JPH0519465A - パターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】図１に示した如きアンダーカットが生じない、
パターン形状およびスループットに優れたレジストパタ
ーン形成方法を提供する。 【構成】ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとを含有する
混合クレゾールとホルムアルデヒドとを重縮合して得ら
れ、ポリスチレン換算重量平均分子量が１,０００〜１
０,０００でありそしてポリスチレン換算分子量が６０
０未満の低分子量成分を１３重量％以上含有するノボラ
ック樹脂の１,２−キノンジアジドスルホン酸エステル
を含有する感放射線性樹脂組成物を用いたレジストパタ
ーン形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、酸素プラズマエッチン
グを用いるドライ現像によるパターン形成方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の製
造工程では、その加工されるべき基材上にポリイソプレ
ンの環化物にビスアジドを混合したネガ型ホトレジスト
やノボラック樹脂にキノンジアジド化合物を混合したポ
ジ型ホトレジスト等の感放射線性樹脂組成物を塗布し、
水銀灯のｇ線（波長４３６ｍｎ）やｉ線（３６５ｎｍ）
を用いて露光し、現像液にて現像することによりパター
ンを形成するホトリソグラフィ法が採用されている。

【０００３】しかし、近年ではＬＳＩが更に微細化し、
基板上に形成されるべきパターンの最少寸法が１μｍ以
下の領域に入りつつあり、このような寸法領域では、現
像液を現像に用いる従来のホトリソグラフィ法を使用し
ても、特に段差構造を有する基板が使用される場合、露
光時の光の反射の影響や露光系における焦点深度の浅さ
等の問題のために十分な解像ができないという問題が発
生する。

【０００４】このような問題を解決する方法としてホト
リソグラフィ法において現像液を用いて現像する代り
に、異方性酸素プラズマ等のガスプラズマを用いてエッ
チングすることによりドライ現像し、レジストパターン
を形成する方法が知られている。

【０００５】特開昭６１−１０７３４６号公報には、光
活性化合物と混合または結合させたポリマーを含む感光
性樹脂層を基材に塗布し、前記の層が該層の照射される
部分が可視光または紫外線に露光されたとき、シリル化
剤が前記の照射された部分に選択的に拡散できる性質を
有するものであり；前記の感光性樹脂層を、該層の選ば
れた部分のみを露光させるマスクを通して紫外線または
可視光線に露光し；

【０００６】前記の感光性樹脂層をシリル化剤で処理
し、それによって前記のシリル化剤を選択的に前記のコ
ーティング（感光性樹脂層）の照射された部分に吸収さ
せて前記の照射された部分と反応を起こさせ；そして、

【０００７】かように処理された感光性樹脂層をプラズ
マエッチングによりドライ現像してその非照射部分を選
択的に除去し、所望のネガ図形を得る方法が記載されて
いる。

【０００８】この方法によれば、紫外線または可視光線
に照射された部分に吸収されたシリル化剤が酸素プラズ
マに対する耐性が非常に高いため、異方性の高い酸素プ
ラズマでエッチングを行なうことにより急峻な側壁を持
つレジストパターンを得ることができ、従って微細なパ
ターンを解像できることが知られている。

【０００９】しかし、最近、プラズマエッチング後の断
面形状を観察すると、アンダーカットと呼ばれるパター
ン断面の上部の線幅よりも中央部付近の線幅が細くなる
現象（以下、この現象を「アンダーカット」と称する）
が問題となってきた。この様なアンダーカットが発生す
ると、ウェーハを破壊せずにレジストパターンと基板が
接する部分の寸法を測定することが困難なため、レジス
トパターンを保護膜として下地の基板を加工する際に加
工後のパターンの寸法を予測することが著しく困難とな
り、得られる半導体素子の性能の信頼性や分留りが大幅
に低下する問題を生じる。また、前記のパターン形成方
法において、用いられている従来の感放射線性樹脂の感
度が低いため、ウェーハ１枚当たりの露光時間が長くな
り、露光のスループットが低下する問題が生じる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、パタ
ーン形成方法を提供することにある。本発明の他の目的
は、アンダーカットが生じない、パターン形状およびス
ループットの優れたレジストパターン形成方法を提供す
ることにある。本発明のさらに他の目的および利点は以
下の説明から明らかとなろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、本発明
の上記目的および利点は、 （１）. ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとを含有する
混合クレゾールとホルムアルデヒドとを重縮合して得ら
れ、ポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」
と称する）が１,０００〜１０,０００でありそしてポリ
スチレン換算分子量が６００未満の低分子量成分を１３
重量％以上含有するノボラック樹脂の１,２−キノンジ
アジドスルホン酸エステルを含有する感放射線性樹脂組
成物を層状に塗布し、

【００１２】（２）. 選ばれた部分のみに放射線を照射
し、（３）. シリル化剤蒸気で処理してシリル化剤を選
択的に放射線照射部に吸収させて反応させ、そして （４）. 該層を異方性酸素プラズマエッチングによりド
ライ現像して該層の放射線非照射部分を選択的に除去す
る、 ことを特徴とするレジストパターン形成方法によって達
成される。

【００１３】本発明で用いられるノボラック樹脂の１,
２−キノンジアジドスルホン酸エステルは、ノボラック
樹脂と１,２−キノンジアジドスルホニルハライドを適
当な縮合溶媒中で塩基性触媒の存在下に縮合させて得ら
れる。

【００１４】ここでノボラック樹脂は、ｍ−クレゾール
とｐ−クレゾールを主成分として含有する混合クレゾー
ルとホルムアルデヒドを酸触媒下に縮合して合成され
る。その際、ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールは予め混
合状態でホルムアルデヒドと一緒にしてもよく、あるい
は別個にホルムアルデヒドと一緒にして反応系内で一緒
にしてもよい。いずれの場合も混合クレゾールの範囲に
包含されると理解すべきである。

