JPH05304103A

JPH05304103A - 低圧プラズマでサブストレートを処理する方法および装置

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Publication number: JPH05304103A
Application number: JP4161876A
Authority: JP
Inventors: Schmitt Jacques; ジャック・シュミット
Original assignee: Solems SA
Current assignee: Solems SA
Priority date: 1991-05-29
Filing date: 1992-05-29
Publication date: 1993-11-16
Anticipated expiration: 2016-07-03
Also published as: FR2677043B1; JP3182702B2; FR2677043A1

Abstract

(57)【要約】【目的】プラズマによって均一にサブストレートの表
面を処理すること。【構成】ここでのサブストレート（１７）は、少なく
ともその厚みの一部にわたって絶縁しており、また、そ
の表面がプラズマに直面する導電材料ゾーン（２１）に
よって側面が包囲されている。サブストレートの前記表
面（１７ａ）に対する処理の均質性のために、その前記
フレーミング・ゾーン（２１）に対し、少なくとも１個
のインピーダンス（４７）を介して、サブストレートの
後部に対抗して配置された導電性の独立表面（２３）が
電気的に接続されており、そのインピーダンス（４７）
の値はサブストレートの厚みを通しての無線周波数電圧
の変動に対する補償のために適合されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、電子装置の領域にお
いて特に使用され、また、電子的光学装置において特に
使用されるサブストレートのような平坦なものの表面を
プラズマで処理するための方法および装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】プラズマによる表面処理、特に低圧のプ
ラズマによる表面処理においては、その適用分野が迅速
に広げられている。

【０００３】ある物体の表面をルミネッセント放電にさ
らすことによって種々の結果を得ることが可能である。
特に、サブストレートのエッチング操作および表面の修
正、サブストレートのクリーニング操作、または、例え
ば薄膜としての太陽電池または電界効果トランジスタの
製造において、必要とされる電子的構成体の蒸着（付
着）のような結果さえも得ることである。

【０００４】半導体、絶縁体、そして金属でさえもプラ
ズマによる付着が可能であるのはいうまでもない。現在
では、プラズマを励起することについて、特に低圧プラ
ズマを励起することについて幾つかのやり方がある。し
かしながら、極めて多くの場合において、ＤＣからマイ
クロウエーブまでの実用的な任意の周波数にの電気的エ
ネルギを用いることができる。実用的には全ての周波数
を用いることができるけれども、大多数のシステムでは
無線周波数が用いられており、特に、産業上で許容され
た周波数である１３．５６ＭＨｚが用いられている。こ
の無線周波数電源は特にプラズマが生成される放電領域
と結合できる。そのプラズマは、コイル（これは一般的
には「誘導性の放電」として言われるものである）、ま
たは、実質的に平板状のコンデンサのプレート間で生成
される電界（これは「容量性の」放電として言われるも
のである）のいずれかによって、生成される。一般的に
この後者の形態において多いことは、平板状のサブスト
レートの処理、特に、プレート形式のサブストレートの
処理に対して最も良く適合されるように思われるという
ことである。この後者の形態に対してこの発明が好適に
適用されるものは、全ての無線周波数をカバーする使用
可能な周波数の分野、即ち、代表的には約０．５ＭＨｚ
から約２００ＭＨｚまでの周波数の分野のものである。

【０００５】添付された図１において表現されているも
のは、容量性の無線周波数の放電についての代表的な構
成のものである。ここで例示されている例のプラズマ発
生手段を構成するものは、実質的に平板状のプレート形
式の電極１であって、短い同心的な気密性の取り入れ口
３、およびプラズマのインピーダンスが無線周波数の電
力発生器７のそれに合致するように意図された同調ボッ
クス５を介して、電極１が無線周波数の電圧で励起され
る。ここでの同調ボックスは、可変コンデンサ６、イン
ダクタ８、および電極への直流を阻止する減結合コンデ
ンサ９である。全体として１３の記号が付された反応空
間の境界を規定する導電性の壁部（特に金属による壁
部）を備えた包囲体１１の内部に、この電極が配列され
ている。プラズマに対向するリアクタ１１の本体は、こ
こではアースとして規定されることになる。

