JPH05166227A - 相変化型光記録媒体 - Google Patents
相変化型光記録媒体Info
- Publication number
- JPH05166227A JPH05166227A JP3330475A JP33047591A JPH05166227A JP H05166227 A JPH05166227 A JP H05166227A JP 3330475 A JP3330475 A JP 3330475A JP 33047591 A JP33047591 A JP 33047591A JP H05166227 A JPH05166227 A JP H05166227A
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- JP
- Japan
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- optical recording
- protective layer
- layer
- recording medium
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 書き換え可能な相変化型光記録媒体の記録特
性および消去比を改善することを目的とする。 【構成】 基板上に少なくとも第１保護層、光記録層、
第２保護層を備え、光記録層に光エネルギーを照射して
情報の記録、再生、消去を行う記録媒体において、基板
と接触しない保護層を、IVａ族、Ｖａ族、VIａ族の各元
素の炭化物、窒化物、ホウ化物、ケイ化物の少なくとも
１種をもって構成してなるものである。
性および消去比を改善することを目的とする。 【構成】 基板上に少なくとも第１保護層、光記録層、
第２保護層を備え、光記録層に光エネルギーを照射して
情報の記録、再生、消去を行う記録媒体において、基板
と接触しない保護層を、IVａ族、Ｖａ族、VIａ族の各元
素の炭化物、窒化物、ホウ化物、ケイ化物の少なくとも
１種をもって構成してなるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、書き換え可能な相変化
型光記録媒体に関するものである。
型光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザービーム照射による情報の記録・
再生および消去の可能な相変化型光記録媒体には、光記
録層の大気雰囲気からの保護のためと、レーザービーム
照射時に光記録層で発生する熱の基板への伝達を遮断す
る目的で保護層を有している。従来の代表的な光記録媒
体の層構成は、一般的に図１に示すように、基板１、第
１保護層２、光記録層３、第２保護層４からなり、ポリ
カーボネイト、ＰＭＭＡ等のプラスチック基板上に、波
長７００〜９００ｎｍのレーザー光に対し、透光性が高
く、しかも熱絶縁性の高いセラミック製の第１保護層を
成膜し、その上にＧｅＴｅＳｂ等からなる光記録層を成
膜し、その上にセラミック製の第２保護層を成膜してい
る。第２の保護層４はＡｌＮ、ＳｉＮ、ＺｎＳ・ＳｉＯ
2等比較的熱伝導率の高いセラミックが使用されてい
る。しかし、それでも放熱性並びに耐食性が不十分なの
で、図２に示すように、さらに表面に放熱層５を設ける
ことも行われている。
再生および消去の可能な相変化型光記録媒体には、光記
録層の大気雰囲気からの保護のためと、レーザービーム
照射時に光記録層で発生する熱の基板への伝達を遮断す
る目的で保護層を有している。従来の代表的な光記録媒
体の層構成は、一般的に図１に示すように、基板１、第
１保護層２、光記録層３、第２保護層４からなり、ポリ
カーボネイト、ＰＭＭＡ等のプラスチック基板上に、波
長７００〜９００ｎｍのレーザー光に対し、透光性が高
く、しかも熱絶縁性の高いセラミック製の第１保護層を
成膜し、その上にＧｅＴｅＳｂ等からなる光記録層を成
膜し、その上にセラミック製の第２保護層を成膜してい
る。第２の保護層４はＡｌＮ、ＳｉＮ、ＺｎＳ・ＳｉＯ
2等比較的熱伝導率の高いセラミックが使用されてい
る。しかし、それでも放熱性並びに耐食性が不十分なの
で、図２に示すように、さらに表面に放熱層５を設ける
ことも行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の保護層の放熱性
