JPH05175523A - 導波路と受光素子の固定構造 - Google Patents
導波路と受光素子の固定構造Info
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- JPH05175523A JPH05175523A JP3340751A JP34075191A JPH05175523A JP H05175523 A JPH05175523 A JP H05175523A JP 3340751 A JP3340751 A JP 3340751A JP 34075191 A JP34075191 A JP 34075191A JP H05175523 A JPH05175523 A JP H05175523A
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- Japan
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- waveguide
- light receiving
- receiving element
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Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大量生産が可能な構造とする。
【構成】 導波路の光出射端直近のＳi 基板２０上に
は、受光素子２３を固定するためのガイド溝２４と電極
２５が設けられている。このガイド溝２４は反応性イオ
ンエッチングによってその内径が受光素子２３の外径よ
り僅かに大きめに加工されている。このガイド溝２４の
深さや位置は、受光素子２３をガイド溝２４内に挿入固
定したときに導波路からの出射光が受光素子２３の受光
面２６の中心に入射するよう設定されている。このガイ
ド溝２４内に受光素子２３を機械的に挿入することによ
り、光軸調整をすることなく効率の高い結合が実現でき
る。
は、受光素子２３を固定するためのガイド溝２４と電極
２５が設けられている。このガイド溝２４は反応性イオ
ンエッチングによってその内径が受光素子２３の外径よ
り僅かに大きめに加工されている。このガイド溝２４の
深さや位置は、受光素子２３をガイド溝２４内に挿入固
定したときに導波路からの出射光が受光素子２３の受光
面２６の中心に入射するよう設定されている。このガイ
ド溝２４内に受光素子２３を機械的に挿入することによ
り、光軸調整をすることなく効率の高い結合が実現でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は導波路と受光素子の固定
構造に係わり、特に受光素子を導波路の光出射端直近に
設けたガイド溝に挿入固定してなる導波路と受光素子の
固定構造に関する。
構造に係わり、特に受光素子を導波路の光出射端直近に
設けたガイド溝に挿入固定してなる導波路と受光素子の
固定構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、導波路と受光素子の固定を行って
いる光デバイスとしては、例えば図４（上塚他、双方向
伝送モジュール用導波路型光合分波器、１９９１信学会
秋期大会Ｃ２０１）や図５（青木他、石英形導波路型双
方向伝送モジュール、１９９１信学会秋期大会Ｃ１５
７）に示す構造のものが知られている。すなわち、図４
の構造においては、ステム１側に固定されたＬＤ素子
２、導波路型合分波器３、光ファイバ４の近傍に配置固
定された受光素子５がパッケージ６内に所定の位置関係
で内装配置されている。また、図５の構造においては、
ＬＤ素子７、レンズ８、石英形導波路９および受光素子
１０が所定の位置関係でパッケージ１１内に配置されて
いる。図４、図５によれば、受光素子５、１０が導波路
型合分波器３、石英系導波路９とは独立した状態でこの
導波路型合分波器３、石英系導波路９の側面に配置され
た構成となっている。
いる光デバイスとしては、例えば図４（上塚他、双方向
伝送モジュール用導波路型光合分波器、１９９１信学会
秋期大会Ｃ２０１）や図５（青木他、石英形導波路型双
方向伝送モジュール、１９９１信学会秋期大会Ｃ１５
７）に示す構造のものが知られている。すなわち、図４
の構造においては、ステム１側に固定されたＬＤ素子
２、導波路型合分波器３、光ファイバ４の近傍に配置固
定された受光素子５がパッケージ６内に所定の位置関係
で内装配置されている。また、図５の構造においては、
ＬＤ素子７、レンズ８、石英形導波路９および受光素子
１０が所定の位置関係でパッケージ１１内に配置されて
いる。図４、図５によれば、受光素子５、１０が導波路
型合分波器３、石英系導波路９とは独立した状態でこの
導波路型合分波器３、石英系導波路９の側面に配置され
た構成となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の構造では、導波路型合分波器３、石英系導波路９と
受光素子５、１０の結合効率を最適にするためには、導
波路型合分波器３、石英系導波路９および受光素子５、
１０の相互の位置を精密に調整する必要があった。した
がって、この従来構造にあっては大量生産には適さない
と言う問題があった。
来の構造では、導波路型合分波器３、石英系導波路９と
受光素子５、１０の結合効率を最適にするためには、導
波路型合分波器３、石英系導波路９および受光素子５、
１０の相互の位置を精密に調整する必要があった。した
がって、この従来構造にあっては大量生産には適さない
と言う問題があった。
【０００４】本発明の目的は上述した問題に鑑みなされ
たもので、大量生産が可能な導波路と受光素子の固定構