【０００６】そのために、図１の場合において、電極の
背後にこのアースによってスクリーンが形成されてお
り、絶縁空間１５はこの例においては内部での放電を防
止するために十分に狭い（典型的には、０．３ｍｍ−３
ｍｍの幅のもの）ものである。しかしながら、例えば、
実質的に中央の電極のいずれかの側で２個の対称的なプ
ラズマを形成させたり、電極に孔をあけたり、簡単なグ
リッドに変形することができる。処理されるべきサブス
トレート１７は電極１に面して配列されている。このサ
ブストレートは、包囲体１１の長手方向の壁部２１の一
方に形成された開口部１９に配置されており、また、反
応空間１３に向かう表面１７ａの反対側には、「サブス
トレート保持体」または「後部電極」を形成する導電性
のバックプレート２３が設けられている。

【０００７】従って、このような構成によれば、プラズ
マを発生するルミネッセント式の放電が、数ｃｍ程度の
厚みの空間１３内において、電極１と対向するアースと
の間で広がることとなる。一般的にいえば、サブストレ
ート１７がこのアースの場所に配列されているのはその
ためであり、この例においては、バックプレート２３の
位置にセットバックされる。しかしながら、サブストレ
ートを電極上に置いたり、また、プラズマに関して、ア
ースおよび電極が互いにサブストレートを間にして対称
的に配列してもよい。従って、アースについての概念は
一般に相対的なものであることから、ある所与のサブス
トレートに関して、アースがそれを包囲する包囲体およ
び対応のバックプレート２３の導電性の壁部２１の電圧
によって構成されると考えられる。対向するプラズマの
電圧とサブストレートを支承またはフレーミングする組
立体のそれとの間の差から、プラズマの電圧が推論され
ることになる。

【０００８】付着の状態を改善するために更に注意され
ることは、包囲体１１を１０^-4ないし１０^-5Ｐａの程度
の圧力を維持することが可能な気密性のチャンバ２５に
入れておくことである。包囲体内において所望のルミネ
ッセントの放電を達成するためには、一方の側のチャン
ネル２０を通して約１０¹Ｐａの圧力の（水素化物、有
機性金属類、揮発性弗化物、金属カルボニルのような）
反応気体を入れて、反対側のチャンネル２２から放出す
ることである。このチャンバ２５において、例えば真空
ポンプに結合された吸い上げパイプ２４により、包囲体
／チャンバの圧力差を維持すること、および、残留して
いる材料滓を吸い上げることが可能である。かくして、
気密性のチャンバを反応包囲体から切り離す内部空間３
０内が包囲体内よりは低い圧力に維持される。

【０００９】制御された減圧下の「デュアルチャンバ」
を備えた同じタイプの装置については、刊行物ＥＰ−
Ａ−０２２１８１２およびＥＰ−Ａ−０３１２４
４７，または、それらの対応する米国特許ＵＳＡ４,７
９８,７３９およびＵＳＡ４,９８９,５４３に説明さ
れており、それらの内容は参照によって導入される。こ
のような装置の構成により、サブストレート上への電子
的な付着の純度に特に関連して多くの利点がもたらされ
るけれども、それにも拘らず多くの適用の場合に、サブ
ストレートの処理の条件が必ずしも均質ではなかったと
いうことである。

【００１０】処理の厚みが不均質になることに加えて、
所定の付着された材料の特性、特に内部張力、組織、光
導電性、易動性等に関する変質が見られた。始めは、こ
れらの問題は、先に概説されたデュアルチャンバ式の装
置の構成に関連しているとは必ずしも考えられていなか
った。

【００１１】他方において注意されたことは、全体的に
伸長しており、最良の場合においては、サブストレート
のエッジから、本質的には非導通でより弱くイオン化し
たプラズマのシースの厚みの数倍程度の距離に至るま
で、処理の不均質性が現在の通常の装置のサブストレー
ト上で観察されたことである。ここでのプラズマのシー
スは、サブストレートの対向する表面から、および、サ
ブストレートの実体的な環境から、電界発光のプラズマ
領域を常に切り離している（平均的には、１ｃｍないし
５ｃｍの幅）領域である。サブストレートの表面が極め
て僅かに導電的であったとすると、その静電効果および
誘導された表面電流によって、この擾乱がデシメートル
のスケールにわたって拡大される。更に、サブストレー
トの表面が極めて導電的になると（例えば、太陽電池に
関する薄い導電層の付着を通して）、前記サブストレー
トのエッジが絶縁されていなかった場合には、無線周波
数の伝播によっても擾乱が誘導されることになる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】従って、結局のところ
は、数ｃｍ程度のクラウンはサブストレートの周辺から
規則的に除去されねばならない。この損失は回避される
べきものである。そのために、サブストレートの露出し
た全表面にわたって、できるだけ均質性のある処理をす
ることが不可避である。

