JPH05190455A - 化合物半導体結晶成長方法 - Google Patents
化合物半導体結晶成長方法Info
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- JPH05190455A JPH05190455A JP279992A JP279992A JPH05190455A JP H05190455 A JPH05190455 A JP H05190455A JP 279992 A JP279992 A JP 279992A JP 279992 A JP279992 A JP 279992A JP H05190455 A JPH05190455 A JP H05190455A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 化合物半導体結晶成長方法に関し、低温にお
いて原子層エピタキシを可能にして急峻なヘテロ界面の
形成や急峻な不純物濃度の制御を可能にする化合物半導
体結晶成長方法を提供することを目的とする。 【構成】 化合物半導体結晶を構成する元素の少なくと
も１種の原材料にこの元素のエチルアミノ基を含む化合
物ガスを使用して気相成長を行うか、または、化合物半
導体結晶を構成する元素の少なくとも１種の原材料にこ
の元素のエチルアミノ基を含む化合物ガスを使用し、エ
チルアミノ基を含む化合物と化合物半導体結晶を構成す
る他の元素の原料ガスとを交互に供給して気相成長を行
うように構成する。
いて原子層エピタキシを可能にして急峻なヘテロ界面の
形成や急峻な不純物濃度の制御を可能にする化合物半導
体結晶成長方法を提供することを目的とする。 【構成】 化合物半導体結晶を構成する元素の少なくと
も１種の原材料にこの元素のエチルアミノ基を含む化合
物ガスを使用して気相成長を行うか、または、化合物半
導体結晶を構成する元素の少なくとも１種の原材料にこ
の元素のエチルアミノ基を含む化合物ガスを使用し、エ
チルアミノ基を含む化合物と化合物半導体結晶を構成す
る他の元素の原料ガスとを交互に供給して気相成長を行
うように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体結晶成長
方法、特に、低温で良好な原子層エピタキシを可能にす
る化合物半導体結晶成長方法の改良に関する。
方法、特に、低温で良好な原子層エピタキシを可能にす
る化合物半導体結晶成長方法の改良に関する。
【０００２】電子デバイスの微細化を進めてその性能を
向上し、更には従来のバルク材料にはない物性を実現し
て新しい機能を有する電子デバイスを開発するなどを目
的として、化合物半導体結晶及びその不純物濃度を原子
層単位で制御することが強く要望されている。
向上し、更には従来のバルク材料にはない物性を実現し
て新しい機能を有する電子デバイスを開発するなどを目
的として、化合物半導体結晶及びその不純物濃度を原子
層単位で制御することが強く要望されている。
【０００３】
【従来の技術】従来、有機金属を使用する原子層エピタ
キシにおいては、例えば良質のガリウムヒ素（ＧａＡ
ｓ）結晶を成長する場合、ガリウム（Ｇａ）原料として
はトリメチルガリウム〔（ＣＨ3 ）3 Ｇａ〕を使用し、
ヒ素（Ａｓ）の原料としてはアルシン（ＡｓＨ3 ）を使
用し、成長温度５００℃においてこれらの原料ガスを交
互に基板結晶上に供給して単原子層成長を行っている。
キシにおいては、例えば良質のガリウムヒ素（ＧａＡ
ｓ）結晶を成長する場合、ガリウム（Ｇａ）原料として
はトリメチルガリウム〔（ＣＨ3 ）3 Ｇａ〕を使用し、
ヒ素（Ａｓ）の原料としてはアルシン（ＡｓＨ3 ）を使
用し、成長温度５００℃においてこれらの原料ガスを交
互に基板結晶上に供給して単原子層成長を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、５００
℃の温度でヘテロ界面を有する化合物半導体結晶を成長
した場合、ヘテロ界面近傍において化合物半導体の構成
原子の相互拡散が発生し、急峻なヘテロ界面を形成する
ことが困難である。また、単原子層の厳密さをもって急
峻な不純物濃度の制御を行うことも難しい。さらに、熱
膨張率の大きく異なる化合物からなるヘテロ界面の成長
を行った場合、その成長後に結晶を室温に戻した時に化
合物相互間の熱膨張率の差によって反りや歪みを生ず
る。
℃の温度でヘテロ界面を有する化合物半導体結晶を成長
した場合、ヘテロ界面近傍において化合物半導体の構成
原子の相互拡散が発生し、急峻なヘテロ界面を形成する
ことが困難である。また、単原子層の厳密さをもって急
峻な不純物濃度の制御を行うことも難しい。さらに、熱
膨張率の大きく異なる化合物からなるヘテロ界面の成長
を行った場合、その成長後に結晶を室温に戻した時に化
合物相互間の熱膨張率の差によって反りや歪みを生ず
る。
【０００５】かといって、５００℃よりも低い温度、例
えば３５０℃で結晶成長を実施する場合、例えばガリウ
ム（Ｇａ）の原材料にトリメチルガリウム〔（ＣＨ3 ）
3 Ｇａ〕を使用する場合には成長温度が低すぎて分解が
進まないという問題がある。また、トリメチルガリウム
〔（ＣＨ3 ）3 Ｇａ〕を使用してガリウムヒ素（ＧａＡ
ｓ）を成長する場合には、不純物として炭素（Ｃ）が混
入すると云う問題も発生する。
えば３５０℃で結晶成長を実施する場合、例えばガリウ
ム（Ｇａ）の原材料にトリメチルガリウム〔（ＣＨ3 ）
3 Ｇａ〕を使用する場合には成長温度が低すぎて分解が
進まないという問題がある。また、トリメチルガリウム
〔（ＣＨ3 ）3 Ｇａ〕を使用してガリウムヒ素（ＧａＡ
ｓ）を成長する場合には、不純物として炭素（Ｃ）が混