【００１５】ここで混合クレゾール中のｍ−クレゾール
の割合は、好ましくは４０〜９０重量％であり、より好
ましくは５０〜８０重量％である。また、ｐ−クレゾー
ルの割合は、好ましくは１０〜６０重量％であり、より
好ましくは２０〜５０重量％である。ｍ−クレゾールの
割合が４０重量％未満の場合、後記のレジストパターン
形成時に使用するシリル化剤との反応が進行しにくくな
り、解像度が低下する傾向にある。一方、ｍ−クレゾー
ルの割合が９０重量％を超えると、得られるレジストパ
ターンのアンダーカットが大きくなる傾向にある。ホル
ムアルデヒドの使用量は、混合クレゾール１モル当り、
好ましくは０.６〜２モル、特に好ましくは０.６〜１.
２モルである。

【００１６】酸触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸、蟻
酸、蓚酸、酢酸等が使用される。酸触媒の使用量は、混
合クレゾール１モル当たり、１×１０^-4〜１×１０^-1モ
ルが好ましい。

【００１７】重縮合に際し、反応媒質として水が有利に
用いられるが、使用する混合クレゾールがホルムアルデ
ヒドの水溶液に溶解せず、反応初期から不均一系になる
場合には、反応媒質として親水性溶媒を使用することも
できる。この際使用される親水性溶媒としては、例えば
メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等
のアルコール類、およびテトラヒドロフラン、ジオキサ
ン等の環状エーテル類が挙げられる。

【００１８】これらの反応媒質の使用量は、反応原料１
００重量部当たり、２０〜１０００重量部が好ましい。

【００１９】重縮合の反応温度は、反応原料の反応性に
応じて適宜調整することができるが、好ましくは１０〜
２００℃、より好ましくは７０〜１５０℃である。重縮
合反応終了後、系内に存在する未反応原料、酸触媒およ
び反応媒質を除去するため、一般的には内温を１３０〜
２３０℃に上昇させ、減圧下に揮発分を留去する。また
必要に応じて反応系を水で洗浄した後、上記のように内
温を上昇させ、減圧下に揮発分を留去することもでき
る。

【００２０】上記のようにして得られるノボラック樹脂
のＭｗは、１,０００〜１０,０００であり、好ましくは
１,０００〜８,０００であり、特に好ましくは１,００
０〜６,０００である。Ｍｗが１０,０００を超えるとア
ンダーカットが生じパターン形状が悪化する。また、該
樹脂のポリスチレン換算分子量が６００未満の低分子量
成分の含有量は１３重量％以上であり、好ましくは１５
重量％以上、特に好ましくは１８〜６０重量％である。
低分子量成分の含有量が１３重量％未満だと感度が低下
し露光のスループットが低下する。

【００２１】上記ノボラック樹脂と縮合される１,２−
キノンジアジドスルホニルハライドとしては、例えば
１,２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロリ
ド、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルク
ロリド、１,２−ナフトキノンジアジド−６−スルホニ
ルクロリド、１,２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホニルブロミド、１,２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホニルブロミド、１,２−ナフトキノンジアジド−
６−スルホニルブロミド等の１,２−ナフトキノンジア
ジドスルホニルハライド；および１,２−ベンゾキノン
ジアジド−４−スルホニルクロリド、１,２−ベンゾキ
ノンジアジド−５−スルホニルクロリド、１,２−ベン
ゾキノンジアジド−６−スルホニルクロリド、１,２−
ベンゾキノンジアジド−４−スルホニルブロミド、１,
２−ベンゾキノンジアジド−５−スルホニルブロミド、
１,２−ベンゾキノンジアジド−６−スルホニルブロミ
ド等の１,２−ベンゾキノンジアジドスルホニルハライ
ドを挙げることができる。これらのうち１,２−ナフト
キノンジアジド−４−スルホニルクロリドおよび１,２
−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリドが好
ましい。

【００２２】前記ノボラック樹脂と１,２−キノンジア
ジドスルホニルハライドとの縮合割合は、ノボラック樹
脂１００重量部当たり、好ましくは１,２−キノンジア
ジドスルホニル基が１〜６０重量部、より好ましくは５
〜５０重量部、特に好ましくは１０〜４０重量部になる
割合である。１,２−キノンジアジドスルホニル基が１
重量部未満であると、１,２−キノンジアジドスルホニ
ル基の熱分解による活性種とノボラック樹脂の分子鎖間
および該活性種と１,２−キノンジアジドスルホニル基
の間の架橋反応は多くは起こらない。このため、放射線
非照射部分の密度が小さくなり、そのため後記のレジス
トパターンの形成時に使用するシリル化剤が容易に拡散
して反応するようになって放射線照射部と放射線非照射
部とで異方性酸素プラズマによるドライエッチング速度
に差をつけることができ難くなりパターニングが困難と
なる傾向がある。

【００２３】一方、６０重量部を超えると短時間の放射
線照射では１,２−キノンジアジドスルホニル基の大半
が未だそのままの形で残存するためシリル化剤を吸収さ
せ反応させるときの加熱処理中に１,２−キノンジアジ
ドスルホン酸エステルの分子間で熱架橋反応が進行し、
その後のシリル化剤処理でシリル化剤が十分には吸収さ
れにくい傾向がある。この為放射線照射部分のドライエ
ッチング耐性が十分でなくパターニングが困難となる傾
向がある。

【００２４】また、縮合反応で使用される縮合溶媒とし
ては、例えばアセトン、ジオキサン、乳酸エチル、酢酸
エチル、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート、メチルセロソル
ブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチル
セロソルブアセテート、アセトニトリル、メチルエチル
ケトン、ジイソブチルケトン、メチルイソブチルケトン
等を挙げることができ、通常、ノボラック樹脂および
１,２−キノンジアジドスルホニルハライドの総量１０
０重量部当たり１００〜１０,０００重量部、好ましく
は２００〜３,０００重量部使用される。なお、縮合反
応の際、生成する塩基とハロゲンの塩を溶媒中に溶解さ
せるために、必要に応じて水を加えることもできる。加
える水の量は縮合溶媒１００重量部に対して１〜１０重
量部である。

