JPH05196949A - 微細パターンの光加工方法 - Google Patents
微細パターンの光加工方法Info
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- JPH05196949A JPH05196949A JP4193006A JP19300692A JPH05196949A JP H05196949 A JPH05196949 A JP H05196949A JP 4193006 A JP4193006 A JP 4193006A JP 19300692 A JP19300692 A JP 19300692A JP H05196949 A JPH05196949 A JP H05196949A
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- Japan
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- Pending
Links
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細パターンを多数同一平面にマスクにより
選択的に形成させること。 【構成】 合成石英に密接して形成された微細パターン
のマスクを形成し、該マスクにより４００ｎｍ以下の波
長のパルスレーザ光を選択的に透過させ、該パルスレー
ザ光を基板の一主面に真空中で透過させて、該一主面に
前記微細パターンを転写して選択的に除去もしくは変質
させる。
選択的に形成させること。 【構成】 合成石英に密接して形成された微細パターン
のマスクを形成し、該マスクにより４００ｎｍ以下の波
長のパルスレーザ光を選択的に透過させ、該パルスレー
ザ光を基板の一主面に真空中で透過させて、該一主面に
前記微細パターンを転写して選択的に除去もしくは変質
させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は太陽電池、液晶表示パネ
ル等に用いられる透光性導電膜の光による選択加工法に
関する。
ル等に用いられる透光性導電膜の光による選択加工法に
関する。
【０００２】
【従来技術】透光性導電膜の光加工に関しては、レ−ザ
加工技術としてＹＡＧレーザ光（波長１．０５μ) が主
として用いられている。この波長によるレーザ加工方法
においては、その光学的エネルギが１．２３ｅＶである
ため、透光性導電膜（以下ＣＴＦという) である一般な
３〜４ｅＶの光学的エネルギバンド巾を有する酸化ス
ズ、酸化インジューム（ＩＴＯを含む）に対して十分な
光吸収性を有していない。このためレーザ加工の際、Ｑ
スイッチパルス光は平均０．５〜１Ｗ（光径５０μ、焦
点距離４０ｎｍ、パルス周波数３ＫＨｚ、パルス巾６０
ｎ秒の場合）の強い光エネルギを加えて加工しなければ
ならない。その結果、このレーザ光によりＣＴＦの加工
は行い得るが、同時にその下側に設けられた基板例えば
ガラス基板に対してマイクロクラックを発生させてしま
った。
加工技術としてＹＡＧレーザ光（波長１．０５μ) が主
として用いられている。この波長によるレーザ加工方法
においては、その光学的エネルギが１．２３ｅＶである
ため、透光性導電膜（以下ＣＴＦという) である一般な
３〜４ｅＶの光学的エネルギバンド巾を有する酸化ス
ズ、酸化インジューム（ＩＴＯを含む）に対して十分な
光吸収性を有していない。このためレーザ加工の際、Ｑ
スイッチパルス光は平均０．５〜１Ｗ（光径５０μ、焦
点距離４０ｎｍ、パルス周波数３ＫＨｚ、パルス巾６０
ｎ秒の場合）の強い光エネルギを加えて加工しなければ
ならない。その結果、このレーザ光によりＣＴＦの加工
は行い得るが、同時にその下側に設けられた基板例えば
ガラス基板に対してマイクロクラックを発生させてしま
った。
【０００３】
【発明の解決しようとする問題】このＹＡＧレーザを用
いた加工での下地基板の微小クラックは、レーザ光の円
周と類似の形状を有し、「鱗」状に作られてしまった。
更に、１〜５μ巾の微細パターンを多数同一平面に選択
的に形成させることがまったく不可能であった。さらに
照射後、加工部のＣＴＦ材料が十分に微粉末化していな
いため、ＣＴＦのエッチング溶液（弗化水素系溶液）に
よりエッチングを行わなければならなかった。
いた加工での下地基板の微小クラックは、レーザ光の円
周と類似の形状を有し、「鱗」状に作られてしまった。
更に、１〜５μ巾の微細パターンを多数同一平面に選択
的に形成させることがまったく不可能であった。さらに
照射後、加工部のＣＴＦ材料が十分に微粉末化していな
いため、ＣＴＦのエッチング溶液（弗化水素系溶液）に
よりエッチングを行わなければならなかった。
【０００４】
【問題を解決するための手段】本発明は、上記の問題を
