置で、稠密な薄膜を得る
ことができ、また、大面積で、比較的凹凸のあるものに
も均一に薄膜を形成することができるという利点を持っ
ている。ただし、直流グロ―放電ＰＣＶＤ法では、導電
性の基体には薄膜を形成できるが、通常絶縁性の基体に
は薄膜を形成することができないという欠点が存在す
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来の直流グロ―放電ＰＣＶＤ法は簡便な装置で大面積の
均一な薄膜を得る有効な手段であるが、通常絶縁性基体
上に薄膜を形成することが不可能である。絶縁性基体上
に薄い導体膜を設け、該導体膜を通じて電気的導通を得
ることにより、直流グロ―放電ＰＣＶＤ法で薄膜を形成
する事も可能ではあるが、この場合、導体膜と対向電極
との間のア―ク発生により、薄膜に損傷やむらが生じる
という欠点が存在した。しかしながら、大面積で均一な
薄膜の形成法としてはかなり有望であるので、その絶縁
性基体上への薄膜形成技術の確立が熱望されていた。例
えば、磁気ディスクの分野においては、磁気記録媒体を
磁気ヘッドの衝突や摩擦から守るための保護膜を必要と
するが、この磁気ディスクの保護膜としては、特願昭６
２−２３４３２８号にあるような直流グロ―放電プラズ
マＣＶＤ法による硬質非晶質炭素膜が良好な結果を得て
いる。従来、磁気ディスクにおいては、磁気記録媒体を
支持する基体として導電性のアルミニウム製基体を用い
ていたが、最近では、表面をより平坦に加工できるガラ
ス製基体を用いる事が検討されている。
来の直流グロ―放電ＰＣＶＤ法は簡便な装置で大面積の
均一な薄膜を得る有効な手段であるが、通常絶縁性基体
上に薄膜を形成することが不可能である。絶縁性基体上
に薄い導体膜を設け、該導体膜を通じて電気的導通を得
ることにより、直流グロ―放電ＰＣＶＤ法で薄膜を形成
する事も可能ではあるが、この場合、導体膜と対向電極
との間のア―ク発生により、薄膜に損傷やむらが生じる
という欠点が存在した。しかしながら、大面積で均一な
薄膜の形成法としてはかなり有望であるので、その絶縁
性基体上への薄膜形成技術の確立が熱望されていた。例
えば、磁気ディスクの分野においては、磁気記録媒体を
磁気ヘッドの衝突や摩擦から守るための保護膜を必要と
するが、この磁気ディスクの保護膜としては、特願昭６
２−２３４３２８号にあるような直流グロ―放電プラズ
マＣＶＤ法による硬質非晶質炭素膜が良好な結果を得て
いる。従来、磁気ディスクにおいては、磁気記録媒体を
支持する基体として導電性のアルミニウム製基体を用い
ていたが、最近では、表面をより平坦に加工できるガラ
ス製基体を用いる事が検討されている。
【０００４】そこで我々は、平坦性に優れたガラス製基
体上に導電性の磁気記録媒体を形成して作った基板上
に、優れた特性をもつ直流グロ―放電プラズマＣＶＤ法
による硬質非晶質炭素膜を保護膜として形成する方法を
検討してきた。しかしながら、従来の方法では、プラズ
マ放電時にア―クが発生し、保護膜の損傷が見られた。
また、ア―ク放電を防止する方法として、図５（ａ）の
ように磁気ディスク基板７１の外周を面接触で覆うよう
な外周押さえ７２で覆う方法があるが、この場合、図５
（ｂ）のように磁気ディスク基板７１の外周に硬質非晶
質炭素保護膜７４が形成されない隙間７５が生じるとい
う欠点が存在した。本発明は上記の欠点を改善し、絶縁
性基体にも直流グロ―放電プラズマＣＶＤ法により、簡
便な装置で、大面積の均一な薄膜を隙間なく形成する方
法を提供することを目的とする。
体上に導電性の磁気記録媒体を形成して作った基板上
に、優れた特性をもつ直流グロ―放電プラズマＣＶＤ法
による硬質非晶質炭素膜を保護膜として形成する方法を
検討してきた。しかしながら、従来の方法では、プラズ
マ放電時にア―クが発生し、保護膜の損傷が見られた。
また、ア―ク放電を防止する方法として、図５（ａ）の
ように磁気ディスク基板７１の外周を面接触で覆うよう
な外周押さえ７２で覆う方法があるが、この場合、図５
