JPH05166363A - メモリ書き込み装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 メモリ素子としての磁石と磁界発生装置との
間のクリアランスを比較的に大きく採れようにするとと
もに、磁石の磁化方向の書き換え用の電力を比較的に小
さくする。 【構成】 メモリ素子として磁石１６が採用されたメモ
リ１が、筒状のコイル４中に移動自在に配されたヨーク
１０を有する磁界発生器２に近づいたとき、コイル４に
電流を供給することにより、磁気吸引力によってヨーク
１０をコイル４中から突き出させ磁石１６に当てて接触
させることにより、磁石１６の磁化方向を変更させるこ
とができる。磁気吸引力を利用しているので、クリアラ
ンスｄを大きく採ることが可能となり、かつヨーク１０
と磁石１６とを接触させた状態で磁石１６の磁化方向を
変更させているので、磁化方向の書き換え、すなわち、
データの書き換えに要する電力を比較的に小さくするこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、コンベア上を
移送されるパレットまたは床上を走行する搬送車に対し
て行き先番地または必要な指令等を伝達する目的等に使
用される磁石がメモリ素子とされたメモリのメモリ書き
込み装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、コンベア上を移送されるパレット
または床上を走行する搬送車に対して行き先番地または
必要な指令等を伝達する目的等に使用されるメモリ読み
書き装置には、３つの技術がある。

【０００３】第１の技術は、パレット等に取り付けられ
たアームの角度が変更できるようにされた機械式のメモ
リを使用するものであり、上記アームの角度を変更する
ことで、その機械式のメモリのデータを書き換え、リミ
ットスイッチ等の読み出し手段によりその機械式のメモ
リのデータを読み取るようにされたものである。

【０００４】第２の技術は、パレット等にバーコードが
付けられて光学的に読み取るようにされたものである。

【０００５】第３の技術は、実公昭53-46012号公報に公
表された本出願人の出願による技術であって、パレット
等に付けられた磁石がメモリ素子とされたメモリを使用
するものであり、この磁石に所定クリアランスを有して
対向する磁界発生装置が配置されている。この磁界発生
装置により上記磁石の磁化方向を変更することでデータ
内容を書き換えるようにするとともに、上記磁界発生装
置に磁気センサーを取り付けて、上記磁界発生装置から
磁界が発生していないときに、この磁気センサーにより
上記磁石の磁化の方向を読み取るようにしたものであ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の第１の技術では、メモリが機械式であるために
装置寿命が比較的に短いという問題があった。

【０００７】また、上記した従来の第２の技術では、寿
命的な問題は解決されるものの、バーコードの書き換え
が不可能で、用途が再生専用の用途に限定されてしまう
という問題があった。

【０００８】さらに、上記した従来の第３の技術では、
寿命的な問題および書き換えが不可能な問題は解決され
るが、メモリ素子としての磁石の磁化方向を変更するた
めに、上記磁界発生装置を構成するコイルに比較的に大
電流を供給しなければならないという問題がある。その
上、上記磁界発生装置と上記磁石とのクリアランスを、
通常、実用化されている例では、２ｍｍ程度以下に保持
する必要があり、メモリ素子としての磁石が付けられた
パレット等の搬送制御を正確に行わなければならないと
いう不便さがあった。

【０００９】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであり、磁石と磁界発生装置との間のクリアランス
を比較的に大きく採ることができるとともに、磁石の磁
化方向の書き換え用の電力を比較的に小さくできるメモ
リ書き込み装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明メモリ書き込み装
置は、例えば、図１Ａ，Ｂに示すように、磁石１６を有
するメモリ１と、磁石１６の磁化方向を変更する磁界発
生器２とを有し、磁界発生器２は、筒状のコイル４と、
このコイル４中の中空部８を移動自在にされたコイル４
の長さＬよりも長い棒状のヨーク１０とを有するもので
あり、メモリ１が相対的に磁界発生器２に近づいたと
き、コイル４に電流を供給することによりヨーク１０を
コイル４中から突き出させ磁石１６に当てて接触させる
ことにより、磁石１６の磁化方向を変更させるようにし
たものである。

【００１１】

【作用】本発明メモリ書き込み装置によれば、メモリ素
子として磁石１６が採用されたメモリ１が、筒状のコイ
ル４中に移動自在に配されたヨーク１０を有する磁界発
生器２に近づいたとき、コイル４に電流を供給すること
により、磁気吸引力によってヨーク１０をコイル４中か
ら突き出させ磁石１６に当てて接触させることにより、
磁石１６の磁化方向を変更させることができる。

