JPH0519789B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、デイスクケースに磁気デイスクが光
デイスクなどの信号記録用デイスクを内装したデ
イスクカートリツジに係り、デイスクケースを構
成する上下のハーフケースの超音波溶着による結
合形態に改良を加えたものである。

〔従来の技術〕

本発明において、第１図に示すごとくデイスク
２を内蔵する扁平な硬質のデイスクケース１が上
下一組のハーフケース１ａ，１ｂを蓋合わせ状に
結合してなり、デイスクケース１のほぼ中央部位
に駆動軸挿入窓３を、この駆動軸挿入窓３の前方
にヘツド挿入窓４をそれぞれ有するデイスクカー
トリツジは公知である。

また、この種のハーフケース１ａ，１ｂの数箇
所を超音波溶着で結合することも公知である。

〔発明が解決しようとする課題〕

問題は両ハーフケース１ａ，１ｂの溶着箇所で
あるが、従来は一方のハーフケースから突設の溶
着ボスを、他方のハーフケースの内面もしくは該
内面から突設したボスに突き合わせて、突き合わ
せ面間で溶着していた。

そのため、両ハーフケース１ａ，１ｂを蓋合わ
せ状にしたとき、成形精度のいかによつては溶着
箇所の突き合わせ面どうしが浮き離れたり、片当
たり状態となつて溶着不良を招きやすかつた。こ
の溶着不良は両ハーフケース１ａ，１ｂが不測に
分離する事態を招いたり、そこまで至らずとも両
ハーフケース１ａ，１ｂが相対的に位置ずれ状態
で結合されやすく、とくにケース前面に生じる位
置ずれは機能的に重大な問題となつていた。ま
た、溶着箇所の突き合わせ面が広い面積を有する
ので、能率的ではなく溶着工程に時間が掛かり過
ぎる不利もみられた。

本発明は、かかる従来の不具合を解消するため
に提案されたものであり、その目的は両ハーフケ
ースが無理なく確実に、しかも能率よく超音波溶
着できるデイスクカートリツジを得るにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、上記の基本構成からなるデイスクカ
ートリツジにおいて、両ハーフケース１ａ，１ｂ
が少なくとも前方のヘツド挿入窓４をはさんで左
右２箇所で超音波溶着されていること、前方左右
の各超音波溶着箇所において、両ハーフケース１
ａ，１ｂの一方に実質的に筒状の雄ボス１５Ａ
を、他方に雄ボス１５Ａが密着状に嵌入する実質
的に筒状の雌ボス１５Ｂをそれぞれ形成してある
こと、雄ボス１５Ａの突端部の内面をテーパ面１
７に形成してあること、雄ボス１５Ａの突端部は
雌ボス１５Ｂの内底面に先当たりして、溶着され
ていることを要件とする。

〔作用〕

両ハーフケース１ａ，１ｂを重ね合わせると、
雄ボス１５Ａの突端部が雌ボス１５Ｂに嵌入して
その内底面に先当たりする。この状態から超音波
溶接して行くと、雄ボス１５Ａの突端部はその内
面にテーパ面１７を有する先細り状に形成してあ
るので容易に溶けて行き、雄ボス１５Ａの突端部
が一部片当たり状態にあつても最終的には雌ボス
１５Ｂの内底面に全面的に接触して溶着する。こ
の場合、雄ボス１５Ａは筒状に形成してあるた
め、溶け代の逃げる部分がその筒内の空所に入る
ことになる。

〔発明の効果〕

かかる本発明によれば、両ハーフケース１ａ，
１ｂの超音波溶着に先立つて一方の雄ボス１５Ａ
が他方の雌ボス１５Ｂに密着状に嵌合することに
より、両ハーフケース１ａ，１ｂどうしの位置ず
れを予め接当規制する。そのうえで、雄ボス１５
Ａの内面にテーパ面１７を有する突端部が雌ボス
１５Ｂの内底面に先当たりして次第に溶けて行く
ことにより超音波溶着されるものとした。従つ
て、雄ボス１５Ａの突端部は一部が片当たり状態
になつていても、全周にわたつて雌ボス１５Ｂの
内底面に無理なく確実に溶着できる。とくに、雄
ボス１５Ａは筒状に形成してあるので、その突端
部の溶け代の逃げる部分がその筒内の空所に入
り、雄ボス１５Ａの外周に逃げるのを避けられる
ため、上下のハーフケース１ａ，１ｂの嵌合が確
実となり、その嵌合高さにバラツキを生じない。

