JPH05197128A - ホトマスク及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
ホトマスク及びそれを用いたパターン形成方法Info
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- JPH05197128A JPH05197128A JP8831792A JP8831792A JPH05197128A JP H05197128 A JPH05197128 A JP H05197128A JP 8831792 A JP8831792 A JP 8831792A JP 8831792 A JP8831792 A JP 8831792A JP H05197128 A JPH05197128 A JP H05197128A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims abstract description 35
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 34
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011295 pitch Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000018199 S phase Effects 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフタのエッジ部の転写をなくし、しか
もクロムパターンと１種のシフタで構成される製作の容
易なコストの安いホトマスクを得る。 【構成】 一定のピッチを有するライン・アンド・スペ
ースパターン用位相シフトマスクにおいて、スペースの
幅Ｓ2 に比して広く形成される幅Ｌ2 を有するクロムパ
ターン（ライン）３２と、前記スペースに形成される位
相シフタ３３とを設けるようにしたものである。
もクロムパターンと１種のシフタで構成される製作の容
易なコストの安いホトマスクを得る。 【構成】 一定のピッチを有するライン・アンド・スペ
ースパターン用位相シフトマスクにおいて、スペースの
幅Ｓ2 に比して広く形成される幅Ｌ2 を有するクロムパ
ターン（ライン）３２と、前記スペースに形成される位
相シフタ３３とを設けるようにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の製造に用い
られるホトリソグラフィー技術に係り、特にそのホトマ
スク及びそれを用いたパターン形成方法に関するもので
ある。
られるホトリソグラフィー技術に係り、特にそのホトマ
スク及びそれを用いたパターン形成方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、（１）特公昭６２−５９２９６号公報、（２）
「位相シフト露光法によるレジストパターン形成」，第
３７回半導体集積回路シンポジウム，Ｐ１３（１９８９
年１２）、（３）「ポジプロセス用位相シフトマスク構
造の検討」，第５１回秋の応物，２７ｐ−ＺＧ−６に記
載されるものがあった。
例えば、（１）特公昭６２−５９２９６号公報、（２）
「位相シフト露光法によるレジストパターン形成」，第
３７回半導体集積回路シンポジウム，Ｐ１３（１９８９
年１２）、（３）「ポジプロセス用位相シフトマスク構
造の検討」，第５１回秋の応物，２７ｐ−ＺＧ−６に記
載されるものがあった。
【０００３】現在、投影露光によるホトリソグラフィー
技術の分野においても、半導体装置の高集積化に対応で
きる微細なレジストパターンを形成できる技術が種々提
案されている。それらの中で注目されている技術の一つ
に、位相シフト法と称される技術がある。この位相シフ
ト法は、上記文献（１）に開示されており、ウエハ上で
の光コントラストを上げるために、ホトマスク上に露光
光の位相をずらす薄膜（位相シフタ）を部分的に設けて
投影露光法の解像力を向上させる技術である。すなわ
ち、図４に示すように、マスク基板２１上のクロムパタ
ーン２２に位相シフタ２３を設けて、ウエハ上での光コ
ントラストを上げるようにしている。
技術の分野においても、半導体装置の高集積化に対応で
きる微細なレジストパターンを形成できる技術が種々提
案されている。それらの中で注目されている技術の一つ
に、位相シフト法と称される技術がある。この位相シフ
ト法は、上記文献（１）に開示されており、ウエハ上で
の光コントラストを上げるために、ホトマスク上に露光
光の位相をずらす薄膜（位相シフタ）を部分的に設けて
投影露光法の解像力を向上させる技術である。すなわ
ち、図４に示すように、マスク基板２１上のクロムパタ
ーン２２に位相シフタ２３を設けて、ウエハ上での光コ
ントラストを上げるようにしている。
【０００４】しかし、この方法は、上記文献（２）に示
すように、透過領域上のシフタエッジが転写されてしま
うという問題点があった。このような問題点を解決する
ために、上記文献（３）では、位相シフタのエッジ部に
位相を変化させる割合の小さな膜を設け、光強度の低下
を緩和して、この問題を解決しようとしている。すなわ
ち、図５（ａ）に示すように、従来の位相シフトマスク
では、マスク基板１１上の位相シフタ１２のシフタエッ
ジ部が透明領域上に存在すると、その境界では、図６の
