JPH02129913A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02129913A JPH02129913A JP28280188A JP28280188A JPH02129913A JP H02129913 A JPH02129913 A JP H02129913A JP 28280188 A JP28280188 A JP 28280188A JP 28280188 A JP28280188 A JP 28280188A JP H02129913 A JPH02129913 A JP H02129913A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明はＧａを含む化合物半導体の形成、典型的にはＧ
ａＡｓ、の原子層エピタキシャル成長に関し、 Ｇａ層吸着に於けるセルフリミテイング効果を明確なら
しめると共に、エピタキシャル成長層の不純物濃度増加
を抑制することを目的とし、Ｇａ原子層を基板原子面上
に吸着させる際に、先ずトリエチルガリウム（Ｔ Ｅ
Ｇ）を原料として１原子層を越えるＧａ吸着が生じるこ
とのない程度にＧａ原子を吸着させ、 次いでトリメチルガリウム（Ｔ Ｍ Ｇ）を原料とし、
前記１原子層に不足するＧａを吸着させてＩＧａ原子層
を完成させる工程を包含して構成される。
ａＡｓ、の原子層エピタキシャル成長に関し、 Ｇａ層吸着に於けるセルフリミテイング効果を明確なら
しめると共に、エピタキシャル成長層の不純物濃度増加
を抑制することを目的とし、Ｇａ原子層を基板原子面上
に吸着させる際に、先ずトリエチルガリウム（Ｔ Ｅ
Ｇ）を原料として１原子層を越えるＧａ吸着が生じるこ
とのない程度にＧａ原子を吸着させ、 次いでトリメチルガリウム（Ｔ Ｍ Ｇ）を原料とし、
前記１原子層に不足するＧａを吸着させてＩＧａ原子層
を完成させる工程を包含して構成される。
本発明はＧａＡｓの気相エピタキシャル成長法を含む半
導体装置の製造方法に関わり、特に、Ｇａのアルキル化
物を用いて行われる原子層エピタキシャル成長に関わる
。
導体装置の製造方法に関わり、特に、Ｇａのアルキル化
物を用いて行われる原子層エピタキシャル成長に関わる
。
近年、高電子移動度トランジスタ（Ｉ（ＥＭＴ）のよう
なヘテロ接合型の素子や超格子構造を利用した高性能素
子の開発が進められている。そのような素子では、ヘテ
ロ接合や超格子を形成する化合物半導体の組成や厚さを
原子層単位で制御して形成しなければならず、各種半導
体材料の原子層エピタキシャル成長技術の確立が強く要
望されている。
なヘテロ接合型の素子や超格子構造を利用した高性能素
子の開発が進められている。そのような素子では、ヘテ
ロ接合や超格子を形成する化合物半導体の組成や厚さを
原子層単位で制御して形成しなければならず、各種半導
体材料の原子層エピタキシャル成長技術の確立が強く要
望されている。
化合物半導体を原子層エピタキシャル成長させる場合、
一方の組成の原料を供給してその元素の層を１原子層だ
け吸着させ、次に原料ガスを切り換えて他方を１原子層
成だけ長させることの繰り返しによって、必要な層数の
化合物半導体層を形成することが基本的な処理である。
一方の組成の原料を供給してその元素の層を１原子層だ
け吸着させ、次に原料ガスを切り換えて他方を１原子層
成だけ長させることの繰り返しによって、必要な層数の
化合物半導体層を形成することが基本的な処理である。
化合物半導体を構成する一つの元素を１原子層に限定し
て吸着させようとする場合、原料分子の化学的性質や成
長層の結晶構造によって住するセルフリミティング効果
を利用することは殆ど不可欠の要件となっている。
て吸着させようとする場合、原料分子の化学的性質や成
長層の結晶構造によって住するセルフリミティング効果
を利用することは殆ど不可欠の要件となっている。
通常ＧａＡｓの原子層エピタキシーでは、Ｇａの原料と