【００２５】また、縮合反応で使用される塩基性触媒と
しては、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、重炭酸水素ナトリウム、
炭酸水素カリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属塩；
トリエチルアミン、トリエタノールアミン、トリブチル
アミン、モノエタノールアミン、ピリジン等のアミン
類；水酸化アンモニウム、トリメチルアンモニウム等の
アンモニウム塩およびアンモニア等を挙げることがで
き、１，２−キノンジアジドスルホニルハライドのモル
数の０.１〜１０倍を使用するのが好ましく、０.５〜
２.０倍のモル数がより好ましく使用される。縮合反応
は、好ましくは５〜５０℃、より好ましくは１０〜４０
℃の温度で行なわれる。反応時間は１５分〜１０時間が
好ましく、より好ましくは３０分〜５時間程度である。

【００２６】本発明で用いられる組成物には、放射線照
射部分がシリル化剤とより反応し易くする為に有機酸、
有機酸塩、有機酸ハロゲニドまたは放射線の照射により
酸を発生する物質（以下、「酸発生物質」という）を含
有させることもできる。

【００２７】ここで有機酸としては、例えば芳香族スル
ホン酸または芳香族カルボン酸を好適なものとして挙げ
ることができる。好ましくはナフタレンスルホン酸、ナ
フタレンカルボン酸、ジアゾキノンスルホン酸およびジ
アゾキノンカルボン酸である。これらの例としては、例
えば１−ナフタレンスルホン酸、２−ナフタレンスルホ
ン酸、１,２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸、
１,２−ナフトキノンジアジド−６−スルホン酸、１,２
−ナフトキノンジアジド−７−スルホン酸、１，２−ナ
フトキノンジアジド−８−スルホン酸、２,１−ナフト
キノンジアジド−４−スルホン酸、２，１−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸、２,１−ナフトキノンジ
アジド−６−スルホン酸、２,１−ナフトキノンジアジ
ド−７−スルホン酸、２,１−ナフトキノンジアジド−
８−スルホン酸、１,２−ベンゾキノンジアジド−３−
スルホン酸、１,２−ベンゾキノンジアジド−４−スル
ホン酸、１,２−ベンゾキノンジアジド−５−スルホン
酸、１,２−ベンゾキノンジアジド−６−スルホン酸、
１−ナフタレンカルボン酸、２−ナフタレンカルボン
酸、１,２−ナフトキノンジアジド−４−カルボン酸、
１,２−ナフトキノンジアジド−５−カルボン酸、１,２
−ナフトキノンジアジド−６−カルボン酸、１,２−ナ
フトキノンジアジド−７−カルボン酸、１,２−ナフト
キノンジアジド−８−カルボン酸、２,１−ナフトキノ
ンジアジド−４−カルボン酸、２,１−ナフトキノンジ
アジド−５−カルボン酸、２,１−ナフトキノンジアジ
ド−６−カルボン酸、２,１−ナフトキノンジアジド−
７−カルボン酸、２,１−ナフトキノンジアジド−８−
カルボン酸、１,２−ベンゾキノンジアジド−３−カル
ボン酸、１,２−ベンゾキノンジアジド−４−カルボン
酸、１,２−ベンゾキノンジアジド−５−カルボン酸お
よび１,２−ベンゾキノンジアジド−６−カルボン酸を
挙げることができる。

【００２８】また、有機酸塩および有機酸ハロゲニドと
しては、例えば上記有機酸のアンモニウム塩、アミン塩
およびこれらの酸に対応する酸ハロゲニドを挙げること
ができる。これらのうち特に好ましくは、下記式（１）
で示されるジアゾキノン化合物が用いられる。

【００２９】

【化１】

【００３０】酸発生物質は、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、
電子線、可視光等の放射線が照射されることにより酸を
発生する物質である。ここで、発生する酸は、例えばス
ルホン酸、リン酸、ヨウ素酸、ジアゾ酸、ハロゲン化水
素等の無機酸；またはニトロベンジルスルホン酸、シア
ノベンジルスルホン酸、ニトロベンジルカルボン酸、シ
アノベンジルカルボン酸、ニトロベンジルリン酸、シア
ノベンジルリン酸、ニトロベンジル硝酸、シアノベンジ
ル硝酸等の有機酸である。

【００３１】このような酸発生物質としては、例えばス
ルホニウム、ホスホニウム、ヨウドニウム、ジアゾニウ
ム等のオニウム塩；ニトロベンジルハライド；ハロゲン
化炭化水素；ニトロベンジルスルホン酸フェニル、ニト
ロベンジルスルホン酸ナフトル、ｏ−ニトロベンジル−
９,１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネー
ト、ｐ−ニトロベンジル−９,１０−ジエトキシアント
ラセン−２−スルホネート、ｏ−ニトロベンジル−９,
１０−ジメトキシアントラセン−２−スルホネート、ｐ
−ニトロベンジル−９,１０−ジメトキシアントラセン
−２−スルホネート、ｏ−ニトロベンジル−９,１０−
ジプロポキシアントラセン−２−スルホネート、ｐ−ニ
トロベンジル−９,１０−ジプロポキシアントラセン−
２−スルホネート等のニトロベンジルスルホン酸エステ
ル；ベンゾイントシレート、２−メチルベンゾイントシ
レート等のベンゾインスルホン酸エステル；シアノベン
ジルスルホン酸フェニル、シアノベンジルスルホン酸ナ
フトル等のシアノベンジルスルホン酸エステル；ニトロ
ベンジルカルボン酸フェニル、ニトロベンジルカルボン
酸ナフトル等のニトロベンジルカルボン酸エステル；

【００３２】シアノベンジルカルボン酸フェニル、シア
ノベンジルカルボン酸ナフトルなどのシアノベンジルカ
ルボン酸エステル；ニトロベンジルリン酸フェニル、ニ
トロベンジルリン酸ナフトル等のニトロベンジルリン酸
エステル；シアノベンジルリン酸フェニル、シアノベン
ジルリン酸ナフトル等のシアノベンジルリン酸エステ
ル；ニトロベンジル硝酸フェニル、ニトロベンジル硝酸
ナフトル等のニトロベンジル硝酸エステル；シアノベン
ジル硝酸フェニル、シアノベンジル硝酸ナフトル等のシ
アノベンジル硝酸エステルが挙げられる。

