JPH0626207B2 - 光加工方法 - Google Patents
光加工方法Info
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- JPH0626207B2 JPH0626207B2 JP59227499A JP22749984A JPH0626207B2 JP H0626207 B2 JPH0626207 B2 JP H0626207B2 JP 59227499 A JP59227499 A JP 59227499A JP 22749984 A JP22749984 A JP 22749984A JP H0626207 B2 JPH0626207 B2 JP H0626207B2
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- light
- metal conductive
- processing method
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
- H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P34/00—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices
- H10P34/40—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation
- H10P34/42—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation with electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/26—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials
- H10P50/262—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by physical means only
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Lasers (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、太陽電池等に用いられる金属導電膜、または
透光性導電膜と金属導電膜とを組み合わせたものを光に
よって選択的に加工する光加工方法に関するものであ
る。
透光性導電膜と金属導電膜とを組み合わせたものを光に
よって選択的に加工する光加工方法に関するものであ
る。
金属導電膜、または透光性導電膜と金属導電膜とを組み
合わせたものを光によって選択的に加工する光加工方法
に関しては、レーザ加工技術があり、たとえばYAG レー
ザ光（波長1.05μｍ）が主として用いられている。
合わせたものを光によって選択的に加工する光加工方法
に関しては、レーザ加工技術があり、たとえばYAG レー
ザ光（波長1.05μｍ）が主として用いられている。
このYAG レーザ光を用いた光加工方法は、スポット状の
レーザビームを被加工物に照射すると共に、このスポッ
ト状のレーザビームを加工方向に走査する。スポット状
のレーザビームは、順次移動することで、点の連続した
鎖状の開溝が形成される。そのため、このスポット状の
レーザビームの走査スピードと、加工に必要なエネルギ
ー密度とは、被加工物の熱伝導度、昇華性に加えて、き
わめて微妙に相互作用を行なう。
レーザビームを被加工物に照射すると共に、このスポッ
ト状のレーザビームを加工方向に走査する。スポット状
のレーザビームは、順次移動することで、点の連続した
鎖状の開溝が形成される。そのため、このスポット状の
レーザビームの走査スピードと、加工に必要なエネルギ
ー密度とは、被加工物の熱伝導度、昇華性に加えて、き
わめて微妙に相互作用を行なう。
上記理由により、レーザビームを用いた光加工方法は、
工業化に際して生産性を向上させるが、最適品質を保証
するマージンが少ないという欠点を有する。
工業化に際して生産性を向上させるが、最適品質を保証
するマージンが少ないという欠点を有する。
また、YAG レーザ光のＱスイッチを用いるレーザ加工方
法は、平均0.5 W ないし1W（光径50μｍ、焦点距離40m
m、パルス周波数3KHz、パルス巾60n 秒の場合）の強い
光エネルギーを有するパルス光を走査スピードが30cm/