入すると云う問題も発生する。
【０００６】本発明の目的は、これらの欠点を解消する
ことにあり、低温において原子層エピタキシを可能にし
て急峻なヘテロ界面の形成や急峻な不純物濃度の制御を
可能にする化合物半導体結晶成長方法を提供することに
ある。
ことにあり、低温において原子層エピタキシを可能にし
て急峻なヘテロ界面の形成や急峻な不純物濃度の制御を
可能にする化合物半導体結晶成長方法を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、化合物半
導体結晶を構成する元素の少なくとも１種の原材料にこ
の元素のエチルアミノ基を含む化合物ガスを使用して気
相成長を行う化合物半導体結晶成長方法、または、化合
物半導体結晶を構成する元素の少なくとも１種の原材料
にこの元素のエチルアミノ基を含む化合物ガスを使用
し、この元素のエチルアミノ基を含む化合物と前記の化
合物半導体結晶を構成する他の元素の原料ガスとを交互
に供給して気相成長を行う化合物半導体結晶成長方法に
よって達成される。なお、前記のエチルアミノ基を含む
化合物はエチルメチルアミノガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2
Ｈ5 ）x （ＣＨ3 ）y ＮＨ3-x-y 〕、エチルメチルアミ
ノアラン〔ＡｌＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）x （ＣＨ3 ）y ＮＨ
3-x-y 〕、または、エチルメチルアミノイラン〔ＩｎＨ
3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）x （ＣＨ3 ）y ＮＨ3-x-y 〕が好まし
い。
導体結晶を構成する元素の少なくとも１種の原材料にこ
の元素のエチルアミノ基を含む化合物ガスを使用して気
相成長を行う化合物半導体結晶成長方法、または、化合
物半導体結晶を構成する元素の少なくとも１種の原材料
にこの元素のエチルアミノ基を含む化合物ガスを使用
し、この元素のエチルアミノ基を含む化合物と前記の化
合物半導体結晶を構成する他の元素の原料ガスとを交互
に供給して気相成長を行う化合物半導体結晶成長方法に
よって達成される。なお、前記のエチルアミノ基を含む
化合物はエチルメチルアミノガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2
Ｈ5 ）x （ＣＨ3 ）y ＮＨ3-x-y 〕、エチルメチルアミ
ノアラン〔ＡｌＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）x （ＣＨ3 ）y ＮＨ
3-x-y 〕、または、エチルメチルアミノイラン〔ＩｎＨ
3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）x （ＣＨ3 ）y ＮＨ3-x-y 〕が好まし
い。
【０００８】
【作用】ガリウム（Ｇａ）の原材料にメチルアミノ基を
含む化合物の１例としてモノエチルアミノガラン〔Ｇａ
Ｈ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 〕を使用し、ヒ素（Ａｓ）の
原材料にアルシン（ＡｓＨ3 ）を使用し、これらを交互
に基板上に供給してガリウムヒ素（ＧａＡｓ）結晶を成
長する場合を例にして作用を説明する。
含む化合物の１例としてモノエチルアミノガラン〔Ｇａ
Ｈ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 〕を使用し、ヒ素（Ａｓ）の
原材料にアルシン（ＡｓＨ3 ）を使用し、これらを交互
に基板上に供給してガリウムヒ素（ＧａＡｓ）結晶を成
長する場合を例にして作用を説明する。
【０００９】モノエチルアミノガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ
2 Ｈ5 ）ＮＨ2 〕はヒ素（Ａｓ）面上には吸着し、吸着
した後はガリウム（Ｇａ）にすばやく分解する。これは
モノエチルアミノガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ
2 〕中の（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 −基とガリウム（Ｇａ）と
の結合力が弱いため１５０℃以下の低温においても分解
するためである。さらに、（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 −の形で
離脱していくため炭素（Ｃ）の混入は防止される。これ
に対し、ガリウム（Ｇａ）面上にはモノエチルアミノガ
ラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 〕は吸着しない。
この吸着効果の差によってセルフリミッティング効果が
得られ、モノエチルアミノガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ
5 ）ＮＨ2 〕とアルシン（ＡｓＨ3 ）とを交互に供給す
ることにより低温における原子層エピタキシが可能にな
る。
2 Ｈ5 ）ＮＨ2 〕はヒ素（Ａｓ）面上には吸着し、吸着
した後はガリウム（Ｇａ）にすばやく分解する。これは
モノエチルアミノガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ
2 〕中の（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 −基とガリウム（Ｇａ）と