【００３３】これらの有機酸、有機酸塩、有機酸ハロゲ
ニドおよび酸発生物質は、ノボラック樹脂の１,２−キ
ノンジアジドスルホン酸エステル１００重量部に対し、
好ましくは０.１〜２０重量部、特に好ましくは０.５〜
１０重量部の割合で用いられる。

【００３４】本発明の組成物には、乾燥塗膜形成後のス
トリエーション等の塗布性を改良するために界面活性剤
等を配合することもできる。界面活性剤としては、例え
ばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエ
チレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイ
ルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエ
ーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテ
ル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレ
ングリコールジステアレート、エフトップＥＦ３０１、
ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（新秋田化成（株）製）、メガ
ファックＦ１７１、Ｆ１７２、Ｆ１７３（大日本インキ
（株）製）、アサヒガートＡＧ７１０（旭硝子（株）
製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１（住友スリ
ーエム（株）製）、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０
１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０
５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）、オルガノシロキサ
ンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、アク
リル酸系またはメタクリル酸系（共）重合体ポリフロー
Ｎｏ.７５、Ｎｏ.９０、Ｎｏ.９５、ＷＳ（共栄社油脂
化学工業（株）製）等を挙げることができる。これらの
界面活性剤の配合量は、ノボラック樹脂の１,２−キノ
ンジアジドスルホン酸エステル１００重量部当たり、好
ましくは２重量部以下、より好ましくは０.００５〜１
重量部である。

【００３５】本発明で用いられる組成物には、さらに放
射線照射部の潜像を可視化させたり、放射線照射時のハ
レーションの影響を少なくするために染料、顔料、紫外
線吸収剤等を配合することができる。好ましい染料また
は顔料は、例えばネオペンゲルブ０７５（バスフ社
製）、ネオザポンゲルブ０７３（同）、ソルベントイエ
ロー１６２、ＳＯＴイエロー３（保土谷化学工業（株）
製）、マクロレックスイエロー（バイエル社製）、ハイ
ドロキシアゾベンゼン等を挙げることができる。

【００３６】また、好ましい紫外線吸収剤としては、例
えば２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）
−ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−５′
−ｔ−ブチルフェニル）−ベンゾトリアゾール、２−
（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔ−ブチルフェ
ニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−
ヒドロキシ−３′−ｔ−ブチル−５′−メチルフェニ
ル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒ
ドロキシ−３′,５′−ジ−ｔ−アミルフェニル）−ベ
ンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′,
５′−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−ベンゾトリアゾー
ル、２−（２′−ヒドロキシ−５′−ｔ−ブチルフェニ
ル）−ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−
５′−ｔ−オクチルフェニル）−ベンゾトリアゾール等
が挙げられる。さらに、本発明で用いられる組成物に
は、必要に応じて保存安定剤、消泡剤等も配合すること
ができる。

【００３７】本発明で用いられる組成物は、上記ノボラ
ック樹脂の１,２−キノンジアジドスルホン酸エステル
と前記の各種添加剤とを有機溶剤に溶解させることによ
り固形分濃度が５〜５０重量％に調製され、例えば孔径
０.２μｍ程度のフィルタで瀘過される。

【００３８】ここで使用される有機溶剤としては、例え
ばエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエ
ーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコ
ールメチルエーテルアセテート、メチルセロソルブアセ
テート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソル
ブアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シク
ロペンタノン、アセトニルアセトン、アセトフェノン、
イソホロン、ベンジルエチルエーテル、１，２−ジブト
キシエタン、ジヘキシルエーテル、カプロン酸、カプリ
ル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、１−デカノ
ール、ベンジルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、
酢酸イソアミル、２−エチルヘキシルアセテート、酢酸
ベンジル、安息香酸ベンジル、蓚酸ジエチル、蓚酸ジブ
チル、マロン酸ジエチル、乳酸エチル、乳酸メチル、乳
酸プロピル、乳酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メ
チル、３−メトキシプロピオン酸エチル、マレイン酸ジ
メチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチル、フ
タル酸ジブチル、フタル酸ジメチル、炭酸エチレン、炭
酸プロピレン、γ−ブチロラクトン、ジメチルイミダゾ
リジノン等を挙げることができる。このようにして調製
された組成物は回転塗布、流し塗布、ロール塗布等によ
りシリコンウェーハ等に塗布することができる。

【００３９】基板上に塗布された組成物は、溶媒を除去
するため、プレベーク処理を例えば７０〜１３０℃の温
度で行なう。その後、基板上のレジスト層に、例えばパ
ターンを通して選ばれた部分のみに、放射線、例えば紫
外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線、可視光等を照射する。

【００４０】放射線の照射により、放射線照射部におい
て、ノボラック樹脂の１,２−キノンジアジドスルホン
酸エステルの１,２−キノンジアジドスルホニル基が分
解され、また酸発生物質が含まれる場合は酸が生成され
る。次いで必要に応じ基板を加熱処理する。このときの
加熱処理は、１２０〜２００℃の温度において行なうの
が好ましい。この加熱処理により放射線未照射部分に存
在する１,２−キノンジアジドスルホニル基とノボラッ
ク樹脂および１,２−キノンジアジドスルホニル基どう
しが反応して、分子鎖に架橋構造が形成される。一方放
射線照射部分では、既に１,２−キノンジアジドスルホ
ニル基が大半分解しているため、架橋構造の形成は放射
線未照射部分に較べて極めて少ない。

【００４１】次いで、シリル化剤で処理することによっ
て、放射線照射部分はシリル化剤を吸収し、反応する
が、放射線未照射部分は架橋構造のため、シリル化剤を
吸収し、反応することが強く抑制され、ドライエッチン
グ耐性のネガ型潜像が形成される。