分ないし60cm/ 分で加えて加工しなければならない。そ
の結果、このレーザ光は、金属導電膜、または透光性導
電膜と金属導電膜とを組み合わせたものを加工すること
ができるが、この加工と同時に、金属導電膜、または透
光性導電膜と金属導電膜とを組み合わせたものが形成さ
れている基板、たとえばガラス基板等に対してマイクロ
クラックを発生させてしまった。
法は、平均0.5 W ないし1W（光径50μｍ、焦点距離40m
m、パルス周波数3KHz、パルス巾60n 秒の場合）の強い
光エネルギーを有するパルス光を走査スピードが30cm/
分ないし60cm/ 分で加えて加工しなければならない。そ
の結果、このレーザ光は、金属導電膜、または透光性導
電膜と金属導電膜とを組み合わせたものを加工すること
ができるが、この加工と同時に、金属導電膜、または透
光性導電膜と金属導電膜とを組み合わせたものが形成さ
れている基板、たとえばガラス基板等に対してマイクロ
クラックを発生させてしまった。
このYAG レーザ光を用いた光加工方法では、スポット状
のレーザビームの走査を順次少しずつずらしていくた
め、金属導電膜、または透光性導電膜と金属導電膜とを
組み合わせたものが形成されている下地基板に発生する
マイクロクラックが、レーザ光の円周と類似した「鱗」
状に形成される。
のレーザビームの走査を順次少しずつずらしていくた
め、金属導電膜、または透光性導電膜と金属導電膜とを
組み合わせたものが形成されている下地基板に発生する
マイクロクラックが、レーザ光の円周と類似した「鱗」
状に形成される。
また、YAG レーザ光のＱスイッチを用いた光加工方法
は、その尖頭値の出力が長期間の使用において、バラツ
キやすく、使用の度にモニターでのチェックが必要であ
った。
は、その尖頭値の出力が長期間の使用において、バラツ
キやすく、使用の度にモニターでのチェックが必要であ
った。
さらに、YAG レーザ光を用いた光加工方法は、１μｍな
いし５μｍ巾の微細パターンを多数同一平面に選択的に
形成させることがまったく不可能であった。さらに、レ
ーザビームを被加工面に照射して光加工を行なった後、
被加工部の金属導電膜、または透光性導電膜と金属導電
膜とを組み合わせたものの材料は、十分に微粉末化して
いないため、うすい酸溶液によりエッチングを行わなけ
ればならなかった。
いし５μｍ巾の微細パターンを多数同一平面に選択的に
形成させることがまったく不可能であった。さらに、レ
ーザビームを被加工面に照射して光加工を行なった後、
被加工部の金属導電膜、または透光性導電膜と金属導電
膜とを組み合わせたものの材料は、十分に微粉末化して
いないため、うすい酸溶液によりエッチングを行わなけ
ればならなかった。
以上のような問題を解決するために、本発明は、基板に
マイクロクラックを発生させることなく、選択的に開溝
等の微細パターンを容易に得ることができると共に、光
加工後の残渣の処理を簡単にできる光加工方法を提供す
ることを目的とする。
マイクロクラックを発生させることなく、選択的に開溝
等の微細パターンを容易に得ることができると共に、光
加工後の残渣の処理を簡単にできる光加工方法を提供す
ることを目的とする。
本発明の光加工方法は、上記の問題を解決するものであ
り、金属導電膜、または透光性導電膜と金属導電膜とを
組み合わせたものに、400ｎｍ以下（エネルギー的には
3.1eV 以上）の波長のパルスレーザを照射し、20μｍφ
ないし50μｍφのビームスポットではなく、たとえば10
μｍないし20μｍの巾（特に、15μｍ）、長さ10cmない
し50cm、特に30cmのスリット状に一つのパルスにて同時
に瞬間的に開溝を加工する。それによって、金属導電
膜、または透光性導電膜と金属導電膜とを組み合わせた
ものでの光エネルギーの吸収効率を、たとえばYAG レー
ザ光（1.06 μｍ）の100 倍以上に高めたものである。
り、金属導電膜、または透光性導電膜と金属導電膜とを
組み合わせたものに、400ｎｍ以下（エネルギー的には
3.1eV 以上）の波長のパルスレーザを照射し、20μｍφ
ないし50μｍφのビームスポットではなく、たとえば10
μｍないし20μｍの巾（特に、15μｍ）、長さ10cmない
し50cm、特に30cmのスリット状に一つのパルスにて同時
に瞬間的に開溝を加工する。それによって、金属導電
膜、または透光性導電膜と金属導電膜とを組み合わせた
ものでの光エネルギーの吸収効率を、たとえばYAG レー
ザ光（1.06 μｍ）の100 倍以上に高めたものである。
さらに、本発明の光加工方法は、初期にYAG レーザ光の
ように円状で、かつガウス分布の光強度を有さずに、初
期の光の照射面が矩形を有し、またその強さも照射面内
で概略均一である、エキシマレーザ光を用いる。このた
め、ビームエキスパンダで矩形の大面積化または長面積
化し、またその一方のＸまたはＹ方向にそってシリンド
リカルレンズにて一つまたは複数のスリット状にレーザ
光を集光する。
ように円状で、かつガウス分布の光強度を有さずに、初
期の光の照射面が矩形を有し、またその強さも照射面内
で概略均一である、エキシマレーザ光を用いる。このた
め、ビームエキスパンダで矩形の大面積化または長面積
化し、またその一方のＸまたはＹ方向にそってシリンド
リカルレンズにて一つまたは複数のスリット状にレーザ
光を集光する。
その結果、一つまたは複数のスリット、たとえば２本な
いし20本、特に４本を同時に１回のパルス光にて照射
し、強光を被加工物に対し照射して開溝を作ることがで
きる。
いし20本、特に４本を同時に１回のパルス光にて照射
し、強光を被加工物に対し照射して開溝を作ることがで
きる。
開溝は、一つのパルスレーザ光を線状、たとえば、10cm
ないし50cm、特に30cmの長さにわたって照射すること
で、加工される。また、Ｑスイッチ方式ではなく、400
ｎｍ以下の波長のパルスレーザ光を用いるため、尖端値
の強さを精密に制御し得る。
ないし50cm、特に30cmの長さにわたって照射すること
で、加工される。また、Ｑスイッチ方式ではなく、400
ｎｍ以下の波長のパルスレーザ光を用いるため、尖端値
の強さを精密に制御し得る。
この結果として、下地基板に対し何等の損傷を与えるこ
となくして金属導電膜、または透光性導電膜と金属導電
膜とを組み合わせたもののみにスリット状開溝を選択的
に得ることが可能となる。
となくして金属導電膜、または透光性導電膜と金属導電
膜とを組み合わせたもののみにスリット状開溝を選択的
に得ることが可能となる。
さらに、減圧下にて400ｎｍ以下の波長のパルスレーザ
光を金属導電膜、または透光性導電膜と金属導電膜とを
組み合わせたものに照射するならば、レーザ光源より被
加工物の間での水分等による紫外光の吸収損失を少なく
し得る。
光を金属導電膜、または透光性導電膜と金属導電膜とを
組み合わせたものに照射するならば、レーザ光源より被
加工物の間での水分等による紫外光の吸収損失を少なく
し得る。
また、開溝を形成した後の被加工部に残る粉状の残渣物
は、アルコール、アセトン等の洗浄液による超音波洗浄
で十分除去が可能である。
は、アルコール、アセトン等の洗浄液による超音波洗浄
で十分除去が可能である。
したがって、本発明の光加工方法は、いわゆるフォトマ
スクプロセスに必要なマスク作り、レジストコート、被
加工物の蒸着によるエッチング、レジスト除去等の多く
の工程がまったく不要となり、かつ公害材料の使用も不
要となった。
スクプロセスに必要なマスク作り、レジストコート、被
加工物の蒸着によるエッチング、レジスト除去等の多く
の工程がまったく不要となり、かつ公害材料の使用も不
要となった。
第１図は本発明の一実施例で、エキシマレーザを用いた
光加工方法を説明するための図である。
光加工方法を説明するための図である。
第２図は本発明の一実施例で、エキシマレーザの光パタ
ーンを説明するための図である。
ーンを説明するための図である。
第１図および第２図において、光発生装置(1) は、エキ
シマレーザ（波長248 ｎｍ、Eg＝5.0eV）を発生する。
初期のエキシマレーザビーム(20)は、第２図に示すよう
に、16mm×20mmの大きさを有し、効率3%であるため、35
0 mJを有する。
シマレーザ（波長248 ｎｍ、Eg＝5.0eV）を発生する。
初期のエキシマレーザビーム(20)は、第２図に示すよう
に、16mm×20mmの大きさを有し、効率3%であるため、35
0 mJを有する。
さらに、このエキシマレーザビーム(20)は、ビームエキ
スパンダ(2) によって、拡大された後、反射鏡(3) で向
きを変えて、長面積化または大面積化される。すなわ
ち、第１図および第２図に示す符号(21)のように、エキ
シマレーザビーム(20)は、150mm ×300mm に拡大され
る。本実施例の光加工方法では、5.6 ×10-3mJ/mm2のエ
ネルギー密度が得られた。
スパンダ(2) によって、拡大された後、反射鏡(3) で向
きを変えて、長面積化または大面積化される。すなわ
ち、第１図および第２図に示す符号(21)のように、エキ
シマレーザビーム(20)は、150mm ×300mm に拡大され
る。本実施例の光加工方法では、5.6 ×10-3mJ/mm2のエ
ネルギー密度が得られた。
さらに、エキシマレーザビーム(20)は、石英製のシリン
ドリカルレンズ(4-1) 、(4-2) 、(4-3) 、(4-4) によっ
て、開溝巾15μｍで４本に分割するように、第１図図示
の符号(22)で示すように集光される。かくして、分割さ
れた長さ30cm、巾15μｍのスリット状のエキシマレーザ
ビーム(20)は、基板(10)上の被加工物(11)に同時に照射
され、開溝(5) が形成される。
ドリカルレンズ(4-1) 、(4-2) 、(4-3) 、(4-4) によっ
て、開溝巾15μｍで４本に分割するように、第１図図示
の符号(22)で示すように集光される。かくして、分割さ
れた長さ30cm、巾15μｍのスリット状のエキシマレーザ
ビーム(20)は、基板(10)上の被加工物(11)に同時に照射
され、開溝(5) が形成される。
被加工面として、ガラス状の基板上に形成された非単結
晶半導体層上にスパッタによりクロムを１５００Å形成
したものを用いた。
晶半導体層上にスパッタによりクロムを１５００Å形成
したものを用いた。
また、エキシマレーザは、KrF を用い、その波長を248
ｎｍとした。上記レーザパルス光は、その光学的エネル
ギーバンド巾が5.0eV であるため、非加工物(11)が十分
光を吸収し、開溝(5) の加工を容易にする。
ｎｍとした。上記レーザパルス光は、その光学的エネル
ギーバンド巾が5.0eV であるため、非加工物(11)が十分
光を吸収し、開溝(5) の加工を容易にする。
上記レーザパルス光は、パルス巾20n 秒、繰り返し周波
数１Hzないし100Hz 、たとえば10Hz、平均出力１mJ/mm2
を使用した。
数１Hzないし100Hz 、たとえば10Hz、平均出力１mJ/mm2
を使用した。
この被膜に開溝(5) が形成される際に、１回のみの線状
のレーザパルス光の照射でこの部分が完全に昇華してし
まった。これをアセトン水溶液にての超音波洗浄（周波
数29KHz）を約１分ないし10分行い、被加工物を洗浄し
た。下地のガラスおよび金属導電膜、または透光性導電
膜と金属導電膜とを組み合わせたものは、全く損傷を受
けていなかった。
のレーザパルス光の照射でこの部分が完全に昇華してし
まった。これをアセトン水溶液にての超音波洗浄（周波
数29KHz）を約１分ないし10分行い、被加工物を洗浄し
た。下地のガラスおよび金属導電膜、または透光性導電
膜と金属導電膜とを組み合わせたものは、全く損傷を受
けていなかった。
第３図は、基板上にスリット状の複数のレーザパルス光
を同時に照射した場合を説明するための図である。
を同時に照射した場合を説明するための図である。
第３図において、スリット状の複数のレーザパルス光
は、第１回目が同時に照射されることにより、開溝(5-
1) 、(5-2) 、(5-3) 、(5-4) に形成される。次に、第
１図において符号(23)で示すＸテーブルが、たとえば13
0 μｍ移動した後、第２回目のレーザパルス光を金属導
電膜、または透光性導電膜と金属導電膜とを組み合わせ
たものに照射することにより、開溝(6-1) 、(6-2) 、(6
-3) 、(6-4) が形成される。さらに、Ｘテーブル(23)が
130 μｍ移動した後、第３回目のレーザパルス光を金属
導電膜、または透光性導電膜と金属導電膜とを組み合わ
せたものに照射することにより、開溝(7-1) 、(7-2) 、
(7-3) 、(7-4) が形成される。
は、第１回目が同時に照射されることにより、開溝(5-
1) 、(5-2) 、(5-3) 、(5-4) に形成される。次に、第
１図において符号(23)で示すＸテーブルが、たとえば13
0 μｍ移動した後、第２回目のレーザパルス光を金属導
電膜、または透光性導電膜と金属導電膜とを組み合わせ
たものに照射することにより、開溝(6-1) 、(6-2) 、(6
-3) 、(6-4) が形成される。さらに、Ｘテーブル(23)が
130 μｍ移動した後、第３回目のレーザパルス光を金属
導電膜、または透光性導電膜と金属導電膜とを組み合わ
せたものに照射することにより、開溝(7-1) 、(7-2) 、
(7-3) 、(7-4) が形成される。
第ｎ回目のレーザパルス光を金属導電膜、または透光性
導電膜と金属導電膜とを組み合わせたものに照射するこ
とにより、開溝(n-1) 、(n-2) 、(n-3、(n-4) が形成さ
る。
導電膜と金属導電膜とを組み合わせたものに照射するこ
とにより、開溝(n-1) 、(n-2) 、(n-3、(n-4) が形成さ
る。
このように、レーザパルス光を金属導電膜、または透光
性導電膜と金属導電膜とを組み合わせたものにｎ回照射
することにより、大面積を４ｎ本の開溝に分割すること
ができる。
性導電膜と金属導電膜とを組み合わせたものにｎ回照射
することにより、大面積を４ｎ本の開溝に分割すること
ができる。
本実施例の光加工方法は、第３図に示される如く、１本
開溝を形成する場合の４倍の加工スピードにて4n本の開
溝を作ることができる。
開溝を形成する場合の４倍の加工スピードにて4n本の開
溝を作ることができる。
しかし、かかる場合、たとえば開溝(n-1) と開溝(5-2)
との間隔、および開溝(5-1) と開溝(6-1) との間隔は、
テーブル(23)の移動精度により精度の高い等間隔にする
ことが困難である。
との間隔、および開溝(5-1) と開溝(6-1) との間隔は、
テーブル(23)の移動精度により精度の高い等間隔にする
ことが困難である。
この場合、高い精度の開溝が要求されるならば、加工用
のレーザビームは、第１図において１本のみとすること
が有効である。かくすると、かかる隣あった群間の精度
を論ずる必要がなくなる。
のレーザビームは、第１図において１本のみとすること
が有効である。かくすると、かかる隣あった群間の精度
を論ずる必要がなくなる。
次に、本発明の他の実施例を説明する。
水素または弗素が添加された非単結晶半導体（主成分珪
素）上には、ITO（酸化スズが5 重量％添加された酸化
インジューム）が1000Åの厚さに電子ビーム蒸着法によ
って形成される。さらに、その上面には、スパッタ法に
よりクロムが1500Åの厚さに形成され、これを被加工物
とした。
素）上には、ITO（酸化スズが5 重量％添加された酸化
インジューム）が1000Åの厚さに電子ビーム蒸着法によ
って形成される。さらに、その上面には、スパッタ法に
よりクロムが1500Åの厚さに形成され、これを被加工物
とした。
さらに、この被加工物は、減圧下（真空度10-5Torr以
下）に保持し、400ｎｍ以下の波長のパルス光が加えら
れた。この時のパルス光の波長は193ｎｍ(ArF)、パルス
巾10n 秒、平均出力2.3mJ/mm2とした。すると被加工面
のITO （酸化スズが5 重量％添加された酸化インジュー
ム）とクロムとは、昇華し、下地の半導体を損傷するこ
となく、この開溝により残った導電膜を絶縁化すること
ができた。
下）に保持し、400ｎｍ以下の波長のパルス光が加えら
れた。この時のパルス光の波長は193ｎｍ(ArF)、パルス
巾10n 秒、平均出力2.3mJ/mm2とした。すると被加工面
のITO （酸化スズが5 重量％添加された酸化インジュー
ム）とクロムとは、昇華し、下地の半導体を損傷するこ
となく、この開溝により残った導電膜を絶縁化すること
ができた。
本実施例において、金属としてクロムを用いたが、他の
金属、アルミニューム、ニッケル、マグネシューム、ス
テンレスでも同様である。
金属、アルミニューム、ニッケル、マグネシューム、ス
テンレスでも同様である。
また、透光性導電膜も本実施例にのみ限定されることは
ない。なお、本実施例では、KrF(248ｎｍ)のエキシマレ
ーザを用いたが、他の400ｎｍ以下の波長の光でも有効
であった。
ない。なお、本実施例では、KrF(248ｎｍ)のエキシマレ
ーザを用いたが、他の400ｎｍ以下の波長の光でも有効
であった。
本実施例によれば、多数のスリット状開溝を作製する、
たとえば130 μｍ間隔にて15μｍの巾を1920本製造する
場合、この時間は４本分割とし、10Hz/ パルスとすると
0.8 分で可能となった。
たとえば130 μｍ間隔にて15μｍの巾を1920本製造する
場合、この時間は４本分割とし、10Hz/ パルスとすると
0.8 分で可能となった。
また、開溝の作製が１本のみであっても、3.2 分で加工
を行なうことが可能であった。その結果、従来のマスク
ライン方式でフォトマスクを用いてパターニーグを行う
場合に比べて、工程数が７工程より２工程（光照射、洗
浄）となった。また、開溝を形成するための作業時間
は、５分ないし10分とすることができ、多数の直線状開
溝を作る場合にきわめて低コスト、高生産性を図ること
ができるようになった。
を行なうことが可能であった。その結果、従来のマスク
ライン方式でフォトマスクを用いてパターニーグを行う
場合に比べて、工程数が７工程より２工程（光照射、洗
浄）となった。また、開溝を形成するための作業時間
は、５分ないし10分とすることができ、多数の直線状開
溝を作る場合にきわめて低コスト、高生産性を図ること
ができるようになった。
本実施例において、開溝と開溝間の幅（加工せずに残す
面積）が開溝より幅が広い例を説明したが、光照射を隣
合わせて連結化することにより、この逆に残っている面
積を、たとえば20μｍ、除去する部分を400 μｍとする
ことも可能である。
面積）が開溝より幅が広い例を説明したが、光照射を隣
合わせて連結化することにより、この逆に残っている面
積を、たとえば20μｍ、除去する部分を400 μｍとする
ことも可能である。
この場合、集光スリットの巾を15μｍより50μｍないし
100 μｍとすると生産性向上に有効である。
100 μｍとすると生産性向上に有効である。
本発明によれば、400ｎｍ以下の波長のパルスレーザ光
を用いたため、金属導電膜、または透光性導電膜と金属
導電膜とを組み合わせたものに吸収し易く、金属導電
膜、または透光性導電膜と金属導電膜とを組み合わせた
ものが形成されている基板にマイクロクラックが形成さ
れない。
を用いたため、金属導電膜、または透光性導電膜と金属
導電膜とを組み合わせたものに吸収し易く、金属導電
膜、または透光性導電膜と金属導電膜とを組み合わせた
ものが形成されている基板にマイクロクラックが形成さ
れない。
また、本発明によれば、400ｎｍ以下の波長のパルスレ
ーザ光が平行に配設されたシリンドリカルレンズによっ
て線状に集光されているため、光エネルギーのバラツキ
が少なく、金属導電膜、または透光性導電膜と金属導電
膜とを組み合わせたものの微細加工を可能とした。
ーザ光が平行に配設されたシリンドリカルレンズによっ
て線状に集光されているため、光エネルギーのバラツキ
が少なく、金属導電膜、または透光性導電膜と金属導電
膜とを組み合わせたものの微細加工を可能とした。
さらに、本発明によれば、400ｎｍ以下の波長のパルス
レーザ光が金属導電膜、または透光性導電膜と金属導電
膜とを組み合わせたものを充分に昇華させることができ
るので、光加工によって出る残渣の清掃を簡単にすると
共に、導電体の絶縁化が行なわれる。
レーザ光が金属導電膜、または透光性導電膜と金属導電
膜とを組み合わせたものを充分に昇華させることができ
るので、光加工によって出る残渣の清掃を簡単にすると
共に、導電体の絶縁化が行なわれる。
第１図は本発明の一実施例で、エキシマレーザを用いた
光加工方法を説明するための図である。 第２図は本発明の一実施例で、エキシマレーザの光パタ
ーンを説明するための図である。 第３図は基板上にスリット状の複数のレーザパルス光を
同時に照射した場合を説明するための図である。 １……光発生装置 ２……ビームエキスパンダ ３……反射鏡 ４……シリンドリカルレンズ ５……開溝 １０……基板 １１……被加工物 ２０……エキシマレーザビーム ２１……拡大されたエキシマレーザビーム ２２……集光されたエキシマレーザビーム ２３……Ｘテーブル
光加工方法を説明するための図である。 第２図は本発明の一実施例で、エキシマレーザの光パタ
ーンを説明するための図である。 第３図は基板上にスリット状の複数のレーザパルス光を
同時に照射した場合を説明するための図である。 １……光発生装置 ２……ビームエキスパンダ ３……反射鏡 ４……シリンドリカルレンズ ５……開溝 １０……基板 １１……被加工物 ２０……エキシマレーザビーム ２１……拡大されたエキシマレーザビーム ２２……集光されたエキシマレーザビーム ２３……Ｘテーブル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｈ０１Ｓ 3/00 Ｂ 8934−4Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】400 nm以下の波長のパルスレーザ光をビー
ムエキスパンダにて大面積化または長面積化して、基板
上に形成された金属導電膜、または透光性導電膜と金属
導電膜とを組み合わせたものに照射することにより、前
記金属導電膜、または透光性導電膜と金属導電膜とを組
み合わせたものに、一つまたは複数の開溝を形成する光
加工方法であって、 前記パルスレーザ光は、平行に配設された一つまたは複
数のシリンドリカルレンズにより、一つまたは複数の線
状のパルス光に集光されることを特徴とする光加工方
法。 - 【請求項２】400 ｎｍ以下の波長のパルスレーザ光は、
エキシマレーザであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光加工方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59227499A JPH0626207B2 (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | 光加工方法 |
| US06/791,733 US4680855A (en) | 1984-10-29 | 1985-10-28 | Electronic device manufacturing methods |
| CN85108626.8A CN1004245B (zh) | 1984-10-29 | 1985-10-28 | 电子器件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59227499A JPH0626207B2 (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | 光加工方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7127523A Division JP2807809B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 光加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61105885A JPS61105885A (ja) | 1986-05-23 |
| JPH0626207B2 true JPH0626207B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=16861845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59227499A Expired - Lifetime JPH0626207B2 (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | 光加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0626207B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065778B2 (ja) * | 1985-12-17 | 1994-01-19 | 株式会社富士電機総合研究所 | 光半導体装置の製造方法 |
| JP2791226B2 (ja) * | 1991-03-08 | 1998-08-27 | キヤノン株式会社 | 記録ヘッドの製造方法および記録ヘッド |
| JPH06102410A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPH10172762A (ja) | 1996-12-11 | 1998-06-26 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の製造方法及び表示装置 |
| JP2002261315A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光電変換モジュールの製造方法 |
| CN101572215B (zh) | 2008-04-28 | 2011-04-27 | 财团法人工业技术研究院 | 图案化金属层及薄膜晶体管的制作方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5996783A (ja) * | 1983-09-12 | 1984-06-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| JPS6189636A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光加工方法 |
| JPH0626207A (ja) * | 1992-07-06 | 1994-02-01 | Itsuo Maeda | 自由止め型 |
-
1984
- 1984-10-29 JP JP59227499A patent/JPH0626207B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61105885A (ja) | 1986-05-23 |
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