【００１３】

【課題を解決するための手段】これを行うために、この
発明の方法で提案されることは、一方ではこのサブスト
レートの全表面と前記対向のプラズマ領域との間で、ま
た、他方ではサブストレートの導電的なフレーミング表
面と前記対向のプラズマとの間で、実質的に等しい無線
周波数電圧が広がるようにすることである。容量性の放
電をもって交流電圧によりプラズマが生起され、また、
サブストレートの導電的なフレーミング・ゾーンに対し
て別の導電的なゾーンを電気的に接続することにより、
前記の無線周波数電圧が実質的に等しいものにされる。
ここで、前記導電的なゾーンはフレーミング・ゾーンと
は独立しているが、プラズマに対して露出した前記表面
から離れているサブストレートにはリンクしており、サ
ブストレートの厚みを通しての無線周波数電圧の変動に
対する補償のために、少なくとも一つのインピーダンス
を介してその値が適合するようにされる。

【００１４】ある種の適用のためには、電気的に絶縁さ
れたサブストレートを用いること、または、少なくとも
その厚さの一部が絶縁されたサブストレートを用いるこ
とが好適である（後者の場合には、前記サブストレート
はこれに次いで少なくとも１層の導電層をもって被覆さ
れることになる）。しかしながら、この発明は、サブス
トレートが半導体材料からなる場合にも等しく適用され
るものである。そのために、より一様な付着または処理
の厚みおよび早さを達成することが可能となり、付着し
た材料の特性は均質なものとなる。したがって完成品の
信頼性が改善されることになる。

【００１５】均質性について上述された問題の解決をす
ることができる本発明の装置は次の手段からなることを
特徴としている。即ち、サブストレートとプラズマとの
間での、また、この同じプラズマと前記サブストレート
のフレーミング・ゾーンとの間での、上述された無線周
波数電圧が上述された同等性の生成に資することができ
る手段を有することを特徴とするものであり、この手段
は、少なくとも１個の容量または１個の補償誘導から構
成することができる。この発明の装置については、全体
として、上述されたタイプのデュアルチャンバおよび制
御される減圧によるものが有利であり、当然のこととし
て、これも、前記無線周波数電圧の等化が可能な手段を
もって構成されることになる。

【００１６】これから離れて、この発明はまた補償誘導
の値を規定することができるシステムにも関連するもの
であり、ここでの補償誘導はサブストレートにおける電
圧の変動に対する補償のために上述されたデバイスまた
は装置に使用することができる。かくして、このサブス
トレートを処理する際の動作がより均質なものにされ
る。この発明によれば、このシステムは次のような諸手
段からなるものである。即ち、プラズマ発生電極に向け
られたサブストレートのその表面上に配列された「第２
の」電極、無線周波数電源、および、この電源によって
励起されるサブストレートの前記第２の表面電極によっ
て生起された信号を記録するための手段、および、式
（Ｌ≒Ｃ／ω² ）が満足されるまでインダクタの値を変
動させるための手段からなるものである。ただし、前記
の式において、Ｌ：インダクタの値；Ｃ：サブストレー
トの容量とバックプレートをアースに結合する容量との
和；ω：無線周波数の角周波数；である。

【００１７】

【実施例】この発明についての適切な理解のために、非
限定的な例を介して付与された添付図面に関連して、幾
つかの実用的な実施例が呈示される。図２において再び
見出されるサブストレート１７は、この例においては、
絶縁または実質的に絶縁のブロック、例えばガラスまた
はプラスチックもしくはセラミックからさえもなるもの
であり、導電的な境界ゾーン２１によってその周辺が包
囲されている。このゾーン２１はサブストレートの下方
の、プラズマ領域２６から離れた、サブストレートが載
せられるバックプレートまたはサブストレート保持体３
１を形成する部分へと延びている。