造を提供するにある。
たもので、大量生産が可能な導波路と受光素子の固定構
造を提供するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基板上に形成された導波路と受光素子との固定構造にお
いて、導波路の光出射端直近に受光素子の外径より僅か
に大きな内径寸法を有しかつ受光素子が挿入固定される
ガイド溝を設け、基板上に設けられた電極と受光素子の
電極が電気的に接続された構成としたものである。
基板上に形成された導波路と受光素子との固定構造にお
いて、導波路の光出射端直近に受光素子の外径より僅か
に大きな内径寸法を有しかつ受光素子が挿入固定される
ガイド溝を設け、基板上に設けられた電極と受光素子の
電極が電気的に接続された構成としたものである。
【０００６】請求項２記載の発明は、受光素子が導波路
の光出射端の前方に固定されてなることを特徴とする。
の光出射端の前方に固定されてなることを特徴とする。
【０００７】請求項３記載の発明は、受光素子が導波路
を横切るように配置されてなることを特徴とする。
を横切るように配置されてなることを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明によれば、導波路の光出射端直近の基板
上にガイド溝を設け、このガイド溝に機械的に受光素子
を挿入することにより、光軸調整をすることなく効率の
高い結合が実現できる。また、基板上の電極と受光素子
の接続に例えばＡｕ−Ｓｎバンプを用いることにより、
リフロー工程で簡単に固定することができるので、自動
化による大量生産、コストダウンが可能となる。
上にガイド溝を設け、このガイド溝に機械的に受光素子
を挿入することにより、光軸調整をすることなく効率の
高い結合が実現できる。また、基板上の電極と受光素子
の接続に例えばＡｕ−Ｓｎバンプを用いることにより、
リフロー工程で簡単に固定することができるので、自動
化による大量生産、コストダウンが可能となる。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明に係わる導波路と受光素子の固定構造
を採用した導波路型受光モジュールの斜視図、図２、図
３は導波路電極と受光素子の接続前後の状態を示す図で
ある。導波路はＳｉ基板２０上にＳｉ０2 をクラッド層
２１、Ｔｉ０2 −Ｓｉ０2 をコア層２２として形成され
ている。導波路の出射端は、反射戻り光を低減するため
に光軸に対し斜めに切断されている。また、導波路の光
出射端直近のＳｉ基板２０上には、受光素子２３を固定
するためのガイド溝２４と電極２５が設けられている。
このガイド溝２４は、反応性イオンエッチングによって
その内径が受光素子２３の外径より僅かに大きめに加工
され、このガイド溝２４の深さや位置は、受光素子２３
をガイド溝２４内に挿入固定したときに導波路からの出
射光が受光素子２３の受光面２６の中心に入射されるよ
うに設定されている。受光素子２３は導波路を横切るご
とく配置されており、かつ導波路の光出射端の前方に固
定されている。
る。図１は本発明に係わる導波路と受光素子の固定構造
を採用した導波路型受光モジュールの斜視図、図２、図
３は導波路電極と受光素子の接続前後の状態を示す図で
ある。導波路はＳｉ基板２０上にＳｉ０2 をクラッド層
２１、Ｔｉ０2 −Ｓｉ０2 をコア層２２として形成され
ている。導波路の出射端は、反射戻り光を低減するため
に光軸に対し斜めに切断されている。また、導波路の光
出射端直近のＳｉ基板２０上には、受光素子２３を固定
するためのガイド溝２４と電極２５が設けられている。
このガイド溝２４は、反応性イオンエッチングによって
その内径が受光素子２３の外径より僅かに大きめに加工
され、このガイド溝２４の深さや位置は、受光素子２３
をガイド溝２４内に挿入固定したときに導波路からの出
射光が受光素子２３の受光面２６の中心に入射されるよ
うに設定されている。受光素子２３は導波路を横切るご
とく配置されており、かつ導波路の光出射端の前方に固
定されている。
【００１０】受光素子２３の固定とＳｉ基板２０上に設
けられた電極２５と受光素子２３の電極２７の電気的な
接続は、図２、図３に示すように、受光素子２３に形成
したＡｕ−Ｓｎバンプ２８を溶融させることによって行
っている。
けられた電極２５と受光素子２３の電極２７の電気的な
接続は、図２、図３に示すように、受光素子２３に形成
したＡｕ−Ｓｎバンプ２８を溶融させることによって行
っている。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、導
波路の光出射端直近の基板上にガイド溝を設け、このガ
イド溝に機械的に受光素子を挿入することで、光軸調整
をすることなく効率の高い結合が実現でき、かつ基板上
の電極と受光素子の電極の接続に例えばＡｕ−Ｓｎバン
プを用いることにより、リフロー工程で簡単に固定する
ことができる。したがって、従来の構造に比べて自動化
による大量生産およびコストダウンを図ることができる
という優れた効果を奏する。
波路の光出射端直近の基板上にガイド溝を設け、このガ
イド溝に機械的に受光素子を挿入することで、光軸調整
をすることなく効率の高い結合が実現でき、かつ基板上
の電極と受光素子の電極の接続に例えばＡｕ−Ｓｎバン
プを用いることにより、リフロー工程で簡単に固定する
ことができる。したがって、従来の構造に比べて自動化
による大量生産およびコストダウンを図ることができる
という優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係わる導波路と受光素子の固定構造を
採用した導波路型受光モジュールの斜視図である。
