JPH0518178B2 - - Google Patents
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- JPH0518178B2 JPH0518178B2 JP14783484A JP14783484A JPH0518178B2 JP H0518178 B2 JPH0518178 B2 JP H0518178B2 JP 14783484 A JP14783484 A JP 14783484A JP 14783484 A JP14783484 A JP 14783484A JP H0518178 B2 JPH0518178 B2 JP H0518178B2
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020634 Co Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020517 Co—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020516 Co—V Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020515 Co—W Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018553 Ni—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- -1 SiC and WC Chemical class 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N pentostatin Chemical compound C1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(N=CNC[C@H]2O)=C2N=C1 FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄
膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の製造方法に
関する。 従来例の構成とその問題点 近年磁気記録の高密度化の進展は著しく、強磁
性金属薄膜型の磁気記録媒体の実用化を必要とす
るとこまできている。 強磁性金属薄膜の形成法は、無電解めつき、ス
パツタリング、真空蒸着、イオンプレーテイング
等が公知であるが、大量生産を前提に考えると、
真空蒸着法が適しているが、一般にスパツタリン
グが蒸着原子の運動エネルギーが大きいので、磁
気特性が優れている。 真空蒸着法の改良はスパツタリング法で得られ
る磁気特性を目標に進められ、そのひとつの方法
は蒸着時に基板を加熱することである。 この方法で例えばCo−Crの垂直磁化膜を得る
ことが真空蒸着法でもでき、基板温度は同じ抗磁
力を得るのに約150℃程高温を必要とする。 このため、基板としてポリエステルが用いるこ
とができないので特殊で高価な基板に頼らざるを
得ないと考えられていた。 第１図は従来の磁気記録媒体の製造に用いられ
た真空蒸着装置の要部構成図である。 第１図で１は基板、２は送り出し軸３は巻取り
軸、４は円筒キヤンで５は該キヤンの温調を行う
ための媒体の循環炉を模式的に示したものであ
る。６は蒸発源容器、７は蒸着材料、８は蒸気
流、９はマスクである。 第１図に示した装置で例えば、円筒キヤンの表
面温度を200℃にして蒸着するとすると、用いら
れる基板は、急激に膨張し、シワが発生し、その
部分は熱伝達が悪化し、たちまち溶融してしま
う、いわゆる熱負け現象を誘起してしまうことに
なり、長尺の磁気記録媒体を得ることができな
い。斜方蒸着はともかく、垂直磁化膜をうる時こ
の問題に直面する。 このことからポリイミド等の耐熱基板が使用さ
れるのであるが、経済的制約から実用に供するこ
とができないため、基礎的検討の段階にとどまつ
ているのが現状である。 発明の目的 本発明は上記事情に鑑みなされたもので、長尺
の磁気記録媒体を基板を選ばずに量産できる方法
を提供するものである。 発明の構成 本発明の磁気記録媒体の製造方法は、冷却可能
な円筒キヤンの表面に絶縁層と導電層を積層して
得られる周側面に沿つて高分子基板を移動させな
がら磁性層を形成することを特徴とし、高分子基
板に熱ダメージを与えることなく所望の磁気記録
層を得ることができるものである。 実施例の説明 以下図面を参照しながら本発明の実施例を説明
する。 第２図は本発明の実施に用いた蒸着装置の要部
構成図である。 第２図で１０は高分子基板、１１は送り出し
軸、１２は巻取り軸、１３は円筒キヤンで、１４
は導電層、１５は絶縁層、１６は冷却媒体循環路
である。 １７は蒸発源容器、１８は蒸着材料、１９は蒸
気流、２０はマスク、２１はスリツトである。 本発明によれば、絶縁層により、基板の受けた
輻射熱、蒸発潜熱等による入熱に対して、冷却効
果が小さくなつているから、基板表面の温度は高
くすることが実効的にできる。 従来のようにキヤン側から熱を与えて、基板温
度をあげなくてよいから、基板がキヤンに入る所
で膨脹して発生するシワがないので、熱的ダメー
ジを防げるのである。 導電層の役割は、基板をこの層に密着させるた
めで、静電引力により、接触状態を一定に保つも
のである。この層は従つて、好ましくは接地電位
にあるべきである。 この導電層があることで、基板の温度が蒸着時
に瞬間に高温になり、且つ熱負けしない状態に保
