JPH0518045U - semiconductor - Google Patents
semiconductorInfo
- Publication number
- JPH0518045U JPH0518045U JP6481091U JP6481091U JPH0518045U JP H0518045 U JPH0518045 U JP H0518045U JP 6481091 U JP6481091 U JP 6481091U JP 6481091 U JP6481091 U JP 6481091U JP H0518045 U JPH0518045 U JP H0518045U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- operational amplifier
- chip
- semiconductor
- bypass capacitor
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 供給電源が安定し、オペアンプが安定に動作
できる効果を有する半導体を実現する。
【構成】 ＩＣチップ上にオペアンプとバイパスコンデ
ンサを備え、前記バイパスコンデンサは前記ＩＣチップ
上のパッドに埋め込んだ構成としたことを特徴とする。
(57) [Abstract] [Purpose] To realize a semiconductor having an effect that the power supply is stable and the operational amplifier can operate stably. [Configuration] An operational amplifier and a bypass capacitor are provided on an IC chip, and the bypass capacitor is embedded in a pad on the IC chip.
Description
【０００１】[0001]
本考案は、トランジスタおよびオペアンプに供給する電源の高周波成分を除去 するバイパスコンデンサに関し、特に対ノイズ特性を向上させた半導体に関する ものである。 The present invention relates to a bypass capacitor for removing high frequency components of power supplied to a transistor and an operational amplifier, and more particularly to a semiconductor having improved noise resistance characteristics.
【０００２】[0002]
従来、このような半導体装置としては、図２の回路構成図に示すように、オペ アンプＡ1 のみＩＣチップ上に形成され、バイパスコンデンサＣ1 ，Ｃ3 などの 他の素子は、基板上に外付けされていた。そのため、オペアンプＡ1 からバイパ スコンデンサＣ1 ，Ｃ3 などの他の素子へは、ジャンパ−線などで接続していた 。したがって、ジャンパ−線からノイズがのり易いという課題があった。 Conventionally, in such a semiconductor device, as shown in the circuit configuration diagram of FIG. 2, only the operational amplifier A1 is formed on the IC chip, and other elements such as the bypass capacitors C1 and C3 are externally mounted on the substrate. Was there. Therefore, the operational amplifier A1 was connected to other elements such as bypass capacitors C1 and C3 by jumper wires. Therefore, there is a problem that noise is likely to be transferred from the jumper wire.
【０００３】[0003]
本考案は上記従来技術の課題を踏まえてなされたものであり、ＩＣチップ上の パッドにセラミックコンデンサなどの高周波特性のよいバイパスコンデンサを埋 め込み、供給電源を安定させることにより、オペアンプが安定に動作することが できる半導体を提供することを目的としたものである。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art. By embedding a bypass capacitor having good high frequency characteristics such as a ceramic capacitor in the pad on the IC chip and stabilizing the power supply, the operational amplifier becomes stable. It is intended to provide a semiconductor that can operate.
【０００４】[0004]
上記課題を解決するための本考案の構成は、ＩＣチップ上にオペアンプとバイ パスコンデンサを備え、前記バイパスコンデンサは前記ＩＣチップ上のパッドに 埋め込んだ構成としたことを特徴とするものである。 The structure of the present invention for solving the above problems is characterized in that an operational amplifier and a bypass capacitor are provided on an IC chip, and the bypass capacitor is embedded in a pad on the IC chip.
【０００５】[0005]
本考案によれば、オペアンプのバイパスコンデンサをＩＣチップ上のパッドに 埋め込んだ構成としている。したがって、供給電源が安定し、オペアンプが安定 に動作する。 According to the present invention, the bypass capacitor of the operational amplifier is embedded in the pad on the IC chip. Therefore, the power supply is stable and the operational amplifier operates stably.
【０００６】[0006]
以下、本考案を図面に基づいて説明する。 図１（イ）は本考案の半導体装置の一実施例を示す構成図であり、（ロ）図は その回路構成図である。図１において、ＩＣチップ上にオペアンプＡ1 があり、 ＩＣチップ上のパッドにバイパスコンデンサＣ1 ，Ｃ3 が埋め込まれている。オ ペアンプＡ1 とバイパスコンデンサＣ1 ，Ｃ3 とは、ボンディングワイヤ−で接 続され、ＩＣのピンから外付け回路に接続される。したがって、バイパスコンデ ンサはＩＣ内で実現されている。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a configuration diagram showing an embodiment of the semiconductor device of the present invention, and FIG. 1B is a circuit configuration diagram thereof. In FIG. 1, an operational amplifier A1 is provided on the IC chip, and bypass capacitors C1 and C3 are embedded in the pads on the IC chip. The operational amplifier A1 and the bypass capacitors C1 and C3 are connected by a bonding wire, and are connected from the IC pin to an external circuit. Therefore, the bypass capacitor is realized in the IC.
