JPH05178637A - 鉛−亜鉛−硼珪酸ガラス - Google Patents
鉛−亜鉛−硼珪酸ガラスInfo
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- JPH05178637A JPH05178637A JP3045468A JP4546891A JPH05178637A JP H05178637 A JPH05178637 A JP H05178637A JP 3045468 A JP3045468 A JP 3045468A JP 4546891 A JP4546891 A JP 4546891A JP H05178637 A JPH05178637 A JP H05178637A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＺｎＯに対する境界濡れ角がせいぜい４０°
であり、かつ加工温度がせいぜい５４０℃であり、電子
部品殊に酸化亜鉛ベースのバリスタ封止用に特に適し、
また特に酸化亜鉛からのバリスタ製造における酸化亜鉛
セラミック用の焼結助剤として適するガラスを提供す
る。 【構成】 酸化物基準でＳｉＯ2 ４．０〜７．０重量
％、Ｂ2 Ｏ3 １３．０〜１７．０重量％、ＰｂＯ ４
３．０〜５０．０重量％、ＺｎＯ ２４．０〜２９．０
重量％、ＣｕＯ ４．０〜７．０重量％、Ａｌ2 Ｏ3
１．５〜２．５重量％の組成を有する鉛−亜鉛−硼硅酸
ガラス。ガラスはさらにそれぞれ０〜３重量％のＳｎＯ
2 、Ｂｉ2 Ｏ3 又はＭｏＯ3 並びに０〜１重量％のＣｒ
2 Ｏ3 を含有できる。
であり、かつ加工温度がせいぜい５４０℃であり、電子
部品殊に酸化亜鉛ベースのバリスタ封止用に特に適し、
また特に酸化亜鉛からのバリスタ製造における酸化亜鉛
セラミック用の焼結助剤として適するガラスを提供す
る。 【構成】 酸化物基準でＳｉＯ2 ４．０〜７．０重量
％、Ｂ2 Ｏ3 １３．０〜１７．０重量％、ＰｂＯ ４
３．０〜５０．０重量％、ＺｎＯ ２４．０〜２９．０
重量％、ＣｕＯ ４．０〜７．０重量％、Ａｌ2 Ｏ3
１．５〜２．５重量％の組成を有する鉛−亜鉛−硼硅酸
ガラス。ガラスはさらにそれぞれ０〜３重量％のＳｎＯ
2 、Ｂｉ2 Ｏ3 又はＭｏＯ3 並びに０〜１重量％のＣｒ
2 Ｏ3 を含有できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、鉛−亜鉛−硼珪酸ガラ
スに関し、さらに詳しくは、電子部品特に酸化亜鉛ベー
スのバリスタ封入用ガラス、酸化亜鉛セラミック用の焼
結助剤等として有用な鉛−亜鉛−硼珪酸ガラスに関す
る。
スに関し、さらに詳しくは、電子部品特に酸化亜鉛ベー
スのバリスタ封入用ガラス、酸化亜鉛セラミック用の焼
結助剤等として有用な鉛−亜鉛−硼珪酸ガラスに関す
る。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】鉛−亜鉛
−硼珪酸ガラスは、酸化亜鉛バリスタの不働態化用の主
たる材料である。このような酸化亜鉛セラミックのバリ
スタは、非線形電流−電圧特性により特徴付けられる。
これらのバリスタの抵抗は、低電圧において非常に高
く、或る電圧値を越えると極めて急速にかつ急激に低下
し、それ故に、これらのバリスタは、コンピュータにお
ける高圧ラインで起こる全ゆる過電圧を伝導消去するの
に利用され、また同様に上記特性が有利な他の多くの目
的に利用されている。
−硼珪酸ガラスは、酸化亜鉛バリスタの不働態化用の主
たる材料である。このような酸化亜鉛セラミックのバリ
スタは、非線形電流−電圧特性により特徴付けられる。
これらのバリスタの抵抗は、低電圧において非常に高
く、或る電圧値を越えると極めて急速にかつ急激に低下
し、それ故に、これらのバリスタは、コンピュータにお
ける高圧ラインで起こる全ゆる過電圧を伝導消去するの
に利用され、また同様に上記特性が有利な他の多くの目
的に利用されている。
【０００３】しかしながら、バリスタの電気特性は水蒸
気、空気及び他の気体の長期作用に対して敏感である。
従って、電流−電圧特性におけるマイナスの変化を防止
するためには、その表面は気密状に封止（シール）され
ねばならない。最も有利で永久的な封止方法は、ガラス
中への封入から構成される。封入は、一般に粉末ガラス
（必要に応じて適当な懸濁剤中に混合できる）の層を封
入されるべき部品に塗布し、次いで次の作業段階で加熱
によりこのガラス粉末層を溶融して密着したガラス被膜
（グレーズ ｇｌａｚｅ）にすることによって行われ
る。
気、空気及び他の気体の長期作用に対して敏感である。
従って、電流−電圧特性におけるマイナスの変化を防止
するためには、その表面は気密状に封止（シール）され
ねばならない。最も有利で永久的な封止方法は、ガラス
中への封入から構成される。封入は、一般に粉末ガラス