持できるもので、基板として耐熱度が厳しく要求
されないのと、磁気特性も改良され、スパツタリ
ングで得られるものと同様以上にできるものであ
る。 又、蒸着が終ると、キヤンに沿つてすぐ冷却さ
れる従来の方法と異なり、輻射熱で冷えていくこ
とを主に考えれば良いから、徐冷されることにな
り、この過程も、得られる磁性層の経時安定性、
機械強度等の点で改良されることに役立つもので
ある。 本発明の円筒キヤンは、例えばステンレス製の
ドラムの周側面に、SiC、WC等の炭化物、SiO2、
SiO、TiO2、Al2O3等の酸化物等を1μｍから100μ
ｍコーテイングし、その上に、NiCr、Cr、Cr−
Ｐ、Ti−Cr等をコーテイングして得られるもの
で、表面粗サは、最大でも0.4μｍ以下が好まし
い。 コーテイング方法は、プラズマ溶射によるもの
が実使用下での耐久性からみて好ましいが、他の
被覆方法でも良いのは勿論である。 以下さらに具体的に一実施例を説明する。 〔実施例〕 直径60cmのステンレス製の円筒キヤン上に、プ
ラズマ溶射でSiCを20μｍコーテイングし、その
上にイオンプレーテイングによりCrを0.6μｍコー
テイングした。表面粗さは約0.12μｍであつた。 このキヤンを用いた第２図に示したような構成
の蒸着装置で垂直磁化膜を形成した。 キヤン表面と蒸発源の距離は、27cmで、蒸発源
の加熱は電子ビームによつた。マスクに設けたス
リツトは、キヤン表面の直下2.9cmで、移動方向
の長さは６cmとした。 キヤンは厚み６mmのステンレスで内部に水が循
環できるようにしたものである。 比較のためにスパツタ法で、従来のキヤンを用
いて垂直磁化膜を形成した。ターゲツトは移動方
向の幅は５インチのもので実施した。 条件と得られた垂直磁化膜の特性を次表にまと
めて示した。
膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の製造方法に
関する。 従来例の構成とその問題点 近年磁気記録の高密度化の進展は著しく、強磁
性金属薄膜型の磁気記録媒体の実用化を必要とす
るとこまできている。 強磁性金属薄膜の形成法は、無電解めつき、ス
パツタリング、真空蒸着、イオンプレーテイング
等が公知であるが、大量生産を前提に考えると、
真空蒸着法が適しているが、一般にスパツタリン
グが蒸着原子の運動エネルギーが大きいので、磁
気特性が優れている。 真空蒸着法の改良はスパツタリング法で得られ
る磁気特性を目標に進められ、そのひとつの方法
は蒸着時に基板を加熱することである。 この方法で例えばCo−Crの垂直磁化膜を得る
ことが真空蒸着法でもでき、基板温度は同じ抗磁
力を得るのに約150℃程高温を必要とする。 このため、基板としてポリエステルが用いるこ
とができないので特殊で高価な基板に頼らざるを
得ないと考えられていた。 第１図は従来の磁気記録媒体の製造に用いられ
た真空蒸着装置の要部構成図である。 第１図で１は基板、２は送り出し軸３は巻取り
軸、４は円筒キヤンで５は該キヤンの温調を行う
ための媒体の循環炉を模式的に示したものであ
る。６は蒸発源容器、７は蒸着材料、８は蒸気
流、９はマスクである。 第１図に示した装置で例えば、円筒キヤンの表
面温度を200℃にして蒸着するとすると、用いら
れる基板は、急激に膨張し、シワが発生し、その
部分は熱伝達が悪化し、たちまち溶融してしま
う、いわゆる熱負け現象を誘起してしまうことに
なり、長尺の磁気記録媒体を得ることができな
い。斜方蒸着はともかく、垂直磁化膜をうる時こ
の問題に直面する。 このことからポリイミド等の耐熱基板が使用さ
れるのであるが、経済的制約から実用に供するこ
とができないため、基礎的検討の段階にとどまつ
ているのが現状である。 発明の目的 本発明は上記事情に鑑みなされたもので、長尺
の磁気記録媒体を基板を選ばずに量産できる方法
を提供するものである。 発明の構成 本発明の磁気記録媒体の製造方法は、冷却可能
な円筒キヤンの表面に絶縁層と導電層を積層して
得られる周側面に沿つて高分子基板を移動させな
がら磁性層を形成することを特徴とし、高分子基
板に熱ダメージを与えることなく所望の磁気記録
層を得ることができるものである。 実施例の説明 以下図面を参照しながら本発明の実施例を説明
する。 第２図は本発明の実施に用いた蒸着装置の要部
構成図である。 第２図で１０は高分子基板、１１は送り出し
軸、１２は巻取り軸、１３は円筒キヤンで、１４
は導電層、１５は絶縁層、１６は冷却媒体循環路
である。 １７は蒸発源容器、１８は蒸着材料、１９は蒸
気流、２０はマスク、２１はスリツトである。 本発明によれば、絶縁層により、基板の受けた
輻射熱、蒸発潜熱等による入熱に対して、冷却効
果が小さくなつているから、基板表面の温度は高
くすることが実効的にできる。 従来のようにキヤン側から熱を与えて、基板温
度をあげなくてよいから、基板がキヤンに入る所
で膨脹して発生するシワがないので、熱的ダメー
ジを防げるのである。 導電層の役割は、基板をこの層に密着させるた
めで、静電引力により、接触状態を一定に保つも
のである。この層は従つて、好ましくは接地電位
にあるべきである。 この導電層があることで、基板の温度が蒸着時
に瞬間に高温になり、且つ熱負けしない状態に保
持できるもので、基板として耐熱度が厳しく要求
されないのと、磁気特性も改良され、スパツタリ
ングで得られるものと同様以上にできるものであ
る。 又、蒸着が終ると、キヤンに沿つてすぐ冷却さ
れる従来の方法と異なり、輻射熱で冷えていくこ
とを主に考えれば良いから、徐冷されることにな
り、この過程も、得られる磁性層の経時安定性、
機械強度等の点で改良されることに役立つもので
ある。 本発明の円筒キヤンは、例えばステンレス製の
ドラムの周側面に、SiC、WC等の炭化物、SiO2、
SiO、TiO2、Al2O3等の酸化物等を1μｍから100μ
ｍコーテイングし、その上に、NiCr、Cr、Cr−
Ｐ、Ti−Cr等をコーテイングして得られるもの
で、表面粗サは、最大でも0.4μｍ以下が好まし
い。 コーテイング方法は、プラズマ溶射によるもの
が実使用下での耐久性からみて好ましいが、他の
被覆方法でも良いのは勿論である。 以下さらに具体的に一実施例を説明する。 〔実施例〕 直径60cmのステンレス製の円筒キヤン上に、プ
ラズマ溶射でSiCを20μｍコーテイングし、その
上にイオンプレーテイングによりCrを0.6μｍコー
テイングした。表面粗さは約0.12μｍであつた。 このキヤンを用いた第２図に示したような構成
の蒸着装置で垂直磁化膜を形成した。 キヤン表面と蒸発源の距離は、27cmで、蒸発源
の加熱は電子ビームによつた。マスクに設けたス
リツトは、キヤン表面の直下2.9cmで、移動方向
の長さは６cmとした。 キヤンは厚み６mmのステンレスで内部に水が循
環できるようにしたものである。 比較のためにスパツタ法で、従来のキヤンを用
いて垂直磁化膜を形成した。ターゲツトは移動方
向の幅は５インチのもので実施した。 条件と得られた垂直磁化膜の特性を次表にまと
めて示した。
【表】
【表】
以上の結果より明らかなように、スパツタリン
グによる成膜の10倍を越える速度でスパツタリン
グと同等以上の性能が得られ、且つ基板の種類を
問わず、ダメージなしに媒体の製造ができるもの
である。 本発明は、Co−Cr以外のCo−Ｖ、Co−Ti、
Co−Ｗ等の垂直磁化膜、Ni−Fe等の軟磁性膜、
Co−Ni、Co−Ni−Ｏ、Co−Fe、Co−Mg等の
斜方蒸着膜をポリエステル類、ポリオレフイン
類、セルロース誘導体、ポリアミド、ポリイミド
等の高分子基板上に高速で成膜するのに有用であ
ることを確かめた。 発明の効果 本発明の磁気記録媒体の製造方法は、冷却可能
な円筒キヤンの表面に絶縁層と導電層を積層して
得らる周側面に沿つて高分子基板を移動させなが
ら磁性層を形成することを特徴とし、高分子基板
にダメージを与えないで高性能の磁気記録層を高
速で形成できるものである。
グによる成膜の10倍を越える速度でスパツタリン
グと同等以上の性能が得られ、且つ基板の種類を
問わず、ダメージなしに媒体の製造ができるもの
である。 本発明は、Co−Cr以外のCo−Ｖ、Co−Ti、
Co−Ｗ等の垂直磁化膜、Ni−Fe等の軟磁性膜、
Co−Ni、Co−Ni−Ｏ、Co−Fe、Co−Mg等の
斜方蒸着膜をポリエステル類、ポリオレフイン
類、セルロース誘導体、ポリアミド、ポリイミド
等の高分子基板上に高速で成膜するのに有用であ
ることを確かめた。 発明の効果 本発明の磁気記録媒体の製造方法は、冷却可能
な円筒キヤンの表面に絶縁層と導電層を積層して
得らる周側面に沿つて高分子基板を移動させなが
ら磁性層を形成することを特徴とし、高分子基板
にダメージを与えないで高性能の磁気記録層を高
速で形成できるものである。
第１図は従来の蒸着装置の要部構成図、第２図
は本発明の実施に用いた蒸着装置の要部構成図で
ある。 １０……高分子基板、１３……円筒キヤン、１
４……導電層、１５……絶縁層、１９……蒸気
流。
は本発明の実施に用いた蒸着装置の要部構成図で
ある。 １０……高分子基板、１３……円筒キヤン、１
４……導電層、１５……絶縁層、１９……蒸気
流。
Claims (1)
- １ 冷却可能な円筒キヤンの表面に絶縁層と導電
層を積層して得られる周側面に沿つて高分子基板
を移動させながら磁性層を形成することを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59147834A JPS6126940A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59147834A JPS6126940A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126940A JPS6126940A (ja) | 1986-02-06 |
| JPH0518178B2 true JPH0518178B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=15439296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59147834A Granted JPS6126940A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6126940A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6023459B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2016-11-09 | 株式会社山岸工業 | 固形燃料暖房装置 |
-
1984
- 1984-07-17 JP JP59147834A patent/JPS6126940A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6126940A (ja) | 1986-02-06 |
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