JPH05179237A - 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 発光強度が強くかつ高耐久性の実用レベルの
エレクトロルミネッセンス素子の提供。 【構成】 一般式〔I〕で表される有機化合物に縮合環
を１若しくは２形成した化合物を含有する層、又は一般
式〔IV〕で表される有機化合物を含有する層を、少なく
とも一層以上設けた有機薄膜エレクトロルミネッセンス
素子。 残基Ｘ〜Ｚは例えば 〔残基Ｘ〜Ｚの中、Ｒ_１〜Ｒ_５はＨ、ハロゲン原子、ア
ルキル基、複素環式基、アリール基等〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は薄膜エレクトロルミネッ
センス素子に関し、特に平面光源及びフラットディスプ
レイなどに用いられる薄膜エレクトロルミネッセンス素
子に関する。

【０００２】

【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子は、有機
発光層および該層を挾んだ一対の対向電極から構成され
ており、その発光は一方の電極から注入された電子と、
もう一方の電極から注入された正孔により、発光層内で
再結合がおこり発光体がより高いエネルギー準位に励起
され、励起された発光体が元の基底状態にもどる際にエ
ネルギーを光として放出することにより発生する。この
ようなキャリア注入型エレクトロルミネッセンス素子
は、発光層として薄膜状有機化合物を用いるようになっ
てから発光強度の強いものが得られるようになってき
た。例えば、米国特許3,530,325号には発光体として単
結晶アントラセン等を用いたもの、特開昭59-194393号
には正孔注入層と有機発光体層を組合せたもの、特開昭
63-295695号には正孔注入輸送層と有機電子注入輸送層
を組合せたものおよびJpn.Journal of Applied Physic
s,vol.27,No2,P269〜271には正孔移動層と発光層と電子
移動層を組合せたものなどが開示されており、これらに
よりこれまで発光強度は改良されてきた。

【０００３】しかしながら上述した構成の従来のエレク
トロルミネッセンス素子においては、発光強度は改良さ
れてきてはいるが、耐久性に問題があり、まだ実用レベ
ルの発光強度及び耐久性に達していなかった。従って、
より発光強度が強くかつ高耐久性のエレクトロルミネッ
センス素子の開発が望まれていた。

【０００４】

【発明の目的】本発明は上記の実情に鑑み、その目的
は、より発光強度が強くかつ高耐久性の実用レベルのエ
レクトロルミネッセンス素子を提供することにある。

【０００５】

【発明の構成】本発明者らは上記の目的を達成するため
鋭意努力の研究を重ねた結果、下記一般式〔Ｉ〕で表さ
れる有機化合物に縮合環を１若しくは２形成した化合物
を含有する層、又は下記一般式〔IV〕で表される有機化
合物を含有する層を、少なくとも一層以上設けたことを
特徴とする有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子によ
り、達成されることを見出した。

【０００６】

【化５】

【０００７】一般式〔Ｉ〕中残基Ｚの（I−１）〜（I−
４）中、Ｒ₁〜Ｒ₁₁はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、又は置換若しくは無置換の続記５個の基；ア
ルキル基、複素環式基、アリール基、不飽和鎖式炭化水
素から誘導された１価の基、窒素２原子以上を含有基、
或はスチリル基、アニシル基、アミノ基、アルキルアミ
ノ基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アルコキシ
カルボニル基、アミノカルボニル基、アリールオキシカ
ルボニル基、カルボキシル基、アシル基、アリールオキ
シル基、アラルキル基、アシルアミノ基、アシルオキシ
ル基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基及びスル
ホニウム基を表し、Ｒ₁とＲ₂、Ｒ₂とＲ₃、Ｒ₃とＲ₄、Ｒ
₆とＲ₇、Ｒ₇とＲ₈、Ｒ₈とＲ₉、Ｒ₉とＲ₁₀、Ｒ₁₀とＲ₁₁
は互いに結合して置換若しくは無置換の飽和又は不飽和
の環構造を形成していてもよい。

【０００８】上記残基（I−５）中Ｙは、置換若しくは
無置換の複素環を表す。

【０００９】

【化６】

【００１０】上記残基Ｘ，Ｗがそれぞれ独立に表す（IV
−１）〜（IV−４）中、Ｒ₁₂〜Ｒ₂₂はそれぞれ独立に、
水素原子、ハロゲン原子、又は置換若しくは無置換の続
記５個の基；アルキル基、複素環式基、アリール基、不
飽和鎖式炭化水素から誘導された１価の基、窒素２原子
以上を含む基、或はスチリル基、アニシル基、アミノ
基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルコキ
シ基、アルコキシカルボニル基、アミノカルボニル基、
アリールオキシカルボニル基、カルボキシル基、アシル
基、アリールオキシル基、アラルキル基、アシルアミノ
基、アシルオキシル基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、
スルホ基及びスルホニウム基を表し、Ｒ₁₂とＲ₁₃、Ｒ₁₃
とＲ₁₄、Ｒ₁₄とＲ₁₅、Ｒ₁₇とＲ₁₈、Ｒ₁₈とＲ₁₉、Ｒ₁₉と
Ｒ₂₀、Ｒ₂₀とＲ₂₁、Ｒ₂₁とＲ₂₂は互いに結合して置換若
しくは無置換の飽和又は不飽和の環構造を形成していて
もよい。

【００１１】上記残基（IV−５）中Ｖは、置換若しくは
無置換の複素環を表す。

【００１２】

【発明の具体的構成】前記残基（I−１）〜（I−４），
（IV−１）〜（IV−４）中Ｒ₁〜Ｒ₂₂の表すハロゲン原
子としては塩素原子、臭素原子、弗素原子、沃素原子；
置換若しくは無置換のアルキル基としてはメチル基，エ
チル基，プロピル基，ブチル基，シクロヘキシル基など
のアルキル基；置換若しくは無置換の不飽和鎖式炭化水
素から誘導された１価の基としてはビニル基，1-プロペ
ニル基，アリル基，イソプロペニル基，1-ブテニル基，
2-ブテニル基，2-ペンテニル基，エチニル基などの不飽
和鎖式炭化水素から誘導された１価の基；置換若しくは
無置換の複素環式基としてはピペリジル基，ピペリジノ
基，ピローリル基，フリル基，チェニル基，イミダゾリ
ル基，ピラゾリル基，トリアゾリル基，ピリジル基，チ
アゾリル基，ピリダジニル基，ピリドンよりなる１価の
基，モルホリニル基，モルホリニノ基，オキサゾリル
基，イソオキサゾリル基，イソチアゾリル基，ピリミジ
ニル基，ピラジニル基，ピラニル基，ベンゾイミダゾリ
ル基，ベンゾチアゾリル基，ベンゾオキサゾリル基，キ
ノリル基などの複素環式基；置換若しくは無置換のアリ
ール基としてはフェニル基，ナフチル基，アントニル
基，キシリル基，ビフェニル基，フェナントリル基など
のアリール基；置換若しくは無置換の窒素２原子以上を
含む基としてはアゾ基，フェニラゾ基，ナフチラゾ基，
ヒドラニゾ基，ヒドラゾ基，アゾキシ基，アジド基，ジ
アゾアミノ基，アミディノ基，ウレイレン基，グアニデ
ィノ基などの窒素２原子以上を含む基；アルコキシル基
としてはメトキシル基，エトキシル基，プロポキシル
基，ブトキシル基，ペンチルオキシル基，ヘキシルオキ
シル基などのアルコキシル基；アルコキシカルボニル基
としてはメトキシカルボニル基，エトキシカルボニル
基，ブトキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル
基；アミノカルボニル基としてはアニリノカルボニル
基，ジメチルアミノカルボニル基，ラルバモイル基，ア
ラニル基などのアミノカルボニル基；アリールオキシカ
ルボニル基としてはナフチルオキシカルボニル基，キシ
リルオキシカルボニル基，フェノキシカルボニル基など
のアリールオキシカルボニル基；アシル基としてはホル
ミル基，アセチル基，プロピオニル基，ブチリル基，パ
レリル基，オアルミトイル基，ステアロイル基，オレオ
イル基，ベンゾイル基、トリオイル基，サリチロイル
基，シンナモイル基，ナフトイル基，フタロイル基，オ
キサリル基，マロニル基，スクシニル基，フロイル基な
どのアシル基；アリールオキシル基としてはフェノキシ
基，トリルオキシ基などのアリールオキシル基；アラル
キル基としてはベンジル基，フェネチル基などのアラル
キル基；アシルアミノ基としてはアセチルアミノ基，プ
ロピオニルアミノ基，ブチリルアミノ基などのアシルア
ミノ基；アシルオキシル基としてはアセチルオキシ基，
プロピオニルオキシ基，ブチリルオキシ基などのアシル
オキシル基である。

