JPH06268143A - リードフレーム及び半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及び半導体装置Info
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- JPH06268143A JPH06268143A JP5054061A JP5406193A JPH06268143A JP H06268143 A JPH06268143 A JP H06268143A JP 5054061 A JP5054061 A JP 5054061A JP 5406193 A JP5406193 A JP 5406193A JP H06268143 A JPH06268143 A JP H06268143A
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- die pad
- lead frame
- semiconductor element
- semiconductor device
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- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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Abstract
(57)【要約】
【目的】大型半導体素子及び銅材フレームを使用した半
導体装置について安価で安定した品質の半導体装置を提
供する。 【構成】リードフレームの半導体素子搭載部すなわちダ
イパッドにダイパッド外周部にまで達する貫通溝を有し
その溝が半導体素子ボンディングパッドにまでかかって
いることを特徴とする半導体装置のリードフレーム及び
そのリードフレームを用いた半導体装置。また、ダイパ
ッド上の貫通溝の幅が外周部溝より内部溝のほうが幅が
広いことを特徴とするリードフレーム。また、ダイパッ
ド上の貫通溝の形状が外周部溝と内部溝の形状と異なる
ことを特徴とするリードフレーム等。 【効果】半導体素子とダイパッドとの間に生じる熱膨張
差は、貫通溝により緩和され半導体素子の反り及び割れ
を低減できる。また、貫通溝および貫通溝の切りかけ部
に樹脂の回り込み、封止樹脂とダイパッドの強固な固定
が可能となる。
導体装置について安価で安定した品質の半導体装置を提
供する。 【構成】リードフレームの半導体素子搭載部すなわちダ
イパッドにダイパッド外周部にまで達する貫通溝を有し
その溝が半導体素子ボンディングパッドにまでかかって
いることを特徴とする半導体装置のリードフレーム及び
そのリードフレームを用いた半導体装置。また、ダイパ
ッド上の貫通溝の幅が外周部溝より内部溝のほうが幅が
広いことを特徴とするリードフレーム。また、ダイパッ
ド上の貫通溝の形状が外周部溝と内部溝の形状と異なる
ことを特徴とするリードフレーム等。 【効果】半導体素子とダイパッドとの間に生じる熱膨張
差は、貫通溝により緩和され半導体素子の反り及び割れ
を低減できる。また、貫通溝および貫通溝の切りかけ部
に樹脂の回り込み、封止樹脂とダイパッドの強固な固定
が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に係わり、
さらに詳しくはパッケージに用いるリードフレームの形
状により信頼性向上に関するものである。
さらに詳しくはパッケージに用いるリードフレームの形
状により信頼性向上に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３（ａ）は、従来の半導体装置を示し
た一部斜視図である。図３（ａ）において１は半導体素
子でありリードフレームのダイパッド２上にエポキシ等
の接着剤を用い固定されている。３は、支持腕でありダ
イパッド２をフレームに固定している。半導体素子１上
のボンディングパッドとリードフレーム上のリード５
は、金線等のワイヤ４で接続され半導体装置が構成され
る。図３（ｂ）は、ダイパッド２の裏面を示した一部平
面図である。図３（ｂ）において、２はダイパッドであ
り支持腕３にてリードフレームに固定されている。ダイ
パッド２の裏面には、板厚の１／２程度の深さまたは、
貫通の穴６が設けられている。
た一部斜視図である。図３（ａ）において１は半導体素
子でありリードフレームのダイパッド２上にエポキシ等
の接着剤を用い固定されている。３は、支持腕でありダ
イパッド２をフレームに固定している。半導体素子１上
のボンディングパッドとリードフレーム上のリード５
は、金線等のワイヤ４で接続され半導体装置が構成され