曲線ａに示すように光強度が０となる。これを解消する
ために、図５（ｂ）に示すように、シフタエッジ部の外
周に沿って位相差が９０°に相当する厚さのサブシフタ
１３を形成した位相シフトマスクを提案した。この場
合、シフタ、サブシフタのエッジ部の光強度は、図６に
おいて曲線ｂに示すように、露光強度の約１／２が得ら
れた。
すように、透過領域上のシフタエッジが転写されてしま
うという問題点があった。このような問題点を解決する
ために、上記文献（３）では、位相シフタのエッジ部に
位相を変化させる割合の小さな膜を設け、光強度の低下
を緩和して、この問題を解決しようとしている。すなわ
ち、図５（ａ）に示すように、従来の位相シフトマスク
では、マスク基板１１上の位相シフタ１２のシフタエッ
ジ部が透明領域上に存在すると、その境界では、図６の
曲線ａに示すように光強度が０となる。これを解消する
ために、図５（ｂ）に示すように、シフタエッジ部の外
周に沿って位相差が９０°に相当する厚さのサブシフタ
１３を形成した位相シフトマスクを提案した。この場
合、シフタ、サブシフタのエッジ部の光強度は、図６に
おいて曲線ｂに示すように、露光強度の約１／２が得ら
れた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た方法では、少なくとも２種類の膜厚のシフタを形成し
なければならず、マスク作成が難しく、コストが高いと
いう問題点があった。本発明は、以上述べたシフタを２
種作成しなければならないという問題点を除去し、位相
シフタのエッジ部の転写をなくし、しかも、クロムパタ
ーンと１種のシフタで構成される製作の容易な、コスト
の安いホトマスク及びそれを用いたパターン形成方法を
提供することを目的とする。
た方法では、少なくとも２種類の膜厚のシフタを形成し
なければならず、マスク作成が難しく、コストが高いと
いう問題点があった。本発明は、以上述べたシフタを２
種作成しなければならないという問題点を除去し、位相
シフタのエッジ部の転写をなくし、しかも、クロムパタ
ーンと１種のシフタで構成される製作の容易な、コスト
の安いホトマスク及びそれを用いたパターン形成方法を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、一定のピッチを有するライン・アンド・
スペースパターン用位相シフトマスクにおいて、スペー
スの幅に比して広く形成される幅を有するラインと、前
記スペースに形成される位相シフタとを設けるようにし
たものである。
成するために、一定のピッチを有するライン・アンド・
スペースパターン用位相シフトマスクにおいて、スペー
スの幅に比して広く形成される幅を有するラインと、前
記スペースに形成される位相シフタとを設けるようにし
たものである。
【０００７】また、一定のピッチを有するライン・アン
ド・スペースパターン用位相シフトマスクを用いたパタ
ーン形成方法において、ラインの幅をスペースの幅に比
して広く形成し、前記スペースに位相シフタを形成し、
透過領域上にある前記位相シフタのエッジ部がウエハ上
に転写されないように調整するようにする。その場合、
例えば、ウエハ上の光強度が通常マスクの７０％以下に
なるようにラインの幅を調整する。
ド・スペースパターン用位相シフトマスクを用いたパタ
ーン形成方法において、ラインの幅をスペースの幅に比
して広く形成し、前記スペースに位相シフタを形成し、
透過領域上にある前記位相シフタのエッジ部がウエハ上
に転写されないように調整するようにする。その場合、
例えば、ウエハ上の光強度が通常マスクの７０％以下に
なるようにラインの幅を調整する。
【０００８】
【作用】本発明によれば、上記のように、一定のピッチ
を有するライン・アンド・スペースパターン用位相シフ
トマスクにおいて、スペースの幅に比して広く形成され
る幅を有するラインと、前記スペースに形成される位相
シフタとを設け、望みのレジスト寸法に仕上がるまで露
光量を上げることにより、不必要な位相シフタのエッジ
部が転写されないようすることができる。
を有するライン・アンド・スペースパターン用位相シフ
トマスクにおいて、スペースの幅に比して広く形成され
る幅を有するラインと、前記スペースに形成される位相
シフタとを設け、望みのレジスト寸法に仕上がるまで露
光量を上げることにより、不必要な位相シフタのエッジ
部が転写されないようすることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例におけ
るポジ型レジストのライン＆スペース用位相シフトマス
クパターンの構成図であり、図１（ａ）はそのマスクの
断面図、図１（ｂ）はそのマスクの平面図である。
がら詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例におけ
るポジ型レジストのライン＆スペース用位相シフトマス
クパターンの構成図であり、図１（ａ）はそのマスクの
断面図、図１（ｂ）はそのマスクの平面図である。
【００１０】図中、３１はマスク基板、３２はそのマス
ク基板３１上に形成されるクロムパターン（ライン）、
３３は位相シフタである。従来のポジ型レジストのライ
ン＆スペース用位相シフトマスクパターンを有するホト
マスクの場合は、図７に示すように、ラインとしてのク
ロムパターン２の幅Ｌ1 とスペースの幅Ｓ1 は等しく形
成されているが、本発明においては、図１に示すよう