の結合力が弱いため１５０℃以下の低温においても分解
するためである。さらに、（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 −の形で
離脱していくため炭素（Ｃ）の混入は防止される。これ
に対し、ガリウム（Ｇａ）面上にはモノエチルアミノガ
ラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 〕は吸着しない。
この吸着効果の差によってセルフリミッティング効果が
得られ、モノエチルアミノガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ
5 ）ＮＨ2 〕とアルシン（ＡｓＨ3 ）とを交互に供給す
ることにより低温における原子層エピタキシが可能にな
る。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例に
係る化合物半導体結晶成長方法について説明する。
係る化合物半導体結晶成長方法について説明する。
【００１１】図２に有機金属気相成長装置の構成図を示
す。図において、１は石英反応室であり、２はガス切り
換えバルブであり、３は排気口であり、４は真空排気口
であり、５は圧力コントローラであり、６は高周波加熱
コイルであり、７はカーボンサセプタである。
す。図において、１は石英反応室であり、２はガス切り
換えバルブであり、３は排気口であり、４は真空排気口
であり、５は圧力コントローラであり、６は高周波加熱
コイルであり、７はカーボンサセプタである。
【００１２】ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板８をカーボ
ンサセプタ７に装着し、真空排気口４から真空吸引して
石英反応室１内を真空とし、高周波加熱コイル６に高周
波電力を印加して基板８を例えば１５０℃の温度に加熱
する。次いで、表１に示すスケジュールに従ってパージ
用水素ガスと原料ガスとを切り換えバルブ２を介して順
次石英反応室１内に供給する工程を３５４周期繰り返し
実行する。すなわち、まず切り換えバルブ２を介して水
素ガスを０．３秒間供給して石英反応室１内をパージし
た後、５℃の温度に保持されたバブラ（図示せず。）に
水素キャリヤを通気して気化させたモノエチルアミノガ
ラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 〕を供給量４０Ｓ
ＣＣＭをもってｘ秒間供給する。次に、再び水素ガスを
０．３秒間供給して石英反応室１内をパージした後、ア
ルシン（ＡｓＨ3 ）を供給量４８０ＳＣＣＭをもって１
０秒間供給する工程を１周期としてこれを３５４周期繰
り返し実行する。成長中の圧力は６〜５０Torr好ましく
は２０Torr程度に制御する。また、成長温度は室温乃至
４００℃程度の温度範囲が許容範囲であるが、低温成長
が可能であることは極めて特徴的であり、また、有利で
ある。
ンサセプタ７に装着し、真空排気口４から真空吸引して
石英反応室１内を真空とし、高周波加熱コイル６に高周
波電力を印加して基板８を例えば１５０℃の温度に加熱
する。次いで、表１に示すスケジュールに従ってパージ
用水素ガスと原料ガスとを切り換えバルブ２を介して順
次石英反応室１内に供給する工程を３５４周期繰り返し
実行する。すなわち、まず切り換えバルブ２を介して水
素ガスを０．３秒間供給して石英反応室１内をパージし
た後、５℃の温度に保持されたバブラ（図示せず。）に
水素キャリヤを通気して気化させたモノエチルアミノガ
ラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 〕を供給量４０Ｓ
ＣＣＭをもってｘ秒間供給する。次に、再び水素ガスを
０．３秒間供給して石英反応室１内をパージした後、ア
ルシン（ＡｓＨ3 ）を供給量４８０ＳＣＣＭをもって１
０秒間供給する工程を１周期としてこれを３５４周期繰
り返し実行する。成長中の圧力は６〜５０Torr好ましく
は２０Torr程度に制御する。また、成長温度は室温乃至
４００℃程度の温度範囲が許容範囲であるが、低温成長
が可能であることは極めて特徴的であり、また、有利で
ある。
【００１３】
【表１】 H2パージ GaH3・(C2H5)NH2 H2パージ AsH3 流量(SCCM) − ４０ − ４８０ 時間（秒） ０．３ ｘ ０．３ １０ 上記の結果から１周期あたりの成長膜厚のガリウムヒ素
（ＧａＡｓ）１分子層の厚さに対する比とモノエチルア
ミノガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 〕の供給時
間ｘとの関係を求めると図１に示すグラフが得られる。
成長温度が１５０℃の場合においてもモノエチルアミノ
ガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 〕の供給時間が
約４秒に達すれば、これ以上供給時間を増加させても成
長膜厚は増加せずに１周期あたりのガリウムヒ素（Ｇａ
Ａｓ）の成長膜厚が１分子層厚に保たれた原子層エピタ
キシ成長が可能であるという結果が得られた。
（ＧａＡｓ）１分子層の厚さに対する比とモノエチルア
ミノガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 〕の供給時
間ｘとの関係を求めると図１に示すグラフが得られる。
成長温度が１５０℃の場合においてもモノエチルアミノ
ガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 〕の供給時間が
約４秒に達すれば、これ以上供給時間を増加させても成