【００１３】前記の置換基とは、水素原子、ハロゲン原
子、メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，シク
ロヘキシル基などのアルキル基、ビニル基，1-プロペニ
ル基，アリル基，イソプロペニル基，1-ブテニル基，2-
ブテニル基，2-ペンテニル基，エチニル基などの不飽和
鎖式炭化水素から誘導された１価の基、ピペリジル基，
ピペリジノ基，ピローリル基，フリル基，チェニル基，
イミダゾリル基，ピラゾリル基，トリアゾリル基，ピリ
ジル基，チアゾリル基，ピリダジニル基，ピリドンより
なる１価の基，モルホリニル基，モルホリニノ基，オキ
サゾリル基，イソオキサゾリル基，イソチアゾリル基，
ピリミジニル基，ピラジニル基，ピラニル基，ベンゾイ
ミダゾリル基，ベンゾチアゾリル基，ベンゾオキサゾリ
ル基，キノリル基などの複素環式基、フェニル基，ナフ
チル基，アントニル基，キシリル基，ビフェニル基，フ
ェナントリル基などのアリール基、アゾ基，フェニラゾ
基，ナフチラゾ基，ヒドラニゾ基，ヒドラゾ基，アゾキ
シ基，アジド基，ジアゾアミノ基，アミディノ基，ウレ
イレン基，グアニディノなどの窒素２原子以上を含む
基、スチリル基、アニシル基、アミノ基、アルキルアミ
ノ基、ジアルキルアミノ基、メトキシル基，エトキシル
基，プロポキシル基，ブトキシル基，ペンチルオキシル
基，ヘキシルオキシル基などのアルコキシル基、メトキ
シカルボニル基，エトキシカルボニル基，ブトキシカル
ボニル基などのアルコキシカルボニル基、アニリノカル
ボニル基，ジメチルアミノカルボニル基，ラルバモイル
基，アラニル基などのアミノカルボニル基、ナフチルオ
キシカルボニル基，キシリルオキシカルボニル基，フェ
ノキシカルボニル基などのアリールオキシカルボニル
基、カルボキシル基、ホルミル基，アセチル基，プロピ
オニル基，ブチリル基，パレリル基，オアルミトイル
基，ステアロイル基，オレオイル基，ベンゾイル基，ト
リオイル基，サリチロイル基，シンナモイル基，ナフト
イル基，フタロイル基，オキサリル基，マロニル基，ス
クシニル基，フロイル基などのアシル基、フェノキシ
基，トリルオキシ基などのアリールオキシル基、ベンジ
ル基，フェネチル基などのアラルキル基、アセチルアミ
ノ基，プロピオニルアミノ基，ブチリルアミノ基などの
アシルアミノ基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキ
シ基，ブチリルオキシ基などのアシルオキシル基、水酸
基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基またはスルホニウム
基を表す。

【００１４】縮合環とは、環の構成原子の内２個以上の
原子が他の環と共有して結合している炭素環や複素環な
どにより形成された環式構造のことを言う。

【００１５】一般式〔Ｉ〕で表される有機化合物に縮合
環を１若しくは２形成した化合物の具体例として、次に
示すものを挙げることができる。

【００１６】

【化７】

【００１７】

【化８】

【００１８】

【化９】

【００１９】

【化１０】

【００２０】

【化１１】

【００２１】

【化１２】

【００２２】

【化１３】

【００２３】

【化１４】

【００２４】

【化１５】

【００２５】

【化１６】

【００２６】

【化１７】

【００２７】

【化１８】

【００２８】

【化１９】

【００２９】

【化２０】

【００３０】

【化２１】

【００３１】

【化２２】

【００３２】

【化２３】

【００３３】

【化２４】

【００３４】

【化２５】

【００３５】

【化２６】

【００３６】

【化２７】

【００３７】

【化２８】

【００３８】

【化２９】

【００３９】

【化３０】

【００４０】

【化３１】

【００４１】

【化３２】

【００４２】

【化３３】

【００４３】

【化３４】

【００４４】

【化３５】

【００４５】

【化３６】

【００４６】

【化３７】

【００４７】

【化３８】

【００４８】

【化３９】

【００４９】

【化４０】

【００５０】

【化４１】

【００５１】

【化４２】

【００５２】

【化４３】

【００５３】

【化４４】

【００５４】

【化４５】

【００５５】

【化４６】

【００５６】

【化４７】

【００５７】

【化４８】

【００５８】

【化４９】

【００５９】

【化５０】

【００６０】

【化５１】

【００６１】

【化５２】

【００６２】

【化５３】

【００６３】

【化５４】

【００６４】

【化５５】

【００６５】

【化５６】

【００６６】

【化５７】

【００６７】

【化５８】

【００６８】

【化５９】

【００６９】

【化６０】

【００７０】

【化６１】

【００７１】

【化６２】

【００７２】

【化６３】

【００７３】

【化６４】

【００７４】

【化６５】

【００７５】

【化６６】

【００７６】

【化６７】

【００７７】

【化６８】

【００７８】

【化６９】

【００７９】

【化７０】

【００８０】

【化７１】

【００８１】

【化７２】

【００８２】

【化７３】

【００８３】

【化７４】

【００８４】これらはあくまでも、説明のために示した
具体例であり、本発明の請求の範囲を限定するものでは
無い。

【００８５】本発明一般式〔Ｉ〕で表される有機化合物
に縮合環を１若しくは２形成した化合物は公知の方法で
容易に合成することができる。

【００８６】例えばペリレンのｇｈｉ位置以外の位置
に、脱水素，熱反応による脱水素環化、o-メチル芳香族
ケトンの熱反応、AlCl₃による環化と脱水素、ハロゲン
置換化合物のＫＯＨによる環化、無水フタル酸による造
環、無水琥珀酸による造環、無水マレイン酸による造
環、peri-縮合造環（マレイン酸，NaCl-ZnCl₂），Pshor
r合成、石油化学における芳香族化反応、アルカリ融解
による造環、Ullmann反応による造環、Wurtz-Fttig反応
等による造環により縮合環を１若しくは２形成し、縮合
環を形成後、ペリレンのｇｈｉ位置に無水マレイン酸を
Diels-Alder付加反応を行い、クロラニル等により脱水
素反応することにより一般式〔I〕で表せられる有機化
合物に縮合環を１若しくは２形成した化合物の酸無水物
（残基ＺがI−２）を合成することができる。

【００８７】このように合成した酸無水物（残基Ｚが
（I−２））にアミノ化合物を、非反応性溶媒、好まし
くはN-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等
の非プロトン性溶媒；キノリン等の塩基性溶媒；o-ジク
ロルベンゼン等の塩素系溶剤の単独又は混合溶媒中、室
温以上好ましくは150〜250℃の温度条件下で縮合反応さ
せることにより他の残基Ｚが（I−１），（I−３），
（I−４）及び（I−５）である化合物を合成することが
できる。

