JPH05190750A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05190750A JPH05190750A JP4003813A JP381392A JPH05190750A JP H05190750 A JPH05190750 A JP H05190750A JP 4003813 A JP4003813 A JP 4003813A JP 381392 A JP381392 A JP 381392A JP H05190750 A JPH05190750 A JP H05190750A
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- resin
- lead
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- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の薄型化と信頼性を向上させる。
【構成】 半導体素子をフレームの内側に位置させ、そ
の素子とフレームのリードとをワイヤで接続した後樹脂
で封止した、樹脂封止型半導体素子において、前記フレ
ームは、前記素子に向って対向状態に延びて前記素子を
内側から保持する。少なくとも一対の保持リードを向す
るものとして構成する。
の素子とフレームのリードとをワイヤで接続した後樹脂
で封止した、樹脂封止型半導体素子において、前記フレ
ームは、前記素子に向って対向状態に延びて前記素子を
内側から保持する。少なくとも一対の保持リードを向す
るものとして構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特
に、樹脂封止型の半導体装置に関する。
に、樹脂封止型の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の小型化や薄型化は、
各種機器の小型化や回路規模の大規模化に伴って強く要
求されている。特に、メモリカード等の分野では半導体
装置の薄型化の要求が強く、パッケージ技術による対応
が必要となってきている。
各種機器の小型化や回路規模の大規模化に伴って強く要
求されている。特に、メモリカード等の分野では半導体
装置の薄型化の要求が強く、パッケージ技術による対応
が必要となってきている。
【０００３】図１１は従来の半導体装置の平面図であ
り、図１２は図１１の横断面図である。これらの図は、
特に、一般的な樹脂封止薄型半導体装置の例として、フ
ラットパッケージタイプのものを例示するものである。
これらの図に示すように、半導体素子１は、半導体素子
記載部８上に、接着剤７により、接着、固定されてい
る。この半導体素子載置部８は、汎用のものと同様に、
半導体素子載置部吊りピン９により両側から保持されて
いる。半導体素子載置部８の周辺には、隙間をおいて、
リード３が配置されている。このリード３は、半導体素
子１上の半導体素子ボンディングパッド６と、ボンディ
ングワイヤー５により電気的に接続されている。そし
て、半導体素子載置部８とその上の半導体素子１は、ボ
ンディングワイヤー５やリード３の内側と共に、樹脂４
で封止される。その結果、半導体素子１は外界の汚染か
ら保護されることになる。然る後に、樹脂４からはみ出
した吊りピン９をカットし、リード３を成形加工するこ
とにより、半導体装置が構成される。
り、図１２は図１１の横断面図である。これらの図は、
特に、一般的な樹脂封止薄型半導体装置の例として、フ
ラットパッケージタイプのものを例示するものである。
これらの図に示すように、半導体素子１は、半導体素子
記載部８上に、接着剤７により、接着、固定されてい
る。この半導体素子載置部８は、汎用のものと同様に、
半導体素子載置部吊りピン９により両側から保持されて
いる。半導体素子載置部８の周辺には、隙間をおいて、
リード３が配置されている。このリード３は、半導体素
子１上の半導体素子ボンディングパッド６と、ボンディ
ングワイヤー５により電気的に接続されている。そし
て、半導体素子載置部８とその上の半導体素子１は、ボ
ンディングワイヤー５やリード３の内側と共に、樹脂４
で封止される。その結果、半導体素子１は外界の汚染か
ら保護されることになる。然る後に、樹脂４からはみ出
した吊りピン９をカットし、リード３を成形加工するこ
とにより、半導体装置が構成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来の半導体装置では、半導体素子載置部８上に半導体素