採用した導波路型受光モジュールの斜視図である。
【図２】導波路電極と受光素子の接続前の状態を示す図
である。
である。
【図３】導波路電極と受光素子の接続後の状態を示す図
である。
である。
【図４】従来の導波路と受光素子の固定構造の一例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図５】従来の導波路と受光素子の固定構造の他の例を
示す概略構成図である。
示す概略構成図である。
２０ Ｓｉ基板 ２３ 受光素子 ２４ ガイド溝 ２５、２７ 電極
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に形成された導波路と受光素子と
の固定構造において、 前記導波路の光出射端直近に受光素子の外径より僅かに
大きな内径寸法を有しかつ受光素子が挿入固定されるガ
イド溝を設け、前記基板上に設けられた電極と受光素子
の電極が電気的に接続されてなることを特徴とする導波
路と受光素子の固定構造。 - 【請求項２】 受光素子は導波路の光出射端の前方に固
定されてなることを特徴とする請求項１記載の導波路と
受光素子の固定構造。 - 【請求項３】 受光素子は導波路を横切るように配置さ
れてなることを特徴とする請求項１記載の導波路と受光
素子の固定構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3340751A JP2773501B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 導波路と受光素子の固定構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3340751A JP2773501B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 導波路と受光素子の固定構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175523A true JPH05175523A (ja) | 1993-07-13 |
| JP2773501B2 JP2773501B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=18339957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3340751A Expired - Lifetime JP2773501B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 導波路と受光素子の固定構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773501B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4900380A (en) * | 1987-10-23 | 1990-02-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Process for producing information recording medium |
| JP2009003096A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路モジュール、光導波路モジュールの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH029187A (ja) * | 1988-03-03 | 1990-01-12 | American Teleph & Telegr Co <Att> | オプトエレクトロニック集積回路サブアセンブリ |
| JPH0255304A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-23 | Hitachi Cable Ltd | 光集積回路 |
-
1991
- 1991-12-24 JP JP3340751A patent/JP2773501B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH029187A (ja) * | 1988-03-03 | 1990-01-12 | American Teleph & Telegr Co <Att> | オプトエレクトロニック集積回路サブアセンブリ |
| JPH0255304A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-23 | Hitachi Cable Ltd | 光集積回路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4900380A (en) * | 1987-10-23 | 1990-02-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Process for producing information recording medium |
| JP2009003096A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路モジュール、光導波路モジュールの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2773501B2 (ja) | 1998-07-09 |
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