並びに耐食性の不十分さを解消して、放熱の不十分さに
基づく記録マークの粗大化、エッジの不明確化等により
Ｃ／Ｎ記録特性および消去比が低くなる問題点を解決
し、良好なＣ／Ｎ記録特性および消去比を有する相変化
型光記録媒体を提供しようとするものである。
並びに耐食性の不十分さを解消して、放熱の不十分さに
基づく記録マークの粗大化、エッジの不明確化等により
Ｃ／Ｎ記録特性および消去比が低くなる問題点を解決
し、良好なＣ／Ｎ記録特性および消去比を有する相変化
型光記録媒体を提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、少
なくとも第１保護層、光記録層、第２保護層を備え、光
記録層に光エネルギーを照射して情報の記録、再生、消
去を行う記録媒体において、基板と接触しない第２保護
層をIVａ族、Ｖａ族、VIａ族の各元素の炭化物、窒化
物、ホウ化物、ケイ化物の少なくとも１種をもって構成
してなる相変化型光記録媒体である。
なくとも第１保護層、光記録層、第２保護層を備え、光
記録層に光エネルギーを照射して情報の記録、再生、消
去を行う記録媒体において、基板と接触しない第２保護
層をIVａ族、Ｖａ族、VIａ族の各元素の炭化物、窒化
物、ホウ化物、ケイ化物の少なくとも１種をもって構成
してなる相変化型光記録媒体である。
【０００５】これを前記図１並びに図２に基づいて説明
すると、基板１には光透過性に優れ、耐熱性や耐候性、
耐薬品性に優れた材質が好ましい。プラスチックやガラ
スはこの要求を満たしており、プラスチックはトラッキ
ング用の案内溝やピットが２Ｐ法又は射出成形で簡単に
しかも安価に形成でき、ガラスは密着露光法のドライエ
ッチング等でトラッキング用の溝やピットを形成でき
る。プラスチックを用いる場合、特にポリカーボネート
やアモルファスのポリオレフィン等の材質が好ましく使
用される。
すると、基板１には光透過性に優れ、耐熱性や耐候性、
耐薬品性に優れた材質が好ましい。プラスチックやガラ
スはこの要求を満たしており、プラスチックはトラッキ
ング用の案内溝やピットが２Ｐ法又は射出成形で簡単に
しかも安価に形成でき、ガラスは密着露光法のドライエ
ッチング等でトラッキング用の溝やピットを形成でき
る。プラスチックを用いる場合、特にポリカーボネート
やアモルファスのポリオレフィン等の材質が好ましく使
用される。
【０００６】基板１上に設ける第１保護層２は、光記録
層３を外界の湿気（つまり水分）などによる腐食から防
止するパッシベーション効果と、光記録層３へのレーザ
ー照射により発生した熱から基板１を保護する役目があ
る。このため第１保護層２は、十分なパッシベーション
効果と熱伝導率が十分低いＺｎＳ・ＳｉＯ2等が使用さ
れている。第１保護層２の成膜には、スパッタ法、蒸着
法等が使用され、５００〜３０００Åの膜厚に形成され
る。
層３を外界の湿気（つまり水分）などによる腐食から防
止するパッシベーション効果と、光記録層３へのレーザ
ー照射により発生した熱から基板１を保護する役目があ
る。このため第１保護層２は、十分なパッシベーション
効果と熱伝導率が十分低いＺｎＳ・ＳｉＯ2等が使用さ
れている。第１保護層２の成膜には、スパッタ法、蒸着
法等が使用され、５００〜３０００Åの膜厚に形成され
る。
【０００７】光記録層３には、Ｓｅ、Ｔｅなどのカルコ
ゲン蔟元素を少なくとも１種類以上含む合金が好ましく
使用されるが、これに限定されない。このような合金と
して、例えばＧｅＴｅＳｂ、ＡｇＩｎＴｅＳｂ等が例示
される。この光記録層はスパッタ法、蒸着法等により２
００Å〜４０００Åの膜厚に形成される。
ゲン蔟元素を少なくとも１種類以上含む合金が好ましく
使用されるが、これに限定されない。このような合金と
して、例えばＧｅＴｅＳｂ、ＡｇＩｎＴｅＳｂ等が例示
される。この光記録層はスパッタ法、蒸着法等により２
００Å〜４０００Åの膜厚に形成される。
【０００８】第２保護層４は、本発明の特徴となるもの
で、光記録層３の腐食劣化を防止するために、パッシベ
ーション効果が大きく、しかも光記録層へのレーザー光
照射により発生した熱を、放熱層側へ伝達するために、
熱伝導率の高いＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、ＴｈなどのIVａ族元
素の炭化物、窒化物、ホウ化物、ケイ化物あるいはＶ、