【００４２】有用なシリル化剤としては、例えばテトラ
クロロシラン、トリメチルクロロシラン、ジメチルジク
ロロシラン、メチルトリクロロシラン、トリメチルブロ
モシラン、トリメチルヨードシラン、トリフェニルクロ
ロシラン、ヘキサメチルジシラザン、１,１,３,３−テ
トラメチルジシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ヘキ
サフェニルジシラザン、１,３−ビス（クロロメチル）
−１,１,３,３−テトラメチルジシラザン、Ｎ−トリメ
チルシリルイミダゾール、Ｎ−トリメチルシリルアセト
アミド、Ｎ−トリメチルシリルジメチルアミン、Ｎ−ト
リメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルシランジ
アミン、Ｎ,Ｏ−ビス（トリエチルシリル）アセトイミ
ド、Ｎ,Ｎ′−ビス（トリメチルシリル）尿素、Ｎ,Ｎ′
−ジフェニル−Ｎ−（トリメチルシリル）尿素等を挙げ
ることができる。シリル化剤による感放射線性樹脂層の
処理温度は、感放射線性樹脂層の組成と使用されるシリ
ル化剤の種類および処理時間によって決められ、好まし
くは０〜２５０℃の間で選択することができ、より好ま
しくは１４０〜２００℃である。

【００４３】上記のようにシリル化剤による処理を施し
た後、乾式現像、例えば異方性酸素プラズマエッチング
により現像することにより所望のネガ型パターンが得ら
れる。

【００４４】

【実施例】次に実施例を挙げて本発明を詳述するが、本
発明はこれらの実施例により何ら制約されるものではな
い。以下の実施例において諸特性は次のように評価し
た。

【００４５】ポリスチレン換算分子量：ゲル浸透クロマ
トグラフィー（ＧＰＣ）でポリスチレン換算分子量を求
めた。測定条件は、東ソー（株）製高速ＧＰＣ装置ＨＬ
Ｃ−８０２Ａ、ディテクターはＲＩ、カラムは東ソー
（株）製ＴＳＫ−ＧＥＬ Ｇ４０００Ｈ８、Ｇ３０００
Ｈ８、Ｇ２０００Ｈ８×２本、溶出溶媒はＴＨＦ、流速
は１.２ｍｌ／ｍｉｎ、カラム温度は４０℃、試料濃度
は０.０２ｇ／１０ｍｌ（ＴＨＦ）で求めた。

【００４６】なお、ポリスチレン換算分子量が６００以
下に相当する低分子量成分の重量％は、得られたクロマ
トグラムの面積をＳ₁、ポリスチレン換算分子量が６０
０以下の部分の面積をＳ₂としたとき、下記式より求め
られる値である。 Ｗ＝（Ｓ₂／Ｓ₁）×１００

【００４７】アンダーカット：レジストパターン断面を
走査形電子顕微鏡にて観察した。アンダーカットの度合
いは図１および図２に示したａ、ｂの寸法比ｂ／ａによ
って表わすことができる。ここで、ａはレジストパター
ン上部の最も太い部分の寸法、ｂはアンダーカットのた
めに最も細くなった部分の寸法である。なお、測定は設
計が０.６μｍのラインアンドスペースのパターンで行
なった。

【００４８】最適露光量：マスク寸法が０.６μｍパタ
ーンにおいて、図１のａの寸法が０.６μｍとなる露光
量を最適露光量とした。

【００４９】実施例１ （１）攪拌機、冷却管および温度計を装着したフラスコ
にｍ−クレゾール３０３ｇ、ｐ−クレゾール１３０ｇ、
３７重量％ホルムアルデヒド水溶液２７６ｇおよびシュ
ウ酸２水和物０.７５６ｇを仕込んだ。攪拌しながら、
フラスコを油浴に浸し、内温を１００℃に保持しなが
ら、１時間反応させた。その後水５００ｇを加え攪拌
し、２分間静置し、上層の水、未反応モノマー、未反応
ホルムアルデヒドおよびシュウ酸を除去する処理を２回
繰り返した。さらに油浴温度を１８０℃まで上げ２時間
攪拌した後、フラスコ内を減圧にして、残留する水、未
反応クレゾール、ホルムアルデヒドおよびシュウ酸を除
いた。次いで、溶融したノボラック樹脂を室温に戻して
回収した。得られたノボラック樹脂のＭｗは１６００で
あり、低分子量成分は３６重量％であった。

【００５０】（２）（１）で得られたノボラック樹脂１
００ｇ、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ルクロリド３６.４ｇおよび水７７.６ｇを２３００ｇの
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
（以下「ＰＧＭＡ」と称する）に溶解した後、８重量％
のトリエチルアミンのＰＧＭＡ溶液１８８.６ｇを加
え、攪拌して９０分間反応させた。その後、１規定塩酸
を１４.９２ｍｌ加え２０分間攪拌し、次いで水１ｌを
加え攪拌した後、静置し水層と有機層を分離した。水層
を廃棄した後、同様の水洗操作をさらに２回行ない、反
応溶液中に残存しているトリエチルアミン塩酸塩、トリ
エチルアミンおよび塩酸を除去した。次いで、反応液か
ら減圧下でＰＧＭＡおよび水を除去し、部分的にエステ
ル化されたノボラック樹脂（以下、「エステル化ノボラ
ック樹脂」と称する）を１２８ｇ得た。

【００５１】（３）（２）で得られたエステル化ノボラ
ック樹脂２０ｇをＰＧＭＡ５０ｇに溶解した。次いで
１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸０.２ｇ
を１,３−ジメチル−２−イミダゾリドン０.８ｇに溶解
し、この溶液をエステル化ノボラック樹脂溶液に攪拌し
ながら徐々に加え均一な溶液になるまで攪拌した。次に
界面活性剤メガファックＦ１７２（大日本インキ（株）
製）の２重量％ＰＧＭＡ溶液を０.２ｇ加え攪拌した。
その後孔径０.２μｍのメンブランフィルターで濾過し
組成物の溶液を調製した。

【００５２】（４）（３）で得られた溶液をシリコンウ
ェーハ上にスピンナーで塗布した後、１２０℃で９０秒
間ホットプレート上でプリベークして膜厚１.５μｍの
レジスト膜を形成した。次いでこれを（株）ニコン製ス
テッパーＮＳＲ１７５５Ｇ７Ａを用いパターンマスクを
介して露光した。その後露光したシリコンウェーハを１
７０℃で３分間真空中でベークし（これを「シリル化前
ベーク」と称する）さらに基板を１７０℃でベークしな
がら４分間ヘキサメチルジシラザン蒸気で処理した。