（必要に応じて適当な懸濁剤中に混合できる）の層を封
入されるべき部品に塗布し、次いで次の作業段階で加熱
によりこのガラス粉末層を溶融して密着したガラス被膜
（グレーズ ｇｌａｚｅ）にすることによって行われ
る。
【０００４】米国特許第３，８５９，１２６号明細書に
は、Ａｌ2 Ｏ3 支持基板上のマイクロ電子回路の封入用
鉛−亜鉛−硼酸塩ガラスが記載されており、これは支持
基板とガラスとの間の溶融応力を低減するのに供する５
〜２５重量％のセラミック粒子を含有している。
は、Ａｌ2 Ｏ3 支持基板上のマイクロ電子回路の封入用
鉛−亜鉛−硼酸塩ガラスが記載されており、これは支持
基板とガラスとの間の溶融応力を低減するのに供する５
〜２５重量％のセラミック粒子を含有している。
【０００５】酸化亜鉛バリスタの不働態化用の２つの異
なる鉛−亜鉛一硼酸塩ガラスが現在知られている。一
方、ＳｉＯ2 ５．５重量％、Ｂ2 Ｏ3 １９重量％、Ｐ
ｂＯ３７．６重量％、ＣｕＯ ４．７重量％、ＺｎＯ
２２．６重量％、Ａｌ2 Ｏ3 １．３重量％、ＳｎＯ2
３．４重量％、Ｂｉ2 Ｏ3 ３．９重量％及びＭｏＯ3
１．６重量％の組成を有するＢｉ2 Ｏ3 含有ガラス、
並びにＳｉＯ2 ５．２重量％、Ｂ2 Ｏ3 ２０重量
％、ＰｂＯ ４２重量％、ＣｕＯ ６重量％、ＺｎＯ
２４重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ０．２重量％及びＺｒＯ2
１．１重量％の組成を有する二酸化ジルコニウム含有ガ
ラスもある。しかしながら、これらのガラスもまた幾つ
かの欠点を有し、特に約５５０℃のやや高い加工温度を
示し、これはバリスタの特性に、例えば電流−電圧特性
を弯曲化するなどマイナスの作用を有する。さらに、従
来のガラスは、ビスマス含有ガラスについては５０〜９
０°、ジルコニウム含有ガラスについては４０〜８０°
の酸化亜鉛に対する比較的高い境界濡れ角を有する。こ
のような高い境界濡れ角では、ポア（細孔）のない被膜
を製造することが困難である。
なる鉛−亜鉛一硼酸塩ガラスが現在知られている。一
方、ＳｉＯ2 ５．５重量％、Ｂ2 Ｏ3 １９重量％、Ｐ
ｂＯ３７．６重量％、ＣｕＯ ４．７重量％、ＺｎＯ
２２．６重量％、Ａｌ2 Ｏ3 １．３重量％、ＳｎＯ2
３．４重量％、Ｂｉ2 Ｏ3 ３．９重量％及びＭｏＯ3
１．６重量％の組成を有するＢｉ2 Ｏ3 含有ガラス、
並びにＳｉＯ2 ５．２重量％、Ｂ2 Ｏ3 ２０重量
％、ＰｂＯ ４２重量％、ＣｕＯ ６重量％、ＺｎＯ
２４重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ０．２重量％及びＺｒＯ2
１．１重量％の組成を有する二酸化ジルコニウム含有ガ
ラスもある。しかしながら、これらのガラスもまた幾つ
かの欠点を有し、特に約５５０℃のやや高い加工温度を
示し、これはバリスタの特性に、例えば電流−電圧特性
を弯曲化するなどマイナスの作用を有する。さらに、従
来のガラスは、ビスマス含有ガラスについては５０〜９
０°、ジルコニウム含有ガラスについては４０〜８０°
の酸化亜鉛に対する比較的高い境界濡れ角を有する。こ
のような高い境界濡れ角では、ポア（細孔）のない被膜
を製造することが困難である。
【０００６】従って、本発明の目的は、従来公知のガラ
スに比べて改善された特性を示し、特に酸化亜鉛に対す
る境界濡れ角がせいぜい４０°であり、かつ加工温度が
せいぜい５４０℃であり、特に酸化亜鉛バリスタの封入
用に適した鉛−亜鉛−硼硅酸ガラスを見い出すことにあ
る。
スに比べて改善された特性を示し、特に酸化亜鉛に対す
る境界濡れ角がせいぜい４０°であり、かつ加工温度が
せいぜい５４０℃であり、特に酸化亜鉛バリスタの封入
用に適した鉛−亜鉛−硼硅酸ガラスを見い出すことにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明によれば、酸化物基準で以下の組成 ＳｉＯ2 ４．０〜７．０重量％ Ｂ2 Ｏ3 １３．０〜１７．０重量％ ＰｂＯ ４３．０〜５０．０重量％ ＺｎＯ ２４．０〜２９．０重量％ ＣｕＯ ４．０〜７．０重量％ Ａｌ2 Ｏ3 １．５〜２．５重量％ を有し、せいぜい５４０℃の加工温度及びＺｎＯに対す
るせいぜい４０°の境界濡れ角を有する鉛−亜鉛−硼硅
酸ガラスが提供される。
に、本発明によれば、酸化物基準で以下の組成 ＳｉＯ2 ４．０〜７．０重量％ Ｂ2 Ｏ3 １３．０〜１７．０重量％ ＰｂＯ ４３．０〜５０．０重量％ ＺｎＯ ２４．０〜２９．０重量％ ＣｕＯ ４．０〜７．０重量％ Ａｌ2 Ｏ3 １．５〜２．５重量％ を有し、せいぜい５４０℃の加工温度及びＺｎＯに対す
るせいぜい４０°の境界濡れ角を有する鉛−亜鉛−硼硅
酸ガラスが提供される。
【０００８】
【発明の作用及び態様】ＳｉＯ2 含量は４．０〜７．０
重量％の範囲である。もしもＳｉＯ2 の割合が４重量％