【００１８】このサブストレートの処理の均質性を促進
するために、誘電性の材料からなる一種の「ガード・リ
ング」３３は、サブストレートおよび導電性ゾーン２１
の双方から側面的に絶縁され、サブストレートとそのフ
レーミング・ゾーン２１との間に介在している。この材
料のストリップ３３（その単位表面積当りの容量は、前
記サブストレートのそれに仮想的に等しいものとして選
択されている）の幅ｌは、好適には、電気的な変移領域
またはシース２８の平均的な厚みの約２〜３倍よりも大
きくされている。ここでのシース２８は、サブストレー
トおよびそのフレーミング・ゾーンの対向表面１７ａ，
２１ａから、電界発光のプラズマ領域２６を切り離すも
のである。

【００１９】ここで注意されることは、プラズマの厚み
またはレベルにおける変動を制限するために、サブスト
レートおよびそのフレーミング・ゾーンの表面１７ａお
よび２１ａ（これに加えて、ここでは、リング３３の表
面３３ａ）が平面３５と実質的に同一平面になるように
配置されて、電極１に対向する表面１ａに対して実質的
に平行となるようにされている。

【００２０】図３において、ガード・ストリップ３３は
純金属の表面３７をもって被覆されており、ここでの表
面３７はサブストレートのエッジまで内部的に張り出し
て、その保持を確実にしている。その名目的な境界が点
線をもって描かれた電気的な変移ゾーン２８における厚
みの変動を制限するために、金属薄膜３７の厚みをでき
るだけ制限することが望ましい。しかしながら、それを
適用しても、図２および図３の解決策にも拘らず、補足
的な誘電性の構成部品を用いることが必要とされる。

【００２１】そこで、案出された別の解決策において
は、サブストレートの導電的なフレーミング・ゾーン２
１およびそのサブストレートのバックプレート２３（ま
たは３１）と構造的には互いに切り離されており、ま
た、サブストレートの厚みを通して無線周波数の電圧に
おける変動を補償するように意図された少なくとも１個
の補償インピーダンスで電気的に接続されている。これ
によって、対向のプラズマ領域に関して、サブストレー
トの表面とそのフレーミング・ゾーンとの間の電圧のこ
の等価性を達成することができる。かくして、図４で示
された代替的な実施例においてはサブストレート１７が
フレーム化されており、また、電気的に絶縁された金属
のクラウン３９によって構成的に切り離されている。こ
のクラウン３９はバックプレートを形成する導電部分３
１に対して、幾つかの電気的な接続部４１によってリン
クされている。そして、その上に介在されているコンデ
ンサ４３の値は、それを実質的に等化することにより、
前記サブストレートの厚みｅs を通して無線周波数の電
圧降下を補償するものである。

【００２２】機械的な抵抗があり、比較的弾性がある構
成部品からなる電気的な接続部４１を設けて、クラウン
３９を保持することにより、金属のラグ４５を介して、
その後部のバックプレート３１にサブストレートを押圧
することができるようにされる。ここで注意されること
は、プラズマに対して露出されたサブストレートの表面
にとって、フレーミング・クラウン３９のそれと実質的
に同一平面内で伸長することが好適だが、このクラウン
の厚みをサブストレートのそれよりも少なくすることが
できる。これに対して、ガード・リング３３の場合にお
けるように、フレーミング・クラウン３９の幅ｌ' が、
対向するプラズマのシース２８の平均的な厚みｅよりも
約２〜３倍大きいことが望ましい。

【００２３】図５において概略的に示されているもの
は、図４の解決策の適用であって、図１のそれのタイプ
のデュアルチャンバを備えた装置に収められている反応
包囲体に対するものである。従って、この図５において
再び見出されるプラズマ発生電極１は、同軸ケーブル３
および接続ボックス５を介して無線周波数の電源７に接
続されている。包囲体１１によって境界が形成されてい
る内部反応空間においては、その導電性のフレーミング
・ストリップ３９により僅かな距離だけおいて、周辺を
包囲されたサブストレート１７に電極が対面している。
ここでは包囲体１１（金属のプリオリ（priori））とと
もに組み込まれていることから、バックプレート３１は
アースされ、無線周波数の電流が発生器に戻るようにさ
れる。フレーム３９は絶縁されており、また、容量性の
補償接続部４３によってバックプレートに接続されてい
る。