【００５３】上記シリコンウェーハをマグネトロン増強
型反応性イオンエッチング装置（ＭＲＣ社製ＡＲＩＥＳ
−Ｃ）に装着し、異方性酸素プラズマエッチングにより
ドライ現像しレジストパターンを形成した。このときの
エッチング条件は以下の通りである。 ＲＦパワー：１０００Ｗ、 酸素流量：７０ＳＣＣＭ、 圧力：４ｍｔｏｒｒ、 エッチング時間：２分３０秒、

【００５４】（５）ドライ現像後のパターンプロファイ
ルを観察したところｂ／ａ＝０.９９とアンダーカット
がほとんど無い良好なパターンが得られた。また、最適
露光量は１５０ｍＪ／ｃｍ²であった。

【００５５】比較例１ （１）実施例１（１）と同様のフラスコにｐ−ｔ−ブチ
ルフェノール１２０ｇ、フェノール３００ｇ、パラホル
ムアルデビト８６ｇ、３７重量％ホルムアルデヒド水溶
液１０５ｇおよびシュウ酸２水和物４.５ｇを仕込ん
だ。攪拌しながら、フラスコを油浴に浸し、内温を１０
０℃に保持しながら３時間反応させた。その後油浴温度
を１９０℃まで上げ、同時にフラスコ内を減圧にして、
水、未反応フェノール類、ホルムアルデヒドおよびシュ
ウ酸を除いた。次いで、溶融したノボラック樹脂を室温
に戻して回収した。得られたノボラック樹脂のＭｗは１
４,２００であり、低分子量成分は１３.９重量％であっ
た。

【００５６】（２）（１）で得られたノボラック樹脂２
５ｇ、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル
クロリド９.１ｇおよび水３３ｇを６６０ｇのＰＧＭＡ
に溶解した後、８重量％のトリエチルアミンのＰＧＭＡ
溶液４７.１５ｇを加え攪拌し９０分間反応させた。そ
の後、１規定塩酸を３.７３ｍｌ加え２０分間攪拌し、
次いで水２５０ｍｌを加え攪拌した後、静置して水層と
有機層を分離した。水層を廃棄した後、同様の水洗操作
をさらに２回行ない反応溶液中に残存しているトリエチ
ルアミン塩酸塩、トリエチルアミンおよび塩酸を除去し
た。その後、反応液から減圧下でＰＧＭＡおよび水を除
去し、エステル化ノボラック樹脂を３２ｇ得た。

【００５７】（３）（２）で得られたエステル化ノボラ
ック樹脂を用いて実施例１（３）と同様に組成物の溶液
を調製した。 （４）実施例１（４）と同様にレジストパターンを形成
した。 （５）ドライ現像後のパターンプロファイルを観察した
ところｂ／ａ＝０.８０とアンダーカットが大きいこと
が分かった。また最適露光量は１４０ｍＪ／ｃｍ²であ
った。

【００５８】実施例２ （１）実施例１（１）と同様のフラスコにｍ−クレゾー
ル３８９ｇ、ｐ−クレゾール４３ｇ、３７重量％ホルム
アルデヒド水溶液３０８ｇおよびシュウ酸２水和物０.
７５６ｇを仕込んだ。攪拌しながら、フラスコを油浴に
浸し、内温を１１０℃に保持しながら、２時間反応させ
た。その後油浴温度を１８０℃まで上げ、同時にフラス
コ内を減圧にして、水、未反応クレゾール、ホルムアル
デヒドおよびシュウ酸を除いた。次いで、溶融したノボ
ラック樹脂を室温に戻して回収した。 得られたノボラ
ック樹脂のＭｗは３８００であり、低分子量成分は２２
重量％であった。

【００５９】（２）（１）で得られたノボラック樹脂を
用いて実施例１（２）と同様にエステル化ノボラック樹
脂を１２０ｇ得た。 （３）（２）で得られたエステル化ノボラック樹脂を用
いて実施例１（３）と同様に組成物の溶液を調製した。

【００６０】（４）（３）で得られた溶液を用いて実施
例１（４）と同様にレジストパターンを形成した。 （５）ドライ現像後のパターンを観察したところ、ｂ／
ａ＝０.９６で最適露光量は４００ｍＪ／ｃｍ²であっ
た。

【００６１】実施例３ （１）実施例１（１）と同様のフラスコにｍ−クレゾー
ル２１６ｇ、ｐ−クレゾール２１６ｇ、３７重量％ホル
ムアルデヒド水溶液２７６ｇおよびシュウ酸２水和物
０.２５２ｇを仕込んだ。攪拌しながら、フラスコを油
浴に浸し、内温を１１０℃に保持しながら、２時間反応
させた。その後水６００ｇを加え攪拌後３分間静置した
後上層の水、未反応クレゾール、ホルムアルデヒドおよ
びシュウ酸の懸濁液を除去した。さらに油浴温度を１８
０℃まで上げ、同時にフラスコ内を減圧にして、水、未
反応クレゾール、ホルムアルデヒドおよびシュウ酸を除
いた。次いで、溶融したノボラック樹脂を室温に戻して
回収した。得られたノボラック樹脂のＭｗは２１００で
あり、低分子量成分は３１重量％であった。

【００６２】（２）（１）で得られたノボラック樹脂を
用いて実施例１（２）と同様にエステル化ノボラック樹
脂を１２５ｇ得た。 （３）（２）で得られたエステル化ノボラック樹脂を用
いて実施例１（３）と同様に組成物の溶液を調製した。 （４）（３）で得られた溶液を用いて実施例１（４）と
同様にレジストパターンを形成した。 （５）ドライ現像後のパターンを観察したところ、ｂ／
ａ＝０.９７で最適露光量は１８０ｍＪ／ｃｍ²であっ
た。