に、従来のマスクパターンと同一のピッチにおいて、ラ
インとしてのクロムパターン３２の幅Ｌ2 をスペースの
幅Ｓ2 に比して広くなるように形成する。なお、図７に
おいて、１はマスク基板、２はクロムパターン、３は位
相シフタである。
ク基板３１上に形成されるクロムパターン（ライン）、
３３は位相シフタである。従来のポジ型レジストのライ
ン＆スペース用位相シフトマスクパターンを有するホト
マスクの場合は、図７に示すように、ラインとしてのク
ロムパターン２の幅Ｌ1 とスペースの幅Ｓ1 は等しく形
成されているが、本発明においては、図１に示すよう
に、従来のマスクパターンと同一のピッチにおいて、ラ
インとしてのクロムパターン３２の幅Ｌ2 をスペースの
幅Ｓ2 に比して広くなるように形成する。なお、図７に
おいて、１はマスク基板、２はクロムパターン、３は位
相シフタである。
【００１１】図２はＮＡ（開口度）０．４２のｉ線ステ
ッパで投影した場合の同一ピッチでクロムパターンの幅
を変えた場合の光強度分布特性図である。この図におい
て、曲線ａ及びｂは本発明のホトマスクを示し、ｃは従
来のホトマスクの場合を示している。つまり、ａは、Ｌ
が０．６μｍで、Ｓが０．２μｍの場合を、ｂは、Ｌが
０．５μｍで、Ｓが０．３μｍの場合を、ｃはＬとＳが
等しく、０．４μｍの場合を示している。
ッパで投影した場合の同一ピッチでクロムパターンの幅
を変えた場合の光強度分布特性図である。この図におい
て、曲線ａ及びｂは本発明のホトマスクを示し、ｃは従
来のホトマスクの場合を示している。つまり、ａは、Ｌ
が０．６μｍで、Ｓが０．２μｍの場合を、ｂは、Ｌが
０．５μｍで、Ｓが０．３μｍの場合を、ｃはＬとＳが
等しく、０．４μｍの場合を示している。
【００１２】この図から、クロムパターンの幅が広がる
ことにより、光強度が低下しても、コントラストが変わ
っていないことがわかる。そして、本発明のホトマスク
によれば、パターンを望みの寸法に仕上げるのに必要な
露光量を与えることで、不必要なシフタエッジ部を消去
することができる。本発明によるクロムパターンの幅が
より広いホトマスクを試作した。
ことにより、光強度が低下しても、コントラストが変わ
っていないことがわかる。そして、本発明のホトマスク
によれば、パターンを望みの寸法に仕上げるのに必要な
露光量を与えることで、不必要なシフタエッジ部を消去
することができる。本発明によるクロムパターンの幅が
より広いホトマスクを試作した。
【００１３】ここでは、ウエハ上で０．３μｍＬ／Ｓ
（ライン・アンド・スペース）を形成しようとしたホト
マスクについて述べる。通常のホトマスクでは、そのパ
ターンは、ウエハ上寸法で０．３μｍ幅のクロムパター
ンを０．６μｍピッチで配列してある。本発明のホトマ
スクでは、０．４μｍ幅のクロムパターンを０．６μｍ
ピッチで配列した。また、位相シフタはともに０．６μ
ｍ幅で、２つのクロムパターンに跨がるように形成し
た。
（ライン・アンド・スペース）を形成しようとしたホト
マスクについて述べる。通常のホトマスクでは、そのパ
ターンは、ウエハ上寸法で０．３μｍ幅のクロムパター
ンを０．６μｍピッチで配列してある。本発明のホトマ
スクでは、０．４μｍ幅のクロムパターンを０．６μｍ
ピッチで配列した。また、位相シフタはともに０．６μ
ｍ幅で、２つのクロムパターンに跨がるように形成し
た。
【００１４】これらのホトマスクを用いてパターニング
実験した。用いたステッパは、ＮＡ０．４２のｉ線ステ
ッパＲＡ１０１ＶＬII（日立製）である。ポジ型レジス
トＰＦＲＩＸ５００ＥＬ（日本合成ゴム）を１μｍ厚で
３インチシリコンウエハに塗布し、９０℃で６０秒のベ
ーク後、このステッパにより露光した。露光時間は、
０．２秒から１．０秒まで０．０２秒刻みで行なった。
露光後、１１０℃で９０秒のベークを行ない、ＮＭＤ・
Ｗ現像液（東京応化製）で６０秒のパドル現像を行なっ
た。
実験した。用いたステッパは、ＮＡ０．４２のｉ線ステ
ッパＲＡ１０１ＶＬII（日立製）である。ポジ型レジス
トＰＦＲＩＸ５００ＥＬ（日本合成ゴム）を１μｍ厚で
３インチシリコンウエハに塗布し、９０℃で６０秒のベ
ーク後、このステッパにより露光した。露光時間は、
０．２秒から１．０秒まで０．０２秒刻みで行なった。
露光後、１１０℃で９０秒のベークを行ない、ＮＭＤ・
Ｗ現像液（東京応化製）で６０秒のパドル現像を行なっ
た。
【００１５】これをＳＥＭ観察したところ、０．８秒で
露光したものは０．３μｍＬ／Ｓが形成できており、図
３に示すように、位相シフタのエッジは転写されていな
かった。これに対して、上記従来のホトマスクでは、露
光０．５２秒の時、図８のように、エッジ部が転写され
ていた。これより露光量を上げ、エッジ部を消そうとす
ると、元のパターンもなくなってしまっていた。なお、
図３及び図８は、ウエハ（ＳＥＭ）測長機Ｓ−６０００
（日立製）を用い、ＥＢ（エレクトン・ビーム）の加速
電圧は、０．８ＫＶ、倍率５０Ｋで撮った写真であり、
点線間が０．６μｍを示している。
露光したものは０．３μｍＬ／Ｓが形成できており、図
３に示すように、位相シフタのエッジは転写されていな
かった。これに対して、上記従来のホトマスクでは、露
光０．５２秒の時、図８のように、エッジ部が転写され
ていた。これより露光量を上げ、エッジ部を消そうとす
ると、元のパターンもなくなってしまっていた。なお、
図３及び図８は、ウエハ（ＳＥＭ）測長機Ｓ−６０００