【００８８】合成例１ ジエチル-1,2-ジハイドロ-1,2-ジアザベンゾ［ｇｈｉ］
ペリレン-1,2-ジカルボキシレート（ａ）（212mg,1.50m
mol）を無水マレイン酸（1.45g,15mmol）に加え、これ
にクロラニル（369mg,1.50mmol）に加え、20分間加熱還
流しDiels-Alder反応させた。温度を80℃にしキシレン
２mlを加えた。室温に冷却後反応生成物を10mlのエタノ
ールに注ぎ、生成した沈殿物を濾過することにより粗1,
2-ビス（エトキシカルボニル）-1,2-ジハイドロ-1,2-ジ
アザコロネン-7,8-ジカルボキシリルの無水物（ｂ）（2
05mg）が得られた。これをキシレンにより再結晶化する
ことにより赤茶色固体の1,2-ビス（エトキシカルボニ
ル）-1,2-ジハイドロ-1,2-ジアザコロネン-7,8-ジカル
ボキシリルの無水物（ｂ）（158mg）が得られた。

【００８９】ベンジルアルコール（30ml）に1,2-ビス
（エトキシカルボニル）-1,2-ジハイドロ-1,2-ジアザコ
ロネン-7,8-ジカルボキシリルの無水物（ｂ）（104mg,
0.20mmol）を100℃で混ぜ、水酸化ナトリウムの粒（純
度93％,260mg,６mmol）を加え、この温度で30分間掻き
混ぜた。冷却後、この反応混合物を濃塩酸により酸化反
応させた。反応生成物を蒸発させたメタノール中で解砕
し濾過することにより粗1,2-ジアザコロネン-7,8-ジカ
ルボキシリルの無水物（74mg）が得られた。これをニト
ロベンゼンによる再結晶化か330℃−350℃／20mmHgで昇
華精製することにより黄茶色針状の1,2-ジアザコロネン
-7,8-ジカルボキシリルの無水物（I−28）が得られた。

【００９０】

【化７５】

【００９１】合成例２ 合成例１により合成した（I−28）にo-フェニレンジア
ミンを非反応性溶媒、好ましくはN-メチルピロリドン、
N,N-ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒；キノ
リン等の塩基性溶媒；o-ジクロルベンゼン等の塩素系溶
剤の単独又は混合溶媒中、室温以上好ましくは150〜250
℃の温度条件下で縮合反応させることにより（I−１）
を合成することができる。

【００９２】合成例３ 合成例１により合成した（I−28）に2,3-ジアミノナフ
タレンを非反応性溶媒、好ましくはN-メチルピロリド
ン、N,N-ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒；
キノリン等の塩基性溶媒；o-ジクロルベンゼン等の塩素
系溶剤の単独又は混合溶媒中、室温以上好ましくは150
〜250℃の温度条件下で縮合反応させることにより（I−
２）を合成することができる。

【００９３】合成例４ 合成例１により合成した（I−28）にアニリンを非反応
性溶媒、好ましくはN-メチルピロリドン、N,N-ジメチル
ホルムアミド等の非プロトン性溶媒；キノリン等の塩基
性溶媒；o-ジクロルベンゼン等の塩素系溶剤の単独又は
混合溶媒中、室温以上好ましくは150〜250℃の温度条件
下で縮合反応させることにより（I−37）を合成するこ
とができる。

【００９４】合成例５ 合成例１により合成した（I−28）に1,8-ジアミノナフ
タレンを非反応性溶媒、好ましくはN-メチルピロリド
ン、N,N-ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒；
キノリン等の塩基性溶媒；o-ジクロルベンゼン等の塩素
系溶剤の単独又は混合溶媒中、室温以上好ましくは150
〜250℃の温度条件下で縮合反応させることにより（I−
95）を合成することができる。

【００９５】合成例６ コロネン-1,2-ジカルボン酸無水物（I−146）も、下記
の公知の反応を経て容易に合成できる。

【００９６】下記のような公知の造環反応によりベンゾ
［ｇｈｉ］ペリレンを合成し、ベンゾ［ｇｈｉ］ペリレ
ンから下記の反応を経てコロネン-1,2-ジカルボン酸無
水物を合成した。

【００９７】１ｇの1,12-ベンゾペリレンと３ｇのクロ
ラニル（ｍｐ287℃）及び30ｇの無水マレイン酸（ｍｐ5
5.5℃）とを粉砕混合し、還流冷却器と掻き混ぜ器及び
滴下漏斗を取り付けた三つ口フラスコに入れた。マント
ルヒーターで加熱し無水マレイン酸の弗点で４時間掻き
混ぜた。その後滴下漏斗から40mlのキシレンを徐々に滴
下し、さらに２時間掻き混ぜながら煮弗後析出している
熱キシレン不溶物を熱濾過分離し、キシレン，ベンゼ
ン，エタノール，エーテルで洗浄することによりこげ茶
色針状結晶のコロネン-1,2-ジカルボン酸無水物（I−14
6）1.3ｇを得た。

【００９８】

【化７６】

【００９９】合成例７ 合成例１により合成した（I−146）にo-フェニレンジア
ミンを非反応性溶媒、好ましくはN-メチルピロリドン、
N,N-ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒；キノ
リン等の塩基性溶媒；o-ジクロルベンゼン等の塩素系溶
剤の単独又は混合溶媒中、室温以上好ましくは150〜250
℃の温度条件下で縮合反応させることにより（I−119）
を合成することができる。

【０１００】合成例８ 合成例１により合成した（I−146）に2,3-ジアミノナフ
タレンを非反応性溶媒、好ましくはN-メチルピロリド
ン、N,N-ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒；
キノリン等の塩基性溶媒；o-ジクロルベンゼン等の塩素
系溶剤の単独又は混合溶媒中、室温以上好ましくは150
〜250℃の温度条件下で縮合反応させることにより（I−
120）を合成することができる。

【０１０１】合成例９ 合成例１により合成した（I−146）にアニリンを非反応
性溶媒、好ましくはN-メチルピロリドン、N,N-ジメチル
ホルムアミド等の非プロトン性溶媒；キノリン等の塩基
性溶媒；o-ジクロルベンゼン等の塩素系溶剤の単独又は
混合溶媒中、室温以上好ましくは150〜250℃の温度条件
下で縮合反応させることにより（I−155）を合成するこ
とができる。

【０１０２】合成例10 合成例１により合成した（I−146）に1,8-ジアミノナフ
タレンを非反応性溶媒、好ましくはN-メチルピロリド
ン、N,N-ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒；
キノリン等の塩基性溶媒；o-ジクロルベンゼン等の塩素
系溶剤の単独又は混合溶媒中、室温以上好ましくは150
〜250℃の温度条件下で縮合反応させることにより（I−
213）を合成することができる。

【０１０３】合成例11 1,2-ベンゾコロネン-3,4-ジカルボン酸無水物（I−26
9）も、下記の公知の反応を経て容易に合成できる。

【０１０４】下記のような公知の造環反応により1,12；
4,5-ジベンゾペリレンを合成し、1,12；4,5-ジベンゾペ
リレンから下記の反応を経て1,2-ベンゾコロネン-3,4-
ジカルボン酸無水物を合成した。

【０１０５】0.2ｇの1,12：4,5-ジベンゾペリレンと0.6
ｇのクロラニル（ｍｐ287℃）及び３ｇの無水マレイン
酸（ｍｐ55.5℃）とを粉砕混合し、還流冷却器と掻き混
ぜ器及び滴下漏斗を取り付けた三つ口フラスコに入れ
た。マントルヒーターで加熱し無水マレイン酸の弗点で
２時間掻き混ぜた。その後滴下漏斗から加熱したキシレ
ンを除々に滴下し、さらに２時間掻き混ぜながら煮弗後
析出している熱キシレン不溶物を熱濾過分離し、キシレ
ン，ベンゼン，エタノール，エーテルで洗浄することに
よりこげ茶色針状結晶の1,2-ベンゾコロネン-3,4-ジカ
ルボン酸無水物（I−269）0.15ｇを得た。