【００２４】図６の変形のものは、先のものとは次のよ
うに異なっている。即ち、図１におけるように、サブス
トレートの直接的なフレーミング・ゾーンが包囲体１１
の長手方向の壁部２１によって形成され、このために、
アースにリンクされている点で、先のものとは異なって
いる。独立の金属構成部品２３からなるサブストレート
のバックプレートは絶縁されており、また、補償誘導４
７を備えた電気的な接続部を介してフレーミング部分２
１に接続されている。前記の補償誘導４７は、図５のコ
ンデンサのように、サブストレートの厚みｅ_s を通して
の無線周波数の電圧降下を補償することが意図されてい
るものである。そして、この例におけるサブストレート
には、その表面における薄い導電層４４が含まれてお
り、また、サブストレートとゾーン２１との間の「ブリ
ッジ」を形成する周辺の金属薄膜４５によって適所に留
められている。ここで明かであるべきことは、その適用
に依存して、コンデンサ４３またはインダクタ４７のい
ずれにせよ、妥当であるように、１個またはそれよりも
多くのインピーダンスを使用できるということである。

【００２５】図７および図８に示されているものは、基
本インダクタについての２個の他の実施例である。処理
されるべきサブストレートが比較的小さい寸法のもので
あるときには、金属壁部２１の後部に一方の端部４９ａ
が固定され、また、その他方の端部４９ｂを後方からサ
ブストレートに対抗してバックプレート２３を押すよう
に、巻回式の電気的ワイヤ４９の形式における自己誘導
が生成される。ここでのサブストレートは、壁部２１と
一体とされた固定用のタブ２１ｂによって周辺部が保持
される。ここで注意されることは、空白の電気的な絶縁
空間５０によって、バックプレート２３が包囲体壁部２
１から離れて留められるということである。相当に高い
周波数に対しては、後部においてバックプレート２３と
包囲体壁部２１を接続する微細な導電ストリップからな
るブリッジ５１の自己誘導を減少させえることもでき
る。相対的な弾性的圧力を確実にするために、これらの
ブリッジ５１は、包囲体の外部に向かう凸面を備えたア
ーチ状の形式にすることができる（図８を参照）。

【００２６】米国特許ＵＳＡ４，９８９，５４３（図
１）で説明されたものに少なくとも１個の補償誘導を用
いるこの発明の解決策の適用したものが図９に示されて
いる。反応包囲体１１の壁部のシーリングを改善するた
めに、容積部３０内において包囲体を外部の気密性のチ
ャンバ（点線２５によって概略的に示されている）に入
れられている。また、伸縮自在で導電性の圧力手段は、
この例においては金属押圧器５３からなるものであり、
バックプレート２３の後部表面上で保持されて、後部で
あるこのバックプレートと前部である金属固定用の部分
２１ｂとの間で、サブストレート１７を押し込むように
される。ここで観察できるように、押圧器５３の押圧位
置においては、バックプレート２３はパッド５５に対抗
して周辺で当接されて、包囲体壁部２１から電気的に絶
縁するようにされ、また、該サブストレートの保持の機
械的な条件を改善できるようにされる。

【００２７】ここでも注意されることは、誘導部を備え
た補償手段は、この例においては、自己誘導５７になる
ように巻回された電気的ワイヤからなるものである。そ
して、ここでの自己誘導５７は、その一方の側では押圧
器５３に接続され、また、周辺の包囲体壁部２１の後部
に、スプリング状に湾曲され、巻回されて、その他方の
側で弾性的に保持するようにされる。

【００２８】最後に、図１０には、ある１個の解決策の
原理が概略的に示されている。一方ではサブストレート
の処理されるべき表面とプラズマとの間の、他方ではこ
のサブストレートの導電フレーム・ゾーンの対応する表
面と前記プラズマとの間の電圧を実質的に等しくするた
めに、補償インピーダンスの値を調整できるようにされ
ている。