解決するものであり、その照射光として、４００ｎｍ以
下（エネルギ的には３．１ｅＶ以上）の波長のパルスレ
ーザを照射し、それをこの波長を透光する石英好ましく
は合成石英に非昇華性金属または有機被膜を選択的に形
成したガラスマスクを透過して照射することにより１〜
５μ巾の微細パターンをレジストを用いることなく選択
加工することが可能となった。
解決するものであり、その照射光として、４００ｎｍ以
下（エネルギ的には３．１ｅＶ以上）の波長のパルスレ
ーザを照射し、それをこの波長を透光する石英好ましく
は合成石英に非昇華性金属または有機被膜を選択的に形
成したガラスマスクを透過して照射することにより１〜
５μ巾の微細パターンをレジストを用いることなく選択
加工することが可能となった。
【０００５】
【作用】結果として下地のガラス板に対し何等の損傷な
しにＣＴＦの微細パターンの選択除去が可能となり、さ
らにアルコール、アセトン等の洗浄液による超音波洗浄
で十分となった。
しにＣＴＦの微細パターンの選択除去が可能となり、さ
らにアルコール、アセトン等の洗浄液による超音波洗浄
で十分となった。
【０００６】
『実施例１』 基板として厚さ１．１ｍｍのガラス基板
（１）を用いて、この上面に弗素またはアンチモンが添
加されている酸化スズのＣＴＦ（２）を０．３μの厚さ
に図１（Ａ）に示す如く形成させた。かかる被加工面を
有する基板に対し、４００ｎｍ以下の波長の発光用のレ
ーザ光源としてエキシマレーザ（Questec Inc.製）を用
いた。パルス光はＫｒＦを用いた２４８ｍｍとした。マ
スクは合成石英（４）にニッケル（５）を１５００Åの
厚さに選択的に形成したものを用いた。パルス巾２０ｎ
秒、繰り返し周波数５０Ｈｚ、平均出力１７Ｗ／１６×
２０ｍｍとした。これ以上の面積においては、この大き
さを繰り返し移動させつつ照射した。するとこの酸化ス
ズは１つのパルス光の照射で被照射面（３）が完全に白
濁化し、ＣＴＦが微粉末になった。これをアセトン水溶
液にて超音波洗浄（周波数２９ＫＨｚ）を約１〜１０分
し、このＣＴＦを除去した。下地のソーダガラスはまっ
たく損傷を受けていなかった。パターンとして３μ巾の
パターンをぬくことが可能であった。
（１）を用いて、この上面に弗素またはアンチモンが添
加されている酸化スズのＣＴＦ（２）を０．３μの厚さ
に図１（Ａ）に示す如く形成させた。かかる被加工面を
有する基板に対し、４００ｎｍ以下の波長の発光用のレ
ーザ光源としてエキシマレーザ（Questec Inc.製）を用
いた。パルス光はＫｒＦを用いた２４８ｍｍとした。マ
スクは合成石英（４）にニッケル（５）を１５００Åの
厚さに選択的に形成したものを用いた。パルス巾２０ｎ
秒、繰り返し周波数５０Ｈｚ、平均出力１７Ｗ／１６×
２０ｍｍとした。これ以上の面積においては、この大き
さを繰り返し移動させつつ照射した。するとこの酸化ス
ズは１つのパルス光の照射で被照射面（３）が完全に白
濁化し、ＣＴＦが微粉末になった。これをアセトン水溶
液にて超音波洗浄（周波数２９ＫＨｚ）を約１〜１０分
し、このＣＴＦを除去した。下地のソーダガラスはまっ
たく損傷を受けていなかった。パターンとして３μ巾の
パターンをぬくことが可能であった。
【０００７】『実施例２』 水素または弗素が添加され
た非単結晶半導体（主成分珪素）（図１（Ａ）（１）上
にＩＴＯ（酸化スズが５重量％添加された酸化インジュ
ーム）（２）を１０００Åの厚さに電子ビーム蒸着法に
よって形成し被加工面とした。さらにこの面上に図１
（Ｂ）に示す如く、マスクを合成石英にポリイミドの有
機樹脂（５）を選択的に形成してマスクを配設した。こ
のマスクと基板とは１〜１０μの間隔をあけた。さらに
ここを真空下（真空度１０-1torr以下）として４００ｎ
ｍ以下の波長のパルス光を加えた。波長は３５１ｎｍ
（ＸｅＦ）とした。パルス巾２０ｎ秒、平均出力２０Ｗ
／１６×２０ｍｍ2 とした。すると被加工面のＩＴＯは
昇華し下地の半導体は損傷することなく微細パターンを
形成せしめ残ったＩＴＯ間を絶縁化することができた。
かかるパターンは液晶表示装置における電極形成にきわ
めて好都合であった。
た非単結晶半導体（主成分珪素）（図１（Ａ）（１）上
にＩＴＯ（酸化スズが５重量％添加された酸化インジュ
ーム）（２）を１０００Åの厚さに電子ビーム蒸着法に
よって形成し被加工面とした。さらにこの面上に図１
（Ｂ）に示す如く、マスクを合成石英にポリイミドの有
機樹脂（５）を選択的に形成してマスクを配設した。こ
のマスクと基板とは１〜１０μの間隔をあけた。さらに
ここを真空下（真空度１０-1torr以下）として４００ｎ
ｍ以下の波長のパルス光を加えた。波長は３５１ｎｍ
（ＸｅＦ）とした。パルス巾２０ｎ秒、平均出力２０Ｗ
／１６×２０ｍｍ2 とした。すると被加工面のＩＴＯは
昇華し下地の半導体は損傷することなく微細パターンを
形成せしめ残ったＩＴＯ間を絶縁化することができた。
かかるパターンは液晶表示装置における電極形成にきわ
めて好都合であった。
【図１】 図１は本発明の作製方法を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】 合成石英に密接して形成された微細パタ
ーンのマスクを形成し、該マスクにより４００ｎｍ以下
の波長のパルスレーザ光を選択的に透過させ、該パルス
レーザ光を基板の一主面に真空中で透過させて、該一主
面に前記微細パターンを転写して選択的に除去もしくは
変質させることを特徴とする微細パターンの光加工方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4193006A JPH05196949A (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 微細パターンの光加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4193006A JPH05196949A (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 微細パターンの光加工方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59117539A Division JPS60260393A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 微細パターンの光加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05196949A true JPH05196949A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=16300639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4193006A Pending JPH05196949A (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 微細パターンの光加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05196949A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997011589A1 (de) * | 1995-09-21 | 1997-03-27 | Fa. Lpkf Cad/Cam Systeme Gmbh | Beschichtung zur strukturierten erzeugung von leiterbahnen auf der oberfläche von elektrisch isolierenden substraten |
| KR20020032883A (ko) * | 2000-10-27 | 2002-05-04 | 한기관 | 마킹용 레이저를 이용한 투명 아이티오 전극 패턴 제작 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60260393A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微細パターンの光加工方法 |
-
1992
- 1992-06-26 JP JP4193006A patent/JPH05196949A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60260393A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微細パターンの光加工方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997011589A1 (de) * | 1995-09-21 | 1997-03-27 | Fa. Lpkf Cad/Cam Systeme Gmbh | Beschichtung zur strukturierten erzeugung von leiterbahnen auf der oberfläche von elektrisch isolierenden substraten |
| KR20020032883A (ko) * | 2000-10-27 | 2002-05-04 | 한기관 | 마킹용 레이저를 이용한 투명 아이티오 전극 패턴 제작 방법 |
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