（ｂ）のように磁気ディスク基板７１の外周に硬質非晶
質炭素保護膜７４が形成されない隙間７５が生じるとい
う欠点が存在した。本発明は上記の欠点を改善し、絶縁
性基体にも直流グロ―放電プラズマＣＶＤ法により、簡
便な装置で、大面積の均一な薄膜を隙間なく形成する方
法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性基体上
に導体薄膜が形成された基板の外周を環状の導体板で覆
い、前記導体薄膜の全外周端部で前記導体板と線接触さ
せることにより基板と導体板を同電位に保持しつつ基板
上に直流グロ―放電プラズマ気相成長法によって薄膜を
堆積させることよりなり、前記導体板は、前記基板の外
周より大径の内周端と、前記基板の外周より小径の内周
端とを有し、その径が連続的に変化する内周面を有する
ことを特徴とする薄膜の形成方法である。
に導体薄膜が形成された基板の外周を環状の導体板で覆
い、前記導体薄膜の全外周端部で前記導体板と線接触さ
せることにより基板と導体板を同電位に保持しつつ基板
上に直流グロ―放電プラズマ気相成長法によって薄膜を
堆積させることよりなり、前記導体板は、前記基板の外
周より大径の内周端と、前記基板の外周より小径の内周
端とを有し、その径が連続的に変化する内周面を有する
ことを特徴とする薄膜の形成方法である。
【０００６】以下、図面に基づいて本発明を説明する。
図１は本発明による薄膜の形成方法に用いられる形成装
置の一例の中心部の構成図である。絶縁性基体１３とし
ては薄膜を支持できる材料であれば特に問題はない。ま
た、絶縁性基体１３上に形成する導体薄膜１４の形成方
法は、均質な被膜が形成される方法であれば特別な制限
はなく、蒸着法、プラズマＣＶＤ法ないしはスパッタ法
等を用いることができる。このようにして作成された基
板１７は、電極板１２上に設置され、さらにその外周は
環状の導体板１６で隙間なく覆われる。また、導体板１
６の内周面は、基板１７の上に形成された導体薄膜１４
の外周上部と線接触しており、こうすることにより、電
極板１２、導体薄膜１４、導体板１６は全て同電位に保
たれ、直流グロ―放電時のア―ク発生が防止される。
図１は本発明による薄膜の形成方法に用いられる形成装
置の一例の中心部の構成図である。絶縁性基体１３とし
ては薄膜を支持できる材料であれば特に問題はない。ま
た、絶縁性基体１３上に形成する導体薄膜１４の形成方
法は、均質な被膜が形成される方法であれば特別な制限
はなく、蒸着法、プラズマＣＶＤ法ないしはスパッタ法
等を用いることができる。このようにして作成された基
板１７は、電極板１２上に設置され、さらにその外周は
環状の導体板１６で隙間なく覆われる。また、導体板１
６の内周面は、基板１７の上に形成された導体薄膜１４
の外周上部と線接触しており、こうすることにより、電
極板１２、導体薄膜１４、導体板１６は全て同電位に保
たれ、直流グロ―放電時のア―ク発生が防止される。
【０００７】次に、対向電極１１と基板１７の間に直流
電圧を印加し、所望の薄膜１５を直流グロ―放電法によ
り形成する。図２はそれに用いられる装置全体の一例を
示す構成図である。図２において真空槽２１に陰極板３
１を設置し、その上に絶縁性基体３２上に導体薄膜３３
を形成した基板３６を設置し、さらに、基板３６の外周
は導体板３５で覆われ、基板３６は陰極板３１と同電位
に保たれている。ここで導体板３５は同時に直流グロ―
放電中のア―ク発生を防ぐ役割も果たしている。また、
基板３６の上方に平行に陽極板３０を設置する。原料２
６は固体、液体、気体のいずれでも良いが、適当な方法
で気体にして用いる。原料気体はマスフロ―コントロ―
ラ（ＭＦＣ）２５で流量を調整した後、気体導入バルブ
２４を通して供給される。ここで図２には一対の原料と
ＭＦＣのみを描いたが、複数の元素からなる膜を基板上
に形成したいときは、原料と、それに見合ったＭＦＣを
必要な数だけ用意すれば良い。真空槽２１内は排気装置
２２と排気バルブ２３により適当な圧力に調整される。