【０１０６】

【化７７】

【０１０７】合成例12 合成例６により合成した（I−269）にo-フェニレンジア
ミンを非反応性溶媒、好ましくはN-メチルピロリドン、
N,N-ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒；キノ
リン等の塩基性溶媒；o-ジクロルベンゼン等の塩素系溶
剤の単独又は混合溶媒中、室温以上好ましくは150〜250
℃の温度条件下で縮合反応させることにより（I−239）
を合成することができる。

【０１０８】合成例13 合成例６により合成した（I−269）に2,3-ジアミノナフ
タレンを非反応性溶媒、好ましくはN-メチルピロリド
ン、N,N-ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒；
キノリン等の塩素性溶媒；o-ジクロルベンゼン等の塩素
系溶剤の単独又は混合溶媒中、室温以上好ましくは150
〜250℃の温度条件下で縮合反応させることにより（I−
249）を合成することができる。

【０１０９】合成例14 合成例６により合成した（I−269）にアニリンを非反応
性溶媒、好ましくはN-メチルピロリドン、N,N-ジメチル
ホルムアミド等の非プロトン性溶媒；キノリン等の塩素
性溶媒；o-ジクロルベンゼン等の塩素系溶剤の単独又は
混合溶媒中、室温以上好ましくは150〜250℃の温度条件
下で縮合反応させることにより（I−279）を合成するこ
とができる。

【０１１０】合成例15 合成例６により合成した（I−269）に1,8-ジアミノナフ
タレンを非反応性溶媒、好ましくはN-メチルピロリド
ン、N,N-ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒；
キノリン等の塩素性溶媒；o-ジクロルベンゼン等の塩素
系溶剤の単独又は混合溶媒中、室温以上好ましくは150
〜250℃の温度条件下で縮合反応させることにより（I−
299）を合成することができる。

【０１１１】また下記一般式〔IV〕で表される有機化合
物の具体例としては、次に示す残基Ｘ，Ｗを有するもの
を挙げることができる。

【０１１２】

【化７８】

【０１１３】

【化７９】

【０１１４】

【化８０】

【０１１５】

【化８１】

【０１１６】

【化８２】

【０１１７】

【化８３】

【０１１８】

【化８４】

【０１１９】

【化８５】

【０１２０】

【化８６】

【０１２１】

【化８７】

【０１２２】

【化８８】

【０１２３】

【化８９】

【０１２４】

【化９０】

【０１２５】

【化９１】

【０１２６】

【化９２】

【０１２７】

【化９３】

【０１２８】これらの例示化合物中には、例えば下記例
IV−１で示すような幾何異性体が存在するものがある
が、どちらの形の化合物も本発明に用いることができ
る。

【０１２９】

【化９４】

【０１３０】これらはあくまでも、説明のために示した
具体例であり、本発明の請求の範囲を限定するものでは
ない。

【０１３１】本発明の一般式〔IV〕で表される有機化合
物は、まずペリレンと無水マレイン酸とを公知の方法、
例えば、Chem.Ber.誌、第93巻、303頁（1960年）に記載
されている方法による反応により、コロネンテトラカル
ボン酸・二無水物（IV−28）を合成し、コロネンテトラ
カルボン酸・二無水物とアミノ化合物の縮合反応により
他の化合物を合成することができる。

【０１３２】合成例16 ペリレン25ｇ（0.1mol）と無水マレイン酸196ｇ（2.0mo
l）、クロラニル100ｇ（0.22mol）を温度計と還流冷却
管及び掻き混ぜ器をつけた１ｌ三口フラスコ中でα-Ｃ
ｌ-ナフタレン300mlと混ぜて約25時間還流した後、冷却
し、生じた結晶を濾取する。この茶褐色結晶をトルエン
にて洗浄し板状結晶32.1ｇ（収率82％）を得た。融点30
0℃以上、酸無水物のν＝1830cm^-1と1760cm^-1（−CO−O
−CO−）に赤外吸収が検出された事からコロネンテトラ
カルボン酸・二無水物（IV−28）が得られた事を確認し
た。

【０１３３】（図１） 合成例17 合成例16にて得られたコロネンテトラカルボン酸・二無
水物１ｇ（2.55×10^-3mol）とｏ-フェニレンジアミン1
3.8ｇ（0.127mol）を温度計、水分分離器を付けた三口
フラスコ中でα-Ｃｌ−ナフタレン500mlと混ぜて窒素ガ
スを通しながら還流した。放却した後、結晶を濾取し乾
燥し赤褐色の結晶を1.44ｇ（収率96％）を得た。この結
晶をα−Ｃｌ−ナフタレン750mlにて再結晶を行いトル
エン、メタノールにて洗浄を行い1.13ｇ（収率75.3％）
を得た。この生成物は赤外吸収スペクトルに於いて（図
２）原料のν＝1830cm^-1の吸収が消えた事から目的の
（IV−１）が合成された事を確認された。融点300℃以
上であった。

【０１３４】合成例18 合成例16にて合成したコロネンテトラカルボン酸・二無
水物（IV−28）に2,3-ジアミノナフタレンを合成例17と
同様に縮合反応させることにより（IV−２）を合成する
ことができる。

【０１３５】合成例19 合成例16にて合成したコロネンテトラカルボン酸・二無
水物（IV−28）にアニリンを合成例17と同様に縮合反応
させることにより（IV−37）を合成することができる。

【０１３６】合成例20 合成例16にて合成したコロネンテトラカルボン酸・二無
水物（IV−28）に1,8-ジアミノナフタレンを合成例17と
同様に縮合反応させることにより（IV−95）を合成する
ことができる。

【０１３７】本発明の有機薄膜エレクトロルミネッセン
ス素子の構成には各種態様があるが、基本的には有機発
光層および該層を挟んだ一対の対向電極から構成されて
おり、必要に応じて正孔注入層および／または電子注入
層を設けた構成になっている。具体的には、基板／陽
極／発光層／陰極（図３（ａ））、基板／陽極／正孔
注入層／発光層／陰極（図３（ｂ））、基板／陽極／
発光層／電子注入層／陰極（図３（ｃ））、基板／陽
極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極（図３
（ｄ））などが挙げられるが、本発明は必ずしもこの構
成に限定されるものではなく、それぞれにおいて発光
層，正孔注入層，電子注入層を複数層設けたり、またそ
れぞれにおいて正孔注入層／発光層、発光層／電子注入
層、正孔注入層／発光層／電子注入層を繰返し積層した
構成にしたり、発光層と電子注入層との間に電子注入材
と発光材との混合層、正孔注入層と発光層との間に正孔
注入材と発光材との混合層を設けたりまたそれぞれにお
いて他の層を設けてもさしつかえない。

【０１３８】発光層は蒸着法、スピンコート法、キャス
ト法などにより形成してその膜厚は10〜1000nmが好まし
く、より好ましくは20〜150nmである。正孔注入層は蒸
着法、スピンコート法、キャスト法などにより形成しそ
の膜厚は10〜1000nmが好ましく、より好ましくは40〜20
0nmである。電子注入層は蒸着法、スピンコート法、キ
ャスト法などにより形成しその膜厚は10〜1000nmが好ま
しく、より好ましくは30〜200nmである。

【０１３９】基板１は、ソーダガラス，無蛍光ガラス，
燐酸系ガラス，硼酸系ガラスなどのガラス板、石英、ア
クリル系樹脂，スチレン系樹脂，ポリカーボネート系樹
脂，エポキシ系樹脂，ポリエチレン，ポリエステル，シ
リコーン系樹脂などのプラスチック板およびプラスチッ
クフィルム、アルミナなどの金属板および金属ホイルな
どが用いられる。

【０１４０】陽極２は４ｅＶより大きい仕事関数を持つ
ものが好ましく、炭素、アルミニウム、バナジウム、
鉄、コバルト、ニッケル、クロム、銅、亜鉛、タングス
テン、銀、錫、白金、金などの金属およびこれらの合
金、酸化亜鉛、酸化インジウム、ＩＴＯ、ＮＥＳＡ等の
酸化錫もしくは酸化錫インジウム系等の複合化合物、沃
化銅などの化合物、ＺｎＯ：Ａｌ、ＳｎＯ₂：Ｓｂなど
の酸化物と金属の混合物、更にはポリ(3-メチルチオフ
ェン) 、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性ポリ
マーなどが用いられる。膜厚は10〜1000nmが好ましく、
より好ましくは10〜200nmである。

