JPS60160037A - 情報記録媒体 - Google Patents

情報記録媒体

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JPS60160037A
JPS60160037A JP59015463A JP1546384A JPS60160037A JP S60160037 A JPS60160037 A JP S60160037A JP 59015463 A JP59015463 A JP 59015463A JP 1546384 A JP1546384 A JP 1546384A JP S60160037 A JPS60160037 A JP S60160037A
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Japan
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recording
recording layer
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JP59015463A
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Susumu Sakamoto
進 坂本
Junichi Akamatsu
赤松　順一
Kenjiro Watanabe
健次郎 渡辺
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Sony Corp
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  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーザ光等の集束エネルギービームによって、
光学的に情報を記録する情報記録媒体、特に消去書き換
え可能な光学式情報記録媒体に係わる◎ 背景技術とその問題点 記録消去、書き換え可能な光学式情報記録媒体としては
、光磁気記録媒体が知られている。しかしながらこのよ
うな光磁気媒体にあっては、その情報記録、即ち磁化の
向きを光の偏光を用いて読み出すものであるために、光
学系が複雑となる。
また、その消去は外部磁界によってなすものであるため
に装置が複雑となる。
これに比し磁気記録によらない非晶質から結晶質へ、ま
た結晶質から非晶質への可逆的相転移を利用して、急熱
、急冷による結晶質から非晶質への相転移を行って例え
ば情報の記録をなし、楡熱によって非晶質から結晶質へ
の相転移を行って例えば消去をなし非晶質状態と結晶質
状態における反射率Ｒ１透過率τの変化によって信号の
再生を行う方法が提案された。例えば特開昭５５−２８
５３０号公報にはｒｅｏｘ（ｏ＜ｘ＜２）等の低酸化物
を用いた情報記録材料、或いは特開昭５２−１３８１４
５号公報に開示されたＡｓ　−Ｔｏ−Ｑａ系の情報記録
材料が提案されている。このような相転移によって情報
の記録、消去、書き換えを行う方法による場合、レーザ
ー光量及び照射時間によって結晶質ヰ非晶質の相転移を
行わしめて記録及び消去を行うので光学系が簡素化され
るという利点を有する。またこの相転移による記録方法
はその再生信号量が前述した光磁気材料による再生信号
量に比して極めて大きいものであってコントラスト比の
大きな記録ができるという利点を有している。
このように相転移によって情報の記録、消去。
書き換えを行う情報記録媒体においては、その結晶状態
から非晶質状態への相転移、例えば記録にあたっては急
冷を要することから、できるだけ記録層の熱容量は小さ
いことが要求され、更に非晶質状態から結晶質への転移
による例えば消去時においては、この記録層をその融点
以上に高温に刃口熱する必要があることからその熱効率
をできるだけ高めて照射光のパワーの低減化乃至は照射
光と情報記録媒体との相対的走行速度例えばディスクに
おける回転速度を早め得るようにするために記録層の厚
さはできるだけこれが薄く形成されることが要求される