る。図３（ｂ）は、ダイパッド２の裏面を示した一部平
面図である。図３（ｂ）において、２はダイパッドであ
り支持腕３にてリードフレームに固定されている。ダイ
パッド２の裏面には、板厚の１／２程度の深さまたは、
貫通の穴６が設けられている。
【０００３】上記のようにして、半導体装置が製造され
る。
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
導体装置においては、リードフレームのダイパッド裏面
に板厚の１／２もしくは貫通の穴が設けられている。と
ころが、大サイズの半導体素子を搭載したりフレーム素
材を銅材にすることにより、フレーム素材と半導体素子
との熱膨張差による半導体素子の反り割れといった課題
があった。また、半導体素子のサイズが大きくなること
によって半導体素子及びダイパッドと封止樹脂との密着
性の低下、半導体装置の割れといった課題があった。ま
た、半導体素子のボンディングパッド下面のダイパッド
が大きく欠如しているとワイヤーボンディングの際ボン
ディング品質が低下するといった課題があった。
導体装置においては、リードフレームのダイパッド裏面
に板厚の１／２もしくは貫通の穴が設けられている。と
ころが、大サイズの半導体素子を搭載したりフレーム素
材を銅材にすることにより、フレーム素材と半導体素子
との熱膨張差による半導体素子の反り割れといった課題
があった。また、半導体素子のサイズが大きくなること
によって半導体素子及びダイパッドと封止樹脂との密着
性の低下、半導体装置の割れといった課題があった。ま
た、半導体素子のボンディングパッド下面のダイパッド
が大きく欠如しているとワイヤーボンディングの際ボン
ディング品質が低下するといった課題があった。
【０００５】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、大サイズの半導体素子搭載もしくはフレー
ム材質を銅材とした際の熱膨張差による半導体素子の反
り割れを低減すると共に、ボンディング品質を保ち封止
樹脂との密着性を良くした半導体装置を得ることを目的
とするものである。
れたもので、大サイズの半導体素子搭載もしくはフレー
ム材質を銅材とした際の熱膨張差による半導体素子の反
り割れを低減すると共に、ボンディング品質を保ち封止
樹脂との密着性を良くした半導体装置を得ることを目的
とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】リードフレーム上に半導
体素子を接着固定し、半導体素子のボンディングパッド
とインナーリードとを金線等のワイヤにて接続した後、
樹脂等で封止してなる半導体装置で、リードフレーム上
半導体素子搭載部すなわちダイパッドにダイパッド外周
部にまで達する貫通溝を有しその溝が半導体素子上のボ
ンディングパッドにかかる構造となる半導体装置のリー
ドフレームのを構成したものである。
体素子を接着固定し、半導体素子のボンディングパッド
とインナーリードとを金線等のワイヤにて接続した後、
樹脂等で封止してなる半導体装置で、リードフレーム上
半導体素子搭載部すなわちダイパッドにダイパッド外周
部にまで達する貫通溝を有しその溝が半導体素子上のボ
ンディングパッドにかかる構造となる半導体装置のリー
ドフレームのを構成したものである。
【０００７】また、本発明に係わるリードフレームのダ
イパッド構造はその要求特性によりその溝の形状を変化
させるものである。
イパッド構造はその要求特性によりその溝の形状を変化
させるものである。
【０００８】
【作用】本発明の半導体装置のリードフレームダイパッ
ドは、ダイパッド外周部にまで達する貫通溝を有してい
るため半導体素子をダイパッド上に搭載する際に生じる
熱膨張差を溝を用いて緩和することができる。また、溝
はダイパッド外周部すなわち半導体素子のボンディング
パッド下面に達しているが、外周部溝は内部溝より幅が
小さいためボンディング品質を低下させることなくボン
ディングすることができる。また、ダイパッドは溝によ
りほぼ４分割されているため封止樹脂との１片の接着面
積も１／４となり大サイズのダイパッドにおいても実際
のストレスを受ける面積を低減でき封止樹脂とダイパッ
ドの密着性を向上させることができる。また、溝はダイ
パッド外周部に達しているため溝に封止樹脂が回り込み
封止樹脂とダイパッドの固定において機械的強度が向上
し半導体装置の割れ強度を向上させることができる。
ドは、ダイパッド外周部にまで達する貫通溝を有してい
るため半導体素子をダイパッド上に搭載する際に生じる
熱膨張差を溝を用いて緩和することができる。また、溝
はダイパッド外周部すなわち半導体素子のボンディング