してＴ Ｍ Ｇ （（ＣＨ２） ５Ｇａ）が、Ａｓの原
料としてアルシン（Ａ３Ｈりが用いられる。
してＴ Ｍ Ｇ （（ＣＨ２） ５Ｇａ）が、Ａｓの原
料としてアルシン（Ａ３Ｈりが用いられる。
その場合のＧａ吸着については、先ずＴＭＧ分子中のＧ
ａが基板に吸着した後に分子が分解して基板面にＧａが
残るという形でＧａ原子層が形成されると考えられてお
り、そのためＧａ上にＧａが堆積することは起こり難く
、従ってセルフリミティング効果が明瞭に現れることに
なる。
ａが基板に吸着した後に分子が分解して基板面にＧａが
残るという形でＧａ原子層が形成されると考えられてお
り、そのためＧａ上にＧａが堆積することは起こり難く
、従ってセルフリミティング効果が明瞭に現れることに
なる。
また、ＧａＡｓを１原子層毎に原料を切り換えて成長さ
せるのではなく、ＧａとＡｓの原料を同時に供給し、化
合物としてＧａＡｓＪｉを成長させる場合には、Ｔ Ｅ
Ｇ （（ＣｚＨｓ） ３Ｇａ） とアルシンを用い
ることがある。
せるのではなく、ＧａとＡｓの原料を同時に供給し、化
合物としてＧａＡｓＪｉを成長させる場合には、Ｔ Ｅ
Ｇ （（ＣｚＨｓ） ３Ｇａ） とアルシンを用い
ることがある。
ＧａＡｓのエピタキシャル成長では、ＴＭＧを原料とし
た場合にはセルフリミティング効果が明瞭に現れ、原子
層エピタキシーが可能であるが、成長層中に炭素（Ｃ）
が不純物として含まれることが多い。炭素はｐ型の不純
物であり、ＧａＡｓでは通常ｎ型層に素子が形成される
から、これは大きな問題となる。
た場合にはセルフリミティング効果が明瞭に現れ、原子
層エピタキシーが可能であるが、成長層中に炭素（Ｃ）
が不純物として含まれることが多い。炭素はｐ型の不純
物であり、ＧａＡｓでは通常ｎ型層に素子が形成される
から、これは大きな問題となる。
一方、ＴＥＣ，を原料とするＧａＡｓエピタキシャル成
長では、成長層中に炭素が不純物として含まれることは
ないが、ＴＥＧによるＧａ吸着ではセルフリミティング
効果が現れず、原子層エピタキシーを行うことが困難で
ある。
長では、成長層中に炭素が不純物として含まれることは
ないが、ＴＥＧによるＧａ吸着ではセルフリミティング
効果が現れず、原子層エピタキシーを行うことが困難で
ある。
本発明の目的は、セルフリミティング効果を利用した原
子層エピタキシーが可能で、然も成長層中の炭素不純物
が少ないエピタキシャル成長法を提供することである。
子層エピタキシーが可能で、然も成長層中の炭素不純物
が少ないエピタキシャル成長法を提供することである。
・上記目的を達成するた゛め、本発明の化合物半導体の
エピタキシャル成長法では、 先ずＴＥＧを原料とし、１原子層を越えるＧａ吸着が生
じることのない量のＧａ原子を吸着させ、次いでＴＭＧ
を原料とし、前記Ｇａ原子層で１原子層に不足するＧａ
原子を吸着させてＩＧａ原子層を完成させることが行わ
れる。
エピタキシャル成長法では、 先ずＴＥＧを原料とし、１原子層を越えるＧａ吸着が生
じることのない量のＧａ原子を吸着させ、次いでＴＭＧ
を原料とし、前記Ｇａ原子層で１原子層に不足するＧａ
原子を吸着させてＩＧａ原子層を完成させることが行わ
れる。
本発明の典型的な実施例であるＧａＡｓの成長では、Ａ
ｓの原料としてアルシンが用いられ、化合物半導体を構
成する他の元素であるＡｓが供給される。
ｓの原料としてアルシンが用いられ、化合物半導体を構
成する他の元素であるＡｓが供給される。
［作 用］
第１図は本発明の基本処理を示す模式図であり、第２図
は本発明に現れる現象を模式的に説明する図である。以
下、これ等の図面を参照しながら本発明の詳細な説明す
る。
は本発明に現れる現象を模式的に説明する図である。以
下、これ等の図面を参照しながら本発明の詳細な説明す
る。
先ず第１図が参照されるが、同図（ａ）１ら）及び（Ｃ
１は、ＴＥＧ、ＴＭＧ及びアルシンがリアクタに供給さ
れる状況を１サイクル分、横軸を共通の時間軸として示