【０１４１】陰極３は４ｅＶより小さい仕事関数を持つ
ものが好ましく、マグネシウム、カルシウム、ナトリウ
ム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウ
ム、リチウム、ガドリニウム、イッテルビウム、ルテニ
ウム、マンガン、アルミニウム、銀、錫、鉛などの金属
及びこれらの合金、アルミニウム／酸化アルミニウム複
合体などが用いられる。膜厚は10〜1000rmが好ましく、
より好ましくは10〜900nmである。

【０１４２】電極より光を取り出す場合は、陽極２、陰
極３のうち少なくともどちらか一方は、透過率10％以上
の透明又は半透明であり、陽極２のみが透過率10％以上
の透明または半透明である場合は基板１も透明又は半透
明であることが好ましい。

【０１４３】正孔注入層５に用いられる正孔輸送能を有
する正孔注入化合物の具体例としては、トリアゾール誘
導体（米国特許3,112,197号などに記載のもの）、オキ
サジアゾール誘導体（米国特許3,189,447号などに記載
のもの）、イミダゾール誘導体（特公昭37-16096号など
に記載のもの）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特
許3,615,402号、同3,820,989号、同3,542,544号、特公
昭45-555号、同51-10983号、特開昭51-93224号、同55-1
7105号、同56-4148号、同55-108667号、同56-36656号、
同55-156953号などに記載のもの）、ピラゾリン誘導体
及びピラゾロン誘導体（米国特許3,180,729、同4,278,7
46号、特開昭55-88064号、同55-88065号、同49-105537
号、同55-51086号、同56-80051号、同56-88141号、同57
-45545号、同54-112637号、同55-74546号などに記載の
もの）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許3,615,40
4号、特公昭51-10105号、同46-3712号、同47-25336号、
特開昭54-53435号、同54-110536号、同54-119925号など
に記載のもの）、アリールアミン誘導体（米国特許3,56
7,450号、同3,180,703号、同3,240,597号、同3,658,520
号、同4,232,103、同4,175,961号、同4,012,376号、特
公昭49-35702号、同39-27577号、特開昭55-144250号、
同56-223437号、西ドイツ特許1,110,518号などに記載の
もの）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許3,526,50
1号などに記載のもの）、オキサゾール誘導体（米国特
許3,257,203号などに記載のもの）、スチリルアントラ
セン誘導体（特開昭56-46234号などに記載のもの）、フ
ルオレノン誘導体（特開昭54-110837号などに記載のも
の）、ヒドラゾン誘導体（米国特許3,717,462号、特開
昭54-59143号、同55-52063号、同55-52064号、同55-467
60号、同55-8495号、同57-148749号、特開平3-136059
号、同3-138654号などに記載のもの）、スチルベン誘導
体（特開昭61-210363号、同61-228451号、同61-14642
号、同61-72255号、同62-47646号、同62-36674号、同62
-10652号、同62-30255号、同60-934454号、同60-94462
号、同60-174749号、同60-175052号、同63-149652号、
特開平1-173034号、同1-200262号などに記載のもの）、
ポリフィリン化合物（特開昭63-295695号、特開平2-127
95号などに記載のもの）、芳香族第三級アミン化合物及
びスチリルアミン化合物（米国特許4,127,412号、特開
昭53-27033号、同54-58445号、同54-149634号、同54-64
299号、同55-79450号、同55-144250号、同56-119132
号、同61-295558号、同61-98353号、同63-295695号、特
開平1-274154号、同1-243393号、同3-111485号などに記
載のもの）、ブタジエン化合物（特開平3-111484号など
に記載のもの）、ポリスチレン誘導体（特開平3-95291
号などに記載のもの）、ヒドラゾン誘導体（特開平3-13
7187号などに記載のもの）、トリフェニルメタン誘導
体、テトラフェニルベンジジン誘導体（特開平3-54289
号などに記載のもの）などを使用することができるが、
特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級ア
ミン化合物及びスチリルアミン化合物である。これらの
化合物の代表例として、次に示すものが挙げられる。

【０１４４】

【化９５】

【０１４５】

【化９６】

【０１４６】

【化９７】

【０１４７】

【化９８】

【０１４８】

【化９９】

【０１４９】

【化１００】

【０１５０】

【化１０１】

【０１５１】

【化１０２】

【０１５２】上記代表例中、Ｒはそれぞれ独立に、水素
原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の続記５個の
基；アルキル基、複素環基、アリール基、窒素２原子以
上を含む基、不飽和鎖式炭化水素から誘導された１価の
基或はスチリル基、アニシル基、アミノ基、アルキルア
ミノ基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アルコキ
シカルボニル基、アミノカルボニル基、アリールオキシ
カルボニル基、カルボキシル基、アシル基、アリールオ
キシル基、アラルキル基、アシルアミノ基、アシルオキ
シル基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、スル
ホニウム基を表し、ｎは１以上の整数を表しまたＭは金
属原子を表す。

【０１５３】尚これらの具体例及び代表例によって本発
明は限定されるものではない。

【０１５４】電子注入層６に用いられる電子輸送能を有
する電子注入化合物の具体例としては、ニトロ置換フル
オレノン誘導チオピランジオキサイド誘導体、ジフェノ
キノン誘導体（「Polymer Preprints、Japan,vo1.37,No
3,P681,(1988)」，特開平3-152184号などに記載のも
の）、ペリレンテトラカルボキシル誘導体（「Jpn.Jour
nal of Applied Physics,vol.27,No2,L269(1988)」「Bu
l1.Chem.Soc.Jpn.,vol.25,L411(1952)」などに記載のも
の）、アントラキノジメタン誘導体（特開昭57-149259
号、同58-55450号、同61-225151号、同61-133750号、同
63-104061号などに記載のもの）、フレオレニリデンメ
タン誘導体（特開昭60-69657号、同61-143764号、同61-
148159号などに記載のもの）、アントロン誘導体（特開
昭61-225151号、同61-233750号などに記載のもの）、オ
キサジアゾール誘導体（特開平3-79692号などに記載の
もの）、ペリノン誘導体（特開平2-289676号などに記載
のもの）、キノリン錯体誘導体などの化合物を使用する
ことができる。これらの化合物の代表例として次に示す
ものが挙げられる。

【０１５５】

【化１０３】

【０１５６】

【化１０４】

【０１５７】

【化１０５】

【０１５８】上記代表例中、Ｒはそれぞれ独立に、水素
原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の続記５個の
基；アルキル基、複素環基、アリール基、窒素２原子以
上を含む基、不飽和鎖式炭化水素から誘導された１価の
基；スチリル基、アニシル基、アミノ基、アルキルアミ
ノ基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アルコキシ
カルボニル基、アミノカルボニル基、アリールオキシカ
ルボニル基、カルボキシル基、アシル基、アリールオキ
シル基、アラルキル基、アシルアミノ基、アシルオキシ
ル基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、スルホ
ニウム基を表し、またＭは金属原子を表す。

【０１５９】これらはあくまでも、説明のために示した
具体例及び代表例であり本発明の請求の範囲を限定する
ものでは無い。

【０１６０】

【実施例】次に実施例によって本発明を具体的に説明す
る。

【０１６１】実施例１ 陽極としてガラス上にＩＴＯを150nm成膜した基板（日
本板硝子株式会社製Ｐ110Ｅ−Ｈ−ＰＳ）を所望の形に
パターニングを行った後、アルミナ研磨剤にて水ととも
に研磨を行った。水洗後、水超音波洗浄10分間２回、ア
セトン超音波洗浄10分間２回、イソプロピルアルコール
超音波洗浄10分間２回行い、さらに90℃にて熱風乾燥を
行った。