（日立製）を用い、ＥＢ（エレクトン・ビーム）の加速
電圧は、０．８ＫＶ、倍率５０Ｋで撮った写真であり、
点線間が０．６μｍを示している。
【００１６】図９は本発明の他の実施例を示すポジ型レ
ジストのライン＆スペース用位相シフトマスクパターン
の構成図であり、図９（ａ）はその位相シフトマスクの
平面図、図９（ｂ）はその位相シフトマスクの断面図、
図９（ｃ）はその変形例を示す位相シフトマスクの断面
図である。まず、図９（ａ）及び図９（ｂ）において、
まず、マスク基板４１上にシフタ層とクロム層の２層を
形成し、クロム層のパターニングを行ない、クロムパタ
ーン４３を形成し、その後に、シフタ層のパターン４２
のパターニングを行なう。
ジストのライン＆スペース用位相シフトマスクパターン
の構成図であり、図９（ａ）はその位相シフトマスクの
平面図、図９（ｂ）はその位相シフトマスクの断面図、
図９（ｃ）はその変形例を示す位相シフトマスクの断面
図である。まず、図９（ａ）及び図９（ｂ）において、
まず、マスク基板４１上にシフタ層とクロム層の２層を
形成し、クロム層のパターニングを行ない、クロムパタ
ーン４３を形成し、その後に、シフタ層のパターン４２
のパターニングを行なう。
【００１７】このようにして、図９（ｂ）に示すよう
な、マスク基板４１上に形成されるクロムパターン（ラ
イン）４３と、位相シフト部４４を形成することができ
る。次に、変形例として、図９（ａ）及び図９（ｃ）に
示すように、まず、マスク基板５１上にクロム層を形成
し、そのクロム層のパターニング行い、クロムパターン
５２を形成する。続いて、マスク基板５１の所定の部分
をエッチングすることにより、シフタパターン５３を形
成する。
な、マスク基板４１上に形成されるクロムパターン（ラ
イン）４３と、位相シフト部４４を形成することができ
る。次に、変形例として、図９（ａ）及び図９（ｃ）に
示すように、まず、マスク基板５１上にクロム層を形成
し、そのクロム層のパターニング行い、クロムパターン
５２を形成する。続いて、マスク基板５１の所定の部分
をエッチングすることにより、シフタパターン５３を形
成する。
【００１８】このようにして、図９（ｃ）に示すよう
な、マスク基板５１上に形成されるクロムパターン（ラ
イン）５２と、位相シフト部５３を形成することができ
る。従来のポジ型レジストのライン＆スペース用位相シ
フトマスクパターンを有するホトマスクの場合は、図７
に示すように、ラインとしてのクロムパターン２の幅Ｌ
1 とスペースの幅Ｓ1 は等しく形成されているが、本発
明においては、図９に示すように、従来のマスクパター
ンと同一のピッチにおいて、ラインとしてのクロムパタ
ーン４３，５２の幅Ｌ3 をスペースの幅Ｓ3 に比して広
くなるように形成する（詳細は以下の試作例を参照）。
な、マスク基板５１上に形成されるクロムパターン（ラ
イン）５２と、位相シフト部５３を形成することができ
る。従来のポジ型レジストのライン＆スペース用位相シ
フトマスクパターンを有するホトマスクの場合は、図７
に示すように、ラインとしてのクロムパターン２の幅Ｌ
1 とスペースの幅Ｓ1 は等しく形成されているが、本発
明においては、図９に示すように、従来のマスクパター
ンと同一のピッチにおいて、ラインとしてのクロムパタ
ーン４３，５２の幅Ｌ3 をスペースの幅Ｓ3 に比して広
くなるように形成する（詳細は以下の試作例を参照）。
【００１９】この図から、上記したように、クロムパタ
ーンの幅が広がることにより、光強度が低下しても、コ
ントラストが変わっていないことがわかる。そして、本
発明のホトマスクによれば、パターンを望みの寸法に仕
上げるのに必要な露光量を与えることで、不必要なシフ
タエッジ部を消去することができる。本発明によるクロ
ムパターンの幅がより広いホトマスクを試作した。
ーンの幅が広がることにより、光強度が低下しても、コ
ントラストが変わっていないことがわかる。そして、本
発明のホトマスクによれば、パターンを望みの寸法に仕
上げるのに必要な露光量を与えることで、不必要なシフ
タエッジ部を消去することができる。本発明によるクロ
ムパターンの幅がより広いホトマスクを試作した。
【００２０】ここではウエハ上で０．３μｍＬ／Ｓを形
成しようとしたホトマスクの製造について述べる。５イ
ンチ角石英基板上にＳＯＧ Ｔｙｐｅ−７（東京応化
製）を４１００Å厚に回転塗布し、４００℃で３０分間
ベークし、これを図９（ｂ）におけるシフタ層とした。
次に、クロムを８００Åでスパッタ形成し、その後通常
のマスク作製プロセスを行ない、クロムパターン４３を
形成した。続いて、レジストを塗布し、パターンを形成
し、緩衝フッ酸で、シフタ層のパターン４２のみをウェ
ットエッチングし、図９（ｂ）のようなマスクを得た。
成しようとしたホトマスクの製造について述べる。５イ
ンチ角石英基板上にＳＯＧ Ｔｙｐｅ−７（東京応化
製）を４１００Å厚に回転塗布し、４００℃で３０分間
ベークし、これを図９（ｂ）におけるシフタ層とした。
次に、クロムを８００Åでスパッタ形成し、その後通常
のマスク作製プロセスを行ない、クロムパターン４３を
形成した。続いて、レジストを塗布し、パターンを形成
し、緩衝フッ酸で、シフタ層のパターン４２のみをウェ
ットエッチングし、図９（ｂ）のようなマスクを得た。
【００２１】通常の位相シフトマスクではクロムパター
ンはウエハ上の寸法で０．３μｍ幅のものを０．６μｍ