基板３６と陽極板３０との間には直流電源２７により直
流電圧が印加され、直流グロ―放電が発生し、基板３６
上に所望の薄膜３４が形成される。形成される所望の薄
膜３４の膜質は、真空槽２１内の圧力や直流電源２７に
より印加される電圧等により大きく変化するが、真空槽
２１内の圧力が０．１Ｔｏｒｒ〜２０Ｔｏｒｒ、そして
直流電源２７により印加される電圧値は正常グロ―放電
が維持できる値の時に均一な膜を得ることができる。
電圧を印加し、所望の薄膜１５を直流グロ―放電法によ
り形成する。図２はそれに用いられる装置全体の一例を
示す構成図である。図２において真空槽２１に陰極板３
１を設置し、その上に絶縁性基体３２上に導体薄膜３３
を形成した基板３６を設置し、さらに、基板３６の外周
は導体板３５で覆われ、基板３６は陰極板３１と同電位
に保たれている。ここで導体板３５は同時に直流グロ―
放電中のア―ク発生を防ぐ役割も果たしている。また、
基板３６の上方に平行に陽極板３０を設置する。原料２
６は固体、液体、気体のいずれでも良いが、適当な方法
で気体にして用いる。原料気体はマスフロ―コントロ―
ラ（ＭＦＣ）２５で流量を調整した後、気体導入バルブ
２４を通して供給される。ここで図２には一対の原料と
ＭＦＣのみを描いたが、複数の元素からなる膜を基板上
に形成したいときは、原料と、それに見合ったＭＦＣを
必要な数だけ用意すれば良い。真空槽２１内は排気装置
２２と排気バルブ２３により適当な圧力に調整される。
基板３６と陽極板３０との間には直流電源２７により直
流電圧が印加され、直流グロ―放電が発生し、基板３６
上に所望の薄膜３４が形成される。形成される所望の薄
膜３４の膜質は、真空槽２１内の圧力や直流電源２７に
より印加される電圧等により大きく変化するが、真空槽
２１内の圧力が０．１Ｔｏｒｒ〜２０Ｔｏｒｒ、そして
直流電源２７により印加される電圧値は正常グロ―放電
が維持できる値の時に均一な膜を得ることができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。絶
縁性基体として、ガラス製の５．２５インチ磁気ディス
クを用い、その上に導体薄膜として、コバルト・クロム
・タンタルを含む磁気記録媒体層をスパッタ法により約
２０μｍ形成させ、さらに、その上にシリコン被膜を室
温でアルゴンガスを用いたＲＦスパッタ法により、アル
ゴンガス圧力を１０-3〜１０-2Ｔｏｒｒ、ＲＦ電力を１
００〜１５０Ｗという条件下で約５０オングストロ―ム
形成させた。このようにして形成されたガラス基板上
に、硬質非晶質炭素膜を直流グロ―放電ＰＣＶＤ法によ
り形成した。
縁性基体として、ガラス製の５．２５インチ磁気ディス
クを用い、その上に導体薄膜として、コバルト・クロム
・タンタルを含む磁気記録媒体層をスパッタ法により約
２０μｍ形成させ、さらに、その上にシリコン被膜を室
温でアルゴンガスを用いたＲＦスパッタ法により、アル
ゴンガス圧力を１０-3〜１０-2Ｔｏｒｒ、ＲＦ電力を１
００〜１５０Ｗという条件下で約５０オングストロ―ム
形成させた。このようにして形成されたガラス基板上
に、硬質非晶質炭素膜を直流グロ―放電ＰＣＶＤ法によ
り形成した。
【０００９】硬質非晶質炭素膜は図３に示した装置を用
いて形成した。排気装置５２で真空槽５１を１０-6Ｔｏ
ｒｒ台まで排気した後、原料としてＣＨ4とＨ2とを体積
混合比ＣＨ4／Ｈ2が０．０１〜０．１の範囲で導入し、
真空槽５１内の気体の全圧を０．１〜２０Ｔｏｒｒとし
た。ガラス製磁気ディスク基体４３は、そこに形成され
ている導体薄膜４４（この場合、磁気記録媒体層とシリ
コン被膜）の内周部分と、金属製治具４７との接触を通
じてア―ス電位の陰極板４２と同電位にしてある。さら
に、金属製治具４７上にはア―ク放電防止の為の絶縁性
カバ―４８が設けてある。磁気ディスクのように中央に
穴を持つ基板においては、このように基板の内周を通じ
て電気的導通を得ることも可能である。
いて形成した。排気装置５２で真空槽５１を１０-6Ｔｏ