【０１６２】つぎに基板に構造式（ｐ−１）1,1-ビス
（4-ジ-ｐ-トリルアミノフェニル）シクロヘキサンをタ
ングステンボート（日本バックスメタル株式会社製ＳＦ
208）に入れ、8.0×10^-7Torrの真空条件下で0.2nm／sec
の成膜速度で真空蒸着し79nmの正孔注入層を形成した。

【０１６３】次いで真空条件を破ることなく化合物（I
−１）をモリブデンボート（日本バックスメタル株式会
社製ＳＳ−１−９））に入れ、8.0×10^-7Torrの真空条
件下で0.2nm／secの成膜速度で63nmの発光層を積層蒸着
した。

【０１６４】さらにこの上に真空条件を破ることなくＭ
ｇ：Ａｇ（10：１原子比合金）を500nm真空蒸着し、陰
極を形成した。

【０１６５】このようにして得られた有機薄膜エレクト
ロルミネッセンス素子に外部電源を接続し19Ｖ直流電圧
の印加によって、最大輝度58.1cd／m²の発光が得られ
た。また温度23℃乾燥窒素ガス雰囲気下で19Ｖ直流電圧
印加による連続点灯を行ったところ、輝度の半減する時
間は1499時間であった。

【０１６６】実施例２〜55及び比較例（１） 実施例１における正孔注入層に使用した化合物（ｐ−
１），層厚及び発光層に用いた化合物（I−１），層厚
を次記表１〜４に掲げた諸元に変えた他は全く同様にし
て、実施例，比較例の試料を作成し、点灯直流電圧を表
１〜４に示すように選んだ他は実施例１と全く同条件で
同様の評価を行った。

【０１６７】尚表１には実施例１の諸元、評価結果も併
記した。

【０１６８】

【表１】

【０１６９】

【表２】

【０１７０】

【表３】

【０１７１】

【表４】

【０１７２】尚表中に掲げた例示化合物の置換基を特定
した化合物及び比較例の化合物（Ａ）は下記の通りであ
る。

【０１７３】

【化１０６】

【０１７４】

【化１０７】

【０１７５】

【発明の効果】本発明の構成により、最大輝度、輝度半
減期共に比較試料のほぼ倍の値を示し実用性を著しく増
すことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る化合物（IV−28）の赤外吸収スペ
クトル図。

【図２】本発明に係る化合物（IV−１）の赤外吸収スペ
クトル図。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明の有機薄膜エレクトロ
ルミネッセンス素子態様例の断面図。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 陽極 ３ 陰極 ４ 発光層 ５ 正孔注入層 ６ 電子注入層

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成４年２月１２日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１

【補正方法】変更

【補正内容】

【化１】 〔一般式〔Ｉ〕において残基Ｚの（Ｚ−１）〜（Ｚ−
４）中、Ｒ₁〜Ｒ₁₁はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、又は置換若しくは無置換の続記５個の基；ア
ルキル基、複素環式基、アリール基、不飽和鎖式炭化水
素から誘導された１価の基、窒素２原子以上を含む基、
或はスチリル基、アニシル基、アミノ基、アルキルアミ
ノ基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アルコキシ
カルボニル基、アミノカルボニル基、アリールオキシカ
ルボニル基、カルボキシル基、アシル基、アリールオキ
シル基、アラルキル基、アシルアミノ基、アシルオキシ
ル基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基及びスル
ホニウム基を表し、Ｒ₁とＲ₂、Ｒ₂とＲ₃、Ｒ₃とＲ₄、Ｒ
₆とＲ₇、Ｒ₇とＲ₈、Ｒ₈とＲ₉、Ｒ₉とＲ₁₀、Ｒ₁₀とＲ₁₁
は互いに結合して置換若しくは無置換の飽和又は不飽和
の環構造を形成していてもよい。上記残基（Ｚ−５）中
Ｙは、置換若しくは無置換の複素環を表す。〕

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項４

【補正方法】変更

【補正内容】

【化４】 〔一般式〔IV〕において残基Ｘ，Ｗがそれぞれ独立に表
す（XW−１）〜（XW−４）中、Ｒ₁₂〜Ｒ₂₂はそれぞれ独
立に、水素原子、ハロゲン原子、又は置換若しくは無置
換の続記５個の基；アルキル基、複素環式基、アリール
基、不飽和鎖式炭化水素から誘導された１価の基、窒素
２原子以上を含む基、或はスチリル基、アニシル基、ア
ミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アル
コキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノカルボニル
基、アリールオキシカルボニル基、カルボキシル基、ア
シル基、アリールオキシル基、アラルキル基、アシルア
ミノ基、アシルオキシル基、水酸基、シアノ基、ニトロ
基、スルホ基及びスルホニウム基を表し、Ｒ₁₂とＲ₁₃、
Ｒ₁₃とＲ₁₄、Ｒ₁₄とＲ₁₅、Ｒ₁₇とＲ₁₈、Ｒ₁₈とＲ₁₉、Ｒ
₁₉とＲ₂₀、Ｒ₂₀とＲ₂₁、Ｒ₂₁とＲ₂₂は互いに結合して置
換若しくは無置換の飽和又は不飽和の環構造を形成して
いてもよい。上記残基（XW−５）中Ｖは、置換若しくは
無置換の複素環を表す。〕

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００６

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００６】

【化５】

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００７

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００７】一般式〔Ｉ〕中残基Ｚの（Ｚ−１）〜（Ｚ
−４）中、Ｒ₁〜Ｒ₁₁はそれぞれ独立に、水素原子、ハ
ロゲン原子、又は置換若しくは無置換の続記５個の基；
アルキル基、複素環式基、アリール基、不飽和鎖式炭化
水素から誘導された１価の基、窒素２原子以上を含有
基、或はスチリル基、アニシル基、アミノ基、アルキル
アミノ基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アルコ
キシカルボニル基、アミノカルボニル基、アリールオキ
シカルボニル基、カルボキシル基、アシル基、アリール
オキシル基、アラルキル基、アシルアミノ基、アシルオ
キシル基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基及び
スルホニウム基を表し、Ｒ₁とＲ₂、Ｒ₂とＲ₃、Ｒ₃と
Ｒ₄、Ｒ₆とＲ₇、Ｒ₇とＲ₈、Ｒ₈とＲ₉、Ｒ₉とＲ₁₀、Ｒ₁₀
とＲ₁₁は互いに結合して置換若しくは無置換の飽和又は
不飽和の環構造を形成していてもよい。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００８

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００８】上記残基（Ｚ−５）中Ｙは、置換若しくは
無置換の複素環を表す。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００９

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００９】

【化６】

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１０】上記残基Ｘ，Ｗがそれぞれ独立に表す（XW
−１）〜（XW−４）中、Ｒ₁₂〜Ｒ₂₂はそれぞれ独立に、
水素原子、ハロゲン原子、又は置換若しくは無置換の続
記５個の基；アルキル基、複素環式基、アリール基、不
飽和鎖式炭化水素から誘導された１価の基、窒素２原子
以上を含む基、或はスチリル基、アニシル基、アミノ
基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルコキ
シ基、アルコキシカルボニル基、アミノカルボニル基、
アリールオキシカルボニル基、カルボキシル基、アシル
基、アリールオキシル基、アラルキル基、アシルアミノ
基、アシルオキシル基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、
スルホ基及びスルホニウム基を表し、Ｒ₁₂とＲ₁₃、Ｒ₁₃
とＲ₁₄、Ｒ₁₄とＲ₁₅、Ｒ₁₇とＲ₁₈、Ｒ₁₈とＲ₁₉、Ｒ₁₉と
Ｒ₂₀、Ｒ₂₀とＲ₂₁、Ｒ₂₁とＲ₂₂は互いに結合して置換若
しくは無置換の飽和又は不飽和の環構造を形成していて
もよい。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１１】上記残基（XW−５）中Ｖは、置換若しくは
無置換の複素環を表す。

