JPH05181138A - 液晶用配向膜の形成方法及びそれを用いた液晶表示素子 - Google Patents
液晶用配向膜の形成方法及びそれを用いた液晶表示素子Info
- Publication number
- JPH05181138A JPH05181138A JP16014992A JP16014992A JPH05181138A JP H05181138 A JPH05181138 A JP H05181138A JP 16014992 A JP16014992 A JP 16014992A JP 16014992 A JP16014992 A JP 16014992A JP H05181138 A JPH05181138 A JP H05181138A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- liquid crystal
- forming
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】筋むらがなく均一な液晶用配向膜を得る。
【構成】光によって反応して、光の照射部分と非照射部
分とが異なった性質を生じる化合物からなる被膜３を基
板１上に形成し、同一光源から分割されたレーザー光
４、５を基板上で干渉、反応させ、被膜除去性化合物で
被膜３の可溶分を取り除くことにより、液晶配向膜を得
る。
分とが異なった性質を生じる化合物からなる被膜３を基
板１上に形成し、同一光源から分割されたレーザー光
４、５を基板上で干渉、反応させ、被膜除去性化合物で
被膜３の可溶分を取り除くことにより、液晶配向膜を得
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶用配向膜の形成方法
及びそれを用いた液晶表示素子に関する。
及びそれを用いた液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子はいわゆるスーパーツイス
テッドネマチックモードや薄膜トランジスター駆動のツ
イステッドネマチックモードの開発の進展により、例え
ばワープロやパソコンの表示部品として必要欠くべから
ざるものとなっている。
テッドネマチックモードや薄膜トランジスター駆動のツ
イステッドネマチックモードの開発の進展により、例え
ばワープロやパソコンの表示部品として必要欠くべから
ざるものとなっている。
【０００３】ツイステッドネマチックモードを利用した
簡単な数値などの表示用液晶表示素子においては、チル
ト角は１度程度で充分なため、通常入手できるポリアミ
ドやポリイミドのような高分子膜を基板に塗布後布で一
定方向に擦ることで液晶の配向を簡便に実現していた。
簡単な数値などの表示用液晶表示素子においては、チル
ト角は１度程度で充分なため、通常入手できるポリアミ
ドやポリイミドのような高分子膜を基板に塗布後布で一
定方向に擦ることで液晶の配向を簡便に実現していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この場合にお
いて、布による配向面の汚染などの問題があった。さら
に、薄膜トランジスター駆動のツイステッドネマチック
モードの開発の進展により液晶テレビ、パソコン用の表
示素子などが商品化されてきているが、この技術におい
ては、高分子膜を基板に塗布後布で一定方向に擦ること
による静電気の発生のため薄膜トランジスターの破壊が
起こり、その結果高価な薄膜トランジスター付きの基板
が使用できなくなるというより重大な問題が発生してい
る。
いて、布による配向面の汚染などの問題があった。さら
に、薄膜トランジスター駆動のツイステッドネマチック
モードの開発の進展により液晶テレビ、パソコン用の表
示素子などが商品化されてきているが、この技術におい
ては、高分子膜を基板に塗布後布で一定方向に擦ること
による静電気の発生のため薄膜トランジスターの破壊が
起こり、その結果高価な薄膜トランジスター付きの基板
が使用できなくなるというより重大な問題が発生してい
る。
【０００５】また、スーパーツイステッドネマチックモ
ードの技術要素の一つはチルト角の大きな液晶配向技術
である。スーパーツイステッドネマチックモードに必要
なチルト角は３度以上３５度以下程度であり、そのため
配向用高分子膜の改良やＳｉＯの斜め蒸着、単分子膜の
形成などが試みられてきた。
ードの技術要素の一つはチルト角の大きな液晶配向技術
である。スーパーツイステッドネマチックモードに必要
なチルト角は３度以上３５度以下程度であり、そのため
配向用高分子膜の改良やＳｉＯの斜め蒸着、単分子膜の
形成などが試みられてきた。
【０００６】特開昭６２−１６９１２２号、特開昭６２
−１７４７２５号、特開平１−７８２２６号、特開平１
−７３３２１号、特開平１−７９７２５号、特開平１−
２５１２７号などに示されているように配向用高分子膜
の改良によって、５度程度のチルト角は実現できてい
る。しかし、布で一定方向に擦ることでチルト角の再現
性に乏しく、また配向膜に傷がついて筋状のむらが見ら
れることもあり、特にそのむらが高チルト角の場合に目
だつので液晶表示素子の商品価値を著しく下げる問題点
があった。
−１７４７２５号、特開平１−７８２２６号、特開平１
−７３３２１号、特開平１−７９７２５号、特開平１−
２５１２７号などに示されているように配向用高分子膜
の改良によって、５度程度のチルト角は実現できてい
る。しかし、布で一定方向に擦ることでチルト角の再現
性に乏しく、また配向膜に傷がついて筋状のむらが見ら
れることもあり、特にそのむらが高チルト角の場合に目
だつので液晶表示素子の商品価値を著しく下げる問題点
があった。
【０００７】ＳｉＯの斜め蒸着は前記の欠点は少ないも
のの、蒸着工程が必要なため、高価になりほとんど実用
化されていない。一方、ラングミュアの単分子膜による
方法は液晶表示素子のような大面積基板に均一に形成す
ることは非常に困難であって、まだ研究の域を脱してい
ない。
のの、蒸着工程が必要なため、高価になりほとんど実用
化されていない。一方、ラングミュアの単分子膜による
方法は液晶表示素子のような大面積基板に均一に形成す
ることは非常に困難であって、まだ研究の域を脱してい
ない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記のような
問題点を解決するためになされたものであり、(1) 光に
よって反応して光の照射部分と非照射部分とが異なった
性質を生じる化合物からなる被膜を基板上に形成する被
膜形成工程と、(2) 複数のコヒーレント光を、基板の両
面方向から上記基板上の被膜に照射し、上記基板の上の
被膜部分で干渉作用により縞状に被膜の性質を変える光
照射工程と、(3) この被膜を、被膜の光の照射部分と非
照射部分とのいずれかの部分を被膜の性質の差により除
去可能な被膜除去性化合物にさらして、部分的に被膜を
除去する被膜除去工程と、を含み液晶用配向膜を基板上
に形成することを特徴とする液晶用配向膜の形成方法を
提供する。
問題点を解決するためになされたものであり、(1) 光に
よって反応して光の照射部分と非照射部分とが異なった
性質を生じる化合物からなる被膜を基板上に形成する被
膜形成工程と、(2) 複数のコヒーレント光を、基板の両
面方向から上記基板上の被膜に照射し、上記基板の上の
被膜部分で干渉作用により縞状に被膜の性質を変える光
照射工程と、(3) この被膜を、被膜の光の照射部分と非
照射部分とのいずれかの部分を被膜の性質の差により除
去可能な被膜除去性化合物にさらして、部分的に被膜を
除去する被膜除去工程と、を含み液晶用配向膜を基板上
に形成することを特徴とする液晶用配向膜の形成方法を
提供する。
【０００９】また、上記形成方法を利用した液晶表示素
子の製造方法を提供する。
子の製造方法を提供する。
【００１０】本発明のひとつの目的は液晶のチルト角の
大きい規則的なクサビ状の表面形状を有する液晶配向膜
の製造方法を安価に提供することにある。図２に概念図
として示すようにクサビ状の表面形状を有する配向膜は
理想的には液晶本来のチルト角θ1 に、配向膜の傾き角
θ2 を加えた角θ3 とすることができると期待される。
なお、図で１０は基板、１１は導電膜からなる電極、１