〔実施例〕

以下、その詳細を図面に基づき説明すると、第
１図ないし第７図は本発明に係るデイスクカート
リツジの第１実施例を示しており、これは四角形
の扁平な硬質デイスクケース１と、このデイスク
ケース１に可回転に内装される（磁気）デイスク
２とからなる。

デイスクケース１は上下のハーフケース１ａ，
１ｂを蓋合わせ状に結合してなり、ほぼ中央部に
駆動軸挿入窓３を、その前方にヘツド挿入窓４を
それぞれ上下貫通状に形成してある。

デイスク２は円盤状の記録シート（磁気記録シ
ート）５と該シート５の中央に一体に結合されて
前記駆動軸挿入窓３に臨むハブ６とからなる。

かくしてデイスクドライブにデイスクカートリ
ツジを装填すると、駆動軸挿入窓３を介してデイ
スクドライブ側の部材でハブ６がチヤツキングさ
れてデイスク２が回転し、上下ハーフケース１
ａ，１ｂの各内面に付設の不織布ライナ８，８が
記録シート５に摺接してクリーニングする基本構
造のものである。

図の各ハーフケース１ａ，１ｂは全く同一形状
に形成されており、その後端側は左右両側面に設
けた段部１０を介して左右対称形に張り出し形成
し、デイスクケース１の左右幅寸法が前後にわた
つて同一ではなく後端部において広幅になる前後
が非対称形のものとし、デイスクカートリツジが
前後向きを誤つてデイスクドライブに装填される
ことを防止している。

各ハーフケース１ａ，１ｂは外周に壁１１が立
設され、内側に該外周壁１１の四隅を仕切つて実
質的にほぼ円形のデイスク収容室１２を区画形成
する内壁１３が分断状に立設され、上下ハーフケ
ース１ａ，１ｂは面一状に設定した外周壁１１と
内壁１３の端面で突き合わされる。

各ハーフケース１ａ，１ｂにおいて、デイスク
収容室１２の中央に円形の駆動軸挿入窓３が透設
され、この駆動軸挿入窓３の前方の左右中央に、
細長い前後向きのヘツド挿入窓４が連通状に透設
されている。ヘツド挿入窓４の左右開口縁は平行
で、駆動軸挿入窓３の中心を通りケース前端縁と
直交する仮想中心線Ｐがヘツド挿入窓４を左右に
二分する位置関係にある。

すなわち円形の駆動軸挿入窓３と、該駆動軸挿
入窓３の直径よりも左右小幅とした長方形のヘツ
ド挿入窓４とが、鍵孔状に連通しており、ヘツド
挿入窓４の前端縁は外周壁１１の内端まで延びて
いるので、ヘツドの径方向の移動ストロークを大
きく採ることができ、その分だけデイスク２への
記録量を増やすことができる。

なお、駆動軸挿入窓３は左右の中央に位置すれ
ばよく前後の中央に位置する必要はない。

外周壁１１と内壁１３で囲まれる四隅の区画内
には上下のハーフケース１ａ，１ｂを超音波溶着
で結合するためのボス１５Ａ，１５Ｂ，１６Ａ，
１６Ｂを有する。このうち、前側に位置する左右
一組のボス１５Ａ，１５Ｂと後側に位置する左右
一組のボス１６Ａ，１６Ｂとはそれぞれ対をなし
ている。

即ち、第２図および第３図において、前側のボ
ス１５Ａ，１５Ｂのうち、左方の雄ボス１５Ａは
ハーフケース１ａ，１ｂの内面から外周壁１１の
蓋合わせ面よりも高く筒状に突設し、その突端部
が内面に外拡がりのテーパ面１７を有する先細り
状に形成されている。また右方の雌ボス１５Ｂは
他方のハーフケースの前記雄ボス１５Ａが密着状
に嵌入し得る凹穴１９を有する筒状に形成され、
その突端部は外周壁１１の蓋合わせ面と面一であ
る。これらボス１５Ａ，１５Ｂは前述の仮想中心
線Ｐを対称軸にして各々の中心が左右で対称に位
置する。

第２図および第４図において、後側のボス１６
Ａ，１６Ｂも前側のボス１５Ａ，１５Ｂと同様に
仮想中心線Ｐを対称軸にして各々の中心が左右で
対称に位置するように設けられており、その左側
の雌ボス１６Ａが凹穴１９を有する前方右側の雌
ボス１５Ｂと実質的に同一形状に形成され、右側
の雄ボス１６Ｂがテーパ面１７を有する前方左側
の雄ボス１５Ａと実質的に同一形状に形成されて
いる。