ピッチで配列してある。本発明のホトマスクでは、０．
４μｍ幅のものを０．６μｍピッチで配列した。なお、
図９（ｃ）のようなマスクでは、通常のマスク作製を行
なった後、レジストを塗布パターニングし、そのレジス
トをマスクにマスク基板５１をエッチングし、クロムパ
ターン（ライン）５２、位相シフト部５３を形成するこ
とにより、位相シフトマスクを形成することができる。
ンはウエハ上の寸法で０．３μｍ幅のものを０．６μｍ
ピッチで配列してある。本発明のホトマスクでは、０．
４μｍ幅のものを０．６μｍピッチで配列した。なお、
図９（ｃ）のようなマスクでは、通常のマスク作製を行
なった後、レジストを塗布パターニングし、そのレジス
トをマスクにマスク基板５１をエッチングし、クロムパ
ターン（ライン）５２、位相シフト部５３を形成するこ
とにより、位相シフトマスクを形成することができる。
【００２２】その光強度分布特性図は、前記した図２と
同様である。また、実験結果は、前記した第１実施例と
同様であった。なお、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能
であり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
同様である。また、実験結果は、前記した第１実施例と
同様であった。なお、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能
であり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、位相シフトマスクにおいて必要とするパターン
部分のクロム幅を、形成されるレジストパターン寸法よ
りも大きくすることにより、その部分を望みの寸法に仕
上げるのに必要な露光量を与えることで、不必要なシフ
タエッジ部を消去することができる。
よれば、位相シフトマスクにおいて必要とするパターン
部分のクロム幅を、形成されるレジストパターン寸法よ
りも大きくすることにより、その部分を望みの寸法に仕
上げるのに必要な露光量を与えることで、不必要なシフ
タエッジ部を消去することができる。
【００２４】また、クロムと一層の位相シフタだけで構
成される製作の容易な、コストの安いホトマスクを得る
ことができる。
成される製作の容易な、コストの安いホトマスクを得る
ことができる。
【図１】本発明のポジ型レジストのＬ／Ｓ用位相シフト
マスクパターンの構成図である。
マスクパターンの構成図である。
【図２】本発明のクロムパターン（ライン）の幅を変え
ることによる光強度分布の変化特性図である。
ることによる光強度分布の変化特性図である。
【図３】本発明を実施したホトマスクによる転写状態を
示す図である。
示す図である。
【図４】従来の第１のポジ型レジストのＬ／Ｓパターン
用位相シフトマスクの一例を示す図である。
用位相シフトマスクの一例を示す図である。
【図５】従来の第２のポジ型レジストのＬ／Ｓパターン
用位相シフトマスクの一例を示す図である。
用位相シフトマスクの一例を示す図である。
【図６】従来の位相シフトマスクの距離に対する光強度
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図７】従来の第３のポジ型レジストのＬ／Ｓパターン
用位相シフトマスクの一例を示す図である。
用位相シフトマスクの一例を示す図である。
【図８】従来の第３のポジ型レジストのＬ／Ｓパターン
用位相シフトマスクによる転写状態を示す図である。
用位相シフトマスクによる転写状態を示す図である。
【図９】本発明の他の実施例を示すポジ型レジストのラ
イン＆スペース用位相シフトマスクパターンの構成図で
ある。
イン＆スペース用位相シフトマスクパターンの構成図で
ある。
３１，４１，５１ マスク基板 ３２，４３，５２ クロムパターン ３３ 位相シフタ ４２ シフタ層のパターン ４４，５３ 位相シフト部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年３月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】本発明を実施したホトマスクによる転写状態を
示す基板上に形成された微細なパターンの写真である。
示す基板上に形成された微細なパターンの写真である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図８】従来の第３のポジ型レジストのＬ／Ｓパターン
用位相シフトマスクによる転写状態を示す基板上に形成
された微細なパターンの写真である。
用位相シフトマスクによる転写状態を示す基板上に形成
された微細なパターンの写真である。
Claims (4)
- 【請求項１】 一定のピッチを有するライン・アンド・
スペースパターン用位相シフトマスクにおいて、（ａ）
スペースの幅に比して広く形成される幅を有するライン
と、（ｂ）前記スペースに形成される位相シフタとを具
備するホトマスク。 - 【請求項２】 前記スペースをエッチングにより形成す
ることを特徴とする請求項１記載のホトマスク。 - 【請求項３】 一定のピッチを有するライン・アンド・
スペースパターン用位相シフトマスクを用いたパターン
形成方法において、（ａ）ラインの幅をスペースの幅に
比して広く形成し、（ｂ）前記スペースに位相シフタを
形成し、（ｃ）透過領域上にある前記位相シフタのエッ