ｒｒ台まで排気した後、原料としてＣＨ4とＨ2とを体積
混合比ＣＨ4／Ｈ2が０．０１〜０．１の範囲で導入し、
真空槽５１内の気体の全圧を０．１〜２０Ｔｏｒｒとし
た。ガラス製磁気ディスク基体４３は、そこに形成され
ている導体薄膜４４（この場合、磁気記録媒体層とシリ
コン被膜）の内周部分と、金属製治具４７との接触を通
じてア―ス電位の陰極板４２と同電位にしてある。さら
に、金属製治具４７上にはア―ク放電防止の為の絶縁性
カバ―４８が設けてある。磁気ディスクのように中央に
穴を持つ基板においては、このように基板の内周を通じ
て電気的導通を得ることも可能である。
【００１０】また、内周に斜面を有する環状のステンレ
ス製板４６で導体薄膜４４の外周を覆った。ステンレス
製板４６の内周の斜面の角度θを５０〜７０度、ステン
レス製板４６が導体薄膜４４の外周に覆いかぶさる長さ
ｄを１ｍｍ以下とする事により、導体薄膜４４上に外周
いっぱいまで隙間なく硬質非晶質炭素膜４５を形成する
事が可能となった。また、ステンレス製板４６の代わり
に、ステンレス以外の導電性材料の板を使用しても同じ
ように良好な結果が得られた。ステンレス製板４６の内
周面と導体薄膜４４の外周上部との線接触によりステン
レス製板４６と導体薄膜４４とは同電位に保たれ、それ
により直流グロ―放電時のア―ク発生を防止でき、損傷
やむらのない硬質非晶質炭素膜４５を形成する事ができ
るようになった。ここで、ステンレス製板４６の内周の
構造は、ステンレス製板４６の内周と導体薄膜４４の外
周とが隙間なく線接触できるようにすればどの様な構造
でも、直流グロ―放電時のア―ク発生を防止する効果が
あった。次に、陽極板４１に直流電源５３により電圧を
印加し、直流グロ―放電を発生させた。この時印加する
電圧は、放電電流密度が０．１〜３ｍＡ／ｃｍ2となる
ように設定した。また、グロ―放電中のガラス製磁気デ
ィスク基体４３は特に外部からの加熱を行わず、硬質非
晶質炭素膜４５の厚さは１０００オングストロ―ム以下
とした。
ス製板４６で導体薄膜４４の外周を覆った。ステンレス
製板４６の内周の斜面の角度θを５０〜７０度、ステン
レス製板４６が導体薄膜４４の外周に覆いかぶさる長さ
ｄを１ｍｍ以下とする事により、導体薄膜４４上に外周
いっぱいまで隙間なく硬質非晶質炭素膜４５を形成する
事が可能となった。また、ステンレス製板４６の代わり
に、ステンレス以外の導電性材料の板を使用しても同じ
ように良好な結果が得られた。ステンレス製板４６の内
周面と導体薄膜４４の外周上部との線接触によりステン
レス製板４６と導体薄膜４４とは同電位に保たれ、それ
により直流グロ―放電時のア―ク発生を防止でき、損傷
やむらのない硬質非晶質炭素膜４５を形成する事ができ
るようになった。ここで、ステンレス製板４６の内周の
構造は、ステンレス製板４６の内周と導体薄膜４４の外
周とが隙間なく線接触できるようにすればどの様な構造
でも、直流グロ―放電時のア―ク発生を防止する効果が
あった。次に、陽極板４１に直流電源５３により電圧を
印加し、直流グロ―放電を発生させた。この時印加する
電圧は、放電電流密度が０．１〜３ｍＡ／ｃｍ2となる
ように設定した。また、グロ―放電中のガラス製磁気デ
ィスク基体４３は特に外部からの加熱を行わず、硬質非
晶質炭素膜４５の厚さは１０００オングストロ―ム以下
とした。
【００１１】このようにして形成した硬質非晶質炭素膜
は、目視による検査において、外周いっぱいまで全面に
わたってむらなく形成されており、ア―ク放電による損
傷等も見られなかった。また、エリプソメトリ―を用い
た膜厚測定により、面内の膜厚むらが硬質非晶質炭素膜
膜厚の１０％以内、さらに、３次元粗さ測定により表面
の平均粗さが１ｎｍ以下、最大突起高さも８ｎｍ以下
と、大面積で、優れた平坦性を持つことが分かった。次
に、同様の硬質非晶質炭素膜で厚さが１００オングスト
ロ―ムのものについて、磁気ヘッドを磁気ディスクに押
しつけた後、磁気ディスクを磁気ヘッドが浮上するまで
高速回転させ、浮上後再び停止し、再度磁気ヘッドをデ