未満に低下すると、膨脹係数が増大し、これはガラスと
ＺｎＯとの不適合性を生ずることになる。さらに、ガラ
スの結晶化傾向も高くなる。一方、ＳｉＯ2 の割合が７
重量％を越えると、加工温度が過度に増大する。
重量％の範囲である。もしもＳｉＯ2 の割合が４重量％
未満に低下すると、膨脹係数が増大し、これはガラスと
ＺｎＯとの不適合性を生ずることになる。さらに、ガラ
スの結晶化傾向も高くなる。一方、ＳｉＯ2 の割合が７
重量％を越えると、加工温度が過度に増大する。
【０００９】加工温度は、ガラスが約２０分のグレージ
ング（ガラス被膜形成処理）期間内に密な均質なグレー
ズ（ガラス被膜）を形成するのに要する粘度を有する温
度を意味するものと理解される。この粘度は約１０6 ｄ
Ｐａｓである。加工温度は５４０℃を越えるべきではな
い。
ング（ガラス被膜形成処理）期間内に密な均質なグレー
ズ（ガラス被膜）を形成するのに要する粘度を有する温
度を意味するものと理解される。この粘度は約１０6 ｄ
Ｐａｓである。加工温度は５４０℃を越えるべきではな
い。
【００１０】ＳｉＯ2 の割合は４．５〜５．５重量％が
特に有利である。Ｂ2 Ｏ3 の割合は１３〜１７重量％の
範囲にあるべきである。Ｂ2 Ｏ3 含量が１３重量％未満
であると、加工温度間隔、即ち加工温度と結晶化開始温
度との間の温度差が極めて小さくなり、その結果、全体
的に、ガラスを使用するときに非常に複雑な温度制御を
生ずる。ガラス内のＢ2 Ｏ3 の割合が１７重量％を越え
た場合、著しいガラスの不混和傾向を生ずる。１４〜１
５重量％のＢ2 Ｏ3 の割合が特に適当であることが確認
された。酸化鉛の割合も同様に加工温度に影響を及ぼ
す。もしも酸化鉛の割合が４３重量％未満に低下する
と、加工温度が極めて高くなり、それと同時に、ガラス
の電気抵抗が減少し、これは望ましくない。一方、酸化
鉛の割合が５０重量％を越えた場合、高い膨脹係数を生
じ、それによって被覆されるべき部品への熱膨脹適合が
一般にもはや不可能になる。４４．５〜４８．５重量％
のＰｂＯ含量が特に好適である。ガラスはさらに２４〜
２９重量％の割合の酸化亜鉛を含有する。酸化亜鉛含量
が上記下限を下まわった場合、加工温度が過度に増大
し、逆に２９重量％の上限を越えた場合、ガラスの強い
結晶化傾向を生じ、また加工温度間隔の減少を生ずる。
２６〜２９重量％の酸化亜鉛含量が特に有利である。ま
た、もしも酸化銅の割合が４重量％未満に低下すると、
ガラスは酸化亜鉛に対する接着性が劣るようになり、ま
た酸化亜鉛に対する境界濡れ角が増大する。さらに、例
えば封入されるべきバリスタの電気的性質が毀損され、
それによって電流−電圧特性の弯曲を生ずるようにな
る。しかしながら、７重量％を越える酸化銅含量も同様
に望ましくなく、何故ならばこのように高い酸化銅割合
を有するガラスは強い不混和傾向を示すからである。
４．５〜５．５重量％の酸化銅の割合が最も有利であ
る。酸化アルミニウム含量は１．５〜２．５重量％の範
囲にあるべきである。酸化アルミニウム含量が上記範囲
未満に低下した場合、膨脹係数の増大を生じ、一方、上
記範囲を越えた場合には加工温度が増大する。
特に有利である。Ｂ2 Ｏ3 の割合は１３〜１７重量％の
範囲にあるべきである。Ｂ2 Ｏ3 含量が１３重量％未満
であると、加工温度間隔、即ち加工温度と結晶化開始温
度との間の温度差が極めて小さくなり、その結果、全体
的に、ガラスを使用するときに非常に複雑な温度制御を
生ずる。ガラス内のＢ2 Ｏ3 の割合が１７重量％を越え
た場合、著しいガラスの不混和傾向を生ずる。１４〜１
５重量％のＢ2 Ｏ3 の割合が特に適当であることが確認
された。酸化鉛の割合も同様に加工温度に影響を及ぼ
す。もしも酸化鉛の割合が４３重量％未満に低下する
と、加工温度が極めて高くなり、それと同時に、ガラス
の電気抵抗が減少し、これは望ましくない。一方、酸化
鉛の割合が５０重量％を越えた場合、高い膨脹係数を生
じ、それによって被覆されるべき部品への熱膨脹適合が
一般にもはや不可能になる。４４．５〜４８．５重量％
のＰｂＯ含量が特に好適である。ガラスはさらに２４〜
２９重量％の割合の酸化亜鉛を含有する。酸化亜鉛含量
が上記下限を下まわった場合、加工温度が過度に増大
し、逆に２９重量％の上限を越えた場合、ガラスの強い
結晶化傾向を生じ、また加工温度間隔の減少を生ずる。
２６〜２９重量％の酸化亜鉛含量が特に有利である。ま
た、もしも酸化銅の割合が４重量％未満に低下すると、
ガラスは酸化亜鉛に対する接着性が劣るようになり、ま
た酸化亜鉛に対する境界濡れ角が増大する。さらに、例
えば封入されるべきバリスタの電気的性質が毀損され、
それによって電流−電圧特性の弯曲を生ずるようにな
る。しかしながら、７重量％を越える酸化銅含量も同様
に望ましくなく、何故ならばこのように高い酸化銅割合
を有するガラスは強い不混和傾向を示すからである。