ジ部がウエハ上に転写されないように調整することを特
徴とするパターン形成方法。 - 【請求項４】 一定のピッチを有するライン・アンド・
スペースパターン用位相シフトマスクを用いたパターン
形成方法において、（ａ）ラインの幅をスペースの幅に
比して広く形成し、（ｂ）前記ライン間の交互に位相シ
フト部を形成し、（ｃ）透過領域上にある前記位相シフ
タのエッジ部がウエハ上に転写されないように調整する
ことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8831792A JPH05197128A (ja) | 1991-10-01 | 1992-03-13 | ホトマスク及びそれを用いたパターン形成方法 |
| KR1019920017432A KR100230962B1 (ko) | 1991-10-01 | 1992-09-24 | 포토마스크를 사용한 패턴형성방법 |
| US08/248,633 US5480746A (en) | 1991-10-01 | 1994-05-16 | Photomask and method of forming resist pattern using the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27896591 | 1991-10-01 | ||
| JP3-278965 | 1991-10-01 | ||
| JP8831792A JPH05197128A (ja) | 1991-10-01 | 1992-03-13 | ホトマスク及びそれを用いたパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05197128A true JPH05197128A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=26429710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8831792A Withdrawn JPH05197128A (ja) | 1991-10-01 | 1992-03-13 | ホトマスク及びそれを用いたパターン形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5480746A (ja) |
| JP (1) | JPH05197128A (ja) |
| KR (1) | KR100230962B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10142768A (ja) * | 1996-11-04 | 1998-05-29 | Lg Semicon Co Ltd | 位相反転マスク及びその製造方法 |
| KR100436784B1 (ko) * | 1995-08-28 | 2004-08-25 | 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 반도체집적회로장치의제조방법 |
| JP2009053689A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-03-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスクおよびその製造方法 |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9326344D0 (en) * | 1993-12-23 | 1994-02-23 | Texas Instruments Ltd | High voltage transistor for sub micron cmos processes |
| US5677089A (en) * | 1994-12-16 | 1997-10-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Photomask for forming T-gate electrode of the semiconductor device |
| US6228539B1 (en) | 1996-09-18 | 2001-05-08 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shifting circuit manufacture method and apparatus |
| JP3454743B2 (ja) * | 1999-03-02 | 2003-10-06 | シャープ株式会社 | フォトマスク、ｔｆｔ基板の製造方法および表示装置の製造方法。 |
| US6503666B1 (en) | 2000-07-05 | 2003-01-07 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift masking for complex patterns |
| US6524752B1 (en) | 2000-07-05 | 2003-02-25 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift masking for intersecting lines |