但し、上下のハーフケース１ａ，１ｂにおいて
前側の雌雄ボス１５Ａ，１５Ｂは嵌め合いが緊密
で、後側の雌雄ボス１６Ａ，１６Ｂの嵌め合いは
僅かにルーズなものとしてある。

前側の雌ボス１５Ｂがある右側の隅部に矩形の
小区画２０Ａを設け、その内底をコ字状にくり抜
いて誤消去防止片２１を形成し、第５図に示すご
とく誤消去防止片２１の基端内面に折り取りを容
易にする溝２２が刻設してある。この誤消去防止
片２１に対応して左方の雄ボス１５Ａがある区画
の隅部に矩形の小区画２０Ｂを設け、その内底全
部を透設して誤消去防止片２１を折り取るための
操作窓２３が形成してある。

第１図において、符号２５は各ハーフケース１
ａ，１ｂの外面に形成したラベル貼着用の凹面で
あり、第２図において、符号２６はハーフケース
１ａ，１ｂを射出成形する際のゲート位置を示
す。

次に組付け要領を説明すると、第２図の想像線
で示すごとく不織布ライナ８はその開口箇所がヘ
ツド挿入窓４に対応する状態でデイスク収容室１
２に配置し、全面的に又は部分的に熱溶着、超音
波溶着、あるいは接着するかして付着する。

この状態で下側のハーフケース１ｂの内壁１３
で囲まれたデイスク収容室１２にデイスク２を装
着すると、そのハブ６が駆動軸挿入窓３に一部嵌
入するよう臨む。このとき、内壁１３はデイスク
２の装着案内用として機能するとともに、組付け
ライン上でのガタ付きでデイスク２が大きく位置
ずれすることをも接当規制する。

次いで不織布ライナ８を予め固定した上側のハ
ーフケース１ａを下側のハーフケース１ｂ上に蓋
合わせ状に被せ付ける。そして、まず前側で対を
なす各ハーフケース１ａ，１ｂの雌雄ボス１５
Ａ，１５Ｂどうしを互いに嵌め込んで位置決めを
行ない、引き続いて後側で対をなす各ハーフケー
ス１ａ，１ｂの雌雄ボス１６Ａ，１６Ｂどうしを
嵌め込む。各ハーフケース１ａ，１ｂの前あるい
は後側で対をなすボス１５Ａ，１５Ｂ，１６Ａ，
１６Ｂはそれぞれ仮想中心線Ｐに関して対称関係
にあり、外周壁１１および内壁１３なども同様の
関係にあるので、全く同一形状のハーフケース１
ａ，１ｂを組み合わせてデイスクケース１を構成
することができる。

後側のボス１６Ａ，１６Ｂの嵌め合いは前側の
ボス１５Ａ，１５Ｂの嵌め合いよりルーズに設定
してあり、さらに後側のボス１６Ａ，１６Ｂの凹
凸関係が前側のそれとは左右逆に位置設定してあ
るため、ハーフケース１ａ，１ｂの前後で組立干
渉を生じることがなく、両者をスムーズにしかも
正確に位置決めして重ね合わせことができる。

とくに前側のボス１５Ａ，１５Ｂどうしの嵌合
は緊密になるよう設定してあるので、ヘツド挿入
窓４が存在する関係で特に問題となる両ハーフケ
ース１ａ，１ｂの前部での位置ずれを確実に規制
できる。

こうして、両ハーフケース１ａ，１ｂを重ね合
わせたとき、外周壁１１や内壁１３か完全に突き
合わさる前に、上ハーフケース１ａの雄ボス１５
Ａ，１６Ｂの突端部が下ハーフケース１ｂの雌ボ
ス１５Ｂ，１６Ａの凹穴１９の内底面に先当たり
する。この状態から加圧下で各溶着箇所を超音波
溶接で一体結合する。この際、雌ボス１５Ｂ，１
６Ａの内底面に突き当たる雄ボス１５Ａ，１６Ｂ
の突端部は、内面にテーパ面１７を有する先細り
状に形成してあるので、この突端部が溶けやすく
溶着工程が短時間で円滑に行なえる。しかも、こ
の各雄ボス１５Ａ，１６Ｂの溶け代の逃げる部分
が各雄ボス１５Ａ，１６Ｂの箇内の空所に入るの
で、上下のハーフケース１ａ，１ｂの嵌合が確実
となり、その嵌合高さにバラツキが生じるような
ことがなくなる。