２は配向膜、１３は液晶分子である。
大きい規則的なクサビ状の表面形状を有する液晶配向膜
の製造方法を安価に提供することにある。図２に概念図
として示すようにクサビ状の表面形状を有する配向膜は
理想的には液晶本来のチルト角θ1 に、配向膜の傾き角
θ2 を加えた角θ3 とすることができると期待される。
なお、図で１０は基板、１１は導電膜からなる電極、１
２は配向膜、１３は液晶分子である。
【００１１】従来、高分子膜を擦ることによってクサビ
状の表面形状を有する配向膜となるとの作業仮説が提出
されていたが、明確な証明はなされておらず、また擦る
ことによって筋状のむらが発生しやすいという問題があ
った。
状の表面形状を有する配向膜となるとの作業仮説が提出
されていたが、明確な証明はなされておらず、また擦る
ことによって筋状のむらが発生しやすいという問題があ
った。
【００１２】本発明の方法を具体的に説明する。まず、
光によって反応して、光の照射部分と非照射部分とが異
なった性質を生じる化合物からなる被膜を基板上に形成
する。基板は、液晶表示素子の基板として用いられる場
合は、通常透明なガラス、プラスチック等の絶縁基板で
あり、表面にインジウム酸化錫（ＩＴＯ）、二酸化錫等
からなる透明導電膜等の導電膜が電極として形成されて
いる。
光によって反応して、光の照射部分と非照射部分とが異
なった性質を生じる化合物からなる被膜を基板上に形成
する。基板は、液晶表示素子の基板として用いられる場
合は、通常透明なガラス、プラスチック等の絶縁基板で
あり、表面にインジウム酸化錫（ＩＴＯ）、二酸化錫等
からなる透明導電膜等の導電膜が電極として形成されて
いる。
【００１３】本発明において基板は、ガラス、プラスチ
ック等の基板自体、その上に形成されたSnO2、In2O3-Sn
O2（ＩＴＯ）、Al、Cr等の電極、さらに必要に応じてそ
の電極の上もしくは下に形成されたにSiO2、TiO2等の絶
縁膜、ＴＦＴ、ＭＩＭ、薄膜ダイオード等の能動素子、
カラーフィルター、遮光膜、位相差膜、偏光膜、反射
膜、光導電膜等を有する基板であり得る。
ック等の基板自体、その上に形成されたSnO2、In2O3-Sn
O2（ＩＴＯ）、Al、Cr等の電極、さらに必要に応じてそ
の電極の上もしくは下に形成されたにSiO2、TiO2等の絶
縁膜、ＴＦＴ、ＭＩＭ、薄膜ダイオード等の能動素子、
カラーフィルター、遮光膜、位相差膜、偏光膜、反射
膜、光導電膜等を有する基板であり得る。
【００１４】この基板上に、光によって反応して、特定
溶媒に対する溶解度が変化する化合物からなる被膜を形
成する。この化合物としては、ポリビニルアルコールや
ポリアミド、ポリイミドのように、硬化して配向膜とな
った後に、本質的には垂直配向能力よりも水平配向能力
を与えるものが好ましい。なかでも、ポリイミドは耐熱
性、耐薬品性、寸法安定性などが優れているので好まし
い。
溶媒に対する溶解度が変化する化合物からなる被膜を形
成する。この化合物としては、ポリビニルアルコールや
ポリアミド、ポリイミドのように、硬化して配向膜とな
った後に、本質的には垂直配向能力よりも水平配向能力
を与えるものが好ましい。なかでも、ポリイミドは耐熱
性、耐薬品性、寸法安定性などが優れているので好まし
い。
【００１５】ポリイミドは化１で示す式の繰り返し単位
を有する高分子であるが、芳香環の直結型ポリイミド、
含イオウポリイミド、含ケトンポリイミド、含アルキル
ポリイミド、含スルホンポリイミド、含フッ素ポリイミ
ド、ポリイミドシロキサン、ポリアミドイミド、ポリイ
ミドインドキナゾリン、ポリヒドラジドイミド、ポリエ
ーテルイミドの単独または共重合体または混合物等が含
まれる。ポリイミドはポリアミック酸を加熱または触媒
反応的に脱水して製造される場合が多く、かかる場合に
は、ポリアミック酸を前記基板上に塗布し、被膜を形成
することになる。
を有する高分子であるが、芳香環の直結型ポリイミド、
含イオウポリイミド、含ケトンポリイミド、含アルキル
ポリイミド、含スルホンポリイミド、含フッ素ポリイミ
ド、ポリイミドシロキサン、ポリアミドイミド、ポリイ
ミドインドキナゾリン、ポリヒドラジドイミド、ポリエ
ーテルイミドの単独または共重合体または混合物等が含
まれる。ポリイミドはポリアミック酸を加熱または触媒
反応的に脱水して製造される場合が多く、かかる場合に
は、ポリアミック酸を前記基板上に塗布し、被膜を形成
することになる。
【００１６】
【化１】
【００１７】光によって反応して、光の照射部分と非照
射部分とが異なった性質を生じる化合物が、実際に光に
よって起こす反応の形態としては、光重合、光架橋等の
光硬化、光分解等がある。このうち、光重合または光架
橋可能な化合物はホトレジストの分野ではネガ型といわ
れるもので、光照射部の溶媒やエッチャントに対する溶
解度が減少するものであり、反対に光分解性の化合物は
光照射部の溶媒やエッチャントに対する溶解度が増大
し、ポジ型といわれる。
射部分とが異なった性質を生じる化合物が、実際に光に
よって起こす反応の形態としては、光重合、光架橋等の
光硬化、光分解等がある。このうち、光重合または光架
橋可能な化合物はホトレジストの分野ではネガ型といわ
れるもので、光照射部の溶媒やエッチャントに対する溶
解度が減少するものであり、反対に光分解性の化合物は
光照射部の溶媒やエッチャントに対する溶解度が増大
し、ポジ型といわれる。
【００１８】ネガ型でポリイミドを形成する化合物の一
例としてはポリアミック酸の不飽和アンモニウム塩があ
り、その一般式は化２で示される。
例としてはポリアミック酸の不飽和アンモニウム塩があ
り、その一般式は化２で示される。
【００１９】
【化２】
【００２０】ここで、Ａ1 は４価芳香族炭化水素残基で
あり、その４個の結合手のうち２個ずつは隣りあった炭
素に結合しており、Ｂ1 は２価芳香族炭化水素残基であ
り、その２個の結合手は隣りあわない炭素に結合してお
り、Ｒ1 とＲ2 は水素または炭素数が１〜５のアルキル
基であり、Ｅ1 はその中に重合可能な二重結合を有する
残基である。また、ｍは２以上の整数である。
あり、その４個の結合手のうち２個ずつは隣りあった炭
素に結合しており、Ｂ1 は２価芳香族炭化水素残基であ
り、その２個の結合手は隣りあわない炭素に結合してお
り、Ｒ1 とＲ2 は水素または炭素数が１〜５のアルキル
基であり、Ｅ1 はその中に重合可能な二重結合を有する
残基である。また、ｍは２以上の整数である。
【００２１】Ａ1 の例はベンゼン環を直接あるいは、−
Ｏ−，−Ｓ−，−Ｃ（ＣＨ3 ）Ｒ3−，−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−，−ＳＯ2 −，−ＳｉＲ4 Ｒ6 −Ｏ−ＳｉＲ5 Ｒ7
−でつないだ構造をした芳香族二酸無水物のポリイミド
形成残基である。ここで、Ｒ3 は炭素数１〜１５のアル
キル基、Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 は炭素数１〜１５のア
ルキル基またはフェニル基を意味する。
Ｏ−，−Ｓ−，−Ｃ（ＣＨ3 ）Ｒ3−，−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−，−ＳＯ2 −，−ＳｉＲ4 Ｒ6 −Ｏ−ＳｉＲ5 Ｒ7
−でつないだ構造をした芳香族二酸無水物のポリイミド
形成残基である。ここで、Ｒ3 は炭素数１〜１５のアル
キル基、Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 は炭素数１〜１５のア
ルキル基またはフェニル基を意味する。
【００２２】Ａ1 を形成する化合物の具体例としては以
下のものが挙げられる。ピロメリット酸二無水物、３，
３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、３，３″，４，４″−ｐ−ターフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物、１，４−ビス（３′，４′
−ジカルボシフェノキシ）ベンゼン二酸無水物、ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）エーテル二酸無水