パッド下面に達しているが、外周部溝は内部溝より幅が
小さいためボンディング品質を低下させることなくボン
ディングすることができる。また、ダイパッドは溝によ
りほぼ４分割されているため封止樹脂との１片の接着面
積も１／４となり大サイズのダイパッドにおいても実際
のストレスを受ける面積を低減でき封止樹脂とダイパッ
ドの密着性を向上させることができる。また、溝はダイ
パッド外周部に達しているため溝に封止樹脂が回り込み
封止樹脂とダイパッドの固定において機械的強度が向上
し半導体装置の割れ強度を向上させることができる。
【０００９】本発明は、半導体素子サイズが大きく、ま
た、銅材を用いた半導体装置の信頼性を向上させ安価な
半導体装置を供給するものである。
た、銅材を用いた半導体装置の信頼性を向上させ安価な
半導体装置を供給するものである。
【００１０】
【実施例】図１（ａ）は、本発明の一実施例であるリー
ドフレーム上に半導体素子を接着固定し、半導体素子の
ボンディングパッドとインナーリードとを金線等のワイ
ヤにて接続した後、樹脂等で封止してなる半導体装置
で、リードフレーム上半導体素子搭載部すなわちダイパ
ッドにダイパッド外周部にまで達する貫通溝を有しその
溝が半導体素子上のボンディングパッドにかかっている
ことを特徴とするリードフレームを用いた半導体装置の
一部平面図である。図１（ａ）において、１は半導体素
子でありダイパッド２にエポキシ等の接着剤で固定され
ている。また、ダイパッド２は支持腕３でリードフレー
ムに固定されている。７はダイパッド上に設けられてい
る貫通溝であり外周部に達している溝より内部溝のほう
が幅を広く取ってある。半導体素子１上のボンディング
パッドとリード５は、金線４等のワイヤで接続されリー
ド５の一部を残し樹脂封止され半導体装置が製造され
る。図１（ｂ）は、本発明の半導体装置の一部斜視図で
ある。１は、半導体素子でありフレーム上のダイパッド
２にエポキシ等の接着剤で固定されている。７は、ダイ
パッド２上に設けられている貫通溝であり、外周部幅に
対し内部幅が広くなっており貫通溝は半導体素子のボン
ディングパッド下面に達している。４は、金線等のワイ
ヤであり半導体素子上のボンディングパッドとリードと
を接続しているものであり溝７の上面半導体素子１上も
ボンディングされている。
ドフレーム上に半導体素子を接着固定し、半導体素子の
ボンディングパッドとインナーリードとを金線等のワイ
ヤにて接続した後、樹脂等で封止してなる半導体装置
で、リードフレーム上半導体素子搭載部すなわちダイパ
ッドにダイパッド外周部にまで達する貫通溝を有しその
溝が半導体素子上のボンディングパッドにかかっている
ことを特徴とするリードフレームを用いた半導体装置の
一部平面図である。図１（ａ）において、１は半導体素
子でありダイパッド２にエポキシ等の接着剤で固定され
ている。また、ダイパッド２は支持腕３でリードフレー
ムに固定されている。７はダイパッド上に設けられてい
る貫通溝であり外周部に達している溝より内部溝のほう
が幅を広く取ってある。半導体素子１上のボンディング
パッドとリード５は、金線４等のワイヤで接続されリー
ド５の一部を残し樹脂封止され半導体装置が製造され
る。図１（ｂ）は、本発明の半導体装置の一部斜視図で
ある。１は、半導体素子でありフレーム上のダイパッド
２にエポキシ等の接着剤で固定されている。７は、ダイ
パッド２上に設けられている貫通溝であり、外周部幅に
対し内部幅が広くなっており貫通溝は半導体素子のボン
ディングパッド下面に達している。４は、金線等のワイ
ヤであり半導体素子上のボンディングパッドとリードと
を接続しているものであり溝７の上面半導体素子１上も
ボンディングされている。
【００１１】図２（ａ）は、本発明の一実施例である外
周内周部同一幅の貫通溝を持つリードフレームダイパッ
ドを示す一部平面図である。２はリードフレームのダイ
パッドでありダイパッド２には貫通溝７が設けられてい
る。図２（ａ）において、貫通溝７はダイパッド外周部
にまで達しているが溝７の幅は外周部、内部で同一とな
っている。溝７の幅は、０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ程度で
ある。溝７のダイパッド２内部の切れ目は円形でも他形
状でも良い。
周内周部同一幅の貫通溝を持つリードフレームダイパッ
ドを示す一部平面図である。２はリードフレームのダイ
パッドでありダイパッド２には貫通溝７が設けられてい
る。図２（ａ）において、貫通溝７はダイパッド外周部
にまで達しているが溝７の幅は外周部、内部で同一とな
っている。溝７の幅は、０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ程度で