長膜厚は増加せずに１周期あたりのガリウムヒ素（Ｇａ
Ａｓ）の成長膜厚が１分子層厚に保たれた原子層エピタ
キシ成長が可能であるという結果が得られた。
【００１４】なお、化合物半導体結晶を構成する元素の
エチルアミノ基を含む化合物としては、モノエチルアミ
ノガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 〕の他に、ジ
エチルアミノガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ
Ｈ〕、トリエチルアミノガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ
2 Ｈ5 ）3 Ｎ〕、モノメチルジエチルアミノガラン〔Ｇ
ａＨ3 ・（ＣＨ3 ）（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ〕、ジメチルモノ
エチルアミノガラン〔ＧａＨ3 ・（ＣＨ3 ）2 （Ｃ2 Ｈ
5 ）Ｎ〕、モノメチルジモノエチルアミノガラン〔Ｇａ
Ｈ 3 ・（ＣＨ3 ）（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ〕等（これらのガラ
ンを構成するガリウムをアルミニウムまたはインジュウ
ムに置き換えたアラン化合物またはイラン化合物）があ
り、これらいずれの化合物を使用した場合にも低温にお
いて原子層エピタキシ成長が可能であることが確認され
た。
エチルアミノ基を含む化合物としては、モノエチルアミ
ノガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 〕の他に、ジ
エチルアミノガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ
Ｈ〕、トリエチルアミノガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ
2 Ｈ5 ）3 Ｎ〕、モノメチルジエチルアミノガラン〔Ｇ
ａＨ3 ・（ＣＨ3 ）（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｎ〕、ジメチルモノ
エチルアミノガラン〔ＧａＨ3 ・（ＣＨ3 ）2 （Ｃ2 Ｈ
5 ）Ｎ〕、モノメチルジモノエチルアミノガラン〔Ｇａ
Ｈ 3 ・（ＣＨ3 ）（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ〕等（これらのガラ
ンを構成するガリウムをアルミニウムまたはインジュウ
ムに置き換えたアラン化合物またはイラン化合物）があ
り、これらいずれの化合物を使用した場合にも低温にお
いて原子層エピタキシ成長が可能であることが確認され
た。
【００１５】さらに、本発明を用いれば、ＧａＡｓ、Ａ
ｌＡｓ、ＩｎＡｓだけでなく、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎを含む
材料系（ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＡｓ、Ｉ
ｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＧａＳｂ、
ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＩｎ
Ｐ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＡｓＰ、ＡｌＡｓＮ、ＡｌＰＮ、
ＡｌＡｓＳｂ、ＡｌＰＳｂ、ＡｌＳｂＮ、ＡｌＧａＳ
ｂ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰＮ、ＧａＰ
Ｎ、ＩｎＡｓＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＰ
Ｓｂ、ＩｎＳｂＮ、ＧａＳｂＮ、ＩｎＧａＰＳｂ、Ｉｎ
ＧａＡｓＳｂ、ＩｎＡｓＰＳｂ、ＧａＡｓＰＳｂ、Ａｌ
ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＳｂ、ＡｌＩｎＧａＮ、Ａｌ
ＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＰＳｂ、ＡｌＡｓＰＳｂ、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＭｇＯ・Ａｌ2 Ｏ3 等およびそれぞれを組み合
わせた超格子構造）を低温で成長することが可能であ
る。
ｌＡｓ、ＩｎＡｓだけでなく、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎを含む
材料系（ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＡｓ、Ｉ
ｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＧａＳｂ、
ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＩｎ
Ｐ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＡｓＰ、ＡｌＡｓＮ、ＡｌＰＮ、
ＡｌＡｓＳｂ、ＡｌＰＳｂ、ＡｌＳｂＮ、ＡｌＧａＳ
ｂ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰＮ、ＧａＰ
Ｎ、ＩｎＡｓＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＰ
Ｓｂ、ＩｎＳｂＮ、ＧａＳｂＮ、ＩｎＧａＰＳｂ、Ｉｎ