物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二
酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スル
フィド二酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）スルホン二酸無水物、２，２−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）プロパン二酸無水物、２，２−ビス
［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］
プロパン二酸無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二酸無水物、
２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン二無水物、１，
３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン二無水物。
下のものが挙げられる。ピロメリット酸二無水物、３，
３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、３，３″，４，４″−ｐ−ターフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物、１，４−ビス（３′，４′
−ジカルボシフェノキシ）ベンゼン二酸無水物、ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）エーテル二酸無水
物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二
酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スル
フィド二酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）スルホン二酸無水物、２，２−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）プロパン二酸無水物、２，２−ビス
［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］
プロパン二酸無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二酸無水物、
２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン二無水物、１，
３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン二無水物。
【００２３】Ｂ1 の例はベンゼン環を直接あるいは、−
Ｏ−，−Ｓ−，−Ｃ（ＣＨ3 ）Ｒ3−，−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−，−ＳＯ2 −，−ＳｉＲ4 Ｒ6 −Ｏ−ＳｉＲ5 Ｒ7
−でつないだ構造をした芳香族ジアミンのポリイミド形
成残基である。ここで、Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7
は前記したものと同じである。
Ｏ−，−Ｓ−，−Ｃ（ＣＨ3 ）Ｒ3−，−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−，−ＳＯ2 −，−ＳｉＲ4 Ｒ6 −Ｏ−ＳｉＲ5 Ｒ7
−でつないだ構造をした芳香族ジアミンのポリイミド形
成残基である。ここで、Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7
は前記したものと同じである。
【００２４】Ｂ1 を形成する化合物の具体例は以下のも
のが挙げられる。ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニ
レンジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プ
ロパン、４，４′−ジアミノ−ジフェニルメタン、ビス
（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（４−アミノ
フェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）エー
テル、ビス（４−アミノフェニル）ジエチルシラン、ビ
ス（４−アミノフェニル）ジフェニルシラン、２，６−
ジアミノ−ナフタレン、４，４′−ジアミノ−ビフェニ
ル、２，４−ジアミノ−トルエン、４，４′−ジアミノ
−ベンゾフェノン、２，２−ビス（４−アミノフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］オクタン、２，２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］デカン、
２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサン。
のが挙げられる。ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニ
レンジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プ
ロパン、４，４′−ジアミノ−ジフェニルメタン、ビス
（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（４−アミノ
フェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）エー
テル、ビス（４−アミノフェニル）ジエチルシラン、ビ
ス（４−アミノフェニル）ジフェニルシラン、２，６−
ジアミノ−ナフタレン、４，４′−ジアミノ−ビフェニ
ル、２，４−ジアミノ−トルエン、４，４′−ジアミノ
−ベンゾフェノン、２，２−ビス（４−アミノフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］オクタン、２，２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］デカン、
２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサン。
【００２５】Ｅ1 の例は、−Ｒ8 −Ｏ−ＣＯ−ＣＸ＝Ｃ
Ｈ2 で示され、Ｒ8 は炭素数２〜８のアルキレン基であ
り、Ｘは水素またはメチル基またはフッ素である。
Ｈ2 で示され、Ｒ8 は炭素数２〜８のアルキレン基であ
り、Ｘは水素またはメチル基またはフッ素である。
【００２６】化２で示されるポリアミック酸を基板上に
塗布し、図１に示したように、レーザー光による露光を
行う。ポリアミック酸からなる被膜３内では、２方向か
らのレーザー光等が干渉してその強度が強まった部分だ
けに重合が起こり架橋する。レーザー光照射後未重合の
可溶物は特定の溶媒で除去し得る。このようにすると、
ポリアミック酸からなる基板上の被膜を規則的なクサビ
状の表面形状を有するようにできる。その後、加熱また
は触媒反応的に上記ポリアミック酸をポリイミドとする
ことが好ましい。
塗布し、図１に示したように、レーザー光による露光を
行う。ポリアミック酸からなる被膜３内では、２方向か
らのレーザー光等が干渉してその強度が強まった部分だ
けに重合が起こり架橋する。レーザー光照射後未重合の
可溶物は特定の溶媒で除去し得る。このようにすると、
ポリアミック酸からなる基板上の被膜を規則的なクサビ
状の表面形状を有するようにできる。その後、加熱また
は触媒反応的に上記ポリアミック酸をポリイミドとする
ことが好ましい。
【００２７】ネガ型ポリイミドの他の例はポリアミック
酸の不飽和カルボン酸エステルであり、その一般式は化
３で示される。
酸の不飽和カルボン酸エステルであり、その一般式は化
３で示される。
【００２８】
【化３】
【００２９】Ａ2 とＢ2 はそれぞれＡ1 とＢ1 と同じで
あり、Ｅ2 はその中に重合可能な二重結合を有する残基
である。Ｅ2 はＥ1 と同じである。また、ｎは２以上の