Ｎｂ、ＴａなどのＶａ族元素の炭化物、窒化物、ホウ化
物、ケイ化物あるいはＣｒ、Ｍｏ、ＷなどのVIａ族元素
の炭化物、窒化物、ホウ化物、ケイ化物からなり、スパ
ッタ法あるいは蒸着法等により５０Å〜２０００Åの膜
厚に成膜される。
で、光記録層３の腐食劣化を防止するために、パッシベ
ーション効果が大きく、しかも光記録層へのレーザー光
照射により発生した熱を、放熱層側へ伝達するために、
熱伝導率の高いＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、ＴｈなどのIVａ族元
素の炭化物、窒化物、ホウ化物、ケイ化物あるいはＶ、
Ｎｂ、ＴａなどのＶａ族元素の炭化物、窒化物、ホウ化
物、ケイ化物あるいはＣｒ、Ｍｏ、ＷなどのVIａ族元素
の炭化物、窒化物、ホウ化物、ケイ化物からなり、スパ
ッタ法あるいは蒸着法等により５０Å〜２０００Åの膜
厚に成膜される。
【０００９】本発明において前記の第２保護層は熱伝導
率の高い材質で形成されるため、記録マークの粗大化、
記録マークのエッジの不明確化等の発生が抑制され、Ｃ
／Ｎ記録特性及び消去比の向上を計ることができる。
又、該保護層自体が放熱効果を有するゆえに、該層上に
更に従来の放熱層を設けることを省略することができ
る。
率の高い材質で形成されるため、記録マークの粗大化、
記録マークのエッジの不明確化等の発生が抑制され、Ｃ
／Ｎ記録特性及び消去比の向上を計ることができる。
又、該保護層自体が放熱効果を有するゆえに、該層上に
更に従来の放熱層を設けることを省略することができ
る。
【００１０】本発明の第２保護層は耐腐食性を有するた
め、該層上に有機保護層を設けることなく、高温、多湿
条件下の条件下でも長期にわたって安定した性能を発揮
できるものである。
め、該層上に有機保護層を設けることなく、高温、多湿
条件下の条件下でも長期にわたって安定した性能を発揮
できるものである。
【００１１】放熱層５は、熱伝導率が比較的高いＡｌあ
るいはＡｌ合金が一般に使用される。放熱層５はスパッ
タ法、蒸着法等により２００Å〜２５００Åの膜厚に成
膜される。
るいはＡｌ合金が一般に使用される。放熱層５はスパッ
タ法、蒸着法等により２００Å〜２５００Åの膜厚に成
膜される。
【００１２】以上本発明による構成例について述べてき
たが、本発明はこれらの構成例のみに限定されるもので
はなく、例えば、反射層５の上に有機カバー層を設けた
り、接着層を介して図１の如き媒体を貼り合せ両面記録
型とするなど、種々の変形、変更が可能である。
たが、本発明はこれらの構成例のみに限定されるもので
はなく、例えば、反射層５の上に有機カバー層を設けた
り、接着層を介して図１の如き媒体を貼り合せ両面記録
型とするなど、種々の変形、変更が可能である。
【００１３】
【実施例】次に、実施例並びに比較例を挙げて本発明を
説明する。
説明する。
【００１４】実施例１ ポリカーボネイト製基板上に、ＺｎＳ・ＳｉＯ2ターゲ
ットを使用し、Ａｒ雰囲気中にて、ＺｎＳ・ＳｉＯ2か
らなる第１保護層２をスパッタ成膜し、その上に光記録
層３を成膜した。ターゲット組成はＡｇ：Ｉｎ：Ｔｅ：
Ｓｂの原子比が１：１：２：４であり、Ａｒ雰囲気中で
スパッタ成膜した。第２保護層４は本発明の特徴となす
もので、Ｔｉターゲットを使用し、ＡｒおよびＮ2雰囲
気中にて、ＴｉＮからなる保護層４をスパッタ成膜し
た。
ットを使用し、Ａｒ雰囲気中にて、ＺｎＳ・ＳｉＯ2か
らなる第１保護層２をスパッタ成膜し、その上に光記録
層３を成膜した。ターゲット組成はＡｇ：Ｉｎ：Ｔｅ：
Ｓｂの原子比が１：１：２：４であり、Ａｒ雰囲気中で
スパッタ成膜した。第２保護層４は本発明の特徴となす
もので、Ｔｉターゲットを使用し、ＡｒおよびＮ2雰囲
気中にて、ＴｉＮからなる保護層４をスパッタ成膜し
た。
【００１５】それぞれの膜厚は、第１保護層２が２００
０Å、光記録層３が１０００Å、第２保護層４が２５０
０Åとした。
０Å、光記録層３が１０００Å、第２保護層４が２５０
０Åとした。
【００１６】比較例１ 実施例１において、第２保護層４をＺｎＳ・ＳｉＯ2と
し、さらに放熱層を加えた４層構成のディスクを作製し
た。この場合の保護層４の膜厚は１０００Å、放熱層の
膜厚は５００Åである。
し、さらに放熱層を加えた４層構成のディスクを作製し
た。この場合の保護層４の膜厚は１０００Å、放熱層の
膜厚は５００Åである。