【００６３】実施例４ （１）実施例１（１）と同様のフラスコにｍ−クレゾー
ル１３０ｇ、ｐ−クレゾール３０３ｇ、３７重量％ホル
ムアルデヒド水溶液２６０ｇおよびシュウ酸２水和物
０.７５６ｇを仕込んだ。攪拌しながら、フラスコを油
浴に浸し、内温を１００℃に保持しながら、２時間反応
させた。その後水５００ｇを加え攪拌後２分間静置した
後、上層の水、未反応クレゾール、ホルムアルデヒドお
よびシュウ酸の懸濁液を除去する操作を２回行なった。
さらに油浴温度を２００℃まで上げ、２時間攪拌後フラ
スコ内を減圧にして、水、未反応クレゾール、ホルムア
ルデヒドおよびシュウ酸を除いた。次いで、溶融したノ
ボラック樹脂を室温に戻して回収した。得られたノボラ
ック樹脂のＭｗは２５００であり、低分子量成分は３０
重量％であった。

【００６４】（２）（１）で得られたノボラック樹脂を
用いて実施例１（２）と同様にエステル化ノボラック樹
脂を１２５ｇ得た。 （３）（２）で得られたエステル化ノボラック樹脂を用
いて実施例１（３）と同様に組成物の溶液を調製した。

【００６５】（４）（３）で得られた溶液を用いて実施
例１（４）と同様にレジストパターンを形成した。 （５）ドライ現像後のパターンを観察したところ、ｂ／
ａ＝０.９８であり、最適露光量は３００ｍＪ／ｃｍ²で
あった。った。

【００６６】実施例５ 実施例１（１）で得られたノボラック樹脂２５ｇと１,
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド１
０.６ｇおよび水３５ｇを７００ｇのＰＧＭＡに溶解し
た後、８重量％のトリエチルアミンのＰＧＭＡ溶液５
４.９ｇを加え攪拌し９０分間反応させた。その後、１
規定塩酸を４.３４ｍｌ加え２０分間攪拌し、次いで、
水２５０ｍｌを加え攪拌した後、静置し水層と有機層を
分離した。水層を廃棄した後同様の水洗操作をさらに２
回行ない、反応溶液中に残存しているトリエチルアミン
塩酸塩、トリエチルアミンおよび塩酸を除去した。この
様に水洗した反応液を減圧下でＰＧＭＡおよび水を除去
しエステル化ノボラック樹脂を３３ｇ得た。

【００６７】上記エステル化ノボラック樹脂を用いて実
施例１（３）と同様の方法で組成物の溶液を調製した。
次いで、実施例１（４）と同様にレジストパターンを形
成した。ドライ現像後のパターンを観察したところ、ｂ
／ａ＝０.９９で最適露光量は２００ｍＪ／ｃｍ²であっ
た。

【００６８】実施例６ 実施例１（１）で得られたノボラック樹脂２５ｇと１,
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド
７.５ｇおよび水２０ｇを３２０ｇのＰＧＭＡに溶解し
た後、８重量％のトリエチルアミンのＰＧＭＡ溶液３
８.８ｇを加え攪拌し９０分間反応させた。その後、１
規定塩酸を３.０７ｍｌ加え２０分間攪拌し次いでＰＧ
ＭＡ飽和水溶液２５０ｍｌを加え攪拌した後、静置し水
層と有機層を分離した。水層を廃棄し、同様の水洗操作
をさらに２回行ない、反応溶液中に残存しているトリエ
チルアミン塩酸塩、トリエチルアミンおよび塩酸を除去
した。この様に水洗した反応液を減圧下でＰＧＭＡおよ
び水を除去しエステル化ノボラック樹脂を３１ｇ得た。

【００６９】上記エステル化ノボラック樹脂を用いて、
実施例１（３）と同様に組成物の溶液を調製した。次い
で、実施例１（４）と同様にレジストパターンを形成し
た。ドライ現像後のパターンを観察したところ、ｂ／ａ
＝０.９９で最適露光量は１００ｍＪ／ｃｍ²であった。

【００７０】実施例７ （１）実施例１（２）で得られたエステル化ノボラック
樹脂２０ｇとｐ−ニトロベンジル−９,１０−ジエトキ
シアントラセン−２−スルホネート０.６ｇをＰＧＭＡ
６０ｇに溶解した後、共栄社油脂化学工業（株）製ポリ
フローＮｏ.９０の１０重量％ＰＧＭＡ溶液を０.２ｇ加
え攪拌した。その後孔径０.２μｍのメンブランフィル
ターで濾過し組成物の溶液を調製した。

【００７１】次いで、実施例１（４）において、シリル
化前ベークおよびシリル化処理の温度を１６０℃とする
以外は同様にレジストパターンを形成した。ドライ現像
後のパターンを観察したところｂ／ａ＝０.９５で最適
露光量は２２０ｍＪ／ｃｍ²であった。

【００７２】実施例８ （１）実施例１（２）で得られたエステル化ノボラック
樹脂２０ｇと染料としてネオペンゲルプ０７５（バスフ
社製）０.６ｇをＰＧＭＡ６０ｇに溶解した。次いで１,
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸０.２ｇを
１,３−ジメチル−２−イミダゾリドン０.８ｇに溶解
し、前記樹脂溶液に攪拌しながら徐々に加え均一な溶液
になるまで攪拌した。その後孔径０.２μｍのメンブラ
ンフィルターで濾過しレジスト組成物の溶液を調製し
た。

【００７３】次いで、実施例１（４）と同様にレジスト
パターンを形成した。ドライ現像後のパターンを観察し
たところｂ／ａ＝０.９９で最適露光量は１４０ｍＪ／
ｃｍ²であった。

【００７４】実施例９ （１）実施例１（１）と同様のフラスコにｍ−クレゾー
ル３０３ｇ、ｐ−クレゾール１３０ｇ、３７重量％ホル
ムアルデヒド水溶液３０８ｇおよびシュウ酸２水和物
０.７５６ｇを仕込んだ。攪拌しながら、フラスコを油
浴に浸し、内温を１００℃に保持しながら、２時間反応
させた。その後油浴温度を１８０℃まで上げ、同時にフ
ラスコ内を減圧にして、水、未反応クレゾール、ホルム
アルデヒドおよびシュウ酸を除いた。次いで、溶融した
ノボラック樹脂を室温に戻して回収した。得られたノボ
ラック樹脂のＭｗは５６００であり、低分子量成分は２
０重量％であった。