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１２】

【発明の具体的構成】前記残基（Ｚ−１）〜（Ｚ−
４），（XW−１）〜（XW−４）中Ｒ₁〜Ｒ₂₂の表すハロ
ゲン原子としては塩素原子、臭素原子、弗素原子、沃素
原子などのハロゲン原子；置換若しくは無置換のアルキ
ル基としてはメチル基，エチル基，プロピル基，ブチル
基，シクロヘキシル基などのアルキル基；置換若しくは
無置換の不飽和鎖式炭化水素から誘導された１価の基と
してはビニル基，1-プロペニル基，アリル基，イソプロ
ペニル基，1-ブテニル基，2-ブテニル基，2-ペンテニル
基，エチニル基などの不飽和鎖式炭化水素から誘導され
た１価の基；置換若しくは無置換の複素環式基としては
ピペリジル基，ピペリジノ基，ピローリル基，フリル
基，チェニル基，イミダゾリル基，ピラゾリル基，トリ
アゾリル基，ピリジル基，チアゾリル基，ピリダジニル
基，ピリドンよりなる１価の基，モルホリニル基，モル
ホリノ基，オキサゾリル基，イソオキサゾリル基，イソ
チアゾリル基，ピリミジニル基，ピラジニル基，ピラニ
ル基，ベンゾイミダゾリル基，ベンゾチアゾリル基，ベ
ンゾオキサゾリル基，キノリル基などの複素環式基；置
換若しくは無置換のアリール基としてはフェニル基，ナ
フチル基，アントニル基，キシリル基，ビフェニル基，
フェナントリル基などのアリール基；置換若しくは無置
換の窒素２原子以上を含む基としてはアゾ基，フェニラ
ゾ基，ナフチラゾ基，ヒドラニゾ基，ヒドラゾ基，アゾ
キシ基，アジド基，ジアゾアミノ基，アミディノ基，ウ
レイレン基，グアニディノ基などの窒素２原子以上を含
む基；アルコキシル基としてはメトキシル基，エトキシ
ル基，プロポキシル基，ブトキシル基，ペンチルオキシ
ル基，ヘキシルオキシル基などのアルコキシル基；アル
コキシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基，エ
トキシカルボニル基，ブトキシカルボニル基などのアル
コキシカルボニル基；アミノカルボニル基としてはアニ
リノカルボニル基，ジメチルアミノカルボニル基，ラル
バモイル基，アラニル基などのアミノカルボニル基；ア
リールオキシカルボニル基としてはナフチルオキシカル
ボニル基，キシリルオキシカルボニル基，フェノキシカ
ルボニル基などのアリールオキシカルボニル基；アシル
基としてはホルミル基，アセチル基，プロピオニル基，
ブチリル基，パレリル基，オアルミトイル基，ステアロ
イル基，オレオイル基，ベンゾイル基、トリオイル基，
サリチロイル基，シンナモイル基，ナフトイル基，フタ
ロイル基，オキサリル基，マロニル基，スクシニル基，
フロイル基などのアシル基；アリールオキシル基として
はフェノキシ基，トリルオキシ基などのアリールオキシ
ル基；アラルキル基としてはベンジル基，フェネチル基
などのアラルキル基；アシルアミノ基としてはアセチル
アミノ基，プロピオニルアミノ基，ブチリルアミノ基な
どのアシルアミノ基；アシルオキシル基としてはアセチ
ルオキシ基，プロピオニルオキシ基，ブチリルオキシ基
などのアシルオキシル基である。

【手続補正１０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１３】前記の置換基とは、水素原子、ハロゲン原
子、メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，シク
ロヘキシル基などのアルキル基、ビニル基，1-プロペニ
ル基，アリル基，イソプロペニル基，1-ブテニル基，2-
ブテニル基，2-ペンテニル基，エチニル基などの不飽和
鎖式炭化水素から誘導された１価の基、ピペリジル基，
ピペリジノ基，ピローリル基，フリル基，チェニル基，
イミダゾリル基，ピラゾリル基，トリアゾリル基，ピリ
ジル基，チアゾリル基，ピリダジニル基，ピリドンより
なる１価の基，モルホリニル基，モルホリノ基，オキサ
ゾリル基，イソオキサゾリル基，イソチアゾリル基，ピ
リミジニル基，ピラジニル基，ピラニル基，ベンゾイミ
ダゾリル基，ベンゾチアゾリル基，ベンゾオキサゾリル
基，キノリル基などの複素環式基、フェニル基，ナフチ
ル基，アントニル基，キシリル基，ビフェニル基，フェ
ナントリル基などのアリール基、アゾ基，フェニラゾ
基，ナフチラゾ基，ヒドラニゾ基，ヒドラゾ基，アゾキ
シ基，アジド基，ジアゾアミノ基，アミディノ基，ウレ
イレン基，グアニディノなどの窒素２原子以上を含む
基、スチリル基、アニシル基、アミノ基、アルキルアミ
ノ基、ジアルキルアミノ基、メトキシル基，エトキシル
基，プロポキシル基，ブトキシル基，ペンチルオキシル
基，ヘキシルオキシル基などのアルコキシル基、メトキ
シカルボニル基，エトキシカルボニル基，ブトキシカル
ボニル基などのアルコキシカルボニル基、アニリノカル
ボニル基，ジメチルアミノカルボニル基，ラルバモイル
基，アラニル基などのアミノカルボニル基、ナフチルオ
キシカルボニル基，キシリルオキシカルボニル基，フェ
ノキシカルボニル基などのアリールオキシカルボニル
基、カルボキシル基、ホルミル基，アセチル基，プロピ
オニル基，ブチリル基，パレリル基，オアルミトイル
基，ステアロイル基，オレオイル基，ベンゾイル基，ト
リオイル基，サリチロイル基，シンナモイル基，ナフト
イル基，フタロイル基，オキサリル基，マロニル基，ス
クシニル基，フロイル基などのアシル基、フェノキシ
基，トリルオキシ基などのアリールオキシル基、ベンジ
ル基，フェネチル基などのアラルキル基、アセチルアミ
ノ基，プロピオニルアミノ基，ブチリルアミノ基などの
アシルアミノ基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキ
シ基，ブチリルオキシ基などのアシルオキシル基、水酸
基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基またはスルホニウム
基を表す。

【手続補正１１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６６】

【化５７】

【手続補正１２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００７１】

【化６２】

【手続補正１３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００７８】

【化６９】

【手続補正１４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８６】例えばペリレンのｇｈｉ位置以外の位置
に、脱水素，熱反応による脱水素環化、o-メチル芳香族
ケトンの熱反応、AlCl₃による環化と脱水素、ハロゲン
置換化合物のＫＯＨによる環化、無水フタル酸による造
環、無水琥珀酸による造環、無水マレイン酸による造
環、peri-縮合造環（マレイン酸，NaCl-ZnCl₂），Pshor
r合成、石油化学における芳香族化反応、アルカリ融解
による造環、Ullmann反応による造環、Wurtz-Fttig反応
等による造環により縮合環を１若しくは２形成し、縮合
環を形成後、ペリレンのｇｈｉ位置に無水マレイン酸を
Diels-Alder付加反応を行い、クロラニル等により脱水
素反応することにより一般式〔I〕で表せられる有機化
合物に縮合環を１若しくは２形成した化合物の酸無水物
（残基ＺがＺ−２）を合成することができる。

【手続補正１５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８７】このように合成した酸無水物（残基Ｚが
（Ｚ−２））にアミノ化合物を、非反応性溶媒、好まし
くはN-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等
の非プロトン性溶媒；キノリン等の塩基性溶媒；o-ジク
ロルベンゼン等の塩素系溶剤の単独又は混合溶媒中、室
温以上好ましくは150〜250℃の温度条件下で縮合反応さ
せることにより他の残基Ｚが（Ｚ−１），（Ｚ−３），
（Ｚ−４）及び（Ｚ−５）である化合物を合成すること
ができる。