。ところがこの相転移を利用した情報記録を行う情報記
録媒体においてこれを単層膜で実現しようとする場合、
記録前後の光学定数の変化即ち大きな変調度がとれる最
小膜厚が１００ＯＸ程度に決まってしまう。第１図は、
ガラス基板上にＳ　ｂ　ｙ　ｏ　Ｓ　＠　３ｏよシなる
記録層を蒸着して得た情報記録媒体に対してその基体側
から半導体レーザー元（波長８３０１１ｍ）を照射した
場合の反射率を示すもので、同図中実線曲線は記録層の
蒸着状態即ち非晶質状態の場合、破線曲線は加熱徐冷に
よってこの記録層を結晶化した場合でここに非晶質状態
における複屈折率育＝　４．４−１．５　ｔ　、結晶質
状態ではＷ＝　４．９−２．８　ｔである。これよシ明
らかなように記録前後における最大の反射率差即ち最大
の変調度を得ることのできる最小膜厚は１０００Ｘ程度
である。
発明の目的 本発明は上述した相転移による情報記録媒体において、
情報記録層の厚さを充分薄くすることができるようにし
て記録及び消去を確実にかつ高感度、低ノｆワー、高速
回転をもって行うことができるようにし、しかも記録後
の変調度を大きくとることができるようにした情報記録
媒体を提供するものである。
発明の概要 本発明においては、基板上に１少くとも第１の層と第２
の層とを設ける。第１の層は相転移記録層即ち非晶質状
態と結晶質状態とが可逆的に変化し得る記録材料層よシ
なシ、第２の層はこの第１の層即ち記録層の構成材料の
融点よ９３００℃以上高い融点を有し、かつ第１の層即
ち記録層がその溶融温度以上に昇温した状態においても
この第１の層と反応が生じることがない安定な高融点材
料層よ）構成する。
実施例 実施例１ 第２図に示すように、ガラス基板（１）上に第１の層（
２）、即ち記録層として５ｂ２Ｓ０３ヲ抵抗加熱による
真空蒸着によって厚さ４００Ｘに被着形成し、これの上
に第２の層（３）即ち高融点層としてＭｏ　ｆ電子ビー
ム蒸着によｐ　９６０　Ｘの厚さに被着形成した。これ
ら第１及び第２の層（２）及び（３）は同一の真空蒸着
ペルツヤー内にＳｂ２Ｓｅ３の抵抗加熱による蒸着源と
、Ｍｏの電子ビーム衝撃による蒸着源とを設けおくこと
によって連続蒸着によって形成することができる。この
ようにして得た試料に対し、その基体（１）側から半導
体レーデ−元（波長λ＝　ｓ３ｏ　ｎｍ）の平行ビーム
を照射し、その反射光をフォトディテクターでモニター
しながらこの試料を加熱して行った。この場合の加熱温
度と反射率との関係の測定結果を第３図に示す。これよ
シ明らかなように、この場合、１８０℃付近の加熱によ
って反射率が大きく変化している。これはこの温度で５
ｂ２Ｓｓ３記録層（２）が非晶質状態から結晶質状態に
転移しているためでアリ、これ以上にその加熱温度を上
昇させても反射率変化はほとんど見られていない。尚、
ここにＳ　ｂ　２　Ｓ　ｓ　ｓの融点は、５８５０′で
あシ、この温度程度位までの昇温によっても第２層のＭ
ｏとの反応は生じていない。
実施例２ １．２諺厚さのガラス円盤よシなる基体（１）ヲ設けこ
れに実施例１と同様に５ｂ２Ｓ０３よシなる第１の層（
２）とＭｏよシなる第２の層（３）を夫々抵抗加熱によ
る真空蒸着、電子ビーム衝撃による真空蒸着によって被
着してディスクを得た。これをオーブンにて加熱し第１
の層即ち記録層のＳｂ２Ｓｅ３層を結晶化させて第３図
において示した高反射率の状態にし、その後半導体レー
ザー光でディスクの回転数３００ｒ、ｐ、ｍとして盤面
のレーザーノぞワー９．５ｍＷ直流によって記録を行っ
た。このようにして記録された部分は、非晶質化されそ
の反射率は半分程度に低下した。このディスクを再びオ
ープンにて加熱アニールすると記録部は再度結晶化した
。同様にして再び直流レーザー元による記録を行うと前
述したとＰ１様に非晶質化され、これらの現象が可逆的
であることが確認された。
比較例１ 実施例ＩＫおけると同様にガラス基体上に５ｂ２Ｓｅ。
層を抵抗加熱による真空蒸着によって４００Ｘの厚さに
形成し、これの上にＮｌ　’に電子ビーム蒸着により　
２５００Ｘ形成した。このようにして得た試料を、実施