ある。溝７のダイパッド２内部の切れ目は円形でも他形
状でも良い。
【００１２】図２（ｂ）は、本発明の一実施例である外
周内周部異種幅の貫通溝を持つリードフレームダイパッ
ドを示す一部平面図である。２はリードフレームのダイ
パッドでありダイパッド２には貫通溝７が設けられてい
る。図２（ｂ）において、貫通溝７はダイパッド外周部
にまで達しているが溝７の幅は外周部、内部で異なって
いる。溝７の外周部幅は、０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ程度
であり内部幅は２ｍｍ〜５ｍｍ程度である。溝７のダイ
パッド２内部の切れ目は円形でも他形状でも良い。
周内周部異種幅の貫通溝を持つリードフレームダイパッ
ドを示す一部平面図である。２はリードフレームのダイ
パッドでありダイパッド２には貫通溝７が設けられてい
る。図２（ｂ）において、貫通溝７はダイパッド外周部
にまで達しているが溝７の幅は外周部、内部で異なって
いる。溝７の外周部幅は、０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ程度
であり内部幅は２ｍｍ〜５ｍｍ程度である。溝７のダイ
パッド２内部の切れ目は円形でも他形状でも良い。
【００１３】図２（ｃ）は、本発明の一実施例である外
周内周部異種形状の貫通溝を持つリードフレームダイパ
ッドを示す一部平面図である。２はリードフレームのダ
イパッドでありダイパッド２には貫通溝７が設けられて
いる。図２（ｃ）において、貫通溝７はダイパッド外周
部にまで達しているが溝７の形状は外周部、内部で異な
っている。溝７の外周部幅は、０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ
程度であり直線溝であり内部は２ｍｍ〜５ｍｍ程度の円
形である。内部溝形状は、円形でも角形でも良い。ま
た、外周部に達する溝の形状は、直線でも曲線でも良
い。
周内周部異種形状の貫通溝を持つリードフレームダイパ
ッドを示す一部平面図である。２はリードフレームのダ
イパッドでありダイパッド２には貫通溝７が設けられて
いる。図２（ｃ）において、貫通溝７はダイパッド外周
部にまで達しているが溝７の形状は外周部、内部で異な
っている。溝７の外周部幅は、０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ
程度であり直線溝であり内部は２ｍｍ〜５ｍｍ程度の円
形である。内部溝形状は、円形でも角形でも良い。ま
た、外周部に達する溝の形状は、直線でも曲線でも良
い。
【００１４】
【発明の効果】以上説明した様に、リードフレーム上に
半導体素子を接着固定し、半導体素子のボンディングパ
ッドとインナーリードとを金線等のワイヤにて接続した
後、樹脂等で封止してなる半導体装置で、リードフレー
ム上半導体素子搭載部すなわちダイパッドにダイパッド
外周部にまで達する貫通溝を有しているため半導体素子
とダイパッドとの間に生じる熱膨張差は、この貫通溝に
より緩和され半導体素子の反り及び割れを低減すること
が可能となる。また、ダイパッド外周部に達している貫
通溝幅が０．５ｍｍ〜１．０ｍｍと小さいためボンディ
ング時の半導体素子固定不足による品質低下を避けるこ
とができる。また、貫通溝の幅を外周部と内部で変え内
部幅を広くすることにより外周部の溝幅を広げボンディ
ング品質を低下させることなく溝の熱膨張差緩和性すな
わちバネ性を向上させることができる。また、外周部溝
は幅狭く一例としては直線とし、内部形状を円とするこ
とで溝のバネ性が高くなり熱膨張差緩和性をさらに向上
させることができる。
半導体素子を接着固定し、半導体素子のボンディングパ
ッドとインナーリードとを金線等のワイヤにて接続した
後、樹脂等で封止してなる半導体装置で、リードフレー
ム上半導体素子搭載部すなわちダイパッドにダイパッド
外周部にまで達する貫通溝を有しているため半導体素子
とダイパッドとの間に生じる熱膨張差は、この貫通溝に
より緩和され半導体素子の反り及び割れを低減すること
が可能となる。また、ダイパッド外周部に達している貫
通溝幅が０．５ｍｍ〜１．０ｍｍと小さいためボンディ
ング時の半導体素子固定不足による品質低下を避けるこ
とができる。また、貫通溝の幅を外周部と内部で変え内
部幅を広くすることにより外周部の溝幅を広げボンディ
ング品質を低下させることなく溝の熱膨張差緩和性すな
わちバネ性を向上させることができる。また、外周部溝
は幅狭く一例としては直線とし、内部形状を円とするこ
とで溝のバネ性が高くなり熱膨張差緩和性をさらに向上
させることができる。
【００１５】また、外周部に達する貫通溝によりダイパ