子１を接着剤７によって接着、固定することにより、樹
脂４による封止までの間の機械的な安定を保持するよう
にしている。つまり、半導体素子載置部８や接着剤７
が、製造工程における機械的な安定のために、必要不可
欠な要素である。ところが、半導体装置の薄型化を実現
するためには、半導体素子載置部８や接着７の厚みも無
視できない。
来の半導体装置では、半導体素子載置部８上に半導体素
子１を接着剤７によって接着、固定することにより、樹
脂４による封止までの間の機械的な安定を保持するよう
にしている。つまり、半導体素子載置部８や接着剤７
が、製造工程における機械的な安定のために、必要不可
欠な要素である。ところが、半導体装置の薄型化を実現
するためには、半導体素子載置部８や接着７の厚みも無
視できない。
【０００５】また、薄型パッケージ化のためには、樹脂
４の厚さも極力小さくする必要がある。半導体素子１の
上面に被る樹脂４のレジン厚さａと、半導体素子載置部
８の下面に被る樹脂４のレジン厚さｂは、それぞれの要
件から異なった厚みとなる。ところが、このように樹脂
４のレジン厚さに差があると、内外部からの熱の侵入に
伴うレジンの膨脹度合いが異なり、熱膨脹のよる応力の
かかり方がパッケージ４の上面と下面で異なってくる。
その結果、樹脂４や半導体素子１に割れが発生したり、
そのひび割れによる防湿性の低下が起こり、信頼性上極
めて大きな問題となってきている。
４の厚さも極力小さくする必要がある。半導体素子１の
上面に被る樹脂４のレジン厚さａと、半導体素子載置部
８の下面に被る樹脂４のレジン厚さｂは、それぞれの要
件から異なった厚みとなる。ところが、このように樹脂
４のレジン厚さに差があると、内外部からの熱の侵入に
伴うレジンの膨脹度合いが異なり、熱膨脹のよる応力の
かかり方がパッケージ４の上面と下面で異なってくる。
その結果、樹脂４や半導体素子１に割れが発生したり、
そのひび割れによる防湿性の低下が起こり、信頼性上極
めて大きな問題となってきている。
【０００６】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
その目的は、超薄型化を可能にすると共に、素子やパッ
ケージの割れを防止し得る半導体装置を得ることにあ
る。
その目的は、超薄型化を可能にすると共に、素子やパッ
ケージの割れを防止し得る半導体装置を得ることにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の半導体装
置は、半導体素子をフレームの内側に位置させ、その素
子とフレームのリードとをワイヤで接続した後樹脂で封
止した、樹脂封止型半導体素子において、前記フレーム
は、前記素子に向って対向状態に延びて前記素子を内側
から保持する少なくとも一対の保持リードを有するもの
として構成される。 本発明の第２の半導体装置は、前
記第１の装置において、前記保持リードは、当初波型に
形成されたものが平らに加工されることにより、前記素
子を両側から狭み込むことにより保持しているものとし
て構成される。
置は、半導体素子をフレームの内側に位置させ、その素
子とフレームのリードとをワイヤで接続した後樹脂で封
止した、樹脂封止型半導体素子において、前記フレーム
は、前記素子に向って対向状態に延びて前記素子を内側
から保持する少なくとも一対の保持リードを有するもの
として構成される。 本発明の第２の半導体装置は、前
記第１の装置において、前記保持リードは、当初波型に
形成されたものが平らに加工されることにより、前記素
子を両側から狭み込むことにより保持しているものとし
て構成される。
【０００８】
【作用】半導体素子は、フレームから延びる１対の保持
リードによって両側から狭み込まれるように保持され
る。つまり、素子は載置部のない状態で保持される。こ
れにより、製品薄形化が可能となる。また、この後に樹
脂で封止した際に、素子の表裏面の樹脂の厚さを均等に
できる。
リードによって両側から狭み込まれるように保持され
る。つまり、素子は載置部のない状態で保持される。こ
れにより、製品薄形化が可能となる。また、この後に樹
脂で封止した際に、素子の表裏面の樹脂の厚さを均等に
できる。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【００１０】図１は本発明の一実施例の平面図でより、
図２は図１のＡ−Ａ´線断面図、図３は図１のＢ−Ｂ´
