JPH0517874A - 超微粒子分散膜の粒径制御成膜方法 - Google Patents

超微粒子分散膜の粒径制御成膜方法

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JPH0517874A
JPH0517874A JP16985391A JP16985391A JPH0517874A JP H0517874 A JPH0517874 A JP H0517874A JP 16985391 A JP16985391 A JP 16985391A JP 16985391 A JP16985391 A JP 16985391A JP H0517874 A JPH0517874 A JP H0517874A
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JP
Japan
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film thickness
film
particle size
substrate
raw material
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Withdrawn
Application number
JP16985391A
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Inventor
Takehiko Ito
岳彦 伊藤
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Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 分散膜を形成する超微粒子の粒径を制御する
ことができる成膜方法を実現する。 【構成】 予め超微粒子の粒径と膜厚計の表示膜厚との
間の関係を求め、膜厚計が所定の表示膜厚を示すまで、
蒸発源3から蒸発した薄膜原料を基板2面に蒸着させ、
所定の粒径の超微粒子よりなる分散膜を形成させるもの
とすることにより、超微粒子の粒径をコントロールする
ことができ、再現性のよい超微粒子分散膜の成膜方法を
実現する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、非線形光学材料の超微
粒子分散膜の粒径制御成膜方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の成膜方法においては、装置条件に
より超微粒子の粒径を制御しており、製造中に粒径をモ
ニターする方法はなかった。また、膜厚計の表示膜厚を
薄膜形成初期における粒径の制御モニターとして使用す
る例はなかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の超微粒子分散膜
の成膜方法においては、粒径をモニターする手法がない
ため、粒径を制御し再現性よく製造しようとするには、
装置条件をすべて同一にする必要があるが、装置条件を
同一にしても微妙な運転条件の違いがあるため、再現性
よく超微粒子分散膜を製造することができなかった。
【0004】本発明は上記の課題を解決しようとするも
のである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の超微粒子分散膜
の粒径制御成膜方法は、基板と蒸発源が内部に設けられ
た真空容器中の上記基板の近傍に膜厚計の測定子を配設
し、予め膜厚計の表示膜厚と基板表面に蒸着される薄膜
原料の粒径との関係をもとめた後、基板に形成される分
散膜の膜厚を上記膜厚計により測定しながら蒸発源から
薄膜原料を蒸発させ、上記予め求めた膜厚計の表示膜厚
と薄膜原料の粒径との関係より所定の粒径に対応した表
示膜厚となるまで薄膜原料を基板に蒸着させることを特
徴としている。
【0006】
【作用】上記において、蒸発源より蒸発し基板面に生成
される超微粒子の粒径は、基板に蒸着する薄膜原料の量
が多くなるほど大きくなるため、超微粒子の粒径と膜厚
計の表示膜厚との間には対応関係がある。そのため、膜
厚計が所定の表示膜厚を示すまで、蒸発源から蒸発した
薄膜原料を基板面に蒸着させ分散膜を形成させることに
より、所定の粒径の超微粒子からなる分散膜とすること
ができる。
【0007】上記により、超微粒子の粒径をコントロー
ルすることができ、再現性のよい超微粒子分散膜の成膜
方法を実現する。
【0008】
【実施例】本発明の一実施例に適用される装置につい
て、図1により説明する。図1において、1は真空容器
であり、3は同真空容器1内下部に設けられ金Au及び
二酸化ケイ素SiO2 を蒸発する蒸発源、2は上記真空
容器1内上部に設けられ蒸発源3より蒸発したAuおよ
びSiO2 を捕集するSiO2 基板、4は上記真空容器
1内側部に設けられた水晶振動子膜厚計の膜厚測定子で
ある。
【0009】上記において、蒸発源3より蒸発しSiO
2 基板2面に生成されるAu超微粒子の粒径はSiO2
基板2に蒸着するAuの量が多くなるほど大きくなるた
め、Au超微粒子の粒径と膜厚計により表示される膜厚
との間には対応関係がある。この関係を実験により求め
たものが、図2に示すグラフである。
【0010】本実施例においては、予め図2に示すAu
超微粒子の粒径と膜厚計の表示膜厚の関係を求めてお
き、膜厚計の表示膜厚が5Åとなるまで蒸発源3よりA
uを蒸発させ、SiO2 基板2面に粒径が30ÅのAu
超微粒子を生成した膜を形成させた。続いて、蒸発源3
よりSiO2 を蒸発させて上記Au超微粒子の上に蒸着
させ、同Au超微粒子を十分覆う程度の膜厚(500
Å)まで成膜させた。
【0011】上記により得られた薄膜は、粒径30Åの
Au超微粒子がSiO2 中に分散した薄膜であり、本実
施例と同一方法で数回くり返し成膜を行なったところ、
いずれの場合も上記と同様の分散膜を得ることができ、
再現性があることが判った。
【0012】また、上記と同様の方法で、Au超微粒子
の粒径が20Å,40Å,50Åになるような膜厚計の
表示膜厚で成膜を行い、それぞれ20Å,40Å,50
ÅのAu超微粒子分散膜を成膜することができた。
【0013】上記により、Au超微粒子の粒径をコント
ロールすることができ、再現性のよいAu超微粒子分散
膜の成膜方法を実現した。
【0014】
【発明の効果】本発明の超微粒子分散膜の粒径制御成膜
方法は、予め超微粒子の粒径と膜厚計の表示膜厚との間
の関係を求め、膜厚計が所定の表示膜厚を示すまで、蒸
発源から蒸発した薄膜原料を基板面に蒸着させ、所定の
粒径の超微粒子よりなる分散膜を形成させるものとする
ことによって、超微粒子の粒径をコントロールすること
ができ、再現性のよい超微粒子分散膜の成膜方法を実現
する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る成膜装置の説明図であ
る。
【図2】上記一実施例に係る粒径と膜厚計表示膜厚の関
係図である。
【符号の説明】
1 真空容器 2 SiO2 基板 3 蒸発源 4 膜厚測定子

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 基板と蒸発源が内部に設けられた真空容
    器中の上記基板の近傍に膜厚計の測定子を配設し、予め
    膜厚計の表示膜厚と基板表面に蒸着される薄膜原料の粒
    径との関係を求めた後、基板に形成される分散膜の膜厚
    を上記膜厚計により測定しながら蒸発源から薄膜原料を
    蒸発させ、上記予め求めた膜厚計の表示膜厚と薄膜原料
    の粒径との関係より所定の粒径に対応した表示膜厚とな
    るまで薄膜原料を基板に蒸着させることを特徴とする超
    微粒子分散膜の粒径制御成膜方法。
JP16985391A 1991-07-10 1991-07-10 超微粒子分散膜の粒径制御成膜方法 Withdrawn JPH0517874A (ja)

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