ＧａＡｓＳｂ、ＩｎＡｓＰＳｂ、ＧａＡｓＰＳｂ、Ａｌ
ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＳｂ、ＡｌＩｎＧａＮ、Ａｌ
ＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＰＳｂ、ＡｌＡｓＰＳｂ、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＭｇＯ・Ａｌ2 Ｏ3 等およびそれぞれを組み合
わせた超格子構造）を低温で成長することが可能であ
る。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る化合
物半導体結晶成長方法においては、化合物半導体結晶を
構成する元素の少なくとも１種の原材料に低温において
も分解し、しかも、セルフリミッティング効果を有する
エチルアミノ基を含む化合物を使用しているので、低温
においても化合物半導体結晶の原子層エピタキシ成長が
良好になされ、急峻なヘテロ界面の形成や急峻な不純物
濃度の制御が可能になった。また、熱膨張率の大きく異
なる化合物からなるヘテロ界面を有する電子デバイス材
料の開発等に大きく貢献するものである。
物半導体結晶成長方法においては、化合物半導体結晶を
構成する元素の少なくとも１種の原材料に低温において
も分解し、しかも、セルフリミッティング効果を有する
エチルアミノ基を含む化合物を使用しているので、低温
においても化合物半導体結晶の原子層エピタキシ成長が
良好になされ、急峻なヘテロ界面の形成や急峻な不純物
濃度の制御が可能になった。また、熱膨張率の大きく異
なる化合物からなるヘテロ界面を有する電子デバイス材
料の開発等に大きく貢献するものである。
【図１】１周期あたりの成長膜厚の１分子層厚に対する
比とＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 供給時間との関係を
示すグラフである。
比とＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）ＮＨ2 供給時間との関係を
示すグラフである。
【図２】有機金属気相成長装置の構成図である。
【符号の説明】 １ 石英反応室 ２ ガス切り換えバルブ ３ 排気口 ４ 真空排気口 ５ 圧力コントローラ ６ 高周波加熱コイル ７ カーボンサセプタ ８ 基板
Claims (5)
- 【請求項１】 化合物半導体結晶を構成する元素の少な
くとも１種の原材料に該元素のエチルアミノ基を含む化
合物ガスを使用して気相成長を行うことを特徴とする化
合物半導体結晶成長方法。 - 【請求項２】 化合物半導体結晶を構成する元素の少な
くとも１種の原材料に該元素のエチルアミノ基を含む化
合物ガスを使用し、 該元素のエチルアミノ基を含む化合物と前記化合物半導
体結晶を構成する他の元素の原料ガスとを交互に供給し
て気相成長を行うことを特徴とする化合物半導体結晶成
長方法。 - 【請求項３】 前記エチルアミノ基を含む化合物はエチ
ルメチルアミノガラン〔ＧａＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）x （Ｃ
Ｈ3 ）y ＮＨ3-x-y 〕であることを特徴とする請求項１
または２記載の化合物半導体結晶成長方法。 - 【請求項４】 前記エチルアミノ基を含む化合物はエチ
ルメチルアミノアラン〔ＡｌＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）x （Ｃ
Ｈ3 ）y ＮＨ3-x-y 〕であることを特徴とする請求項１
または２記載の化合物半導体結晶成長方法。 - 【請求項５】 前記エチルアミノ基を含む化合物はエチ
ルメチルアミノイラン〔ＩｎＨ3 ・（Ｃ2 Ｈ5 ）x （Ｃ
Ｈ3 ）y ＮＨ3-x-y 〕であることを特徴とする請求項１
または２記載の化合物半導体結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP279992A JPH05190455A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 化合物半導体結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP279992A JPH05190455A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 化合物半導体結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190455A true JPH05190455A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11539423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP279992A Withdrawn JPH05190455A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 化合物半導体結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190455A (ja) |
-
1992
- 1992-01-10 JP JP279992A patent/JPH05190455A/ja not_active Withdrawn
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