上記のようにして上下ハーフケース１ａ，１ｂ
を完全に溶着した状態において、上下の各外周壁
１１および内壁１３の端面どうしが突き合わされ
て密着する。

なお、溶接箇所から外れた上下ハーフケース１
ａ，１ｂの蓋合わせ面の一部、具体的には外周壁
１１の溶接箇所の近傍部位に先当り部があると、
該当部分でも溶着が生じてバリが出る。そしで、
外周壁１１は第６図に示すごとく内側を高くして
外側を段落ち面２７に形成して溶着バリを逃が
し、両ハーフケース１ａ，１ｂが蓋合わせ面で密
着するようにした。図示例では段落ち面２７が外
周壁１１の左右および前方の三方周辺にわたつて
形成されているとともに、後側辺ではボス１６
Ａ，１６Ｂの近傍部位にのみ形成されたものとな
つているが、この段落ち面２７は外周壁１１の各
ボスに近い四隅部分に設けるを以て必要かつ充分
である。

〔別実施例〕

図示例の全容は以上のようになつているが、本
発明はこれに限られるものではない。例えば、上
下のハーフケース１ａ，１ｂにおいて前側の雌雄
ボス１５Ａ，１５Ｂの嵌め合い精度と後側の雌雄
ボス１６Ａ，１６Ｂの嵌め合い精度を同じ程度に
し、下側ハーフケース１ｂに対して上側ハーフケ
ース１ａを直上から水平に案内して蓋合わせする
ものであつてもよい。

また、図示例では前側の雌雄ボス１５Ａ，１５
Ｂの左右間距離と後側の雌雄ボス１６Ａ，１６Ｂ
の左右間距離とを違えて、上下が同一形状のハー
フケース１ａ，１ｂを誤つて前後向きを逆に締結
することがないようにしたが、この点は必ずしも
限定されものではない。

また、第８図に示すように後側のボス１６Ａ，
１６Ｂにおける凸と凹の関係配置が前側のボス１
５Ａ，１５Ｂのそれと左右で同じになるようにし
てもよい。つまり前後で対をなすボス（１５Ａ・
１５Ｂと１６Ａ・１６Ｂ）は凹凸嵌合する関係に
あれば形状や嵌合形態が異なるものであつてもよ
い。

また、第９図に示すごとく前側のボス１５Ａ，
１５Ｂの近傍にリブ状の位置決め突起２８と、こ
れが係入する位置決め溝２９とをそれぞれ形成
し、これら両部材２８，２９の凹凸嵌合で上下の
ハーフケース１ａ，１ｂの位置決めをより確実に
行なうようにしてもよい。

なお、本発明ではデイスク２が光デイスクであ
つたり、ヘツド挿入窓４を開閉するシヤツタを備
えたデイスクカートリツジなども適用対象として
いることは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第７図は本発明に係るデイスクカ
ートリツジの第１実施例を示しており、第１図は
分解斜視図、第２図はデイスクケースを構成する
ハーフケースの平面図、第３図は第２図における
Ａ−Ａ線断面図、第４図は第２図におけるＢ−Ｂ
線断面図、第５図は第２図におけるＣ−Ｃ線断面
図、第６図は両ハーフケースを組付けた状態での
部分拡大側面図、第７図はデイスクカートリツジ
の第２図におけるＡ−Ａ線に相当する位置での断
面図である。第８図は本発明の別実施例を示すハ
ーフケースの平面図である。第９図は本発明の更
に異なる別実施例を示す要部の平面図である。 １…デイスクケース、１ａ，１ｂ…ハーフケー
ス、２…デイスク、３…駆動軸挿入窓、４…ヘツ
ド挿入窓、１１…外周壁、１２…デイスク収容
室、１３…内壁、１５Ａ，１５Ｂ…前側のボス、
１６Ａ，１６Ｂ…後側のボス、１７…テーパ面。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ デイスク２を内蔵するデイスクケース１が上
   下のハーフケース１ａ，１ｂを蓋合わせ状に結合
   してなるデイスクカートリツジにおいて、 両ハーフケース１ａ，１ｂが、少なくとも前方
   のヘツド挿入窓４をはさんで左右２箇所で超音波
   溶着されていること、 前方左方の各超音波溶着箇所において、両ハー
   フケース１ａ，１ｂの一方に実質的に筒状の雄ボ
   ス１５Ａを、他方に雄ボス１５Ａが密着状に嵌入
   する実質的に筒状の雌ボス１５Ｂをそれぞれ形成
   してあること、 雄ボス１５Ａの突端部の内面をテーパ面１７に
   形成してあること、 雄ボス１５Ａの突端部は、雌ボス１５Ｂの内底
   面に溶着されていることを特徴とするデイスクカ
   ートリツジ。