しており、同図（ｄ）は同じ時間軸に於いて基板最表面
に存在するＧａ原子数を比率で示している。このＧａ原
子数の比率は、基板表面の全てが１原子層のＧａで覆わ
れた状態を１とするものである。
１は、ＴＥＧ、ＴＭＧ及びアルシンがリアクタに供給さ
れる状況を１サイクル分、横軸を共通の時間軸として示
しており、同図（ｄ）は同じ時間軸に於いて基板最表面
に存在するＧａ原子数を比率で示している。このＧａ原
子数の比率は、基板表面の全てが１原子層のＧａで覆わ
れた状態を１とするものである。
図（ａ）に示されるように、Ｇａ層形成のために最初Ｔ
ＥＧが時間ｔ、だけ供給される。その間、基板最表面に
存在するＧａ原子は同図（ｄ）に示されるように、ＴＥ
Ｇの供給が停止されるまで増加してゆく。その場合、基
板面に吸着するＧａ原子は、基板面の如何なる位置に於
いても２原子層或いはそれ以上にならないようにＴＥＧ
供給時間１＋を調整する。
ＥＧが時間ｔ、だけ供給される。その間、基板最表面に
存在するＧａ原子は同図（ｄ）に示されるように、ＴＥ
Ｇの供給が停止されるまで増加してゆく。その場合、基
板面に吸着するＧａ原子は、基板面の如何なる位置に於
いても２原子層或いはそれ以上にならないようにＴＥＧ
供給時間１＋を調整する。
次に、Ｈ２ガスによるリアクタ内雰囲気の置換処理を挟
んで、同図（ロ）の如＜ＴＭＧが時間ｔ２だけ供給され
る。このＴＭＧによるＧａ原子の吸着は、上記ＴＥＧに
よるＧａ層の不足を補填する形で進行し、基板全面にＧ
ａ原子層が１層だけ形成されると、セルフリミティング
効果を示し、それ以上の吸着は起こらない。
んで、同図（ロ）の如＜ＴＭＧが時間ｔ２だけ供給され
る。このＴＭＧによるＧａ原子の吸着は、上記ＴＥＧに
よるＧａ層の不足を補填する形で進行し、基板全面にＧ
ａ原子層が１層だけ形成されると、セルフリミティング
効果を示し、それ以上の吸着は起こらない。
即ち同図（ｄ）に示されるように、ＴＭＧ供給時間ｔ２
では、基板表面のＧａ原子の比率は１に到達するまで増
加し、それ以上には上昇しない。即ちＧａは１原子層を
越えて多層に吸着することはない。
では、基板表面のＧａ原子の比率は１に到達するまで増
加し、それ以上には上昇しない。即ちＧａは１原子層を
越えて多層に吸着することはない。
その後、Ｈ２ガスによるリアクタ内雰囲気の置換処理を
挟んで、アルシンを時間ｔ、だけ供給することにより、
Ｇａ原子層上にＡｓ原子層を形成する。Ａｓは蒸気圧が
高く、セルフリミティング効果が顕著なので、ここでも
１原子層を越えて吸着することはない。
挟んで、アルシンを時間ｔ、だけ供給することにより、
Ｇａ原子層上にＡｓ原子層を形成する。Ａｓは蒸気圧が
高く、セルフリミティング効果が顕著なので、ここでも
１原子層を越えて吸着することはない。
以上の処理に於けるＧａ原子の吸着状況を２次元モデル
によって図解したものが第２図である。
によって図解したものが第２図である。
以下、該図面を参照しながら基板面にＧａ原子が吸着す
る状況を説明する。
る状況を説明する。
最初に、原料としてＴＥＧが供給されている間は、Ｇａ
原子は不規則に吸着して行く、但しＧａ原子の分布は巨
視的に均一ではなく、リアクタ内のガスの流れ等の影響
によって、同図（ａ）に示すように、高密度に吸着する
領域Ａと低密度に吸着する領域Ｂが生ずる。図中のＯが
この段階で吸着したＧａ原子を示している。
原子は不規則に吸着して行く、但しＧａ原子の分布は巨
視的に均一ではなく、リアクタ内のガスの流れ等の影響
によって、同図（ａ）に示すように、高密度に吸着する
領域Ａと低密度に吸着する領域Ｂが生ずる。図中のＯが
この段階で吸着したＧａ原子を示している。
ＴＥＧ供給時間ｔ１を、高密度領域に於いても２原子層
或いはそれ以上のＧａ吸着が生じない範囲に設定して、
ＴＥＧの供給を停止し、次にＴＭＧを供給すると、ＴＭ
ＧによるＧａ′＠着はセルフリミティング効果を示すの
で、Ｇａ原子上には吸着せず、残された基板面上のみに