線断面図である。これらの図に示すように、半導体素子
１はその４隅が４本の半導体素子保持リード２によって
機械的に保持、固定されている。この状態で、リード３
のインナー側と半導体素子１上のボンディングパッド６
との間が、ボンディングワイヤー５によって電気的に接
続される。半導体素子１、ボンディングワイヤー５、半
導体素子保持リード２のインナー側及びリード３のイン
ナー側が樹脂４に樹脂封止される。樹脂４の外側のリー
ド３を機械的に整形することにより、所望のリード形状
を得て、半導体装置を構成する。
図２は図１のＡ−Ａ´線断面図、図３は図１のＢ−Ｂ´
線断面図である。これらの図に示すように、半導体素子
１はその４隅が４本の半導体素子保持リード２によって
機械的に保持、固定されている。この状態で、リード３
のインナー側と半導体素子１上のボンディングパッド６
との間が、ボンディングワイヤー５によって電気的に接
続される。半導体素子１、ボンディングワイヤー５、半
導体素子保持リード２のインナー側及びリード３のイン
ナー側が樹脂４に樹脂封止される。樹脂４の外側のリー
ド３を機械的に整形することにより、所望のリード形状
を得て、半導体装置を構成する。
【００１１】これらの図からも明らかなように、半導体
素子１は樹脂４によって封止される。しかし、従来のも
ののように、素子を載せる素子載置部を有しないので、
封止されるのは厚さ方向には半導体素子１だけとなる。
このため、樹脂４の厚みを薄くすることができる。従っ
て薄型のフラットパッケージ型の半導体装置を実現でき
る。また、半導体素子１の上面に対応する樹脂４のレジ
ン厚さと半導体素子１の下面に対応する樹脂４レジン厚
さを略等しく構成できる。このため、熱による半導体素
子１や樹脂４の割れを防止できる。
素子１は樹脂４によって封止される。しかし、従来のも
ののように、素子を載せる素子載置部を有しないので、
封止されるのは厚さ方向には半導体素子１だけとなる。
このため、樹脂４の厚みを薄くすることができる。従っ
て薄型のフラットパッケージ型の半導体装置を実現でき
る。また、半導体素子１の上面に対応する樹脂４のレジ
ン厚さと半導体素子１の下面に対応する樹脂４レジン厚
さを略等しく構成できる。このため、熱による半導体素
子１や樹脂４の割れを防止できる。
【００１２】図４は、図１の半導体装置の製造方法を説
明するためのリードフレームの平面図であり、図５は図
４に示した半導体素子保持リード２の先端の斜視図であ
り、図６は基端の斜視図である。
明するためのリードフレームの平面図であり、図５は図
４に示した半導体素子保持リード２の先端の斜視図であ
り、図６は基端の斜視図である。
【００１３】これらの各図に示すように、半導体素子保
持リード２の先端はほぼＬ字形のＬ字形部１２として形
成されている。そして、半導体素子１は、破線で示され
た部分に且つリードフレームと同一平面上に置かれる。
この状態では、半導体素子保持リード２のＬ字形部１２
は、半導体素子１の外形に対して、０．２ｍｍ以上のク
リアランスを有する。一方、半導体素子保持リード２の
基端は、波形の形状を有する波形部１３として構成され
ている。
持リード２の先端はほぼＬ字形のＬ字形部１２として形
成されている。そして、半導体素子１は、破線で示され
た部分に且つリードフレームと同一平面上に置かれる。
この状態では、半導体素子保持リード２のＬ字形部１２
は、半導体素子１の外形に対して、０．２ｍｍ以上のク
リアランスを有する。一方、半導体素子保持リード２の
基端は、波形の形状を有する波形部１３として構成され
ている。
【００１４】この状態で、波形部１３に上下から、もし
くは上からのみ、平滑な板、例えば金属板や樹脂板等に
より圧力を加える。この作業により波形部分は平面に戻
される。それに伴って、半導体素子保持リード２のＬ字
形部１２は長手方向、つまり半導体素子１方向に向かっ
て伸びる。その結果、半導体素子保持リード２と半導体
素子１とのクリアランスがなくなり、半導体素子保持リ
ード２のＬ字形部１２は半導体素子１の４隅の側面に押
し付けられる。これにより、半導体素子１は、リードフ
レーム内側で、リードフレームと同一の平面内の所望の
位置に機械的に固定されることになる。この状態で、半
導体素子１上の半導体素子ボンディングパッド６とリー
ド３とをボンディングワイヤー５によって接続する。こ
のとき、樹脂４によって樹脂封止する。然る後に、リー
ド３のアウター部分を機械的に加工して所望の形状を得
る。