４．５〜５．５重量％の酸化銅の割合が最も有利であ
る。酸化アルミニウム含量は１．５〜２．５重量％の範
囲にあるべきである。酸化アルミニウム含量が上記範囲
未満に低下した場合、膨脹係数の増大を生じ、一方、上
記範囲を越えた場合には加工温度が増大する。
【００１１】ガラスはさらにまたそれぞれ３重量％以下
の少量で成分ＳｎＯ2 、Ｂｉ2 Ｏ3 及びＭｏＯ3 を含有
することもできる。これらの添加物は用いるセラミック
に応じて電流−電圧特性を改善する。同じ効果は１重量
％以下のＣｒ2 Ｏ3 を添加することによっても示され
る。さらに、Ｃｒ2 Ｏ3 はまた濡れ特性及びグレーズ
（ガラス被膜）の接着性の改善ももたらすことができ
る。しかしながら、成分ＳｎＯ2 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＭｏＯ
3 及びＣｒ2 Ｏ3 の添加は合計量で０．０５重量％以上
とすべきである。何故ならば、この値未満ではもはやそ
の効果が認識困難であるからである。
の少量で成分ＳｎＯ2 、Ｂｉ2 Ｏ3 及びＭｏＯ3 を含有
することもできる。これらの添加物は用いるセラミック
に応じて電流−電圧特性を改善する。同じ効果は１重量
％以下のＣｒ2 Ｏ3 を添加することによっても示され
る。さらに、Ｃｒ2 Ｏ3 はまた濡れ特性及びグレーズ
（ガラス被膜）の接着性の改善ももたらすことができ
る。しかしながら、成分ＳｎＯ2 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＭｏＯ
3 及びＣｒ2 Ｏ3 の添加は合計量で０．０５重量％以上
とすべきである。何故ならば、この値未満ではもはやそ
の効果が認識困難であるからである。
【００１２】
【発明の効果】本発明に係るガラスは、５４０℃以下、
通常の場合には５１０℃以下の非常に有利な加工温度を
示し、従って、特に電子部品例えば抵抗器の封入中のお
だやかな操作に適しているが、特に酸化亜鉛ベースのバ
リスタの封入に適している。本発明のガラスのさらに利
点は、低い境界濡れ角を生ずる酸化亜鉛との改善された
濡れ性にある。ガラスの酸化亜鉛への接着性も同様に非
常に良好である。電子部品、特にバリスタの封入用に用
いられる場合、バリスタのブランクを適当な長さを有す
るガラス管内に融着できるが、通常の手段では粉末ガラ
スの層がブランクに塗布され、引き続きこの層が溶融さ
れてグレーズになる。この場合、ガラス粉末は通常５〜
２５μｍの範囲の平均粒径を有し、適当な懸濁媒、例え
ば相当する粘度の植物油又は鉱物油中に懸濁されるが、
好ましくは懸濁媒としては適当なバインダーを添加した
水が用いられる。懸濁媒は、グレーズ溶融のため加熱工
程中に残渣もなくガラス粉末層から再び除去される。
通常の場合には５１０℃以下の非常に有利な加工温度を
示し、従って、特に電子部品例えば抵抗器の封入中のお
だやかな操作に適しているが、特に酸化亜鉛ベースのバ
リスタの封入に適している。本発明のガラスのさらに利
点は、低い境界濡れ角を生ずる酸化亜鉛との改善された
濡れ性にある。ガラスの酸化亜鉛への接着性も同様に非
常に良好である。電子部品、特にバリスタの封入用に用
いられる場合、バリスタのブランクを適当な長さを有す
るガラス管内に融着できるが、通常の手段では粉末ガラ
スの層がブランクに塗布され、引き続きこの層が溶融さ
れてグレーズになる。この場合、ガラス粉末は通常５〜
２５μｍの範囲の平均粒径を有し、適当な懸濁媒、例え
ば相当する粘度の植物油又は鉱物油中に懸濁されるが、
好ましくは懸濁媒としては適当なバインダーを添加した
水が用いられる。懸濁媒は、グレーズ溶融のため加熱工
程中に残渣もなくガラス粉末層から再び除去される。
【００１３】本発明のガラスはまた、例えばＺｎＯベー
スのバリスタ製造において、酸化亜鉛セラミック製作中
の焼結助剤としても特に適している。この目的のために
は、ガラスは微粉砕状（約１０μｍ以下の平均粒径）で
約０．１〜１０重量％の量で、焼結されるべき酸化亜鉛
に混入される。焼結助剤として用いられるガラスの場
合、ＳｎＯ2 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＭｏＯ3 及び／又はＣｒ2
Ｏ3 などの前記した成分を含有するガラスが特に有利で
ある。
スのバリスタ製造において、酸化亜鉛セラミック製作中
の焼結助剤としても特に適している。この目的のために
は、ガラスは微粉砕状（約１０μｍ以下の平均粒径）で
約０．１〜１０重量％の量で、焼結されるべき酸化亜鉛
に混入される。焼結助剤として用いられるガラスの場
合、ＳｎＯ2 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＭｏＯ3 及び／又はＣｒ2
Ｏ3 などの前記した成分を含有するガラスが特に有利で
ある。
【００１４】本発明に係るガラスは、酸化亜鉛セラミッ