整数である。
あり、Ｅ2 はその中に重合可能な二重結合を有する残基
である。Ｅ2 はＥ1 と同じである。また、ｎは２以上の
整数である。
【００３０】化２，化３のような光重合可能なポリアミ
ック酸は、通常、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、ヘキサメチルホス
ホルアミド、ジイソブチルケトン、ブチルセロソルブア
セテートのような溶媒に溶解された状態で使用される。
ック酸は、通常、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、ヘキサメチルホス
ホルアミド、ジイソブチルケトン、ブチルセロソルブア
セテートのような溶媒に溶解された状態で使用される。
【００３１】さらに、この溶液には光による重合を促進
するために光重合開始剤が添加される。光重合開始剤
は、紫外光、可視光、近赤外光に感度を有するものであ
ればよく、ミカエルケトン、ベンゾイン、ベンジル、カ
ンファキノン、四級アンモニウム、四級ボレート等通常
この種の光重合に使用される光重合開始剤である。
するために光重合開始剤が添加される。光重合開始剤
は、紫外光、可視光、近赤外光に感度を有するものであ
ればよく、ミカエルケトン、ベンゾイン、ベンジル、カ
ンファキノン、四級アンモニウム、四級ボレート等通常
この種の光重合に使用される光重合開始剤である。
【００３２】ポジ型ポリイミドの一例として、アシルオ
キシ基またはアルコキシカルボニル基を有するポリイミ
ドがあり、その一般式は化４で示される。
キシ基またはアルコキシカルボニル基を有するポリイミ
ドがあり、その一般式は化４で示される。
【００３３】
【化４】
【００３４】ここで、Ａ3 はＡ1 と同じであり、Ｂ3 は
３価芳香族炭化水素残基であり、Ｅ3 はその中に加水分
解によって溶解性が増加する結合を有する残基である。
Ｂ3はＢ1 よりも一つ結合手が多く、その多い結合手に
Ｅ3 が結合している。Ｅ3 は、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ10または
−Ｏ−ＣＯ−Ｒ9 であり、Ｒ8 ，Ｒ10は炭素数１〜１５
の基またはフェニル基を意味する。ｐは２以上の整数で
ある。
３価芳香族炭化水素残基であり、Ｅ3 はその中に加水分
解によって溶解性が増加する結合を有する残基である。
Ｂ3はＢ1 よりも一つ結合手が多く、その多い結合手に
Ｅ3 が結合している。Ｅ3 は、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ10または
−Ｏ−ＣＯ−Ｒ9 であり、Ｒ8 ，Ｒ10は炭素数１〜１５
の基またはフェニル基を意味する。ｐは２以上の整数で
ある。
【００３５】光分解によって酸を発生し残基の加水分解
を促進する物質、例えば、トリアリルスルホニウム塩、
ニトロベンジルエステル、ジアリルアイオジウム塩等を
共存させることが好ましい。
を促進する物質、例えば、トリアリルスルホニウム塩、
ニトロベンジルエステル、ジアリルアイオジウム塩等を
共存させることが好ましい。
【００３６】被膜を基板上に形成する方法としては、ス
ピンコートの他、スクリーン印刷オフセット印刷などの
印刷法、バーコーター、ロールコーターなど、を用いる
ことができる。また、被膜の厚みは、特に限定されない
が、０．０５μｍ〜３μｍ程度である。
ピンコートの他、スクリーン印刷オフセット印刷などの
印刷法、バーコーター、ロールコーターなど、を用いる
ことができる。また、被膜の厚みは、特に限定されない
が、０．０５μｍ〜３μｍ程度である。
【００３７】次に、２種類のコヒーレント光をそれぞれ
異なる方向（基板の両面）から上記基板に照射し、基板
上で干渉せしめる。このようにして、上記二種類の光線
の干渉効果を利用して、被膜を基板と一定の傾きをなす
層状に硬化または分解させる。
異なる方向（基板の両面）から上記基板に照射し、基板
上で干渉せしめる。このようにして、上記二種類の光線
の干渉効果を利用して、被膜を基板と一定の傾きをなす
層状に硬化または分解させる。
【００３８】この様子を光架橋性のネガ型化合物からな
る被膜について、図１にその概念図を示した。図におい
て、１は基板、２は通常用いられる導電膜からなる電
極、３は光によって反応して、光の照射部分と非照射部
分とが異なった性質を生じる化合物からなる被膜、４及
び５は同一の光源から発し、ハーフミラー、ビームスプ
リッターなどで分割された分割レーザー光（コヒーレン
ト光）を示す。このとき、被膜３内では、２方向からの
レーザー光が干渉して干渉縞を形成し、その強度が強ま
った部分だけに重合が起こり架橋する。図で３ａは架橋
部、３ｂは非架橋部である。
る被膜について、図１にその概念図を示した。図におい
て、１は基板、２は通常用いられる導電膜からなる電
極、３は光によって反応して、光の照射部分と非照射部
分とが異なった性質を生じる化合物からなる被膜、４及
び５は同一の光源から発し、ハーフミラー、ビームスプ
リッターなどで分割された分割レーザー光（コヒーレン
ト光）を示す。このとき、被膜３内では、２方向からの
レーザー光が干渉して干渉縞を形成し、その強度が強ま
った部分だけに重合が起こり架橋する。図で３ａは架橋
部、３ｂは非架橋部である。
【００３９】次いで、被膜除去性化合物で被膜３の可溶
部分を除去することにより、基板上の被膜の表面を規則
的なクサビ状にできる。その後、必要に応じ、加熱また
は触媒反応的に上記被膜を硬化せしめる（例えば、被膜
がポリアミック酸からなる場合は反応させてポリイミド
とする）ことが好ましい。
部分を除去することにより、基板上の被膜の表面を規則
的なクサビ状にできる。その後、必要に応じ、加熱また
は触媒反応的に上記被膜を硬化せしめる（例えば、被膜
がポリアミック酸からなる場合は反応させてポリイミド
とする）ことが好ましい。
【００４０】被膜除去性化合物については、配向膜を形
成するための材料によって適宜選択すればよいが、例え
ば、ポリイミドで配向を形成する場合には、具体的に
は、以下のものが例示される。Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、ヘキ
サメチルホスホルアミド、ジイソブチルケトン、ブチル
セロソルブアセテート。
成するための材料によって適宜選択すればよいが、例え
ば、ポリイミドで配向を形成する場合には、具体的に
は、以下のものが例示される。Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、ヘキ
サメチルホスホルアミド、ジイソブチルケトン、ブチル
セロソルブアセテート。
【００４１】基板の広い範囲に均一な干渉を起こさせる
観点から言えば、露光に使用するレーザー光の光束をほ
ぼ平行化し、レーザー光を平面波とすることが好まし
い。この際、光束拡散用のレンズ及びコリメート用のレ
ンズ、ビームエキスパンダーなどを光路内に配置すれば
よい。
観点から言えば、露光に使用するレーザー光の光束をほ
ぼ平行化し、レーザー光を平面波とすることが好まし
い。この際、光束拡散用のレンズ及びコリメート用のレ
ンズ、ビームエキスパンダーなどを光路内に配置すれば
よい。
【００４２】表示素子の用途がツイステッドネマチック
モードかスーパーツイステッドネマチックモードによっ
て要求されるチルト角が異なるため、材料、露光条件な
どが選択される。特に、表示素子として通常用いられる
程度のチルト角を得るためには、二種類の光線の方向の
中間の方向と基板のなす角（θ0 ）が２度よりも大き
く、４５度よりも小さいものとすることが好ましい。
モードかスーパーツイステッドネマチックモードによっ
て要求されるチルト角が異なるため、材料、露光条件な
どが選択される。特に、表示素子として通常用いられる
程度のチルト角を得るためには、二種類の光線の方向の
中間の方向と基板のなす角（θ0 ）が２度よりも大き
く、４５度よりも小さいものとすることが好ましい。
【００４３】理想的には形成される配向膜の傾き角（θ
2 ）はθ0 となるべきであるが、例えば光架橋性の化合
物を使用した場合、実際にはエッチングの際に露光部の
下の未露光部が除去されることがあるので、理想的な値
よりも小さくなる。そこで、上記のθ0 の値を変えて適