くは上からのみ、平滑な板、例えば金属板や樹脂板等に
より圧力を加える。この作業により波形部分は平面に戻
される。それに伴って、半導体素子保持リード２のＬ字
形部１２は長手方向、つまり半導体素子１方向に向かっ
て伸びる。その結果、半導体素子保持リード２と半導体
素子１とのクリアランスがなくなり、半導体素子保持リ
ード２のＬ字形部１２は半導体素子１の４隅の側面に押
し付けられる。これにより、半導体素子１は、リードフ
レーム内側で、リードフレームと同一の平面内の所望の
位置に機械的に固定されることになる。この状態で、半
導体素子１上の半導体素子ボンディングパッド６とリー
ド３とをボンディングワイヤー５によって接続する。こ
のとき、樹脂４によって樹脂封止する。然る後に、リー
ド３のアウター部分を機械的に加工して所望の形状を得
る。
【００１５】図７は、本発明の他の実施例の平面図であ
る。同図に示すように、半導体素子１は、リードフレー
ムの内側において、その４辺の側面に、Ｔ字形の半導体
素子保持リード２の先端を押し付けられ、機械的に固
定、保持される。この構成においても、図１の構成と同
様に、半導体素子１はリードフレームと略同一平面に配
置される。このため、薄型の半導体装置が得られる。
る。同図に示すように、半導体素子１は、リードフレー
ムの内側において、その４辺の側面に、Ｔ字形の半導体
素子保持リード２の先端を押し付けられ、機械的に固
定、保持される。この構成においても、図１の構成と同
様に、半導体素子１はリードフレームと略同一平面に配
置される。このため、薄型の半導体装置が得られる。
【００１６】図８は、本発明の別の実施例の断面図であ
る。同図においては、半導体素子１の側面に、ポリイミ
ド樹脂等のクッション材１１を予めコーティングしてお
く。このクッション材１１は、半導体素子保持リード２
が半導体素子１の側面に押し付けられた時の半導体素子
１への機械的なダメージを緩和すると共に、半導体素子
１の固定をより安定な状態に保持する。
る。同図においては、半導体素子１の側面に、ポリイミ
ド樹脂等のクッション材１１を予めコーティングしてお
く。このクッション材１１は、半導体素子保持リード２
が半導体素子１の側面に押し付けられた時の半導体素子
１への機械的なダメージを緩和すると共に、半導体素子
１の固定をより安定な状態に保持する。
【００１７】図９は、本発明の更に別の実施例の断面図
である。同図においては、半導体素子保持リード２の半
導体素子１への押し付け面にポリイミド樹脂等のクッシ
ョン材１０を予めコーティングしておく。このクッショ
ン材１０は、図８のクッション材１１と同様に、半導体
素子保持リード２が半導体素子１の側面に押し付けられ
た時の半導体素子１への機械的なダメージを緩和すると
共に、半導体素子１の固定をより安定な状態に保持す
る。
である。同図においては、半導体素子保持リード２の半
導体素子１への押し付け面にポリイミド樹脂等のクッシ
ョン材１０を予めコーティングしておく。このクッショ
ン材１０は、図８のクッション材１１と同様に、半導体
素子保持リード２が半導体素子１の側面に押し付けられ
た時の半導体素子１への機械的なダメージを緩和すると
共に、半導体素子１の固定をより安定な状態に保持す
る。
【００１８】図１０は、本発明の更に別の実施例の断面
図である。同図においては、半導体素子保持リード２の
半導体素子１への押し付け部をハーフエッチング処理
し、形成されたハーフエッチング部１５に半導体素子１
を載置することにより、半導体素子１の保持安定度を高
めている。
図である。同図においては、半導体素子保持リード２の
半導体素子１への押し付け部をハーフエッチング処理
し、形成されたハーフエッチング部１５に半導体素子１
を載置することにより、半導体素子１の保持安定度を高
めている。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体装置
は、リードフレームに半導体素子保持リード形成して、
半導体素子をリードフレームと同一平面に保持するよう
にしたので、薄型のパッケージを実現できると共に、半
導体素子上下面の樹脂のレジン厚みを同一にして、熱等
による応力で半導体素子や樹脂が割れるのを防止するこ
とができる。
は、リードフレームに半導体素子保持リード形成して、
半導体素子をリードフレームと同一平面に保持するよう
にしたので、薄型のパッケージを実現できると共に、半
導体素子上下面の樹脂のレジン厚みを同一にして、熱等