【００２９】概念を固定させるために、これら種々の量
をリンクさせる関係は次の通りである。｜Ｖp−Ｖs｜＝｜Ｖp−Ｖm｜・［ｅ_g／（ｅ_g＋ｅ_s／ε）］なお、Ｖp−Ｖs：プラズマとそれに対面するサブストレートの
処理されるべき表面との間の潜在的な差に対応するも
の、Ｖp−Ｖm：プラズマとサブストレートの導電フレーミン
グ・ゾーンの対向する面との間の潜在的な差に対応する
もの、ｅ_g ：シースまたは変移ゾーン２８の平均的な厚みを表
すもの、ｅ_s ：サブストレートの厚みに対応するもの、そして、 ε ：サブストレートの誘電許容性に対応するものであ
る。

【００３０】以下においては、補償インピーダンスが全
て誘導からなる場合だけが扱われることになる。真空の
下で変化できる同調可能な自己誘導について考案するの
は当然費用がかかることであろう。そこで考案された原
理は、プラズマが存在しないときに、空気中での調整が
できるようにすることである。

【００３１】この目標により、そして図１０に例示され
ているように、同軸ケーブル５９がリアクタに挿入され
ている。そのコア６１はアースに接続されている。電気
的に活性のあるケーブルのストランド６３は、サブスト
レートの処理されるべき表面１７ａの大部分をカバーす
る薄い導電層６５に接続されている。この「２次電極」
６５は、サブストレートに対して固着された薄いもので
あって、フレーミング壁部２１からなるアースから電気
的に絶縁されている。そして、極めて大きいサブストレ
ートの場合には、最大の寸法Ｌにおいて１０ｃｍないし
２０ｃｍを超えないことが好適である。

【００３２】補償誘導４７（例えば、調節スタッド４７
ａを備えたタイプのもの）の同調を進行させるために
は、電極１はまず無線周波数発生器７によって励起され
ることになる。そして、該同調が最適化されて電極上に
極めて高い電圧を得るようにされ、２次電極層６５上で
容量的に検出された信号が最大になるようにされる。次
に、同軸ケーブルの活性ストランド６３内を循環してい
る信号は、オシロスコープ６７のような記録手段によっ
て記録することができるが、このオシロスコープ６７は
無線周波数発生器７からの信号も受け入れるものであ
る。

【００３３】次の関係が満足されるまでその値を変動さ
せることにより、例えばオシロスコープの表示スクリー
ンから、誘導コイル４７の同調をとることができる。Ｌ≒Ｃ／ω² （１）ここに、Ｌ：同調されるべき自己誘導４７を表すもの、Ｃ：サブストレートの容量とバックプレートをアースに
結合させる容量との和、そして、 ω：無線周波数の角周波数、である。「等式」（１）が仮想的に満足されているときには、電
極６５からの信号に対応するカーブが「ゼロ」を通過し
て、実質的に直線の形式で現れる。ここで情報を介して
注意されることは、プラズマに露出される表面の反対の
面が導電（例えば、金属）層によって被覆されていると
きにも、サブストレートの処理をより均質にするために
この発明において提案された解決策に異なるところはな
いことである。既に述べられているように明かであるこ
とは、例えば、半導体の電気的な特性を備えたシリコン
その他の任意の材料のような半導体サブストレートに
も、この発明を適用できるということである。

【図面の簡単な説明】

【図１】容量性の無線周波数の放電についての代表的な
構成の例示図である。

【図２】サブストレートの処理の均質化を可能にするた
めの、この発明のデバイスの実施例の概略的な横断面図
である。

【図３】サブストレートの処理の均質化を可能にするた
めの、この発明のデバイスの実施例の概略的な横断面図
である。

【図４】サブストレートの処理の均質化を可能にするた
めの、この発明のデバイスの実施例の概略的な横断面図
である。

【図５】この発明において使用できるタイプの反応包囲
体内に配置された、図４のデバイスの原理についての例
示図である。

【図６】電圧補償インピーダンスとしての誘導接続が用
いられている、図５の設備についての代替的な実施例を
示す図である。

【図７】上記のような誘導についての実施例を概略的に
示す図である。

【図８】上記のような誘導についての実施例を概略的に
示す図である。

【図９】上記のような誘導についての実施例を概略的に
示す図である。

【図１０】サブストレート・レベルにおいて所望の電圧
補償を達成するために、前記の誘導が調節されることを
可能にする原理の例示図である。

【符号の説明】

１−−電極；３−−同軸耐漏出性の取り込み口；５−−
同調ボックス；６−−可変コンデンサ；７−−無線周波
数電力発生器；８−−インダクタ；９−−減結合コンデ
ンサ；１１−−包囲体；１３−−反応空間；１５−−絶
縁空間；１７−−サブストレート；２５−−気密チャン
バ；