宜実験を行い、所望のチルト角が得られるようにすれば
よい。
2 ）はθ0 となるべきであるが、例えば光架橋性の化合
物を使用した場合、実際にはエッチングの際に露光部の
下の未露光部が除去されることがあるので、理想的な値
よりも小さくなる。そこで、上記のθ0 の値を変えて適
宜実験を行い、所望のチルト角が得られるようにすれば
よい。
【００４４】クサビのピッチ（Ｌ）は、ほぼ平行な光束
を有する２方向からのレーザー光がなす角度が９０度の
場合、使用するレーザー光の波長をλとした場合 Ｌ＝λ／（２1/2 ｓｉｎθ0 ） となることが期待される。
を有する２方向からのレーザー光がなす角度が９０度の
場合、使用するレーザー光の波長をλとした場合 Ｌ＝λ／（２1/2 ｓｉｎθ0 ） となることが期待される。
【００４５】本発明液晶配向膜の形成方法を利用して、
液晶表示素子を製造する方法については、通常用いられ
る方法が採用できる。すなわち、一対の基板上に導電膜
からなる電極を形成し、適宜パターニングした後、本発
明の方法により、上記基板上に液晶配向膜を形成し、次
いで、前記一対の基板を電極面側を相対向させて周辺部
をシールしてその内部に液晶を封入する。これにより、
配向膜形成時の筋状のむらや、配向の不均一など、前述
の欠点のないスーパーツイステッドネマチックモードや
薄膜トランジスター駆動のツイステッドネマチックモー
ドの液晶表示素子を得ることができる。
液晶表示素子を製造する方法については、通常用いられ
る方法が採用できる。すなわち、一対の基板上に導電膜
からなる電極を形成し、適宜パターニングした後、本発
明の方法により、上記基板上に液晶配向膜を形成し、次
いで、前記一対の基板を電極面側を相対向させて周辺部
をシールしてその内部に液晶を封入する。これにより、
配向膜形成時の筋状のむらや、配向の不均一など、前述
の欠点のないスーパーツイステッドネマチックモードや
薄膜トランジスター駆動のツイステッドネマチックモー
ドの液晶表示素子を得ることができる。
【００４６】
実施例１ Ｎ−メチルピロリドンを溶媒としてピロメリット酸二無
水物とビス（４−アミノフェニル）エーテルからポリア
ミック酸を製造し、この溶液に２倍モルの２−Ｎ−ジエ
チルアミノエチルメタアクリレートと光重合開始剤を加
えて光架橋性のポリアミック酸のアンモニウム塩とし
た。電極としてのＩＴＯつきガラス基板に約１μｍの厚
みにこの溶液をスピン塗布した後、さらにこの上にポリ
ビニルアルコールの水溶液を塗布後乾燥させ、基板状に
被膜を形成した。
水物とビス（４−アミノフェニル）エーテルからポリア
ミック酸を製造し、この溶液に２倍モルの２−Ｎ−ジエ
チルアミノエチルメタアクリレートと光重合開始剤を加
えて光架橋性のポリアミック酸のアンモニウム塩とし
た。電極としてのＩＴＯつきガラス基板に約１μｍの厚
みにこの溶液をスピン塗布した後、さらにこの上にポリ
ビニルアルコールの水溶液を塗布後乾燥させ、基板状に
被膜を形成した。
【００４７】露光用の光源として、波長約３６０ｎｍの
レーザー光を用い、ビームエキスパンダーで平行光線と
し、これをハーフミラーを用いて二つの光束にした後、
この基板をその傾き角が１０度になるように図１の如く
二方向から被膜に照射して層状に硬化させ、ついでこの
基板を水、次いでテトラヒドロフランとＮ−メチルピロ
リドンの混合溶液に浸積してポリビニルアルコールと未
露光部を除去した。この基板を加熱オーブン中で最終的
には３００℃に加熱してポリイミド化を完了させた。
レーザー光を用い、ビームエキスパンダーで平行光線と
し、これをハーフミラーを用いて二つの光束にした後、
この基板をその傾き角が１０度になるように図１の如く
二方向から被膜に照射して層状に硬化させ、ついでこの
基板を水、次いでテトラヒドロフランとＮ−メチルピロ
リドンの混合溶液に浸積してポリビニルアルコールと未
露光部を除去した。この基板を加熱オーブン中で最終的
には３００℃に加熱してポリイミド化を完了させた。
【００４８】このように作成したクサビ状形状のポリイ
ミド配向膜の液晶の配向能力を調べるため、２枚のガラ
ス基板を配置し、周辺にシールを形成し、基板間のギャ
ップを８μｍとした素子を作成し、そのギャップを液晶
ＺＬＩ２２９３（メルク社製）で充填した後、磁場下で
液晶の誘電率を計る方法によってチルト角を求めた結
果、１０度であった。
ミド配向膜の液晶の配向能力を調べるため、２枚のガラ
ス基板を配置し、周辺にシールを形成し、基板間のギャ
ップを８μｍとした素子を作成し、そのギャップを液晶
ＺＬＩ２２９３（メルク社製）で充填した後、磁場下で
液晶の誘電率を計る方法によってチルト角を求めた結
果、１０度であった。
【００４９】比較例１ 実施例１において露光を基板面に対して垂直な１光源の
レーザー光を用いて行う以外は同様にして、得られた基
板のチルト角を求めたところ約１度であった。
レーザー光を用いて行う以外は同様にして、得られた基
板のチルト角を求めたところ約１度であった。
【００５０】実施例２ 実施例１の基板を使用し液晶としてはカイラル化合物を
添加した液晶ＺＬＩ２２９３を使用し、図４に断面図と
して示したように２４０度ツイストの１／２４０デュー
ティ液晶表示素子を作成した。図において２１，２２は
基板、２３，２４はＩＴＯ層、２５はシール材、２６は
液晶層を示す。液晶表示素子は筋むらがまったく無く非
常に均一であった。これを駆動したが、非常に均一でコ
ントラストも高かった。
添加した液晶ＺＬＩ２２９３を使用し、図４に断面図と
して示したように２４０度ツイストの１／２４０デュー
ティ液晶表示素子を作成した。図において２１，２２は
基板、２３，２４はＩＴＯ層、２５はシール材、２６は
液晶層を示す。液晶表示素子は筋むらがまったく無く非
常に均一であった。これを駆動したが、非常に均一でコ
ントラストも高かった。
【００５１】比較例２ ＩＴＯ付きガラス基板に２，２−ビス（４−アミノジフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパンとピロメリット二酸無
水物から合成した含フッ素ポリアミック酸のＮ−メチル
ピロリドン溶液を約１μｍの厚みにスピン塗布した。こ
の基板を加熱オブン中で最終的には３００℃に加熱して
ポリイミド化を完了させた。布を用いてこの基板を擦っ
て液晶配向能力を与えた後、実施例２と同様にして素子
化した。液晶表示素子は筋むらが少し見られた。これを
駆動したが、やや不均一でコントラストもやや低かっ
た。
ェニル）ヘキサフルオロプロパンとピロメリット二酸無
水物から合成した含フッ素ポリアミック酸のＮ−メチル
ピロリドン溶液を約１μｍの厚みにスピン塗布した。こ
の基板を加熱オブン中で最終的には３００℃に加熱して
ポリイミド化を完了させた。布を用いてこの基板を擦っ
て液晶配向能力を与えた後、実施例２と同様にして素子
化した。液晶表示素子は筋むらが少し見られた。これを
駆動したが、やや不均一でコントラストもやや低かっ
た。
【００５２】実施例３ ピロメリット酸二無水物１モルと２−ヒドロキシエチル
アクリレート２モルを反応させ、ついで、塩化チオニル
と反応させて酸塩化物とし、さらに、２，２−ビス［４
−（４−アミノフェニル）フェニル］オクタンと反応さ
せて、光架橋性のポリアミック酸のエステルを製造し、
これをＮ−メチルピロリドン溶液とした。ＩＴＯつきガ
ラス基板に約１μｍの厚みにこの溶液をスピン塗布した
後、さらにこの上にポリビニルアルコールの水溶液を塗
布後乾燥させた。この後は実施例１と同様にしてチルト
角を求めた結果、１４度であった。
アクリレート２モルを反応させ、ついで、塩化チオニル
と反応させて酸塩化物とし、さらに、２，２−ビス［４
−（４−アミノフェニル）フェニル］オクタンと反応さ
せて、光架橋性のポリアミック酸のエステルを製造し、
これをＮ−メチルピロリドン溶液とした。ＩＴＯつきガ
ラス基板に約１μｍの厚みにこの溶液をスピン塗布した
後、さらにこの上にポリビニルアルコールの水溶液を塗
布後乾燥させた。この後は実施例１と同様にしてチルト
角を求めた結果、１４度であった。
【００５３】
【発明の効果】本発明によれば、液晶のチルト角の大き
い規則的なクサビ状の表面形状を有する配向膜の形成方
法を提供される。また、本発明の液晶配向膜を使用する