ッドは４分割されているため封止樹脂とダイパッドの熱
ストレス等による剥離も分割され剥離しずらくなる。ま
た、貫通溝への樹脂の回り込みが可能となり封止樹脂ダ
イパッドの強固な固定が可能となり半導体装置の割れ性
も向上させることができる。また、外周部に達する貫通
溝の切りかけ部に樹脂の回りが可能となり、さらに強固
な封止樹脂とダイパッドの固定が可能となる。
ッドは４分割されているため封止樹脂とダイパッドの熱
ストレス等による剥離も分割され剥離しずらくなる。ま
た、貫通溝への樹脂の回り込みが可能となり封止樹脂ダ
イパッドの強固な固定が可能となり半導体装置の割れ性
も向上させることができる。また、外周部に達する貫通
溝の切りかけ部に樹脂の回りが可能となり、さらに強固
な封止樹脂とダイパッドの固定が可能となる。
【図１】（ａ）本発明の一実施例であるダイパッドの外
周部に達する貫通溝を有した半導体装置の一部平面図。 （ｂ）本発明の一実施例であるダイパッドの外周部に達
する貫通溝を有した半導体装置の一部斜視図。
周部に達する貫通溝を有した半導体装置の一部平面図。 （ｂ）本発明の一実施例であるダイパッドの外周部に達
する貫通溝を有した半導体装置の一部斜視図。
【図２】（ａ）本発明の一実施例である外周内周部同一
幅の貫通溝を持つリードフレームダイパッドを示す一部
平面図である。 （ｂ）本発明の一実施例である外周内周部異種幅の貫通
溝を持つリードフレームダイパッドを示す一部平面図で
ある。 （ｃ）本発明の一実施例である外周内周部異種形状の貫
通溝を持つリードフレームダイパッドを示す一部平面図
である。
幅の貫通溝を持つリードフレームダイパッドを示す一部
平面図である。 （ｂ）本発明の一実施例である外周内周部異種幅の貫通
溝を持つリードフレームダイパッドを示す一部平面図で
ある。 （ｃ）本発明の一実施例である外周内周部異種形状の貫
通溝を持つリードフレームダイパッドを示す一部平面図
である。
【図３】（ａ）従来の半導体装置を示した一部斜視図で
ある。 （ｂ）ダイパッド２の裏面を示した一部平面図である。
ある。 （ｂ）ダイパッド２の裏面を示した一部平面図である。
１・・・半導体素子 ２・・・ダイパッド ３・・・支持腕 ４・・・金線 ５・・・リード ６・・・ハーフ及び貫通穴 ７・・・貫通溝
Claims (4)
- 【請求項１】リードフレーム上に半導体素子を接着固定
し、半導体素子のボンディングパッドとインナーリード
とを金線等のワイヤにて接続した後、樹脂等で封止して
なる半導体装置で、リードフレーム上半導体素子搭載部
すなわちダイパッドに半導体素子上のボンディングパッ
ド辺下面にかかるようにダイパッド外周部にまで達する
貫通溝を有していることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】請求項１記載のリードフレームにおいて、
ダイパッド上の貫通溝の幅が外周部溝より内部溝のほう
が幅が広いことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項３】請求項１記載のリードフレームにおいて、
ダイパッド上の貫通溝の形状が外周部溝と内部溝の形状
と異なることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項４】請求項１〜３記載のリードフレームを用い
ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054061A JPH06268143A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | リードフレーム及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054061A JPH06268143A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | リードフレーム及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268143A true JPH06268143A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12960105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5054061A Pending JPH06268143A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | リードフレーム及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06268143A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4012595C2 (de) * | 1990-04-20 | 1999-12-02 | Mannesmann Sachs Ag | Anordnung zur Betätigung einer Kraftfahrzeug-Reibungskupplung |