例１におけると同様に加熱しながらその反射率をモニタ
ーしたところ、第４図に示すように加熱温度に対する反
射率変化が得られた。この第４図を第３図と比較して明
らかなように、この比較例１による試料は、反射率の変
化が複雑な態様をとる。これは記録層の５ｂ２Ｓｅ、の
結晶状態変化だけではなくＳｂ２Ｓｅ３と１ＩＪｉとの
合金化反応（拡散反応）がおきていることによるものと
思われる。尚、この場合、高反射率状態から元の低反射
率状態即ち５ｂ２ｓｏ、の非晶質状態に戻すことは不可
能であシ記録消去書き換えは不可能であった。
実施例３ 案内溝付きの厚さ１．２簡のアクリル基板よシなる基体
（１）を用意し、これに５ｌｏ２ｔ　１ｏｏｏ　ｌの厚
さに抵抗加熱蒸着によって形成した。更にこれの上に第
１の記録層として５ｂ２Ｓｅ５とｓｂとの２元共蒸着に
よＩ）　Ｓｅの組成比が３０原子係である８ｂ−８ｏ合
金＠　３５０　Ｘの厚さに形成し、これの上に第２の層
（３）としてＭｏを電子ビーム蒸着によｊｏ　５００　
Ｘの厚さに被着形成した。これら５ｉＯｚ　−５ｂ−８
ｓ合金層、Ｍｏ層の各蒸着は、同一蒸着ペルジャー内で
連続的に行うことができる。このようにして得たディス
クを、その蒸着面を内側にして基体（１）とは反対側に
透明の同様のアクリル基板を紫外線硬化樹脂をもって貼
シ合わせてディスクを得た。このようにして得たディス
クの５ＩＯ２層は、断熱効果を得るためのものである。
即ち、この５ｓｏ２Ｎはアクリル基板よシ成る基体（１
）の、第１及び第２の層の蒸着時の加熱による変形を防
止すると共に、第１の層の記録材料層の腐蝕防止の効果
を得るものである。また、この蒸着面上に貼シ合わせた
アクリル基板は、記録層の保護と共に記録材料の変形蒸
発等の防止効果を得るだめのものである。このようにし
て作製したディスクに半導体レーザー元をビーム径約１
μｍ程度に集光させて記録層（２）に対して記録消去を
行った。先ず、ディスクを４５Ｏｒｐｍで回転させ半導
体レーザー元の盤面パワー１５ｍＷの直流で記録層を非
晶質から結晶質層に変化させ高反射率状態とした。この
時、初期の反射率を１とした時高反射率状態ではその１
．５〜２倍程度となった。次にディスクｋ　１８００ｒ
ｐｍの速度で回転させ、レーザー元の盤面での出力パワ
ー盤を、最高１８．５ｍＷで２　ＭＨｚの基準信号ｆ　
／？ルス変調し記録を行った。この時の再生１８号のＣ
／Ｎをスペクトルアナライザで測定したところ４７　ｄ
Ｂであった。その後、ディスクの回転数ｆ　４５０　ｒ
ｐｍに落し先に記録したトラックを再び盤面パワー１５
ｍＷのレーデパワーで消去した。
この時の消去部分の再生信号をスペクトルアナライザで
測定すると１０　ｄＢ程度の消し残しはあるもののほと
んど消去されていることが確認された。
このディスクに対する記録消去は可逆的であシ、同一ト
ラック上で複数回の記録、消去、書き換えが可能であっ
た。上述したように本発明によれば、その第１の層即ち
記録層を１００ＯＸ未満の薄い膜にするにも拘らず、記
録、消去時即ち非晶質状態及び結晶質状態間に大きな反
射率変化が得られている。これは第２の層を設けたこと
による２層構造もしくはそれ以上の多層構造にしたこと
による各層間の多重干渉効果によるものである。即ち今
、透明基体上Ｋ　５ｂ７ｏＳｅｓｏよシ成る第１の層、
即ち記録層を抵抗加熱真空蒸着によって被着し、これの
上に厚さ５００　ＸのＭｏ（Ｄ電子ビーム蒸着による第
２の層を設けた２層構造において、その第１の層の厚さ
即ち５ｂ７ｏＳｅｓｏ層の厚さを変化させた場合の反射
出は、第５図に示すようになる。図中、実線曲線は非晶
質状態、破線曲線は結晶質状態の各反射率を示し、両者
の差はＳ　ｂ　７　ＯＳ　ｅ　ｓ　ｏ層の厚さが３００
Ｘ程度の薄いところで大きな差即ち充分大きな変調度が
とれることがわかる。
上述した本発明によれば、記録層の厚さを充分／Ｊ１に
したにも拘らず、大きな変調度が得られるものであるが
、第１の層としてＳｂ　Ｓ　ｅ化合物による記録相打を
用いる場合、そのＳｅ組成比は１０〜７０原子チ、好ま
しくは、２０〜３５原子俤に選定することによってこの