吸着し、同図（１））の如く１層のＧａ原子層を完成さ
せる。図中の◎はＴＭＧによるＧａ原子である。
或いはそれ以上のＧａ吸着が生じない範囲に設定して、
ＴＥＧの供給を停止し、次にＴＭＧを供給すると、ＴＭ
ＧによるＧａ′＠着はセルフリミティング効果を示すの
で、Ｇａ原子上には吸着せず、残された基板面上のみに
吸着し、同図（１））の如く１層のＧａ原子層を完成さ
せる。図中の◎はＴＭＧによるＧａ原子である。
このように、Ｇａ原子が２層或いはそれ以上にならない
範囲でＴＥＧによるＧａ吸着を進めておき、残りをＴＭ
ＧによるＧａ吸着で補填するようにすれば、不純物とし
てＣを含有することの少ないＧａを主とし、且つセルフ
リミティング効果によって正確に１原子層となるＧａ層
を形成することが可能である。
範囲でＴＥＧによるＧａ吸着を進めておき、残りをＴＭ
ＧによるＧａ吸着で補填するようにすれば、不純物とし
てＣを含有することの少ないＧａを主とし、且つセルフ
リミティング効果によって正確に１原子層となるＧａ層
を形成することが可能である。
第３図に本実施例で使用するエピタキシャル成長装置が
示されている。エピタキシャル成長の下地結晶である基
板ｌはサセプタ２に載せられ、反応管であるリアクタ３
内に設置される。ガスマニホールド４には、リアクタ内
部の置換ガスであるＨ２ガス、Ａ ｓ Ｈ３をＨ２で希
釈したガス、ＴＭＧをＨ２で希釈したガス及びＴＥＧを
Ｈ２で希釈したガスの４種のガスが送り込まれ、制御装
置によって選択されたガスがリアクタに送り出される。
示されている。エピタキシャル成長の下地結晶である基
板ｌはサセプタ２に載せられ、反応管であるリアクタ３
内に設置される。ガスマニホールド４には、リアクタ内
部の置換ガスであるＨ２ガス、Ａ ｓ Ｈ３をＨ２で希
釈したガス、ＴＭＧをＨ２で希釈したガス及びＴＥＧを
Ｈ２で希釈したガスの４種のガスが送り込まれ、制御装
置によって選択されたガスがリアクタに送り出される。
原料ガスの供給は、単一種のガスを順次所定時間供給す
る形で行われ、そのサイクルが成長させる層数だけ繰り
返される。リアクタへのガス供給状態を安定なものにす
るため、各原料ガスは常に所定量を流しておき、リアク
タに供給されない時は直接排気系に送るようにするのが
通常である。
る形で行われ、そのサイクルが成長させる層数だけ繰り
返される。リアクタへのガス供給状態を安定なものにす
るため、各原料ガスは常に所定量を流しておき、リアク
タに供給されない時は直接排気系に送るようにするのが
通常である。
第４図に、本実施例に於ける各種原料ガスのりアクタへ
の供給状況が１サイクル分だけ示されている。以下、該
図面が参照される。
の供給状況が１サイクル分だけ示されている。以下、該
図面が参照される。
エピタキシャル成長開始前は、同図（ａ）に示されるよ
うに、置換ガスであるＨ２ガスが１００ ｄ／ｍｉ口の
流量で流されている。これは又、Ａｓ原子層の形成が終
了した状態でもある。Ｇａ原子の吸着は最初ＴＥＧによ
って行われ、バブリングによってＴＥＧが飽和したＨ２
ガスを、同図＠）に示す如く、１００ ｓｆ／ｗｉｎの
速度で３ ｓｅｃだけりアクタに送る。
うに、置換ガスであるＨ２ガスが１００ ｄ／ｍｉ口の
流量で流されている。これは又、Ａｓ原子層の形成が終
了した状態でもある。Ｇａ原子の吸着は最初ＴＥＧによ
って行われ、バブリングによってＴＥＧが飽和したＨ２
ガスを、同図＠）に示す如く、１００ ｓｆ／ｗｉｎの
速度で３ ｓｅｃだけりアクタに送る。
これによって基板表面の大部分にＧａ原子が吸着するが
、この処理時間ではＧａ原子が１層を越えて堆積するこ
とはなく、部分的に未吸着の基板表面が残された状態と
なる。
、この処理時間ではＧａ原子が１層を越えて堆積するこ
とはなく、部分的に未吸着の基板表面が残された状態と
なる。
その後、１秒だけＨ８ガスを流してリアクタ内のＴＥＧ
を排出した後、同図（Ｃ）に示す如く、ＴＭＧをキャリ