ィスク面に接触させるという動作を繰り返すいわゆるコ
ンタクト・スタ―ト・ストップ（ＣＳＳ）試験と摩擦係
数測定が同時に実施可能なＣＳＳ−μ試験により耐摩耗
性および潤滑性を評価した結果、潤滑剤を用いることな
く２万回のＣＳＳ試験後も、磁気ディスク表面には摩耗
による損傷や膜のはがれ等は認められず、また、摩擦係
数も０．６以下と、本発明により形成した硬質非晶質炭
素膜は優れた耐摩耗性、密着性と潤滑性を持ち、磁気デ
ィスクの保護膜として十分実用に耐えることが分かっ
た。
は、目視による検査において、外周いっぱいまで全面に
わたってむらなく形成されており、ア―ク放電による損
傷等も見られなかった。また、エリプソメトリ―を用い
た膜厚測定により、面内の膜厚むらが硬質非晶質炭素膜
膜厚の１０％以内、さらに、３次元粗さ測定により表面
の平均粗さが１ｎｍ以下、最大突起高さも８ｎｍ以下
と、大面積で、優れた平坦性を持つことが分かった。次
に、同様の硬質非晶質炭素膜で厚さが１００オングスト
ロ―ムのものについて、磁気ヘッドを磁気ディスクに押
しつけた後、磁気ディスクを磁気ヘッドが浮上するまで
高速回転させ、浮上後再び停止し、再度磁気ヘッドをデ
ィスク面に接触させるという動作を繰り返すいわゆるコ
ンタクト・スタ―ト・ストップ（ＣＳＳ）試験と摩擦係
数測定が同時に実施可能なＣＳＳ−μ試験により耐摩耗
性および潤滑性を評価した結果、潤滑剤を用いることな
く２万回のＣＳＳ試験後も、磁気ディスク表面には摩耗
による損傷や膜のはがれ等は認められず、また、摩擦係
数も０．６以下と、本発明により形成した硬質非晶質炭
素膜は優れた耐摩耗性、密着性と潤滑性を持ち、磁気デ
ィスクの保護膜として十分実用に耐えることが分かっ
た。
【００１２】また、通常磁気ディスクは記録量を増やす
ため上下両面を使用するが、上下両面に同時に硬質非晶
質炭素膜を形成するには、図４のような装置を用いれば
良い。すなわち、陽極板６４をガラス製磁気ディスク基
体６１の上下に平行に配置し、ガラス製磁気ディスク基
体６１を、絶縁性カバ―６６で覆われた、陰極を兼ねた
金属製治具６５と内周で接触させる。次に、ガラス製磁
気ディスク基体６１の外周を、内周に斜面を有する輪環
状の導体板６３で上下から隙間なく挟み込む事により、
先ほどと同様の手法で、両面同時に硬質非晶質炭素膜６
２が形成可能である。
ため上下両面を使用するが、上下両面に同時に硬質非晶
質炭素膜を形成するには、図４のような装置を用いれば
良い。すなわち、陽極板６４をガラス製磁気ディスク基
体６１の上下に平行に配置し、ガラス製磁気ディスク基
体６１を、絶縁性カバ―６６で覆われた、陰極を兼ねた
金属製治具６５と内周で接触させる。次に、ガラス製磁
気ディスク基体６１の外周を、内周に斜面を有する輪環
状の導体板６３で上下から隙間なく挟み込む事により、
先ほどと同様の手法で、両面同時に硬質非晶質炭素膜６
２が形成可能である。
【００１３】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明による薄膜の
形成方法は、ア―ク発生が防止されるので、絶縁性基体
上に大面積の均一な薄膜を隙間なく形成する事ができ、
エレクトロニクスの成膜技術の要求に十分耐え得る実用
性の高いものといえる。
形成方法は、ア―ク発生が防止されるので、絶縁性基体
上に大面積の均一な薄膜を隙間なく形成する事ができ、
エレクトロニクスの成膜技術の要求に十分耐え得る実用
性の高いものといえる。
【図１】本発明の形成方法に用いられる装置の一例の中
心部分の構成図である。
心部分の構成図である。
【図２】本発明の形成方法に用いられる装置の一例の構
成図である。
成図である。
【図３】実施例に用いた装置の一例の構成図である。
【図４】実施例に用いた装置の別の一例の中心部分の構
成図である。
成図である。
【図５】従来の薄膜形成方法の一例の説明図である。