【００１７】各ディスクは、レーザー照射により、１０
ｍＷで初期化を行った後、ライトパワー１２ｍＷ、バイ
アス６ｍＷで記録、消去を行った。
ｍＷで初期化を行った後、ライトパワー１２ｍＷ、バイ
アス６ｍＷで記録、消去を行った。
【００１８】その結果、実施例のディスクの記録特性は
４９ｄＢ、消去比は４８ｄＢであり、比較例のディスク
と同等の記録、消去特性が得られた。
４９ｄＢ、消去比は４８ｄＢであり、比較例のディスク
と同等の記録、消去特性が得られた。
【００１９】また、実施例および比較例の各ディスクに
有機保護膜を付加後、Ｚ／ＡＤ試験（温湿度熱サイクル
試験）を１０サイクル、約５００時間行った結果、実施
例および比較例のディスクとも、剥離、クラック等は観
察されなかった。
有機保護膜を付加後、Ｚ／ＡＤ試験（温湿度熱サイクル
試験）を１０サイクル、約５００時間行った結果、実施
例および比較例のディスクとも、剥離、クラック等は観
察されなかった。
【００２０】実施例２ 実施例１と同様に、ポリカーボネイト製基板上に第１保
護層２、光記録層３をスパッタにより成膜した。本発明
の特徴となる第２保護層４は、Ａｒ雰囲気中にて、Ｎｂ
Ｓｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＢ、ＺｒＢを形成した。各第２保
護層４の膜厚は、ＮｂＳｉ、ＭｏＳｉは２５００Åと
し、ＴｉＢ、ＺｒＢは２００Åとした。
護層２、光記録層３をスパッタにより成膜した。本発明
の特徴となる第２保護層４は、Ａｒ雰囲気中にて、Ｎｂ
Ｓｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＢ、ＺｒＢを形成した。各第２保
護層４の膜厚は、ＮｂＳｉ、ＭｏＳｉは２５００Åと
し、ＴｉＢ、ＺｒＢは２００Åとした。
【００２１】各ディスクとも表１に示すように、比較例
とほぼ同等の記録特性、消去比が得られた。
とほぼ同等の記録特性、消去比が得られた。
【００２２】
【表１】
【００２３】＊Ｚ／ＡＤ後の判定は、剥離、クラックの
有無を調べた。
有無を調べた。
【００２４】実施例３ 実施例１の層構成にさらに、Ａｌターゲットを使用し、
Ａｒ雰囲気中にてスパッタ成膜を行い放熱層５を形成し
た。ただし、第２保護層４の膜厚は１０００Åとし、放
熱層５の膜厚は５００Åとした。
Ａｒ雰囲気中にてスパッタ成膜を行い放熱層５を形成し
た。ただし、第２保護層４の膜厚は１０００Åとし、放
熱層５の膜厚は５００Åとした。
【００２５】比較例２ 実施例３において、第２保護層４をＺｎＳ・ＳｉＯ2と
した以外は同様にして比較ディスクを作成した。
した以外は同様にして比較ディスクを作成した。
【００２６】実施例３と比較例２の各ディスクを、レー
ザー照射により１０ｍＷで初期化を行った後、ライトパ
ワー１２ｍＷ、バイアス６ｍＷで記録・消去を行った。
ザー照射により１０ｍＷで初期化を行った後、ライトパ
ワー１２ｍＷ、バイアス６ｍＷで記録・消去を行った。
【００２７】その結果、実施例３のディスクでは記録特
性が５１ｄＢ、消去比４８ｄＢ以上が達成されたものに
対し、比較例２のディスクでは記録特性４９ｄＢ、消去
比４６ｄＢであった。
性が５１ｄＢ、消去比４８ｄＢ以上が達成されたものに
対し、比較例２のディスクでは記録特性４９ｄＢ、消去
比４６ｄＢであった。
【００２８】実施例４ 第１保護層２、光記録層３および放熱層５の各層は、実
施例３と同様にスパッタ成膜した。本発明の特徴となる
第２保護層４はＡｒ雰囲気中にて、ＮｂＳｉ、ＭｏＳ
ｉ、ＴｈＳｉ、ＴｉＢ、ＺｒＢ、ＨｆＢを形成した。各
第２保護層の膜厚は、ＮｂＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｈＳｉは
８００Åとし、ＴｉＢ、ＺｒＢ、ＨｆＢは１０００Åと
した。各ディスク共、表２に示すように記録特性４９〜
５２ｄＢ、消去比４６〜４８ｄＢが得られた。
施例３と同様にスパッタ成膜した。本発明の特徴となる
第２保護層４はＡｒ雰囲気中にて、ＮｂＳｉ、ＭｏＳ
ｉ、ＴｈＳｉ、ＴｉＢ、ＺｒＢ、ＨｆＢを形成した。各
第２保護層の膜厚は、ＮｂＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｈＳｉは
８００Åとし、ＴｉＢ、ＺｒＢ、ＨｆＢは１０００Åと
した。各ディスク共、表２に示すように記録特性４９〜