| US6787271B2 (en) * | 2000-07-05 | 2004-09-07 | Numerical Technologies, Inc. | Design and layout of phase shifting photolithographic masks |
| US6777141B2 (en) | 2000-07-05 | 2004-08-17 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift mask including sub-resolution assist features for isolated spaces |
| US6681379B2 (en) | 2000-07-05 | 2004-01-20 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shifting design and layout for static random access memory |
| US6541165B1 (en) | 2000-07-05 | 2003-04-01 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift mask sub-resolution assist features |
| US7083879B2 (en) | 2001-06-08 | 2006-08-01 | Synopsys, Inc. | Phase conflict resolution for photolithographic masks |
| US6539521B1 (en) | 2000-09-29 | 2003-03-25 | Numerical Technologies, Inc. | Dissection of corners in a fabrication layout for correcting proximity effects |
| US6622288B1 (en) | 2000-10-25 | 2003-09-16 | Numerical Technologies, Inc. | Conflict sensitive compaction for resolving phase-shift conflicts in layouts for phase-shifted features |
| US6584610B1 (en) | 2000-10-25 | 2003-06-24 | Numerical Technologies, Inc. | Incrementally resolved phase-shift conflicts in layouts for phase-shifted features |
| US6653026B2 (en) | 2000-12-20 | 2003-11-25 | Numerical Technologies, Inc. | Structure and method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask |
| US6551750B2 (en) | 2001-03-16 | 2003-04-22 | Numerical Technologies, Inc. | Self-aligned fabrication technique for tri-tone attenuated phase-shifting masks |
| US6635393B2 (en) | 2001-03-23 | 2003-10-21 | Numerical Technologies, Inc. | Blank for alternating PSM photomask with charge dissipation layer |
| US6566019B2 (en) | 2001-04-03 | 2003-05-20 | Numerical Technologies, Inc. | Using double exposure effects during phase shifting to control line end shortening |
| US6573010B2 (en) | 2001-04-03 | 2003-06-03 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for reducing incidental exposure by using a phase shifter with a variable regulator |
| US6593038B2 (en) | 2001-05-04 | 2003-07-15 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for reducing color conflicts during trim generation for phase shifters |
| US6569583B2 (en) | 2001-05-04 | 2003-05-27 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for using phase shifter cutbacks to resolve phase shifter conflicts |