１１ 対向電極 １２ 電極板 １３ 絶縁性基体 １４ 導体薄膜 １５ 所望の薄膜 １６ 導体板 １７ 基板 ２１ 真空槽 ２２ 排気装置 ２３ 排気バルブ ２４ 基体導入バルブ ２５ マスフロ―コントロ―ラ（ＭＦＣ） ２６ 原料 ２７ 直流電源 ２８ 電流導入端子 ３０ 陽極板 ３１ 陰極板 ３２ 絶縁性基体 ３３ 導体薄膜 ３４ 所望の薄膜 ３５ 導体板 ３６ 基板 ４１ 陽極板 ４２ 陰極板 ４３ ガラス製磁気ディスク基体 ４４ 導体薄膜（磁気記録媒体およびシリコン被膜） ４５ 硬質非晶質炭素膜 ４６ ステンレス製
板 ４７ 金属製治具 ４８ 絶縁性カバ― ５１ 真空槽 ５２ 排気装置 ５３ 直流電源 ６１ ガラス製磁気
ディスク基体 ６２ 硬質非晶質炭素膜 ６３ 導体板 ６４ 陽極板 ６５ 陰極を兼ねた
金属製治具 ６６ 絶縁性カバ― ７１ 磁気ディスク
基板 ７２ 外周押さえ ７４ 硬質非晶質炭素保護膜 ７５ 隙間
板 ４７ 金属製治具 ４８ 絶縁性カバ― ５１ 真空槽 ５２ 排気装置 ５３ 直流電源 ６１ ガラス製磁気
ディスク基体 ６２ 硬質非晶質炭素膜 ６３ 導体板 ６４ 陽極板 ６５ 陰極を兼ねた
金属製治具 ６６ 絶縁性カバ― ７１ 磁気ディスク
基板 ７２ 外周押さえ ７４ 硬質非晶質炭素保護膜 ７５ 隙間
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁性基体上に導体薄膜が形成された基
板の外周を環状の導体板で覆い、前記導体薄膜の全外周
端部で前記導体板と線接触させることにより基板と導体
板を同電位に保持しつつ基板上に直流グロ―放電プラズ
マ気相成長法によって薄膜を堆積させることよりなり、
前記導体板は、前記基板の外周より大径の内周端と、前
記基板の外周より小径の内周端とを有し、その径が連続
的に変化する内周面を有することを特徴とする薄膜の形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3350779A JPH05163575A (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3350779A JPH05163575A (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05163575A true JPH05163575A (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=18412811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3350779A Pending JPH05163575A (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05163575A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05304103A (ja) * | 1991-05-29 | 1993-11-16 | Solems Sa | 低圧プラズマでサブストレートを処理する方法および装置 |
| JPH07122502A (ja) * | 1993-10-21 | 1995-05-12 | Nec Corp | プラズマ加工装置 |
| JP2011187722A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Fujitsu Ltd | 電子デバイスの製造方法 |
| JP2019061771A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
1991
- 1991-12-12 JP JP3350779A patent/JPH05163575A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05304103A (ja) * | 1991-05-29 | 1993-11-16 | Solems Sa | 低圧プラズマでサブストレートを処理する方法および装置 |