ことにより、おもに液晶配向膜を擦ることによる起因す
る前述の欠点の無いスーパーツイステッドネマチックモ
ードと薄膜トランジスター駆動のツイステッドネマチッ
クモードの液晶表示素子が提供される。
い規則的なクサビ状の表面形状を有する配向膜の形成方
法を提供される。また、本発明の液晶配向膜を使用する
ことにより、おもに液晶配向膜を擦ることによる起因す
る前述の欠点の無いスーパーツイステッドネマチックモ
ードと薄膜トランジスター駆動のツイステッドネマチッ
クモードの液晶表示素子が提供される。
【図１】本発明の方法を示す概念図
【図２】本発明の方法に係る配向膜の液晶分子のチルト
機構を示す概念図
機構を示す概念図
【図３】本発明の液晶表示の断面図
１：基板 ２：電極 ３：被膜 ４：レーザー光 ５：レーザー光
【手続補正書】
【提出日】平成４年１０月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】本発明のひとつの目的は液晶のチルト角の
大きい規則的なクサビ状の表面形状を有する液晶配向膜
の製造方法を安価に提供することにある。図２に概念図
として示すようにクサビ状の表面形状を有する配向膜は
理想的には液晶本来のチルト角θ1 に、配向膜の傾き角
θ2 を加えた角θ3 とすることができると期待される。
なお、図で１０は基板、１１は導電膜からなる電極、１
２は配向膜、１３は液晶分子である。
大きい規則的なクサビ状の表面形状を有する液晶配向膜
の製造方法を安価に提供することにある。図２に概念図
として示すようにクサビ状の表面形状を有する配向膜は
理想的には液晶本来のチルト角θ1 に、配向膜の傾き角
θ2 を加えた角θ3 とすることができると期待される。
なお、図で１０は基板、１１は導電膜からなる電極、１
２は配向膜、１３は液晶分子である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】本発明において基板は、ガラス、プラスチ
ック等の基板自体、その上に形成されたＳｎＯ2 、Ｉｎ
2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 （ＩＴＯ）、Ａｌ、Ｃｒ等の電極、さ
らに必要に応じてその電極の上もしくは下に形成された
にＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 等の絶縁膜、ＴＦＴ、ＭＩＭ、薄
膜ダイオード等の能動素子、カラーフィルター、遮光
膜、位相差膜、偏光膜、反射膜、光導電膜等を有する基
板であり得る。
ック等の基板自体、その上に形成されたＳｎＯ2 、Ｉｎ
2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 （ＩＴＯ）、Ａｌ、Ｃｒ等の電極、さ
らに必要に応じてその電極の上もしくは下に形成された
にＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 等の絶縁膜、ＴＦＴ、ＭＩＭ、薄
膜ダイオード等の能動素子、カラーフィルター、遮光
膜、位相差膜、偏光膜、反射膜、光導電膜等を有する基
板であり得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】ここで、Ａ1 は４価芳香族炭化水素残基で
あり、その４個の結合手のうち２個ずつは隣りあった炭
素に結合しており、Ｂ1 は２価芳香族炭化水素残基であ
り、その２個の結合手は隣りあわない炭素に結合してお
り、Ｒ1 とＲ2 は水素または炭素数が１〜５のアルキル
基であり、Ｅ1 はその中に重合可能な二重結合を有する
残基である。また、ｍは２以上の整数である。
あり、その４個の結合手のうち２個ずつは隣りあった炭
素に結合しており、Ｂ1 は２価芳香族炭化水素残基であ
り、その２個の結合手は隣りあわない炭素に結合してお
り、Ｒ1 とＲ2 は水素または炭素数が１〜５のアルキル
基であり、Ｅ1 はその中に重合可能な二重結合を有する
残基である。また、ｍは２以上の整数である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】Ａ1 の例はベンゼン環を直接あるいは、−
Ｏ−，−Ｓ−，−Ｃ（ＣＨ3 ）Ｒ3−，−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−，−ＳＯ2 −，−ＳｉＲ4 Ｒ6 −Ｏ−ＳｉＲ5 Ｒ7
−でつないだ構造をした芳香族二酸無水物のポリイミド
形成残基である。ここで、Ｒ3 は炭素数１〜１５のアル
キル基、Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 は炭素数１〜１５のア
ルキル基またはフェニル基を意味する。
Ｏ−，−Ｓ−，−Ｃ（ＣＨ3 ）Ｒ3−，−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−，−ＳＯ2 −，−ＳｉＲ4 Ｒ6 −Ｏ−ＳｉＲ5 Ｒ7
−でつないだ構造をした芳香族二酸無水物のポリイミド
形成残基である。ここで、Ｒ3 は炭素数１〜１５のアル
キル基、Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 は炭素数１〜１５のア
ルキル基またはフェニル基を意味する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】Ａ1 を形成する化合物の具体例としては以
下のものが挙げられる。ピロメリット酸二無水物、３，
３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、３，３″，４，４″−ｐ−ターフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物、１，４−ビス（３′，４′
−ジカルボシフェノキシ）ベンゼン二酸無水物、ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）エーテル二酸無水
物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二
酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スル
フィド二酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）スルホン二酸無水物、２，２−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）プロパン二酸無水物、２，２−ビス
［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］
プロパン二酸無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二酸無水物、
２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン二無水物、１，
３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン二無水物。
下のものが挙げられる。ピロメリット酸二無水物、３，
３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、３，３″，４，４″−ｐ−ターフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物、１，４−ビス（３′，４′
−ジカルボシフェノキシ）ベンゼン二酸無水物、ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）エーテル二酸無水
物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二
酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スル
フィド二酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）スルホン二酸無水物、２，２−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）プロパン二酸無水物、２，２−ビス