クに対するその特異の適合性に加えて、当然のことなが
ら、さらにセラミックスを互いに（例えばＡｌ2 Ｏ3 、
ステアタイト等）また約５００℃の温度で熱膨脹に関し
て適合された金属（例えば“コバール（Ｋｏｖａ
ｒ）”）に結合するためにも適している。本発明のガラ
スは、さらに複合ガラス製造用の基礎ガラスとしても適
している。
クに対するその特異の適合性に加えて、当然のことなが
ら、さらにセラミックスを互いに（例えばＡｌ2 Ｏ3 、
ステアタイト等）また約５００℃の温度で熱膨脹に関し
て適合された金属（例えば“コバール（Ｋｏｖａ
ｒ）”）に結合するためにも適している。本発明のガラ
スは、さらに複合ガラス製造用の基礎ガラスとしても適
している。
【００１５】本発明に係るガラスは、なかんずく、約５
００℃の低加工温度、約１０10〜１０12Ωｃｍの２５０
℃の温度での非常に高い比体積抵抗により特徴付けられ
る。ガラスをグレーズ用に用いた場合、高透明で非常に
気泡のないグレーズが得られ、これは絶対的に気密であ
る。低い境界濡れ角のために、酸化亜鉛部品のグレージ
ングは特に簡単であり、またグレーズの酸化亜鉛への改
善された接着により、特に耐性のある被膜が得られる。
００℃の低加工温度、約１０10〜１０12Ωｃｍの２５０
℃の温度での非常に高い比体積抵抗により特徴付けられ
る。ガラスをグレーズ用に用いた場合、高透明で非常に
気泡のないグレーズが得られ、これは絶対的に気密であ
る。低い境界濡れ角のために、酸化亜鉛部品のグレージ
ングは特に簡単であり、またグレーズの酸化亜鉛への改
善された接着により、特に耐性のある被膜が得られる。
【００１６】
【実 施 例】以下、実施例を示して本発明をさらに具
体的に説明するが、本発明が下記実施例により限定され
るものでないことはもとよりである。
体的に説明するが、本発明が下記実施例により限定され
るものでないことはもとよりである。
【００１７】通常のガラス原料を溶融することによって
表１に示すような異なる組成の７つのガラスを得た。引
き続き、それぞれのガラスの物性、すなわち２０〜３０
０℃の範囲についての熱膨脹係数α、転移温度Ｔｇ及び
加工温度を測定した。結晶化温度はいわゆる勾配法に従
って以下のように測定した。すなわち、約１０μｍの平
均粒径を有するガラス粉末を白金キャリヤープレートに
塗布し、管状炉内で３０分間処理する。管状炉内は、そ
の長さにわたって所定の温度分布に保持されている。次
いで、溶融ガラスを２０倍の倍率で視覚的に観察し、結
晶化開始の部位のそれに伴なって関連するその温度を測
定する。
表１に示すような異なる組成の７つのガラスを得た。引
き続き、それぞれのガラスの物性、すなわち２０〜３０
０℃の範囲についての熱膨脹係数α、転移温度Ｔｇ及び
加工温度を測定した。結晶化温度はいわゆる勾配法に従
って以下のように測定した。すなわち、約１０μｍの平
均粒径を有するガラス粉末を白金キャリヤープレートに
塗布し、管状炉内で３０分間処理する。管状炉内は、そ
の長さにわたって所定の温度分布に保持されている。次
いで、溶融ガラスを２０倍の倍率で視覚的に観察し、結
晶化開始の部位のそれに伴なって関連するその温度を測
定する。
【００１８】ガラスをさらに不混和現象について視覚的
に観察した。また、体積抵抗Ωｃｍを２５０℃で測定
し、対数として示した（ｌｏｇ ρ２５０）。ガラスの
組成及び物性を表１に示す。さらに、ガラスのＺｎＯに
対する境界濡れ角もまた測定したところ、１０°と４０
°の間の値を示した。ＺｎＯに対する境界濡れ角の測定
は加熱顕微鏡を用いて常法に従って行った。このため
に、被検ガラスからの直径８ｍｍ、高さ８ｍｍの円筒状
試験片を支持体としての酸化亜鉛プレート上でそれぞれ
のガラスの加工温度まで２０分間加熱する。試験片はこ
の操作中に溶けていわゆる流体塊になり、流体塊の縁か
ら立ち上る境界濡れ角を測定する。比較例としての例Ｎ
ｏ．５は条痕形成による強い不混和傾向を示した。
に観察した。また、体積抵抗Ωｃｍを２５０℃で測定
し、対数として示した（ｌｏｇ ρ２５０）。ガラスの
組成及び物性を表１に示す。さらに、ガラスのＺｎＯに
対する境界濡れ角もまた測定したところ、１０°と４０
°の間の値を示した。ＺｎＯに対する境界濡れ角の測定
は加熱顕微鏡を用いて常法に従って行った。このため
に、被検ガラスからの直径８ｍｍ、高さ８ｍｍの円筒状
試験片を支持体としての酸化亜鉛プレート上でそれぞれ
のガラスの加工温度まで２０分間加熱する。試験片はこ
の操作中に溶けていわゆる流体塊になり、流体塊の縁か
ら立ち上る境界濡れ角を測定する。比較例としての例Ｎ
ｏ．５は条痕形成による強い不混和傾向を示した。
【００１９】
【表１】
フロントページの続き (72)発明者 ハルトムート、パシュケ ドイツ連邦共和国、デェー8300エルゴルデ ィング、バルグラーベン シュトラーセ 11
Claims (5)