ヤ流量３００ Ｈ１／ｗｉｎの速度で０．５ ｓｅｃだ
けりアクタに送る。この処理によって基板表面の残され
た部分にＧａ原子が吸着し、ｌ原子層のＧａ層が形成さ
れる。既に述べたように、ＴＭＧによるＧａ吸着ではセ
ルフリミティング効果が顕著なので、Ｇａ原子層はｌ原
子層以上になることはない。
を排出した後、同図（Ｃ）に示す如く、ＴＭＧをキャリ
ヤ流量３００ Ｈ１／ｗｉｎの速度で０．５ ｓｅｃだ
けりアクタに送る。この処理によって基板表面の残され
た部分にＧａ原子が吸着し、ｌ原子層のＧａ層が形成さ
れる。既に述べたように、ＴＭＧによるＧａ吸着ではセ
ルフリミティング効果が顕著なので、Ｇａ原子層はｌ原
子層以上になることはない。
再びＨｚガスによるリアクタ内ガスの置換を行い、同図
（ｄ）に示す如（、アルシンを４秒間リアクタに送る。
（ｄ）に示す如（、アルシンを４秒間リアクタに送る。
このアルシンガスはＨ，によって１０％の濃度に希釈し
たもので、速度は１００ ａｆ／ｗｉｎである。これも
既に述べたように、Ａｓは蒸気圧が高く、セルフリミテ
ィング効果が顕著なので、１原子層だけＡｓ層が形成さ
れる。
たもので、速度は１００ ａｆ／ｗｉｎである。これも
既に述べたように、Ａｓは蒸気圧が高く、セルフリミテ
ィング効果が顕著なので、１原子層だけＡｓ層が形成さ
れる。
以上の処理がＧａＡｓ層を１層だけ形成する単位サイク
ルであり、これに続く１秒間のＨオガス送入がサイクル
開始時の状態に対応する。この単位サイクルを必要回数
繰り返すことにより、所定の原子層数のエピタキシャル
成長が行われる。
ルであり、これに続く１秒間のＨオガス送入がサイクル
開始時の状態に対応する。この単位サイクルを必要回数
繰り返すことにより、所定の原子層数のエピタキシャル
成長が行われる。
Ｃ発明の効果〕
以上説明した如く本発明では、Ｇａ原子の吸着を主とし
てＴＥＧによって行うことで、不純物となるＣ原子の取
り込みを抑制し、不足のＧａ原子の吸着はＴＭＧによっ
て行うことでセルフリミティング効果を生ぜしめ、過剰
の無いＧａ原子層の吸着形成を実現している。
てＴＥＧによって行うことで、不純物となるＣ原子の取
り込みを抑制し、不足のＧａ原子の吸着はＴＭＧによっ
て行うことでセルフリミティング効果を生ぜしめ、過剰
の無いＧａ原子層の吸着形成を実現している。
第１図は本発明の基本処理を示す模式図、第２図は本発
明に現れる現象を模式的に説明する図、 第３図は本実施例で使用するエピタキシャル成長装置を
示す模式図、 第４図は本実施例に於ける各種原料ガスのりアクタへの
供給状況を示す図 であって、 図に於いて １は基手反、 ２はサセプタ、 ３はリアクタ、 ４はガスマニホールド である。 本発明の基本処理を示す模式図 第１図 （ａ）ＴＥＧによるＧａ１１１着 （ｂ）ＴＭＧによるＧａ吸着（補填） ０：ＴＥＧによるＧａ ＠：ＴＭＧによるＧａ 本発明に現れる現象を模式的に説明する図第２図
明に現れる現象を模式的に説明する図、 第３図は本実施例で使用するエピタキシャル成長装置を
示す模式図、 第４図は本実施例に於ける各種原料ガスのりアクタへの
供給状況を示す図 であって、 図に於いて １は基手反、 ２はサセプタ、 ３はリアクタ、 ４はガスマニホールド である。 本発明の基本処理を示す模式図 第１図 （ａ）ＴＥＧによるＧａ１１１着 （ｂ）ＴＭＧによるＧａ吸着（補填） ０：ＴＥＧによるＧａ ＠：ＴＭＧによるＧａ 本発明に現れる現象を模式的に説明する図第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板原子面にＧａ原子層を吸着させる際に、先ずトリエ
チルガリウム（ＴＥＧ）を原料として１原子層を越えて
Ｇａ吸着が生じることのない量のＧａ原子を吸着させ、 次いでトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を原料とし、前記
Ｇａ原子層で１原子層に不足するＧａ原子を吸着させて
１原子層のＧａ層を完成させる工程を包含することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28280188A JPH02129913A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28280188A JPH02129913A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129913A true JPH02129913A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17657268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28280188A Pending JPH02129913A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02129913A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03295225A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Semiconductor Res Found | 薄膜の形成方法 |
| US7501344B2 (en) | 2000-06-27 | 2009-03-10 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| JP2011071323A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Koito Mfg Co Ltd | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
| JP2014132683A (ja) * | 2014-03-14 | 2014-07-17 | Koito Mfg Co Ltd | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
-
1988
- 1988-11-09 JP JP28280188A patent/JPH02129913A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03295225A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Semiconductor Res Found | 薄膜の形成方法 |
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| JP2011071323A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Koito Mfg Co Ltd | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
| US9373687B2 (en) | 2009-09-25 | 2016-06-21 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Light emitting ceramic substrate including group-III nitride |
| JP2014132683A (ja) * | 2014-03-14 | 2014-07-17 | Koito Mfg Co Ltd | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
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