５２ｄＢ、消去比４６〜４８ｄＢが得られた。
【００２９】
【表２】
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、相変化型光記録媒体に
おいて、放熱側の保護層の材質をIVａ族、Ｖａ族あるい
はVIａ族元素の炭化物、窒化物、ホウ化物、ケイ化物と
することで、記録特性および消去比を改善することがで
きた。
おいて、放熱側の保護層の材質をIVａ族、Ｖａ族あるい
はVIａ族元素の炭化物、窒化物、ホウ化物、ケイ化物と
することで、記録特性および消去比を改善することがで
きた。
【図１】本発明に係る相変化型光記録材料の層構成の説
明図である。
明図である。
【図２】本発明に係る相変化型光記録材料の他の層構成
の説明図である。
の説明図である。
１ 基板 ２ 第１保護層 ３ 光記録層 ４ 第２保護層 ５ 放熱層
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも第１保護層、光記
録層、第２保護層を備え、光記録層に光エネルギーを照
射して情報の記録、再生、消去を行う記録媒体におい
て、基板と接触しない第２保護層をIVａ族、Ｖａ族、VI
ａ族の各元素の炭化物、窒化物、ホウ化物、ケイ化物の
少なくとも１種をもって構成してなることを特徴とする
相変化型光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3330475A JPH05166227A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 相変化型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3330475A JPH05166227A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 相変化型光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166227A true JPH05166227A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18233043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3330475A Pending JPH05166227A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 相変化型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166227A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2054889A4 (en) * | 2006-08-01 | 2009-11-18 | Ricoh Kk | INTEGRABLE OPTICAL RECORDING MEDIUM AND ITS RECORDING METHOD |
| CN100576326C (zh) | 2005-09-06 | 2009-12-30 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 一种bd蓝光光盘以及制造该bd蓝光光盘的系统和方法 |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP3330475A patent/JPH05166227A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100576326C (zh) | 2005-09-06 | 2009-12-30 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 一种bd蓝光光盘以及制造该bd蓝光光盘的系统和方法 |
| EP2054889A4 (en) * | 2006-08-01 | 2009-11-18 | Ricoh Kk | INTEGRABLE OPTICAL RECORDING MEDIUM AND ITS RECORDING METHOD |
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