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電材料のゾーン（２１，３９）によっ
て側面が包囲されるように取り付けられ、少なくとも１
層の導電層で被覆されるサブストレート（１７）のプラ
ズマに面する表面（１７ａ）をプラズマで処理するため
の方法において、サブストレートの前記表面（１７ａ）
を実質的に均質な処理をするため、一方ではサブストレ
ート（１７）の表面と対向するプラズマ（２６）との間
で、また、他方ではこの同じサブストレートの前記フレ
ーミング表面（２１，３９）と前記プラズマとの間で、
実質的に等しい無線周波数電圧が広がっていることを特
徴とするサブストレートを処理する方法。
【請求項２】プラズマに向ける材料ゾーン（２１，３
３，３９）によって側面がフレーミングされ、少なくと
もその厚み（ｅ_s ）の部分にわたって実質的に電気的に
絶縁しているサブストレート（１７）の表面（１７ａ）
をプラズマで処理するための装置において、無線周波数電力源（７）と、サブストレート（１７）の前記表面およびそのフレーミ
ング・ゾーン（２１、３９）に対向するプラズマを発生
させるための発生手段（１）と、を有し、更に、一方ではサブストレート（１７）の前記表面（１７ａ）
と対向するプラズマ（２６）との間で、また、他方では
サブストレートのフレーミング・ゾーン（２１、３９）
と前記プラズマとの間で、実質的に等しい無線周波数電
圧とするための手段（２３、３１；４３、４７）を含ん
でいることを特徴とするサブストレートを処理するため
の装置。
【請求項３】プラズマに向けた表面を有し、導電材料
ゾーン（２１，３９）によって側面をフレーミングされ
ているサブストレート（１７）の表面（１７ａ）をプラ
ズマで処理するための装置において、無線周波数電力源（７）と、サブストレート（１７）の前記表面およびそのフレーミ
ング・ゾーン（２１，３９）に対向するプラズマを発生
させるための発生手段（１）と、を有し、バックプレートを形成する導電構成体または構成体部分
（２３，３１）が、プラズマ（２６）に指向して対向す
るサブストレートの第２の表面と接触するように配置さ
れて、このバックプレートおよびサブストレートの前記
フレーミング・ゾーン（２１、３９）は構造的には分離
しており、また、少なくとも一つのインピーダンス（４
３、４７）を介して電気的に接続され、サブストレート
（１７）の厚みを通して無線周波数電圧における変動の
実質的に補償されていることを特徴とするサブストレー
トを処理する装置。
【請求項４】少なくともその厚み（ｅ_s ）の一部が実
質的に電気的に絶縁しているサブストレート（１７）の
表面（１７ａ）をプラズマをもって処理するための装置
において、反応空間に向く表面を有し、導電材料ゾーン（２１、３
９）によって側面でフレーミングされているサブストレ
ートの前記表面（１７ａ）に向いている前記反応空間
（１３）を規定する包囲体（１１）と、前記空間においてプラズマ領域（２６）を設定するため
の発生手段（１、２０）と、無線周波数電力源（７）と、前記反応包囲体（１１）が収納されている気密性の外部
室（２５）と、前記外部室（２５）内を包囲体（１１）内よりも低い圧
力を設定するための減圧手段（２２、２４）と、を有しており、さらに、一方ではサブストレート（１７）の前記表面（１７ａ）
と対向するプラズマ領域（２６）との間で、また、他方
ではサブストレートの前記フレーミング・ゾーン（２
１、３９）と前記プラズマ領域との間で、実質的に等し
い無線周波数電圧とするため調節手段（４３，４７）を
有している、ことを特徴とするサブストレートを処理する装置。