| JPH07122502A (ja) * | 1993-10-21 | 1995-05-12 | Nec Corp | プラズマ加工装置 |
| JP2011187722A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Fujitsu Ltd | 電子デバイスの製造方法 |
| JP2019061771A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマ処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1157598B1 (en) | Method for deposition of diamond-like carbon coatings from a hall-current ion source | |
| US6312524B1 (en) | Plasma CVD apparatus | |
| US5302424A (en) | Method for forming a film with plasma CVD process | |
| EP0717127A2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| US4361595A (en) | Method for preparing an abrasive lapping disc | |
| JPH05163575A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JP4627835B2 (ja) | スパッタリング装置及び薄膜形成方法 | |
| JPH0863840A (ja) | ダイヤモンド状硬質カーボンフィルムが二重コーティングされたｖｔｒヘッドドラムとそのコーティング層の形成方法及び装置 | |
| JP3836991B2 (ja) | 製膜方法および磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2594534B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
| JPH06248458A (ja) | プラズマ処理装置およびその装置を用いた磁気ディスク製造方法 | |
| JPH0613335A (ja) | プラズマｃｖｄ成膜方法 | |
| US5879569A (en) | Magnetic disk and method of and apparatus for manufacturing magnetic disk | |
| JP2772643B2 (ja) | 被膜作製方法 | |
| JP2970344B2 (ja) | プラズマ装置 | |
| JP3305654B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置および記録媒体 | |
| JP3008666B2 (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0778871B2 (ja) | 磁気ディスク | |
| JP2000226670A (ja) | Ｃｖｄ装置および磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH05298689A (ja) | 磁気ディスク保護膜の形成方法 | |
| JPH04313812A (ja) | 磁気ディスク | |
| JPH02130721A (ja) | 磁気ディスク | |
| JP2003277937A (ja) | 電極部材 | |
| JPS6288131A (ja) | 磁気デイスク | |
| JPS61216124A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 |