による応力で半導体素子や樹脂が割れるのを防止するこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置の平面。
【図２】図１のＡ−Ａ´線断面図。
【図３】図１のＢ−Ｂ´線断面図。
【図４】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するた
めのリードフレームの平面図。
めのリードフレームの平面図。
【図５】図４に示した半導体素子保持リード２先端の斜
視図。
視図。
【図６】図４に示した半導体素子保持リード２基端の斜
視図。
視図。
【図７】本発明の他の実施例に係る半導体装置の断面
図。
図。
【図８】本発明の別の実施例に係る半導体装置の断面
図。
図。
【図９】本発明の更に別の実施例に係る半導体装置の断
面図。
面図。
【図１０】本発明の更に他の実施例に係る半導体装置の
断面図。
断面図。
【図１１】従来の半導体装置の平面図。
【図１２】図１０の構成の断面図。
１ 半導体素子 ２ 半導体素子保持リード ３ リード ４ 封止樹脂 ５ ボンディングワイヤー ６ 半導体素子ボンディングパッド ７ 接着剤 ８ 半導体素子載置部 ９ 半導体素子載置部吊りピン １０ クッション材 １１ クッション材 １２ Ｌ字形部 １３ 波形部 １５ ハーフエッチング部
Claims (2)
- 【請求項１】半導体素子をフレームの内側に位置させ、
その素子とフレームのリードとをワイヤで接続した後樹
脂で封止した、樹脂封止型半導体素子において、 前記フレームは、前記素子に向って対向状態に延びて前
記素子を内側から保持する少なくとも一対の保持リード
を有する、 ことを特徴とする、半導体装置。 - 【請求項２】前記保持リードは、当初波形に形成された
ものが平らに加工されることにより、前記素子を両側か
ら狭み込むことにより保持している、請求項１記載の装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4003813A JPH05190750A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4003813A JPH05190750A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190750A true JPH05190750A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11567635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4003813A Pending JPH05190750A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190750A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0677873A1 (en) * | 1994-04-13 | 1995-10-18 | AT&T Corp. | A lead frame and a process for fabricating a packaged device containing the lead frame |
| KR100679201B1 (ko) * | 1997-02-25 | 2007-08-16 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 반도체장치및그제조방법 |
-
1992
- 1992-01-13 JP JP4003813A patent/JPH05190750A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0677873A1 (en) * | 1994-04-13 | 1995-10-18 | AT&T Corp. | A lead frame and a process for fabricating a packaged device containing the lead frame |
| KR100679201B1 (ko) * | 1997-02-25 | 2007-08-16 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 반도체장치및그제조방법 |
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