記録層の結晶化及び非晶質化を可逆的に確実に行うこと
ができることが確かめられた。また第２の層としては、
上述したＭＯ以外にＷ　、Ｔａ　＋　Ｎｂ　、Ｚｒ　＋
　Ｈｆ　＊　Ｔｌの内から選ばれた少なくとも１つの金
属もしくはこれらの合金を用いることによって記録及び
消去の過程において上述した第１の層とこの第２層との
界面を充分変形なく保持することができた。
発明の効果 上述したように本発明によれば、記録層例えば５ｂＳｓ
化合物記録層の単層構造とする場合に比し高融点層の第
２の層を設けた２層以上の多層構造としたことによって
記録層の膜厚を単層構造の場合の１程度にも薄くして充
分な変調度を得ることができ、このように記録層を薄く
することができるので記録層の熱容量の低減化を図るこ
とができ、結晶質状態から非晶質状態への転移過程にお
ける急熱急冷の榮件が満足しゃすくなシ記録感度を高め
ることができ、また非晶質状態から結晶質状態において
も、そのレーザー元パワーを小さくできるとかディスク
の高速回転が可能となるなどの利点を有する。また、第
２の層として高融点材料層を設けたことによって記録層
の変形が効果的に防止できると共に記録層上の保護膜の
効果を得ることができる。
また記録層の単層構造とする場合、この記録層は、使用
レーザー元に対して成る程度の吸収金もつことが必要に
なるものであるが、２層以上の構造とした場合において
は記録層自体が使用レーザー元に対して吸収をもつ必要
性がないので、使用し一ザー元に対して透過性の高い材
料をもつ記録層が使用可能となシ、記録層の材料の選定
の自由度が大となるという実用上の効果もある。
【図面の簡単な説明】
第１図は記録層の膜厚と反射率の関係を示す特性図、第
２図は本発明による情報記録媒体の路線的断面図、第３
図及び第４図は本発明の実施例及び比較例の各反射率特
性曲線図、第５図は本発明による情報記録媒体の記録層
の厚さと反射率の関係を示す特性曲線図であ゛る。 （１）は基体、（２）及び（３）は第１及び第２の層で
ある。 ５ｂｔｏ　５ａｊｏ　’）　４１！（７）−５ｂｔｏ　
ＳａｍＯ＃）Ｊｌ１４（ス）へ第３図 第４図 ：ＩＩＬ麿（℃］−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上に、少くとも第１の層と第２の層とを有して成シ
    、上記第１の層は非晶質状態と結晶質状態とが可逆的に
    変化し得る記録材料層よシ成シ、上記第２の層は上記第
    １の層の融点よ９３００℃以上高い融点を有し、かつ上
    記第１の層がこれの溶融温度に昇温した状態で該第１の
    層と反応することのない高融点材料層よシ成る情報記録
    媒体。
JP59015463A 1984-01-31 1984-01-31 情報記録媒体 Pending JPS60160037A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59015463A JPS60160037A (ja) 1984-01-31 1984-01-31 情報記録媒体

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JP59015463A JPS60160037A (ja) 1984-01-31 1984-01-31 情報記録媒体

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JPS60160037A true JPS60160037A (ja) 1985-08-21

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ID=11889486

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JP59015463A Pending JPS60160037A (ja) 1984-01-31 1984-01-31 情報記録媒体

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