【００１２】磁気吸引力を利用しているので、クリアラ
ンスｄを大きく採ることが可能となり、かつヨーク１０
と磁石１６とを接触させた状態で、磁石１６の磁化方向
を変更させているので、磁化方向の書き換え、すなわ
ち、データの書き換えに要する電力を比較的に小さくす
ることができる。

【００１３】

【実施例】以下、本発明メモリ書き込み装置の一実施例
について図面を参照して説明する。

【００１４】図１Ａは、全体として本実施例によるメモ
リ書き込み装置を示し、このメモリ書き込み装置は、概
略的にメモリ１と磁界発生器２とを有している。

【００１５】磁界発生器２は、ボビン３を有し、このボ
ビン３中にコイル４が配されている。コイル４の形状は
筒状になっている。ボビン３は、メモリ書き込み装置の
図示しないフレームに固定されている。コイル４には、
電流供給用の端子５，６が設けられている。ボビン３
は、外径20ｍｍ，内径9 ｍｍおよび長さ14ｍｍである。
コイル４は、φ0.18ｍｍの銅線が約1000回巻かれて形成
されている。

【００１６】コイル４中の中空部８内には、外径約φ8
ｍｍ、長さ約28ｍｍの純鉄製の棒状のヨーク１０が長さ
方向に移動自在に配置されている。したがって、コイル
４の長さを長さＬとしたとき、ヨーク１０の長さは、約
２倍の長さ２Ｌになっている。ヨーク１０は、フランジ
部１１を有し、このフランジ部１１とボビン３の一面部
間に圧縮コイルばね１２が配されている。ばね１２によ
って、ヨーク１０は、矢印Ｄ方向に突き出されるように
なっている。

【００１７】この場合、フランジ部１１には、つき当て
１３が付けられているので、このつき当て１３が磁界発
生装置のフレーム１４に突き当たった位置で、ヨーク１
０は、停止された状態になっている。この停止された状
態において、ヨーク１０の先端面１０ａとボビン３の一
面とが面いちになるように構成されている。このとき、
ボビン３の先端面１０ａと磁石１６の表面との間のクリ
アランスｄは、クリアランスｄ＝ｄ１（この実施例で
は、クリアランスｄ１は、約7 ｍｍ以下であればよく、
ｄ１≒5 ｍｍに設定している。）になっている。

【００１８】メモリ１は、鉄板１５に円柱（厚さ1 ｍ
ｍ，外径10ｍｍ）状のゴム磁石１６が貼りつけられた構
成になっている。鉄板１５の一面は、パレット１７の側
面に取り付けられている。

【００１９】上記したような構成において、コイル４の
端子５，６に電流を供給すると、ヨーク１０中に磁束が
通って、周知のプランジャーと同様な作用により、言い
換えれば、磁気吸引力により、ヨーク１０にコイル４の
吸引力が作用し、ばね１２の圧縮力に坑してヨーク１０
がコイル４から矢印Ｄ方向と反対方向である矢印Ｅ方向
に突き出てくる（図１Ｂ参照）。

【００２０】この場合、コイル４の吸引力は、図１Ｃの
特性２０に示すように、ヨーク１０が矢印Ｅ方向に移動
を開始する直前の状態が最大の力になり、メモリ１が存
在しないと考えた場合、コイル４の前面から突き出る長
さとコイル４の後面側に残っている長さが等しくなった
ときにゼロ値になる。

【００２１】ヨーク１０とコイル４の前面にメモリ１が
存在する場合には、コイル４によって発生した磁束がヨ
ーク１０から鉄板１５を通じて通ることになるので、ヨ
ーク１０は、鉄板１５によって吸引されることになる。
鉄板１５によってヨーク１０に作用する吸引力は、図１
Ｃの特性２１に示すように、クリアランスｄがｄ＝0に
なったときに最大になる。

【００２２】磁石１６への書き込み（記録）時には、ヨ
ーク１０に上記２つの吸引力が作用するので、急速にク
リアランスｄはゼロ値になり、鉄板１５とヨーク１０の
先端面１０ａとに挟まれた磁石１６は、強く磁化され
る。