| US6852471B2 (en) * | 2001-06-08 | 2005-02-08 | Numerical Technologies, Inc. | Exposure control for phase shifting photolithographic masks |
| US6523165B2 (en) | 2001-07-13 | 2003-02-18 | Numerical Technologies, Inc. | Alternating phase shift mask design conflict resolution |
| US6664009B2 (en) | 2001-07-27 | 2003-12-16 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for allowing phase conflicts in phase shifting mask and chromeless phase edges |
| US6684382B2 (en) | 2001-08-31 | 2004-01-27 | Numerical Technologies, Inc. | Microloading effect correction |
| US6735752B2 (en) | 2001-09-10 | 2004-05-11 | Numerical Technologies, Inc. | Modifying a hierarchical representation of a circuit to process features created by interactions between cells |
| US6738958B2 (en) | 2001-09-10 | 2004-05-18 | Numerical Technologies, Inc. | Modifying a hierarchical representation of a circuit to process composite gates |
| US6698007B2 (en) | 2001-10-09 | 2004-02-24 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for resolving coloring conflicts between phase shifters |
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|---|---|---|---|---|
| EP0090924B1 (en) * | 1982-04-05 | 1987-11-11 | International Business Machines Corporation | Method of increasing the image resolution of a transmitting mask and improved masks for performing the method |
| JPS6259296A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-14 | Green Cross Corp:The | ペプタイド誘導体 |
| JP2710967B2 (ja) * | 1988-11-22 | 1998-02-10 | 株式会社日立製作所 | 集積回路装置の製造方法 |
| FR2641622A1 (fr) * | 1988-12-19 | 1990-07-13 | Weill Andre | Masque de photolithographie |
| US5234780A (en) * | 1989-02-13 | 1993-08-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure mask, method of manufacturing the same, and exposure method using the same |
| EP0395425B1 (en) * | 1989-04-28 | 1996-10-16 | Fujitsu Limited | Mask, mask producing method and pattern forming method using mask |
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-
1992
- 1992-03-13 JP JP8831792A patent/JPH05197128A/ja not_active Withdrawn
- 1992-09-24 KR KR1019920017432A patent/KR100230962B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-05-16 US US08/248,633 patent/US5480746A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100230962B1 (ko) | 1999-11-15 |
| US5480746A (en) | 1996-01-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |