JPH05196970A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH05196970A JPH05196970A JP921892A JP921892A JPH05196970A JP H05196970 A JPH05196970 A JP H05196970A JP 921892 A JP921892 A JP 921892A JP 921892 A JP921892 A JP 921892A JP H05196970 A JPH05196970 A JP H05196970A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電気による表示画素領域外周部分の表示欠
陥の発生を抑えた液晶表示装置を提供する。 【構成】 表示画素領域Ａの外側の領域Ｂに金属−絶縁
体−金属構造よりなるスイッチング素子18をタンタルパ
ターン13によって列ごとに接続する。隣接する２個のス
イッチング素子18を単一のＩＴＯパターン21b で連結し
たダミー画素を設ける。電荷が集中しやすい表示画素領
域Ａの端部の外側の領域Ｂの部分を放電、破壊しやすく
する。工程中で静電気が発生して表示画素領域Ａの外側
の領域Ｂの部分で電位差が生じても、表示画素領域Ａの
周囲の領域Ｂが破壊され、電位差を緩和するため画素表
示電極Ｂの部分の画素電極となるＩＴＯパターン21a を
保護する。
陥の発生を抑えた液晶表示装置を提供する。 【構成】 表示画素領域Ａの外側の領域Ｂに金属−絶縁
体−金属構造よりなるスイッチング素子18をタンタルパ
ターン13によって列ごとに接続する。隣接する２個のス
イッチング素子18を単一のＩＴＯパターン21b で連結し
たダミー画素を設ける。電荷が集中しやすい表示画素領
域Ａの端部の外側の領域Ｂの部分を放電、破壊しやすく
する。工程中で静電気が発生して表示画素領域Ａの外側
の領域Ｂの部分で電位差が生じても、表示画素領域Ａの
周囲の領域Ｂが破壊され、電位差を緩和するため画素表
示電極Ｂの部分の画素電極となるＩＴＯパターン21a を
保護する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属−絶縁体−金属
（Metal-Insulator-Metal ）素子をスイッチング素子と
して基板に設けた液晶表示装置に関する。
（Metal-Insulator-Metal ）素子をスイッチング素子と
して基板に設けた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示器を用いた液晶表示装置
は、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、さら
にはオフィスオートメーション用の端末機器、テレビジ
ョン用画像表示等の大容量情報表示用途に使用されてき
ており、より高画質が求められている。
は、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、さら
にはオフィスオートメーション用の端末機器、テレビジ
ョン用画像表示等の大容量情報表示用途に使用されてき
ており、より高画質が求められている。
【０００３】そして、このスイッチングアレイには各種
あるが、構造が簡単で、製造が容易である２端子の非線
形抵抗素子、中でも、現在のところ実用化されているも
のとしてＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal ）素子があ
る。
あるが、構造が簡単で、製造が容易である２端子の非線
形抵抗素子、中でも、現在のところ実用化されているも
のとしてＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal ）素子があ
る。
【０００４】図８は、ＭＩＭ素子を有する従来のアレイ
基板の一画素部分の一例を示す断面図である。この液晶
表示装置を製造工程に従って説明すると、まず、ガラス
基板１上にタンタル（Ｔａ）膜２をスパッタリング法や
真空蒸着法等の薄膜形成法により形成して、写真触刻法
によりパターニングし、配線電極と非線形抵抗素子のＭ
ＩＭ素子の一方の電極とが形成される。
基板の一画素部分の一例を示す断面図である。この液晶
表示装置を製造工程に従って説明すると、まず、ガラス
基板１上にタンタル（Ｔａ）膜２をスパッタリング法や
真空蒸着法等の薄膜形成法により形成して、写真触刻法
によりパターニングし、配線電極と非線形抵抗素子のＭ
ＩＭ素子の一方の電極とが形成される。
【０００５】次に、タンタル膜２をたとえばクエン酸水
溶液中で陽極酸化法により化成し、酸化膜３を形成す
る。さらに、非線形抵抗素子のＭＩＭ素子の他方の電極
としてクロム（Ｃｒ）膜４を、薄膜形成・加工法により
形成することにより、非線形抵抗素子のＭＩＭ素子が完
成する。
溶液中で陽極酸化法により化成し、酸化膜３を形成す
る。さらに、非線形抵抗素子のＭＩＭ素子の他方の電極
としてクロム（Ｃｒ）膜４を、薄膜形成・加工法により
形成することにより、非線形抵抗素子のＭＩＭ素子が完
成する。
【０００６】さらに、この後には、画像表示用の透明電
極５をガラス基板１上に形成する。
極５をガラス基板１上に形成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように、非線形抵抗素子をスイッチング素子として用い
る場合、非線形抵抗素子の特性不良は画素単位の表示欠
陥、いわゆる点欠陥となる。
ように、非線形抵抗素子をスイッチング素子として用い
る場合、非線形抵抗素子の特性不良は画素単位の表示欠
陥、いわゆる点欠陥となる。
【０００８】また、非線形抵抗素子の特性不良にはさま
ざまな要因が考えられるが、ＭＩＭ素子の非線形抵抗素
子に関しては、絶縁層となる酸化膜３が５００〜８００
オングストローム程度と薄いため耐圧が低く、工程中に
発生する静電気による超高電圧放電によって絶縁破壊を
起こしやすい。
ざまな要因が考えられるが、ＭＩＭ素子の非線形抵抗素
子に関しては、絶縁層となる酸化膜３が５００〜８００
オングストローム程度と薄いため耐圧が低く、工程中に
発生する静電気による超高電圧放電によって絶縁破壊を
起こしやすい。
【０００９】さらに、液晶表示装置の製造においては、
液晶層の配向制御のために、ガラス基板１上にポリイミ
ド膜などの配向膜を形成後、布で擦る工程などがあり、
静電気が発生しやすく、この静電気が非線形抵抗素子の
静電気放電破壊を起こすことを完全に抑えることは困難
であり、製造工程の収率を下げることが多い。
液晶層の配向制御のために、ガラス基板１上にポリイミ
ド膜などの配向膜を形成後、布で擦る工程などがあり、
静電気が発生しやすく、この静電気が非線形抵抗素子の
静電気放電破壊を起こすことを完全に抑えることは困難
であり、製造工程の収率を下げることが多い。
【００１０】一般に、電荷は端部に集中するため、表示
画素領域となる透明電極５の最外周近傍に欠陥が集中す
ることが多い。これは、表示画素領域の外側のガラス基
板１領域で発生した静電気が最外部の表示画素列や透明
電極５に集まり、このため最外部周辺の近接する表示画
素電極間や、配線電極間やこれに近接する表示画素電極
の間で放電が発生し素子が絶縁破壊を起こす現象であ
る。
画素領域となる透明電極５の最外周近傍に欠陥が集中す
ることが多い。これは、表示画素領域の外側のガラス基
板１領域で発生した静電気が最外部の表示画素列や透明
電極５に集まり、このため最外部周辺の近接する表示画
素電極間や、配線電極間やこれに近接する表示画素電極
の間で放電が発生し素子が絶縁破壊を起こす現象であ
る。
【００１１】本発明は上記問題点に鑑みなされたもの
で、静電気による表示画素領域外周部分の表示欠陥の発
生を抑えた液晶表示装置を提供することを目的とする。
で、静電気による表示画素領域外周部分の表示欠陥の発
生を抑えた液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、相対向する一
対の基板の一方が、金属−絶縁体−金属の構成よりなる
非線形抵抗素子がアレイ状に配置され、前記各非線形抵
抗素子に画素電極が配置され、この画素電極が配線電極
により各行方向に接続されたマトリクスアレイ基板であ
る液晶表示装置において、前記マトリクスアレイ基板の
画素電極の表示画素領域の外側の領域に金属−絶縁体−
金属構造よりなる非線形抵抗素子を配線電極によって列
ごとに接続し、かつ、隣接する複数個の非線形抵抗素子
を単一の画素電極で連結したダミー画素を設けたもので
ある。
対の基板の一方が、金属−絶縁体−金属の構成よりなる
非線形抵抗素子がアレイ状に配置され、前記各非線形抵
抗素子に画素電極が配置され、この画素電極が配線電極
により各行方向に接続されたマトリクスアレイ基板であ
る液晶表示装置において、前記マトリクスアレイ基板の
画素電極の表示画素領域の外側の領域に金属−絶縁体−
金属構造よりなる非線形抵抗素子を配線電極によって列
ごとに接続し、かつ、隣接する複数個の非線形抵抗素子
を単一の画素電極で連結したダミー画素を設けたもので
ある。
【００１３】
【作用】本発明は、表示画素領域の外側に金属−絶縁体
−金属構造よりなる非線形抵抗素子を配線電極によって
列ごとに接続し、かつ、隣接する複数個の非線形抵抗素
子を単一の画素電極で連結したダミー画素を設けること
により、電荷が集中しやすい表示画素領域の端部の部分
を放電、破壊しやすくしているため、工程中で静電気が
発生して表示画素領域の外側部分で電位差が生じても、
表示画素領域の周囲の領域が破壊され、電位差を緩和す
るため画素表示電極部分の素子を保護できる。表示画素
領域の周囲のダミー画素を表示画素領域と同一に形成す
ると、外部電源と孤立させてもダミー画素が点灯し、視
野に入るため、見苦しく、好ましくない。反対に、配線
のみ配置したのでは十分な放電、破壊効果を得られな
い。
−金属構造よりなる非線形抵抗素子を配線電極によって
列ごとに接続し、かつ、隣接する複数個の非線形抵抗素
子を単一の画素電極で連結したダミー画素を設けること
により、電荷が集中しやすい表示画素領域の端部の部分
を放電、破壊しやすくしているため、工程中で静電気が
発生して表示画素領域の外側部分で電位差が生じても、
表示画素領域の周囲の領域が破壊され、電位差を緩和す
るため画素表示電極部分の素子を保護できる。表示画素
領域の周囲のダミー画素を表示画素領域と同一に形成す
ると、外部電源と孤立させてもダミー画素が点灯し、視
野に入るため、見苦しく、好ましくない。反対に、配線
のみ配置したのでは十分な放電、破壊効果を得られな
い。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の液晶表示装置の一実施例を図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【００１５】まず、図２に示すように、10はガラス基板
で、このガラス基板10はたとえば１０００オングストロ
ーム厚の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）のディップコートのアル
カリ防御被膜を表面部に備えた１．１mm厚のソーダライ
ム製である。そして、このガラス基板10上に、３０００
オングストロームのタンタル（Ｔａ）からなるタンタル
薄膜11をスパッタ法により形成する。次に、このタンタ
ル薄膜11上に感光性樹脂のレジストを全面に塗布した
後、フォトマスクを用いて露光し、現像してレジストパ
ターン12を形成する。
で、このガラス基板10はたとえば１０００オングストロ
ーム厚の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）のディップコートのアル
カリ防御被膜を表面部に備えた１．１mm厚のソーダライ
ム製である。そして、このガラス基板10上に、３０００
オングストロームのタンタル（Ｔａ）からなるタンタル
薄膜11をスパッタ法により形成する。次に、このタンタ
ル薄膜11上に感光性樹脂のレジストを全面に塗布した
後、フォトマスクを用いて露光し、現像してレジストパ
ターン12を形成する。
【００１６】この時、図６（ａ）および（ｂ）に示すよ
うに、表示に寄与する表示画素領域Ａの外側の領域Ｂに
も同様なパターンを形成する。
うに、表示に寄与する表示画素領域Ａの外側の領域Ｂに
も同様なパターンを形成する。
【００１７】続いて、図３に示すように、ケミカルドラ
イエッチング法によりタンタル薄膜11のエッチングを行
なう。ここではテトラフルオルメタン（ＣＦ4 ）と酸素
（Ｏ2 ）ガスを等量混合したプラズマ中でエッチングを
行ない、パターン周辺であるエッヂ部にテーパー形状が
形成される。引き続き、レジストパターン12を除去した
状態で、タンタル薄膜11から配線電極および下部電極と
なるタンタルパターン13が形成され、このタンタルパタ
ーン13を陽極とし、図示しない白金板を陰極にし、０．
０１重量％クエン酸水溶液からなる電解液中で化成を行
ない、この時の電圧をコントロールすることにより、タ
ンタルパターン13の表面上に、絶縁体層14を所望の厚さ
に形成する。
イエッチング法によりタンタル薄膜11のエッチングを行
なう。ここではテトラフルオルメタン（ＣＦ4 ）と酸素
（Ｏ2 ）ガスを等量混合したプラズマ中でエッチングを
行ない、パターン周辺であるエッヂ部にテーパー形状が
形成される。引き続き、レジストパターン12を除去した
状態で、タンタル薄膜11から配線電極および下部電極と
なるタンタルパターン13が形成され、このタンタルパタ
ーン13を陽極とし、図示しない白金板を陰極にし、０．
０１重量％クエン酸水溶液からなる電解液中で化成を行
ない、この時の電圧をコントロールすることにより、タ
ンタルパターン13の表面上に、絶縁体層14を所望の厚さ
に形成する。
【００１８】なお、この実施例では４２Ｖの電圧を印加
し、７００オングストロームの絶縁体層を得ている。ま
た、電解液に対し、露出しているタンタルパターン13で
は、膜厚２８０オングストロームの金属が、膜厚７００
オングストロームの酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）に変化
する。この陽極酸化の時に被覆部材を使用して、パッド
部を電解液から隔絶する。
し、７００オングストロームの絶縁体層を得ている。ま
た、電解液に対し、露出しているタンタルパターン13で
は、膜厚２８０オングストロームの金属が、膜厚７００
オングストロームの酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）に変化
する。この陽極酸化の時に被覆部材を使用して、パッド
部を電解液から隔絶する。
【００１９】次に、図４に示すように、ガラス基板10の
全面に膜厚１５００オングストロームのチタン（Ｔｉ）
からなるチタン薄膜15を形成する。このチタン薄膜15上
に感光性樹脂であるレジストを全面塗布した後、フォト
マスクを用いて露光し、現像にてレジストパターン16を
形成する。
全面に膜厚１５００オングストロームのチタン（Ｔｉ）
からなるチタン薄膜15を形成する。このチタン薄膜15上
に感光性樹脂であるレジストを全面塗布した後、フォト
マスクを用いて露光し、現像にてレジストパターン16を
形成する。
【００２０】この時も、図７（ａ）および（ｂ）に示す
ように、表示に寄与する表示画素領域Ａの外側の領域Ｂ
にも同様なパターンを形成する。
ように、表示に寄与する表示画素領域Ａの外側の領域Ｂ
にも同様なパターンを形成する。
【００２１】続いて、図５に示すように、エチレンジア
ミン・テトラ・アセティック・アシッド（ＥＤＴＡ）９
ｇ、水４００ｃｃ、過酸化水素２１６ｃｃおよびアンモ
ニア水３０ｍｌの割合に従って混ぜ、室温に保って、チ
タン薄膜15上のレジストパターン16をエッチングし、レ
ジストを除去し、上部電極となるチタンパターン17が形
成される。これにより、タンタルパターン13、絶縁体層
14およびチタンパターン17からなる金属−絶縁体−金属
（Metal-Insulator-Metal ）素子の非線形抵抗素子であ
るスイッチング素子18となる。
ミン・テトラ・アセティック・アシッド（ＥＤＴＡ）９
ｇ、水４００ｃｃ、過酸化水素２１６ｃｃおよびアンモ
ニア水３０ｍｌの割合に従って混ぜ、室温に保って、チ
タン薄膜15上のレジストパターン16をエッチングし、レ
ジストを除去し、上部電極となるチタンパターン17が形
成される。これにより、タンタルパターン13、絶縁体層
14およびチタンパターン17からなる金属−絶縁体−金属
（Metal-Insulator-Metal ）素子の非線形抵抗素子であ
るスイッチング素子18となる。
【００２２】なお、本実施例では上部電極にチタン（Ｔ
ｉ）を用いたが、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、さらには、タンタル（Ｔａ）を再度積層して上部
電極としても、チタンを用いた場合と同様の結果が得ら
れる。
ｉ）を用いたが、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、さらには、タンタル（Ｔａ）を再度積層して上部
電極としても、チタンを用いた場合と同様の結果が得ら
れる。
【００２３】次に、ガラス基板10の全面に亘り、１００
０オングストロームのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から
なる透明導電膜19をスパッタリング法により形成し、そ
の後、透明導電膜19上に感光性樹脂であるレジストを全
面塗布した後、フォトマスクを用いて露光し、現像にて
レジストパターン20を形成する。
０オングストロームのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から
なる透明導電膜19をスパッタリング法により形成し、そ
の後、透明導電膜19上に感光性樹脂であるレジストを全
面塗布した後、フォトマスクを用いて露光し、現像にて
レジストパターン20を形成する。
【００２４】このレジストパターン20は、図１（ａ）、
（ｂ）および（ｃ）に示すように、表示に寄与する表示
画素領域Ａ外の領域Ｂには２画素を一体としたパターン
に形成する。これは１ライン極性反転を行なう場合に対
応するものである。
（ｂ）および（ｃ）に示すように、表示に寄与する表示
画素領域Ａ外の領域Ｂには２画素を一体としたパターン
に形成する。これは１ライン極性反転を行なう場合に対
応するものである。
【００２５】続いて、水、塩酸、硝酸を容量比１：１：
０．１の割合で混合し、３０℃に加熱したエッチング液
により、レジストパターン20と同一形状の、表示画素領
域Ａ内ではスイッチング素子18毎の画素電極となるＩＴ
Ｏパターン21a を形成し、表示画素領域Ａの外側の領域
Ｂ内では２つのスイッチング素子18毎のダミー画素とな
るＩＴＯパターン21b を形成しレジストパターン20を除
去する。
０．１の割合で混合し、３０℃に加熱したエッチング液
により、レジストパターン20と同一形状の、表示画素領
域Ａ内ではスイッチング素子18毎の画素電極となるＩＴ
Ｏパターン21a を形成し、表示画素領域Ａの外側の領域
Ｂ内では２つのスイッチング素子18毎のダミー画素とな
るＩＴＯパターン21b を形成しレジストパターン20を除
去する。
【００２６】このようにして、表示画素領域Ａの外側の
領域Ｂにも下部金属−絶縁体−上部金属構造よりなる非
線形抵抗素子のスイッチング素子18を配線電極であるタ
ンタルパターン13によって列ごとに接続せしめ、かつ、
隣接する複数である２個のスイッチング素子18を単一の
ダミー画素としてのＩＴＯパターン21b を設けたマトリ
クスアレイ基板22が完成する。
領域Ｂにも下部金属−絶縁体−上部金属構造よりなる非
線形抵抗素子のスイッチング素子18を配線電極であるタ
ンタルパターン13によって列ごとに接続せしめ、かつ、
隣接する複数である２個のスイッチング素子18を単一の
ダミー画素としてのＩＴＯパターン21b を設けたマトリ
クスアレイ基板22が完成する。
【００２７】なお、このマトリクスアレイ基板22を、た
とえば次のようにして液晶表示装置に形成する。
とえば次のようにして液晶表示装置に形成する。
【００２８】まず、マトリクスアレイ基板22の形成面に
ポリイミド樹脂からなる配向膜を塗布、焼成しラビング
することにより、液晶配向方向を規制する。また、図示
しないマトリクスアレイ基板22に対応する対向用基板に
も同様の処理を行ない、マトリクスアレイ基板22より約
９０°ねじった方向にラビングを行なう。そして、上記
２種類のマトリクスアレイ基板22および対向用基板を用
意し、液晶の分子長軸方向がマトリクスアレイ基板22お
よび対向用基板間で約９０°ねじれるように、５〜２０
μｍの間隔を保って保持させ、液晶を注入し液晶セルを
構成する。そうして、液晶セルの外側に、偏光軸を約９
０°ねじった形で偏光板を配置すればよい。
ポリイミド樹脂からなる配向膜を塗布、焼成しラビング
することにより、液晶配向方向を規制する。また、図示
しないマトリクスアレイ基板22に対応する対向用基板に
も同様の処理を行ない、マトリクスアレイ基板22より約
９０°ねじった方向にラビングを行なう。そして、上記
２種類のマトリクスアレイ基板22および対向用基板を用
意し、液晶の分子長軸方向がマトリクスアレイ基板22お
よび対向用基板間で約９０°ねじれるように、５〜２０
μｍの間隔を保って保持させ、液晶を注入し液晶セルを
構成する。そうして、液晶セルの外側に、偏光軸を約９
０°ねじった形で偏光板を配置すればよい。
【００２９】上記実施例においては、駆動を１ライン極
性反転とする場合に対応させたため、ダミー画素として
のＩＴＯパターン21b を２画素一体として形成したが、
実験によれば、Ｎライン極性反転駆動の場合、ダミー画
素を２Ｎの倍数個連結することでダミー画素としてのＩ
ＴＯパターン21b の点灯がなくなるので、２Ｎの係数個
ずつ形成すればよい。
性反転とする場合に対応させたため、ダミー画素として
のＩＴＯパターン21b を２画素一体として形成したが、
実験によれば、Ｎライン極性反転駆動の場合、ダミー画
素を２Ｎの倍数個連結することでダミー画素としてのＩ
ＴＯパターン21b の点灯がなくなるので、２Ｎの係数個
ずつ形成すればよい。
【００３０】また、上記実施例に先立って実験を行なっ
たところ、表示画素領域Ａの外側の領域Ｂのダミー画素
を、表示画素領域Ａと同一のサイズ、ピッチで形成した
ものを構成し実験したが、ダミー画素の部分を外部電源
とは孤立させて、浮かした状態にしたにも拘らず、点灯
表示が行なわれた。これは、表示部分となる表示画素領
域Ａを見ているときに、どうしても表示画素領域Ａの周
囲に位置する外側の領域Ｂが視野に入るため、見苦し
く、好ましくないことが分かった。さらに、このダミー
画素が形成された部分を覆い隠すためには、対向基板上
にブラックマトリクス等を形成せねばならず、コスト的
に割高となってしまう。
たところ、表示画素領域Ａの外側の領域Ｂのダミー画素
を、表示画素領域Ａと同一のサイズ、ピッチで形成した
ものを構成し実験したが、ダミー画素の部分を外部電源
とは孤立させて、浮かした状態にしたにも拘らず、点灯
表示が行なわれた。これは、表示部分となる表示画素領
域Ａを見ているときに、どうしても表示画素領域Ａの周
囲に位置する外側の領域Ｂが視野に入るため、見苦し
く、好ましくないことが分かった。さらに、このダミー
画素が形成された部分を覆い隠すためには、対向基板上
にブラックマトリクス等を形成せねばならず、コスト的
に割高となってしまう。
【００３１】反対に、ダミー画素を形成せずに配線のみ
配置したのでは十分な効果を発揮できず、上記実施例の
ようにダミー画素を複数個一体として形成したものが最
良であった。
配置したのでは十分な効果を発揮できず、上記実施例の
ようにダミー画素を複数個一体として形成したものが最
良であった。
【００３２】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置によれば、表示画
素領域の外側に金属−絶縁体−金属構造よりなる非線形
抵抗素子を配線電極によって列ごとに接続し、かつ、隣
接する複数個の非線形抵抗素子を単一の画素電極で連結
したダミー画素を設けることにより、電荷が集中しやす
い表示画素領域の端部の部分を放電、破壊しやすくして
いるため、工程中で静電気が発生して表示画素領域の外
側部分で電位差が生じても、表示画素領域の周囲の領域
が破壊され、電位差を緩和するため画素表示電極部分の
素子を保護できる。表示画素領域の周囲のダミー画素を
表示画素領域と同一に形成すると、外部電源と孤立させ
てもダミー画素が点灯し、視野に入るため、見苦しく、
好ましくない。反対に、配線のみ配置したのでは十分な
放電、破壊効果を得られない。したがって、表示欠陥の
発生の少ない、高品質の、大規模かつ高精細の液晶表示
装置ができる。
素領域の外側に金属−絶縁体−金属構造よりなる非線形
抵抗素子を配線電極によって列ごとに接続し、かつ、隣
接する複数個の非線形抵抗素子を単一の画素電極で連結
したダミー画素を設けることにより、電荷が集中しやす
い表示画素領域の端部の部分を放電、破壊しやすくして
いるため、工程中で静電気が発生して表示画素領域の外
側部分で電位差が生じても、表示画素領域の周囲の領域
が破壊され、電位差を緩和するため画素表示電極部分の
素子を保護できる。表示画素領域の周囲のダミー画素を
表示画素領域と同一に形成すると、外部電源と孤立させ
てもダミー画素が点灯し、視野に入るため、見苦しく、
好ましくない。反対に、配線のみ配置したのでは十分な
放電、破壊効果を得られない。したがって、表示欠陥の
発生の少ない、高品質の、大規模かつ高精細の液晶表示
装置ができる。
【図１】本発明の一実施例の液晶表示装置を示す図であ
る。 （ａ） 液晶表示装置のマトリクスアレイ基板を示す正
面図 （ｂ） 同上表示画素領域を示す拡大図 （ｃ） 同上表示画素領域外の領域を示す拡大図
る。 （ａ） 液晶表示装置のマトリクスアレイ基板を示す正
面図 （ｂ） 同上表示画素領域を示す拡大図 （ｃ） 同上表示画素領域外の領域を示す拡大図
【図２】同上マトリクスアレイ基板の一製造工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】同上マトリクスアレイ基板の図２に示す製造工
程の次の製造工程を示す断面図である。
程の次の製造工程を示す断面図である。
【図４】同上マトリクスアレイ基板の図３に示す製造工
程の次の製造工程を示す断面図である。
程の次の製造工程を示す断面図である。
【図５】同上マトリクスアレイ基板の図４に示す製造工
程の次の製造工程を示す断面図である。
程の次の製造工程を示す断面図である。
【図６】同上図２における状態の液晶表示装置を示す図
である。 （ａ） 液晶表示装置のマトリクスアレイ基板を示す正
面図 （ｂ） 同上表示画素領域および他の領域を示す拡大図
である。 （ａ） 液晶表示装置のマトリクスアレイ基板を示す正
面図 （ｂ） 同上表示画素領域および他の領域を示す拡大図
【図７】同上図４における状態の液晶表示装置を示す図
である。 （ａ） 液晶表示装置のマトリクスアレイ基板を示す正
面図 （ｂ） 同上表示画素領域および他の領域を示す拡大図
である。 （ａ） 液晶表示装置のマトリクスアレイ基板を示す正
面図 （ｂ） 同上表示画素領域および他の領域を示す拡大図
【図８】従来例の液晶表示装置のマトリクスアレイ基板
を示す断面図である。
を示す断面図である。
13 金属としてのタンタルパターン 14 絶縁体としての絶縁体層 21a 画素電極としてのＩＴＯパターン 21b ダミー電極としてのＩＴＯパターン 22 マトリクスアレイ基板 Ａ 表示画素領域 Ｂ 外側の領域
Claims (1)
- 【請求項１】 相対向する一対の基板の一方が、金属−
絶縁体−金属の構成よりなる非線形抵抗素子がアレイ状
に配置され、前記各非線形抵抗素子に画素電極が配置さ
れ、この画素電極が配線電極により各行方向に接続され
たマトリクスアレイ基板である液晶表示装置において、 前記マトリクスアレイ基板の画素電極の表示画素領域の
外側の領域に金属−絶縁体−金属構造よりなる非線形抵
抗素子を配線電極によって列ごとに接続し、かつ、隣接
する複数個の非線形抵抗素子を単一の画素電極で連結し
たダミー画素を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP921892A JPH05196970A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP921892A JPH05196970A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05196970A true JPH05196970A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=11714306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP921892A Pending JPH05196970A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05196970A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100444030B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2004-08-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
| JP2006058559A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Bridgestone Corp | 画像表示用パネル及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-01-22 JP JP921892A patent/JPH05196970A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100444030B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2004-08-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
| JP2006058559A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Bridgestone Corp | 画像表示用パネル及びその製造方法 |
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