【００２３】この図１Ａ，Ｂ例のメモリ書き込み装置で
は、コイル４の端子５，６間に電圧24Ｖを加えて0.75Ａ
の電流を流したとき、クリアランスｄ＝7 ｍｍの範囲内
で使用可能な状態に磁石１６の磁化方向を変更すること
ができた。クリアランスｄを2 ｍｍ以下に保持する必要
がある従来の技術に比較して3 倍以上の改善をすること
ができた。

【００２４】このように、図１Ａ，Ｂ例のメモリ書き込
み装置では、メモリ素子として磁石１６が採用されたメ
モリ１が、筒状のコイル４中に移動自在に配された磁界
発生器２に近づいたとき、コイル４に電流を供給するこ
とにより、磁気吸引力によりヨーク１０をコイル４中か
ら突き出させ磁石１６に当てて接触させることにより、
磁石１６の磁化方向を容易に変更させることができる。

【００２５】磁気吸引力を利用しているので、クリアラ
ンスｄを大きく採ることが可能となり、かつヨーク１０
と磁石１６とを接触させた状態で、磁石１６の磁化方向
を変更させているので、磁化方向の書き換え、すなわ
ち、データの書き換えに要する電力を比較的に小さくす
ることができる。

【００２６】図２は、３個の磁石２１〜２３を鉄板１５
に付けた他の構成のメモリ２４を示すものであり、３個
の磁石が付いたメモリ２４では、３ビットデータの書き
換えが可能になる。必要な個数の磁石を並べることによ
り必要なビット数を得ることができる。

【００２７】図３は、本発明メモリ書き込み装置の実施
例が適用されたメモリ読み書き装置の構成例を示すもの
である。なお、この図３において、図１Ａ〜図１Ｃに示
したものと対応するものには同一の符号を付けてその詳
細な説明を省略する。

【００２８】外形約8 ｍｍのヨーク１０の中心軸に径が
約φ5 ｍｍの孔２５が設けられ、この孔２５のヨーク先
端面１０ａ側に可飽和コイル２６が接着材等により固定
されている。

【００２９】図４は、可飽和コイル２６の構成を示して
いる。この可飽和コイル２６は、パーマロイの薄板のコ
ア２７を有し、このコア２７にコイル２８，２９が施さ
れた２つの可飽和コイル２６Ａ，２６Ｂを有する構成に
なっている。コイル２８，２９の両端には、端子３０〜
３３が設けられ、このうち、端子３１と端子３３とが接
続されて、その接続点と上記端子３０，３２とに引出し
線３３〜３５（図３参照）が接続されている。これらの
引出し線３３〜３５は、ステンレス製の細線をより合わ
せたより線の構成が採用されており、柔軟性を有する。
したがって、ヨーク１０が矢印Ｄ，Ｅ方向に出し入れさ
れた際の振動・摩擦等に耐えることができて長寿命であ
る。

【００３０】図５は、上記可飽和コイル２６の引出し線
３３〜３５の先端に設けられた端子４７〜４９を通じて
接続される検波回路３７の構成を示している。

【００３１】この検波回路３７は、周期が約40μｓ，パ
ルス幅約1 μｓで電圧振幅30Ｖのパルス状の電圧を発生
する発振器３８を有し、この発振器３８の出力がトラン
ス３９を通じて可飽和コイル２６に供給されるようにな
っている。この可飽和コイル２６の出力は、直列抵抗４
０, ４０、ダイオード４１，４１、出力抵抗４２，４２
およびコンデンサ４３，４３，４４を通じて出力端子４
５，４５間に供給される。出力端子４５，４５間には、
出力電圧Ｖ１が発生する。

【００３２】次に図３例の動作を説明する。

【００３３】図３において、孔２５の有無は、磁石１６
に対する信号の記録、すなわち磁化には、ほとんど影響
しない。したがって、磁石１６に対する信号の書き込
み、すなわち磁石の磁界を変更する際の動作は、図１例
と同様である。

【００３４】一方、端子５，６から電流を供給しない読
み取り時において、メモリ１を構成する磁石１６から発
生される磁界は、ヨーク１０によって弱められるが、そ
の磁界を先端面１０ａの近くに配置固定された可飽和コ
イル２６によって正確に検出することが可能である。