【００７５】（２）（１）で得られたノボラック樹脂１
００ｇ、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ルクロリド２５.３ｇおよび水１５ｇを２２００ｇのＰ
ＧＭＡに溶解した後、８重量％のトリエチルアミンのＰ
ＧＭＡ溶液１３１ｇを加え攪拌して９０分間反応させ
た。その後、１規定塩酸を１０.４ｍｌ加え２０分間攪
拌し次いで水１ｌを加え攪拌した後静置し水層と有機層
を分離した。水層を廃棄し、同様の水洗操作をさらに２
回行ない、反応溶液中に残存しているトリエチルアミン
塩酸塩、トリエチルアミンおよび塩酸を除去した。その
後、反応液から減圧下でＰＧＭＡおよび水を除去しエス
テル化ノボラック樹脂を１１８ｇ得た。

【００７６】（３）（２）で得られたエステル化ノボラ
ック樹脂２０ｇをＰＧＭＡ５５ｇに溶解した。次いで、
１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸０.２ｇ
を１,３−ジメチル−２−イミダゾリドン０.８ｇに溶解
し、この溶液をエステル化ノボラック樹脂溶液に攪拌し
ながら徐々に加え均一な溶液になるまで攪拌した。次に
界面活性剤メガファックＦ１７２（大日本インキ（株）
製）の２重量％ＰＧＭＡ溶液を０.２ｇ加え攪拌した。
その後孔径０.２μｍのメンブランフィルターで濾過
し、組成物の溶液を調製した。

【００７７】（４）（３）で得られた溶液を用いて実施
例１（４）と同様にレジストパターンを形成した。 （５）ドライ現像後のパターンを観察したところ、ｂ／
ａ＝０.９２で最適露光量は４５０ｍＪ／ｃｍ²であっ
た。

【００７８】比較例２ （１）実施例１（１）と同様のフラスコにｍ−クレゾー
ル３０３ｇ、ｐ−クレゾール１３０ｇ、３７重量％ホル
ムアルデヒド水溶液３０８ｇおよびシュウ酸２水和物
０.７５６ｇを仕込んだ。攪拌しながらフラスコを油浴
に浸し内温を１１０℃に保持しながら３時間反応させ
た。その後、油浴温度を１８０℃まで上げるとともにフ
ラスコ内を１０ｍｍＨｇに減圧して、水、未反応クレゾ
ール、ホルムアルデヒドおよびシュウ酸を除いた。次い
で溶融したノボラック樹脂を室温に戻して回収した。得
られたノボラック樹脂のＭｗは１５,３００であり、低
分子量成分は１１重量％であった。

【００７９】（２）（１）で得られたノボラック樹脂１
００ｇ、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ルクロリド２０.３ｇおよび水１１２ｇを２１４０ｇの
ＰＧＭＡに溶解した後、８重量％のトリエチルアミンの
ＰＧＭＡ溶液１０５ｇを加え攪拌して９０分間反応させ
た。次いで、１規定塩酸を８.３ｍｌ加え２０分間攪拌
し、次いで水１ｌを加え攪拌した後、静置し水層と有機
層に分離した。水層を廃棄した後、同様の水洗操作をさ
らに２回行ない、反応溶液中に残存しているトリエチル
アミン塩酸塩、トリエチルアミンおよび塩酸を除去し
た。その後、反応液から減圧下でＰＧＭＡおよび水を除
去しエステル化ノボラック樹脂を１１５ｇ得た。

【００８０】（３）（２）で得られたエステル化ノボラ
ック樹脂２０ｇをＰＧＭＡ６０ｇに溶解した。次いで、
１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸０.２ｇ
を１,３−ジメチル−２−イミダゾリドン０.８ｇに溶解
し、この溶液をエステル化ノボラック樹脂溶液に攪拌し
ながら徐々に加え均一な溶液になるまで攪拌した。次に
界面活性剤メガファックＦ１７２（大日本インキ（株）
製）の２重量％ＰＧＭＡ溶液を０.２ｇ加え攪拌した。
その後孔径０.２μｍのメンブランフィルターで濾過
し、組成物の溶液を調製した。

【００８１】（４）（３）で得られた溶液を用いて実施
例１（４）と同様の方法でシリコンウェーハ上にレジス
トパターンを得ようと試みたが、露光部、未露光部とも
レジスト膜が全てエッチングされてしまいパターンは得
られなかった。

【００８２】実施例１〜９および比較例１〜２の評価結
果を使用したノボラック樹脂の１,２−キノンジアジド
スルホン酸エステル等と併せて表１にまとめた。

【００８３】

【表１】

【００８４】

【発明の効果】本発明のパターン形成方法はアンダーカ
ットが生じないパターン形状およびスループットに優れ
たレジストパターン形成方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】アンダーカットを持つパターン断面形状の１つ
を示す。

【図２】アンダーカットを持つ別のパターン断面形状を
示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３６１ Ｋ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 （１）. ｍ−クレゾールとｐ−クレゾー
   ルとを含有する混合クレゾールとホルムアルデヒドとを
   重縮合して得られ、ポリスチレン換算重量平均分子量が
   １,０００〜１０,０００でありそしてポリスチレン換算
   分子量が６００未満の低分子量成分を１３重量％以上含
   有するノボラック樹脂の１,２−キノンジアジドスルホ
   ン酸エステルを含有する感放射線性樹脂組成物を層状に
   塗布し、（２）. 選ばれた部分のみに放射線を照射し、
   （３）. シリル化剤蒸気で処理してシリル化剤を選択的
   に放射線照射部に吸収させて反応させ、そして（４）.
   該層を異方性酸素プラズマエッチングによりドライ現像
   して該層の放射線非照射部分を選択的に除去する、こと
   を特徴とするレジストパターン形成方法。