- 【請求項１】 酸化物基準で以下の組成 ＳｉＯ2 ４．０〜７．０重量％ Ｂ2 Ｏ3 １３．０〜１７．０重量％ ＰｂＯ ４３．０〜５０．０重量％ ＺｎＯ ２４．０〜２９．０重量％ ＣｕＯ ４．０〜７．０重量％ Ａｌ2 Ｏ3 １．５〜２．５重量％ を有し、せいぜい５４０℃の加工温度及びＺｎＯに対す
るせいぜい４０°の境界濡れ角を有する鉛−亜鉛−硼珪
酸ガラス。 - 【請求項２】 酸化物基準で以下の組成 ＳｉＯ2 ４．５〜５．５重量％ Ｂ2 Ｏ3 １４．０〜１５．０重量％ ＰｂＯ ４４．５〜４８．５重量％ ＺｎＯ ２６．０〜２９．０重量％ ＣｕＯ ４．５〜５．５重量％ Ａｌ2 Ｏ3 １．５〜２．５重量％ を有する請求項１記載の鉛−亜鉛−硼珪酸ガラス。
- 【請求項３】 酸化物基準で ＳｎＯ2 ０〜３重量％ Ｂｉ2 Ｏ3 ０〜３重量％ ＭｏＯ3 ０〜３重量％ Ｃｒ2 Ｏ3 ０〜１重量％ からなる群から選ばれた少なくとも０．０５重量％の付
加成分を有することを特徴とする請求項１又は２記載の
鉛−亜鉛−硼硅酸ガラス。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の
ガラスからなる電子部品特に酸化亜鉛ベースのバリスタ
封入用ガラス。 - 【請求項５】 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の
ガラスからなる、酸化亜鉛セラミックの焼結助剤用ガラ
ス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4005011A DE4005011C1 (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | |
| DE4005011.4 | 1990-02-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05178637A true JPH05178637A (ja) | 1993-07-20 |
| JPH07108786B2 JPH07108786B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=6400395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3045468A Expired - Fee Related JPH07108786B2 (ja) | 1990-02-19 | 1991-02-19 | 鉛−亜鉛−硼珪酸ガラス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5096620A (ja) |
| EP (1) | EP0443323B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07108786B2 (ja) |
| DE (2) | DE4005011C1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017504974A (ja) * | 2014-01-29 | 2017-02-09 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 保護機能を有するチップとその製造のための方法 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0620567B1 (en) * | 1989-11-08 | 1996-07-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A zinc oxide varistor, a method of preparing the same, and a crystallized glass composition for coating |
| US5114885A (en) * | 1991-04-16 | 1992-05-19 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Encapsulant composition |
| US5137851A (en) * | 1991-06-11 | 1992-08-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Encapsulant composition |
| DE4136115C1 (ja) * | 1991-11-02 | 1993-01-28 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De | |