| US6373124B1 (en) | 1998-08-24 | 2002-04-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lead frame and method of producing the same, and a semiconductor device using the same |
| US7132735B2 (en) * | 2005-03-07 | 2006-11-07 | Agere Systems Inc. | Integrated circuit package with lead fingers extending into a slot of a die paddle |
| JP2008034416A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP2009060093A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-03-19 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
| US7964942B2 (en) | 2003-05-28 | 2011-06-21 | Yamaha Corporation | Lead frame having a die stage smaller than a semiconductor device and a semiconductor device using the same |
| CN112530885A (zh) * | 2019-09-18 | 2021-03-19 | 江苏长电科技股份有限公司 | 芯片封装结构及封装方法 |
-
1993
- 1993-03-15 JP JP5054061A patent/JPH06268143A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4012595C2 (de) * | 1990-04-20 | 1999-12-02 | Mannesmann Sachs Ag | Anordnung zur Betätigung einer Kraftfahrzeug-Reibungskupplung |
| US6373124B1 (en) | 1998-08-24 | 2002-04-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lead frame and method of producing the same, and a semiconductor device using the same |
| US7964942B2 (en) | 2003-05-28 | 2011-06-21 | Yamaha Corporation | Lead frame having a die stage smaller than a semiconductor device and a semiconductor device using the same |
| US7132735B2 (en) * | 2005-03-07 | 2006-11-07 | Agere Systems Inc. | Integrated circuit package with lead fingers extending into a slot of a die paddle |
| JP2008034416A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP2009060093A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-03-19 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
| CN112530885A (zh) * | 2019-09-18 | 2021-03-19 | 江苏长电科技股份有限公司 | 芯片封装结构及封装方法 |
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