【０００７】 このように、バイパスコンデンサＣ1 ，Ｃ3 をＩＣチップ上のパッドに埋め込 むことで、オペアンプＡ1 との接続の際の配線を短くでき、外部からの対ノイズ 特性が向上する。したがって、オペアンプＡ1 に供給される電源が安定し、オペ アンプＡ1 が動作する際の特性も向上する。また、素子数を減少でき、基板に外 付け回路を実現する際、より少ない素子で回路を組むことができ、ボ−トの実装 面積を小さくできる。By embedding the bypass capacitors C1 and C3 in the pads on the IC chip in this way, the wiring for connection with the operational amplifier A1 can be shortened and the noise resistance characteristic from the outside is improved. Therefore, the power supplied to the operational amplifier A1 is stabilized, and the characteristics when the operational amplifier A1 operates are improved. Further, the number of elements can be reduced, and when an external circuit is realized on the substrate, the circuit can be assembled with fewer elements, and the mounting area of the boat can be reduced.
【０００８】[0008]
以上、実施例と共に具体的に説明したように、本考案によれば、オペアンプの バイパスコンデンサをＩＣチップ上のパッドに埋め込んだ構成としている。した がって、供給電源が安定し、オペアンプが安定に動作できる効果を有する半導体 を実現できる。 As described above in detail with the embodiments, according to the present invention, the bypass capacitor of the operational amplifier is embedded in the pad on the IC chip. Therefore, it is possible to realize a semiconductor having an effect that the power supply is stable and the operational amplifier is stable.
【図１】本考案の半導体の一実施例を示す構成図および
回路構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram and a circuit configuration diagram showing an embodiment of a semiconductor of the present invention.
【図２】従来の半導体の一例を示す回路構成図である。FIG. 2 is a circuit configuration diagram showing an example of a conventional semiconductor.
Claims (1)
ンデンサを備え、前記バイパスコンデンサは前記ＩＣチ
ップ上のパッドに埋め込んだ構成としたことを特徴とす
る半導体。1. A semiconductor comprising an operational amplifier and a bypass capacitor on an IC chip, wherein the bypass capacitor is embedded in a pad on the IC chip.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6481091U JPH0518045U (en) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6481091U JPH0518045U (en) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | semiconductor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0518045U true JPH0518045U (en) | 1993-03-05 |
Family
ID=13268976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6481091U Withdrawn JPH0518045U (en) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0518045U (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022522365A (en) * | 2019-03-01 | 2022-04-18 | アール・エイ・アイ・ストラテジック・ホールディングス・インコーポレイテッド | Temperature control circuit for aerosol delivery device |
-
1991
- 1991-08-15 JP JP6481091U patent/JPH0518045U/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022522365A (en) * | 2019-03-01 | 2022-04-18 | アール・エイ・アイ・ストラテジック・ホールディングス・インコーポレイテッド | Temperature control circuit for aerosol delivery device |
| US12140978B2 (en) | 2019-03-01 | 2024-11-12 | Rai Strategic Holdings, Inc. | Temperature control circuitry for an aerosol delivery device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0518045U (en) | semiconductor | |
| JP2003045978A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5895657U (en) | Lead frame for integrated circuits | |
| JP3259217B2 (en) | Noise reduction package | |
| JPS5993148U (en) | Resin-sealed module | |
| JP2506783Y2 (en) | Semiconductor device | |
| JPS6027441U (en) | Hybrid integrated circuit device | |
| JPH03122543U (en) | ||
| JPS62210661A (en) | Semiconductor device | |
| JPH0245676U (en) | ||
| JPS60129159U (en) | semiconductor pressure sensor | |
| JPS5813028B2 (en) | semiconductor equipment | |
| JPH0567646A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPS6059541U (en) | Lead frame for integrated circuits | |
| JPS6351451U (en) | ||
| JPS6048251U (en) | semiconductor equipment | |
| JPS62152444U (en) | ||
| JPH0226243U (en) | ||
| JPS6390847U (en) | ||
| JPS6081664U (en) | integrated circuit package | |
| JPS5846473U (en) | printed wiring pattern | |
| JPS5881940U (en) | Mounting structure of semiconductor elements | |
| JPH03109342U (en) | ||
| JPH05226561A (en) | Semiconductor device | |
| JPH07161923A (en) | Semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19951102 |