| WO1993017438A1 (en) * | 1992-02-25 | 1993-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinc oxide varistor and production thereof |
| US5439852A (en) * | 1994-08-01 | 1995-08-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Cadmium-free and lead-free thick film conductor composition |
| US6411725B1 (en) | 1995-07-27 | 2002-06-25 | Digimarc Corporation | Watermark enabled video objects |
| US7006661B2 (en) | 1995-07-27 | 2006-02-28 | Digimarc Corp | Digital watermarking systems and methods |
| EP0842490B1 (en) | 1995-08-03 | 2007-06-27 | Interval Research Corporation | Computerized interactor systems and methods for providing same |
| US5629247A (en) * | 1996-05-08 | 1997-05-13 | The O'hommel Company | High bismuth oxide based flux and paint compositions for glass substrates |
| JP2001176703A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-06-29 | Toshiba Corp | 電圧非直線抵抗体及びその製造方法 |
| US6891959B2 (en) | 2000-04-19 | 2005-05-10 | Digimarc Corporation | Hiding information out-of-phase in color channels |
| US7738673B2 (en) | 2000-04-19 | 2010-06-15 | Digimarc Corporation | Low visible digital watermarks |
| US6912295B2 (en) | 2000-04-19 | 2005-06-28 | Digimarc Corporation | Enhancing embedding of out-of-phase signals |
| US8027509B2 (en) | 2000-04-19 | 2011-09-27 | Digimarc Corporation | Digital watermarking in data representing color channels |
| US7027614B2 (en) | 2000-04-19 | 2006-04-11 | Digimarc Corporation | Hiding information to reduce or offset perceptible artifacts |
| US7111168B2 (en) | 2000-05-01 | 2006-09-19 | Digimarc Corporation | Digital watermarking systems |
| DE102005050638B4 (de) * | 2005-10-20 | 2020-07-16 | Tdk Electronics Ag | Elektrisches Bauelement |
| EP1956612B1 (en) * | 2007-02-09 | 2014-12-31 | SFI Electronics Technology Inc. | Ceramic material used for protection against electrical overstress and low-capacitance multilayer chip varistor using the same |
| US9117268B2 (en) | 2008-12-17 | 2015-08-25 | Digimarc Corporation | Out of phase digital watermarking in two chrominance directions |
| US8199969B2 (en) | 2008-12-17 | 2012-06-12 | Digimarc Corporation | Out of phase digital watermarking in two chrominance directions |