［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］
プロパン二酸無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二酸無水物、
２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン二無水物、１，
３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン二無水物。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】Ｂ1 の例はベンゼン環を直接あるいは、−
Ｏ−，−Ｓ−，−Ｃ（ＣＨ3 ）Ｒ3−，−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−，−ＳＯ2 −，−ＳｉＲ4 Ｒ6 −Ｏ−ＳｉＲ5 Ｒ7
−でつないだ構造をした芳香族ジアミンのポリイミド形
成残基である。ここで、Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7
は前記したものと同じである。
Ｏ−，−Ｓ−，−Ｃ（ＣＨ3 ）Ｒ3−，−Ｃ（ＣＦ3 ）2
−，−ＳＯ2 −，−ＳｉＲ4 Ｒ6 −Ｏ−ＳｉＲ5 Ｒ7
−でつないだ構造をした芳香族ジアミンのポリイミド形
成残基である。ここで、Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7
は前記したものと同じである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】Ｂ1 を形成する化合物の具体例は以下のも
のが挙げられる。ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニ
レンジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プ
ロパン、４，４′−ジアミノ−ジフェニルメタン、ビス
（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（４−アミノ
フェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）エー
テル、ビス（４−アミノフェニル）ジエチルシラン、ビ
ス（４−アミノフェニル）ジフェニルシラン、２，６−
ジアミノ−ナフタレン、４，４′−ジアミノ−ビフェニ
ル、２，４−ジアミノ−トルエン、４，４′−ジアミノ
−ベンゾフェノン、２，２−ビス（４−アミノフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］オクタン、２，２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］デカン、
２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサン。
のが挙げられる。ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニ
レンジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プ
ロパン、４，４′−ジアミノ−ジフェニルメタン、ビス
（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（４−アミノ
フェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）エー
テル、ビス（４−アミノフェニル）ジエチルシラン、ビ
ス（４−アミノフェニル）ジフェニルシラン、２，６−
ジアミノ−ナフタレン、４，４′−ジアミノ−ビフェニ
ル、２，４−ジアミノ−トルエン、４，４′−ジアミノ
−ベンゾフェノン、２，２−ビス（４−アミノフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］オクタン、２，２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］デカン、
２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサン。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】Ｅ1 の例は、−Ｒ8 −Ｏ−ＣＯ−ＣＸ＝Ｃ
Ｈ2 で示され、Ｒ8 は炭素数２〜８のアルキレン基であ
り、Ｘは水素またはメチル基またはフッ素である。
Ｈ2 で示され、Ｒ8 は炭素数２〜８のアルキレン基であ
り、Ｘは水素またはメチル基またはフッ素である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】Ａ2 とＢ2 はそれぞれＡ1 とＢ1 と同じで
あり、Ｅ2 はその中に重合可能な二重結合を有する残基
である。Ｅ2 はＥ1 と同じである。また、ｎは２以上の
整数である。
あり、Ｅ2 はその中に重合可能な二重結合を有する残基
である。Ｅ2 はＥ1 と同じである。また、ｎは２以上の
整数である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】ここで、Ａ3 はＡ1 と同じであり、Ｂ3 は
３価芳香族炭化水素残基であり、Ｅ3 はその中に加水分
解によって溶解性が増加する結合を有する残基である。
Ｂ3はＢ1 よりも一つ結合手が多く、その多い結合手に
Ｅ3 が結合している。Ｅ3 は、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ10または
−Ｏ−ＣＯ−Ｒ9 であり、Ｒ8 ，Ｒ10は炭素数１〜１５
の基またはフェニル基を意味する。ｐは２以上の整数で
ある。
３価芳香族炭化水素残基であり、Ｅ3 はその中に加水分
解によって溶解性が増加する結合を有する残基である。
Ｂ3はＢ1 よりも一つ結合手が多く、その多い結合手に
Ｅ3 が結合している。Ｅ3 は、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ10または
−Ｏ−ＣＯ−Ｒ9 であり、Ｒ8 ，Ｒ10は炭素数１〜１５
の基またはフェニル基を意味する。ｐは２以上の整数で
ある。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４２】表示素子の用途がツイステッドネマチック
モードかスーパーツイステッドネマチックモードによっ
て要求されるチルト角が異なるため、材料、露光条件な
どが選択される。特に、表示素子として通常用いられる
程度のチルト角を得るためには、二種類の光線の方向の
中間の方向と基板のなす角（θ0 ）が２度よりも大き
く、４５度よりも小さいものとすることが好ましい。
モードかスーパーツイステッドネマチックモードによっ
て要求されるチルト角が異なるため、材料、露光条件な
どが選択される。特に、表示素子として通常用いられる
程度のチルト角を得るためには、二種類の光線の方向の
中間の方向と基板のなす角（θ0 ）が２度よりも大き
く、４５度よりも小さいものとすることが好ましい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４３】理想的には形成される配向膜の傾き角（θ
2 ）はθ0 となるべきであるが、例えば光架橋性の化合
物を使用した場合、実際にはエッチングの際に露光部の
下の未露光部が除去されることがあるので、理想的な値
よりも小さくなる。そこで、上記のθ0 の値を変えて適
宜実験を行い、所望のチルト角が得られるようにすれば
よい。
2 ）はθ0 となるべきであるが、例えば光架橋性の化合
物を使用した場合、実際にはエッチングの際に露光部の
下の未露光部が除去されることがあるので、理想的な値
よりも小さくなる。そこで、上記のθ0 の値を変えて適
宜実験を行い、所望のチルト角が得られるようにすれば
よい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４４】クサビのピッチ（Ｌ）は、ほぼ平行な光束
を有する２方向からのレーザー光がなす角度が９０度の