【００３５】すなわち、コイル５，６に電圧が供給され
ず、磁石１６が存在しない状態で、可飽和コイル２６
Ａ，２６Ｂは，発振器３８からトランス３９を通じて供
給されるパルス状電流により、互いに逆向きに略磁気飽
和された状態になっている。この状態で、磁化された磁
石１６からの直流磁界がコア２７に加わると、一方の可
飽和コイル（例えば、可飽和コイル２６Ａ）のインダク
タンスが増加し、他方の可飽和コイル（したがって、、
可飽和コイル２６Ｂ）のインダクタンスが減少する。こ
のインダクタンスの変化に応じてダイオード４１，４１
のアノード側に供給されるパルス状電圧が変化し、これ
に応じて、出力抵抗４３，４３に発生する整流電圧も変
化する。この整流電圧の変化は相互に逆方向に発生する
ので、これら整流電圧の差が端子４５，４５間に発生す
る出力電圧Ｖ１になる。

【００３６】図５における検波回路３７では、図６に示
すように、±50ガウスの外部磁界に対して、直線的に±
5 Ｖの電圧を発生する特性５０を有するが、図３例にお
いて、クリアランスｄがｄ＝5 ｍｍであって、磁石１６
がＮ極またはＳ極に磁化されているときに、約±0.8 Ｖ
の電圧を得ることができた。この約±0.8 Ｖの電圧は、
検波回路３の出力端子４５，４５間にコンパレータを接
続してオン・オフの２値信号を得るのに充分な電圧であ
る。

【００３７】このように、図３例に示すメモリ読み書き
装置においては、メモリ１を構成する磁石１６の磁化方
向を変更することができるととともに、その磁石１６に
書き込まれているデータ、すなわち、磁化の方向を同時
に読み取る（検出する）ことができる。この場合、検出
用コイルとしての可飽和コイル２６は、ヨーク１０に設
けられた孔２５内に配置されているので、小形のメモリ
読み書き装置を作製することができる。

【００３８】なお、本発明は上記の実施例に限らず本発
明の要旨を逸脱することなく種々の構成を採り得ること
はもちろんである。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明メモリ書き
込み装置によれば、メモリ素子として磁石が採用された
メモリが、筒状のコイル中に移動自在に配されたヨーク
を有する磁界発生器に近づいたとき、上記コイルに電流
を供給することにより、磁気吸引力により上記ヨークを
上記コイル中から突き出させ上記磁石に当てて接触させ
ている。このため、上記磁石の磁化方向を比較的容易に
変更させることができるという効果が得られる。

【００４０】この場合、磁気吸引力を利用しているの
で、上記コイルに電流を供給していないときに、上記ヨ
ークと上記磁石とのクリアランスを比較的に大きく採る
ことが可能となり、かつ上記ヨークと上記磁石とを接触
させた状態で、磁石の磁化方向を変更させているので、
磁化方向の書き換え、すなわち、データの書き換えに要
する電力を比較的に小さくすることができるという効果
が得られる。

【００４１】クリアランスを比較的に大きく採ることが
できるので、本発明メモリ書き込み装置が適用されたパ
レット等の位置精度の制限が緩やかになって、用途の範
囲が拡大されるという派生的な効果も得られる。なお、
書き込み用の電力は、例えば、24Ｖ，1 Ａ以下の電力に
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ａは、本発明によるメモリ書き込み装置の一実
施例の構成を示す一部断面図である。Ｂは、Ａにおい
て、ヨークが突き出されて書き込みを行っている状態を
示す一部断面図である。Ｃは、ヨークに働く吸引力の特
性を示す線図である。

【図２】３ビットのメモリの構成を示す斜視図である。

【図３】図１Ａに示したメモリ書き込み装置の一実施例
が適用されたメモリ読み書き装置の一実施例の構成を示
す一部断面図である。

【図４】図３に示すメモリ読み書き装置に組み込まれた
可飽和コイルの構成を示す線図である。

【図５】可飽和コイルが接続された検波回路の構成を示
す回路図である。

【図６】図５に示す検波回路の出力特性を表す線図であ
る。

【符号の説明】

１ メモリ ２ 磁界発生器 ４ コイル １０ ヨーク １５ 鉄板 １６ 磁石

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁石を有するメモリと、 上記磁石の磁化方向を変更する磁界発生器とを有し、 上記磁界発生器は、筒状のコイルと、このコイル中の中
   空部を移動自在にされた上記コイルの長さよりも長い棒
   状のヨークとを有するものであり、 上記メモリが相対的に上記磁界発生器に近づいたとき、
   上記コイルに電流を供給することにより上記ヨークを上
   記コイル中から突き出させ上記磁石に当てて接触させる
   ことにより、上記磁石の磁化方向を変更させるようにし
   たことを特徴とするメモリ書き込み装置。