| CN116409932A (zh) * | 2023-02-15 | 2023-07-11 | 上海百功微电子有限公司 | 一种二极管封装材料及利用其的二极管封装方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3859126A (en) * | 1970-10-27 | 1975-01-07 | Owens Illinois Inc | Ceramic substrates hermetically sealed with vitreous coatings |
| US3787218A (en) * | 1970-10-27 | 1974-01-22 | Owens Illinois Inc | Zircon containing printing paste for overglaze coating of microelectronic circuits on ceramic substrates |
| US3959543A (en) * | 1973-05-17 | 1976-05-25 | General Electric Company | Non-linear resistance surge arrester disc collar and glass composition thereof |
| US4041436A (en) * | 1975-10-24 | 1977-08-09 | Allen-Bradley Company | Cermet varistors |
| US4147670A (en) * | 1975-12-04 | 1979-04-03 | Nippon Electric Co., Ltd. | Nonohmic ZnO ceramics including Bi2 O3, CoO, MnO, Sb2 O.sub.3 |
| US4172922A (en) * | 1977-08-18 | 1979-10-30 | Trw, Inc. | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
| US4386021A (en) * | 1979-11-27 | 1983-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Voltage-dependent resistor and method of making the same |
| US4374049A (en) * | 1980-06-06 | 1983-02-15 | General Electric Company | Zinc oxide varistor composition not containing silica |
-
1990
- 1990-02-19 DE DE4005011A patent/DE4005011C1/de not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-01-17 DE DE59102459T patent/DE59102459D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-01-17 EP EP91100481A patent/EP0443323B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-19 US US07/657,045 patent/US5096620A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-19 JP JP3045468A patent/JPH07108786B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017504974A (ja) * | 2014-01-29 | 2017-02-09 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 保護機能を有するチップとその製造のための方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0443323A1 (de) | 1991-08-28 |
| DE59102459D1 (de) | 1994-09-15 |
| US5096620A (en) | 1992-03-17 |
| DE4005011C1 (ja) | 1991-04-25 |
| JPH07108786B2 (ja) | 1995-11-22 |
| EP0443323B1 (de) | 1994-08-10 |
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