【手続補正１６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９０】

【化７５】

【手続補正１７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１０５

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１０５】0.2ｇの1,12；4,5-ジベンゾペリレンと0.6
ｇのクロラニル（ｍｐ287℃）及び３ｇの無水マレイン
酸（ｍｐ55.5℃）とを粉砕混合し、還流冷却器と掻き混
ぜ器及び滴下漏斗を取り付けた三つ口フラスコに入れ
た。マントルヒーターで加熱し無水マレイン酸の弗点で
２時間掻き混ぜた。その後滴下漏斗から加熱したキシレ
ンを除々に滴下し、さらに２時間掻き混ぜながら煮弗後
析出している熱キシレン不溶物を熱濾過分離し、キシレ
ン，ベンゼン，エタノール，エーテルで洗浄することに
よりこげ茶色針状結晶の1,2-ベンゾコロネン-3,4-ジカ
ルボン酸無水物（I−269）0.15ｇを得た。

【手続補正１８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１４３

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１４３】正孔注入層５に用いられる正孔輸送能を有
する正孔注入化合物の具体例としては、トリアゾール誘
導体（米国特許3,112,197号などに記載のもの）、オキ
サジアゾール誘導体（米国特許3,189,447号などに記載
のもの）、イミダゾール誘導体（特公昭37-16096号など
に記載のもの）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特
許3,615,402号、同3,820,989号、同3,542,544号、特公
昭45-555号、同51-10983号、特開昭51-93224号、同55-1
7105号、同56-4148号、同55-108667号、同56-36656号、
同55-156953号などに記載のもの）、ピラゾリン誘導体
及びピラゾロン誘導体（米国特許3,180,729、同4,278,7
46号、特開昭55-88064号、同55-88065号、同49-105537
号、同55-51086号、同56-80051号、同56-88141号、同57
-45545号、同54-112637号、同55-74546号などに記載の
もの）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許3,615,40
4号、特公昭51-10105号、同46-3712号、同47-25336号、
特開昭54-53435号、同54-110536号、同54-119925号など
に記載のもの）、アリールアミン誘導体（米国特許3,56
7,450号、同3,180,703号、同3,240,597号、同3,658,520
号、同4,232,103、同4,175,961号、同4,012,376号、特
公昭49-35702号、同39-27577号、特開昭55-144250号、
同56-223437号、西ドイツ特許1,110,518号などに記載の
もの）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許3,526,50
1号などに記載のもの）、オキサゾール誘導体（米国特
許3,257,203号などに記載のもの）、スチリルアントラ
セン誘導体（特開昭56-46234号などに記載のもの）、フ
ルオレノン誘導体（特開昭54-110837号などに記載のも
の）、ヒドラゾン誘導体（米国特許3,717,462号、特開
昭54-59143号、同55-52063号、同55-52064号、同55-467
60号、同55-85495号、同57-148749号、特開平3-136059
号、同3-138654号などに記載のもの）、スチルベン誘導
体（特開昭61-210363号、同61-228451号、同61-14642
号、同61-72255号、同62-47646号、同62-36674号、同62
-10652号、同62-30255号、同60-934454号、同60-94462
号、同60-174749号、同60-175052号、同63-149652号、
特開平1-173034号、同1-200262号などに記載のもの）、
ポリフィリン化合物（特開昭63-295695号、特開平2-127
95号などに記載のもの）、芳香族第三級アミン化合物及
びスチリルアミン化合物（米国特許4,127,412号、特開
昭53-27033号、同54-58445号、同54-149634号、同54-64
299号、同55-79450号、同55-144250号、同56-119132
号、同61-295558号、同61-98353号、同63-295695号、特
開平1-274154号、同1-243393号、同3-111485号などに記
載のもの）、ブタジエン化合物（特開平3-111484号など
に記載のもの）、ポリスチレン誘導体（特開平3-95291
号などに記載のもの）、ヒドラゾン誘導体（特開平3-13
7187号などに記載のもの）、トリフェニルメタン誘導
体、テトラフェニルベンジジン誘導体（特開平3-54289
号などに記載のもの）などを使用することができるが、
特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級ア
ミン化合物及びスチリルアミン化合物である。これらの
化合物の代表例として、次に示すものが挙げられる。

【手続補正１９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１７４

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１７４】

【化１０７】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芝田 豊子 東京都日野市さくら町１番地コニカ株式会 社内 (72)発明者 玉城 喜代志 東京都八王子市石川町2970番地コニカ株式 会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式〔Ｉ〕で表される有機化合物
   に縮合環を１若しくは２形成した化合物を含有する層
   を、少なくとも一層以上設けたことを特徴とする有機薄
   膜エレクトロルミネッセンス素子。 【化１】 〔一般式〔Ｉ〕において残基Ｚの（I−１）〜（I−４）
   中、Ｒ₁〜Ｒ₁₁はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン
   原子、又は置換若しくは無置換の続記５個の基；アルキ
   ル基、複素環式基、アリール基、不飽和鎖式炭化水素か
   ら誘導された１価の基、窒素２原子以上を含む基、或は
   スチリル基、アニシル基、アミノ基、アルキルアミノ
   基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アルコキシカ
   ルボニル基、アミノカルボニル基、アリールオキシカル
   ボニル基、カルボキシル基、アシル基、アリールオキシ
   ル基、アラルキル基、アシルアミノ基、アシルオキシル
   基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基及びスルホ
   ニウム基を表し、Ｒ₁とＲ₂、Ｒ₂とＲ₃、Ｒ₃とＲ₄、Ｒ₆
   とＲ₇、Ｒ₇とＲ₈、Ｒ₈とＲ₉、Ｒ₉とＲ₁₀、Ｒ₁₀とＲ₁₁は
   互いに結合して置換若しくは無置換の飽和又は不飽和の
   環構造を形成していてもよい。上記残基（I−５）中Ｙ
   は、置換若しくは無置換の複素環を表す。〕
2. 【請求項２】 前記一般式〔Ｉ〕で表される有機化合物
   に縮合環を１若しくは２形成した化合物が下記一般式
   〔II〕で表される化合物である請求項１記載の有機薄膜
   エレクトロルミネッセンス素子。〔但しＺは前記と同義
   である。〕 【化２】
3. 【請求項３】 前記一般式〔Ｉ〕で表される有機化合物
   に縮合環を１若しくは２形成した化合物が下記一般式
   〔III〕で表される化合物である請求項１記載の有機薄
   膜エレクトロルミネッセンス素子。〔但しＺは前記と同
   義である。〕 【化３】
4. 【請求項４】 下記一般式〔IV〕で表される有機化合物
   を含有する層を、少なくとも一層以上設けたことを特徴
   とする有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子。 【化４】 〔一般式〔IV〕において残基Ｘ，Ｗがそれぞれ独立に表
   す（IV−１）〜（IV−４）中、Ｒ₁₂〜Ｒ₂₂はそれぞれ独
   立に、水素原子、ハロゲン原子、又は置換若しくは無置
   換の続記５個の基；アルキル基、複素環式基、アリール
   基、不飽和鎖式炭化水素から誘導された１価の基、窒素
   ２原子以上を含む基、或はスチリル基、アニシル基、ア
   ミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アル
   コキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノカルボニル
   基、アリールオキシカルボニル基、カルボキシル基、ア
   シル基、アリールオキシル基、アラルキル基、アシルア
   ミノ基、アシルオキシル基、水酸基、シアノ基、ニトロ
   基、スルホ基及びスルホニウム基を表し、Ｒ₁₂とＲ₁₃、
   Ｒ₁₃とＲ₁₄、Ｒ₁₄とＲ₁₅、Ｒ₁₇とＲ₁₈、Ｒ₁₈とＲ₁₉、Ｒ
   ₁₉とＲ₂₀、Ｒ₂₀とＲ₂₁、Ｒ₂₁とＲ₂₂は互いに結合して置
   換若しくは無置換の飽和又は不飽和の環構造を形成して
   いてもよい。上記残基（IV−５）中Ｖは、置換若しくは
   無置換の複素環を表す。〕