場合、使用するレーザー光の波長をλとした場合 Ｌ＝λ／（２1/2 ｓｉｎθ0 ） となることが期待される。
を有する２方向からのレーザー光がなす角度が９０度の
場合、使用するレーザー光の波長をλとした場合 Ｌ＝λ／（２1/2 ｓｉｎθ0 ） となることが期待される。
Claims (4)
- 【請求項１】(1) 光によって反応して光の照射部分と非
照射部分とが異なった性質を生じる化合物からなる被膜
を基板上に形成する被膜形成工程と、(2) 複数のコヒー
レント光を、夫々基板の両面から上記基板上の被膜に照
射し、上記基板の上の被膜部分で干渉作用により縞状に
被膜の性質を変える光照射工程と、(3) この被膜を、被
膜の光の照射部分と非照射部分とのいずれかの部分を被
膜の性質の差により除去可能な被膜除去性化合物にさら
して、部分的に被膜を除去する被膜除去工程と、を含み
液晶用配向膜を基板上に形成することを特徴とする液晶
用配向膜の形成方法。 - 【請求項２】請求項１の液晶用配向膜の形成方法におい
て、(1) 光によって反応して硬化が起こり、光の照射部
分が硬化する光硬化性化合物からなる被膜を基板上に形
成する被膜形成工程と、(2) 複数のコヒーレント光を、
夫々基板の両面から上記基板上の被膜に照射し、上記基
板の上の被膜部分で干渉作用により縞状に被膜に光硬化
部分を形成する光照射工程と、(3) この被膜を、非照射
部分の被膜の性質の差により除去可能な被膜除去性化合
物にさらして、非照射部分の被膜を除去する被膜除去工
程と、を含み液晶用配向膜を基板上に形成することを特
徴とする液晶用配向膜の形成方法。 - 【請求項３】請求項１または２の液晶用配向膜の形成方
法において、被膜除去工程の後、被膜の硬化を完了させ
る硬化完了工程を行うことを特徴とする液晶用配向膜の
形成方法。 - 【請求項４】請求項１〜３のいずれかの方法で液晶用配
向膜を形成した基板を少なくとも１枚使用し、一対の基
板間に液晶を挟持したことを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16014992A JPH05181138A (ja) | 1991-09-20 | 1992-05-27 | 液晶用配向膜の形成方法及びそれを用いた液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26880191 | 1991-09-20 | ||
| JP3-268801 | 1991-09-20 | ||
| JP16014992A JPH05181138A (ja) | 1991-09-20 | 1992-05-27 | 液晶用配向膜の形成方法及びそれを用いた液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05181138A true JPH05181138A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=26486732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16014992A Withdrawn JPH05181138A (ja) | 1991-09-20 | 1992-05-27 | 液晶用配向膜の形成方法及びそれを用いた液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05181138A (ja) |
-
1992
- 1992-05-27 JP JP16014992A patent/JPH05181138A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6368681B1 (en) | Liquid crystal alignment film, method of manufacturing the film, liquid crystal display using the film and method, and method of manufacturing the liquid crystal display | |
| US6268897B1 (en) | Liquid crystal display device | |
| JP3452621B2 (ja) | 液晶表示素子用配向膜の形成方法 | |
| JP3308356B2 (ja) | 液晶素子用配向膜付き基板およびその製造方法ならびに液晶素子 | |
| TW559681B (en) | Liquid crystal alignment layer and method of manufacturing the same, and liquid crystal display utilizing the alignment layer and method of manufacturing the same | |
| JPH08328005A (ja) | 液晶配向膜、液晶配向膜の処理方法、液晶挟持基板、液晶表示素子、液晶表示素子の製造方法及び液晶配向膜用材料 | |
| KR100296498B1 (ko) | 배향성 화학 흡착 단분자막의 제조방법 | |
| KR100462268B1 (ko) | 액정표시장치의 반사재의 제조 방법 | |
| JP2001051266A (ja) | カラーフィルタ及び液晶表示装置 | |
| JPS6060624A (ja) | 液晶表示パネルおよびその製造方法 | |
| US10012870B2 (en) | Alignment device and manufacturing method of alignment film and display substrate | |
| US20020039628A1 (en) | Liquid crystal alignment film, method of producing the same, liquid crystal display made by using the film, and method of producing the same | |
| US10203555B2 (en) | Process for producing a phase difference control component and liquid crystal display device | |
| US5946064A (en) | Alignment layer, method for forming alignment layer and LCD having the same | |
| JP3251690B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH05181138A (ja) | 液晶用配向膜の形成方法及びそれを用いた液晶表示素子 | |
| WO2012086159A1 (ja) | 表示装置並びに薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 | |
| JP3127576B2 (ja) | 液晶表示パネル、及び液晶表示パネルの製造方法 | |
| KR20000020574A (ko) | 액정표시장치의 배향막 형성방법 | |
| JPH11249142A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0784266A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| CN105607349A (zh) | Pi液涂布方法 | |
| JP2001356348A (ja) | 液晶配向膜の製造方法、並びに液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP3503019B2 (ja) | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP2004309780A (ja) | 液晶表示素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |