JPH051828Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH051828Y2 JPH051828Y2 JP17176685U JP17176685U JPH051828Y2 JP H051828 Y2 JPH051828 Y2 JP H051828Y2 JP 17176685 U JP17176685 U JP 17176685U JP 17176685 U JP17176685 U JP 17176685U JP H051828 Y2 JPH051828 Y2 JP H051828Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- drain
- current
- mosfet
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の属する技術分野〕
本考案は電力変換器などのスイツチング素子と
して使用するMOSFETのドレイン電流検出回路
に関する。
して使用するMOSFETのドレイン電流検出回路
に関する。
MOSFETを電力変換器などのスイツチング素
子として用いる場合、この主回路の電流は従来第
３図、第４図に示すように変流器または電流検出
抵抗器で検出されている。第３図において、
MOSFET１のドレインＤに変流器２が接続さ
れ、ゲートＧに与えられる信号でドレインからソ
ースＳに電流Idが流れると変流器２の二次側の抵
抗３に電流が流れるから、この抵抗３の両端の電
圧降下Vdで変流器２の一次側の電流Idを検出す
る。また第４図において、MOSFET１のドレイ
ンには電流検出抵抗４が直列に接続され、ゲート
に与えられる信号でドレインからソースに電流Id
が流れると抵抗４に電圧降下Vdを生ずるからこ
の電圧降下Vdで電流Idを検出する。
子として用いる場合、この主回路の電流は従来第
３図、第４図に示すように変流器または電流検出
抵抗器で検出されている。第３図において、
MOSFET１のドレインＤに変流器２が接続さ
れ、ゲートＧに与えられる信号でドレインからソ
ースＳに電流Idが流れると変流器２の二次側の抵
抗３に電流が流れるから、この抵抗３の両端の電
圧降下Vdで変流器２の一次側の電流Idを検出す
る。また第４図において、MOSFET１のドレイ
ンには電流検出抵抗４が直列に接続され、ゲート
に与えられる信号でドレインからソースに電流Id
が流れると抵抗４に電圧降下Vdを生ずるからこ
の電圧降下Vdで電流Idを検出する。
ところで第３図のように電流の検出に変流器を
用いると変流器は高価であり、装置全体が高価に
なるという欠点がある。またMOSFETのドレイ
ンに電流検出抵抗を接続するとこの抵抗中の損失
が電力損失として加わるという欠点がある。
用いると変流器は高価であり、装置全体が高価に
なるという欠点がある。またMOSFETのドレイ
ンに電流検出抵抗を接続するとこの抵抗中の損失
が電力損失として加わるという欠点がある。
本考案は安価で電力損失の少ないMOSFETの
ドレイン電流を検出する回路を提供することを目
的とする。
ドレイン電流を検出する回路を提供することを目
的とする。
本考案は、ドレインとゲームにそれぞれダイオ
ードのカソードを接続し、この両ダイオードのア
ノードを共通に接続して電圧を印加した低電位優
先回路でドレイン・ソース間電圧とゲート・ソー
ス間電圧のうち低い方の電圧を選出し、この電圧
からドレイン電流を検出するもので、導通中のド
レイン・ソース間の電圧はこの間の抵抗とドレイ
ン電流の積に比例し、MOSFETが導通中ドレイ
ン・ソース間の電圧はゲート・ソース間の電圧よ
りも低いことに着目し、このドレイン・ソース間
の電圧が低いときだけ電流検出信号を取り出そう
というものである。
ードのカソードを接続し、この両ダイオードのア
ノードを共通に接続して電圧を印加した低電位優
先回路でドレイン・ソース間電圧とゲート・ソー
ス間電圧のうち低い方の電圧を選出し、この電圧
からドレイン電流を検出するもので、導通中のド
レイン・ソース間の電圧はこの間の抵抗とドレイ
ン電流の積に比例し、MOSFETが導通中ドレイ
ン・ソース間の電圧はゲート・ソース間の電圧よ
りも低いことに着目し、このドレイン・ソース間
の電圧が低いときだけ電流検出信号を取り出そう
というものである。
第１図は本考案の一実施例を示す結線図で
MOSFET１のドレインとソースとの間、ゲート
とソースとの間にはこの間の低い方の電圧を選出
する低電位優先回路５が設けられている。この低
電位優先回路５はドレインとゲートにそれぞれダ
イオード６，７のカソードを接続し、この両ダイ
オード６，７のアノードを共通に接続して、電流
制限抵抗８を介して直流電源９に接続した回路
で、ドレイン電流Idは両ダイオード６，７のアノ
ードとMOSFET１のソースとの間の端子10−12
間に現われる電圧Vsで検出する。11はMOSFET
１をスイツチング制御する制御回路である。
MOSFET１のドレインとソースとの間、ゲート
とソースとの間にはこの間の低い方の電圧を選出
する低電位優先回路５が設けられている。この低
電位優先回路５はドレインとゲートにそれぞれダ
イオード６，７のカソードを接続し、この両ダイ
オード６，７のアノードを共通に接続して、電流
制限抵抗８を介して直流電源９に接続した回路
で、ドレイン電流Idは両ダイオード６，７のアノ
ードとMOSFET１のソースとの間の端子10−12
間に現われる電圧Vsで検出する。11はMOSFET
１をスイツチング制御する制御回路である。
第１図に示す回路の動作を第２図の波形図を参
照しながら説明する。MOSFET１のドレイン・
ソース間に図示しない所定回路を介して電圧Vds
が印加され、この電圧Vdsは比較的高いが、ゲー
トに制御回路１１で電圧Vgsのような矩形波電圧
が印加されると、この電圧Vgsが印加されている
間、ドレイン電流Idが流れ、電圧Vdsは内部電圧
降下Viに低下する。このドレイン・ソース間の電
圧Vdsが電源９の電圧より高い間、電源９からの
電流はダイオード６で阻止されて、ドレインから
ソースへ電流が流れないから端子10−12間には電
流検出信号は送出されない。しかしゲート・ソー
ス間電圧Vgsが高くなり、ドレイン・ソース間が
導通してこの間の電圧が電圧降下Viに低下する
と、ダイオード６のカソード側電圧が低いから電
源９から抵抗８−ダイオード６−ドレイン−ソー
スに電流が流れ、端子10−12間に電流検出信号
Vsが送出される。すなわちMOSFET１が不導通
のときはドレインソース間の電圧は端子10−12側
からしや断され、MOSFET１が導通していると
きだけドレイン電流Idに比例する電流検出信号Vs
を検出することができ、結果としてドレイン電流
Idを検出することができる。
照しながら説明する。MOSFET１のドレイン・
ソース間に図示しない所定回路を介して電圧Vds
が印加され、この電圧Vdsは比較的高いが、ゲー
トに制御回路１１で電圧Vgsのような矩形波電圧
が印加されると、この電圧Vgsが印加されている
間、ドレイン電流Idが流れ、電圧Vdsは内部電圧
降下Viに低下する。このドレイン・ソース間の電
圧Vdsが電源９の電圧より高い間、電源９からの
電流はダイオード６で阻止されて、ドレインから
ソースへ電流が流れないから端子10−12間には電
流検出信号は送出されない。しかしゲート・ソー
ス間電圧Vgsが高くなり、ドレイン・ソース間が
導通してこの間の電圧が電圧降下Viに低下する
と、ダイオード６のカソード側電圧が低いから電
源９から抵抗８−ダイオード６−ドレイン−ソー
スに電流が流れ、端子10−12間に電流検出信号
Vsが送出される。すなわちMOSFET１が不導通
のときはドレインソース間の電圧は端子10−12側
からしや断され、MOSFET１が導通していると
きだけドレイン電流Idに比例する電流検出信号Vs
を検出することができ、結果としてドレイン電流
Idを検出することができる。
なお、第２図のVs′は第１図においてダイオー
ド７が無い場合の端子10−12間に現れる電圧波形
を示す。図に示すように、ダイオード７が無いと
MOSFET１が不導通のときに、電源９の電圧が
端子10−12間に出力される。MOSFET１不導通
時のこの電源９の電圧をカツトするために、ダイ
オード７を挿入している。
ド７が無い場合の端子10−12間に現れる電圧波形
を示す。図に示すように、ダイオード７が無いと
MOSFET１が不導通のときに、電源９の電圧が
端子10−12間に出力される。MOSFET１不導通
時のこの電源９の電圧をカツトするために、ダイ
オード７を挿入している。
本考案によればMOSFETに通電したときだけ
ドレイン電流に比例するドレイン・ソース間の電
圧降下を検出することにより、安価で電力損失の
少ないMOSFETのドレイン電流を検出すること
ができ効果は大きい。
ドレイン電流に比例するドレイン・ソース間の電
圧降下を検出することにより、安価で電力損失の
少ないMOSFETのドレイン電流を検出すること
ができ効果は大きい。
第１図は本考案によるMOSFETのドレイン電
流検出回路の一実施例を示す結線図、第２図は第
１図の各部における波形図、第３図、第４図はそ
れぞれ従来のMOSFETのドレイン電流検出回路
を示す結線図である。 １……MOSFET、５……低電位優先回路、
６，７……ダイオード。
流検出回路の一実施例を示す結線図、第２図は第
１図の各部における波形図、第３図、第４図はそ
れぞれ従来のMOSFETのドレイン電流検出回路
を示す結線図である。 １……MOSFET、５……低電位優先回路、
６，７……ダイオード。
Claims (1)
- ドレインとゲートにそれぞれダイオードのカソ
ードを接続し、この両ダイオードのアノードを共
通に接続して電圧を印加した低電位優先回路でド
レイン・ソース間電圧とゲート・ソース間電圧の
うち低い方の電圧を選出し、この電圧からドレイ
ン電流を検出することを特徴とするMOSFETの
ドレイン電流検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17176685U JPH051828Y2 (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17176685U JPH051828Y2 (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281071U JPS6281071U (ja) | 1987-05-23 |
| JPH051828Y2 true JPH051828Y2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=31107695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17176685U Expired - Lifetime JPH051828Y2 (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH051828Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6293623B2 (ja) * | 2014-09-05 | 2018-03-14 | 株式会社東芝 | 半導体検査装置 |
| US10094863B2 (en) * | 2016-03-02 | 2018-10-09 | Texas Instruments Incorporated | High-resolution power electronics measurements |
-
1985
- 1985-11-08 JP JP17176685U patent/JPH051828Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6281071U (ja) | 1987-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4922404A (en) | Method and apparatus for gating of synchronous rectifier | |
| US10186983B2 (en) | Ideal diode bridge rectifying circuit and control method | |
| EP0345679A3 (en) | A power supply fault protection circuit | |
| US4970635A (en) | Inverter with proportional base drive controlled by a current transformer | |
| US6946829B2 (en) | Device for measuring a chopped current | |
| JP2544550Y2 (ja) | 整流器 | |
| JPH0646195Y2 (ja) | 磁石式交流発電機の電圧調整器 | |
| JPS62182082U (ja) | ||
| JPS6281071U (ja) | ||
| JP2558621B2 (ja) | 電源回路 | |
| JPH0317471Y2 (ja) | ||
| JPH0435714Y2 (ja) | ||
| JPS647336Y2 (ja) | ||
| JP2573654Y2 (ja) | 過電流検出回路 | |
| JPH03874Y2 (ja) | ||
| JPS605642Y2 (ja) | 交流無接点リレ−回路 | |
| KR890000656Y1 (ko) | 전원자동 절환회로 | |
| KR840000992Y1 (ko) | 전원전압 자동 절환회로 | |
| JP2519886Y2 (ja) | 論理回路 | |
| JP3358091B2 (ja) | 二線式電子スイッチ | |
| JPS6042099U (ja) | 電動機の制動装置 | |
| JPS6114892U (ja) | 過電流保護回路 | |
| JPH02228259A (ja) | 整流装置 | |
| JPH0360876U (ja) | ||
| JPS6042973U (ja) | リアクタンスを含む機器のチエツク回路 |