JPH05198209A - 誘電体磁器の製造方法 - Google Patents
誘電体磁器の製造方法Info
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- JPH05198209A JPH05198209A JP4027273A JP2727392A JPH05198209A JP H05198209 A JPH05198209 A JP H05198209A JP 4027273 A JP4027273 A JP 4027273A JP 2727392 A JP2727392 A JP 2727392A JP H05198209 A JPH05198209 A JP H05198209A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 17
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 19
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005467 ceramic manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 abstract 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 8
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 5
- -1 inorganic acid salts Chemical class 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 2
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系材料の焼結性
を高めて、Ｑ値等の特性に優れた誘電体磁器を有利に得
るための手法を提供するものであって、なかでも、複雑
な製造工程や特別な粉砕法・焼成法等を何等採用するこ
となく、通常のセラミック製造工程に従って、難焼結性
のＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器を効果的に
焼結せしめ、且つ充分に高いＱ値を持つ誘電体磁器を有
利に製造し得る手法を提供する。 【構成】 ＢａＯ源原料、ＭｇＯ源原料、及びＴａ2 Ｏ
5 源原料を主体とする原料成分を均一に混合して得られ
る原料組成物を仮焼せしめ、次いでその仮焼物を粉砕
し、そして所望の形状に成形した後、焼成することによ
り、複合ペロブスカイト型結晶構造を有するＢａＯ−Ｍ
ｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器を製造するに際して、前
記ＢａＯ源原料として、ＢＥＴ比表面積が６ｍ2 ／ｇ以
上の微細な炭酸バリウム粉末を用いる。
を高めて、Ｑ値等の特性に優れた誘電体磁器を有利に得
るための手法を提供するものであって、なかでも、複雑
な製造工程や特別な粉砕法・焼成法等を何等採用するこ
となく、通常のセラミック製造工程に従って、難焼結性
のＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器を効果的に
焼結せしめ、且つ充分に高いＱ値を持つ誘電体磁器を有
利に製造し得る手法を提供する。 【構成】 ＢａＯ源原料、ＭｇＯ源原料、及びＴａ2 Ｏ
5 源原料を主体とする原料成分を均一に混合して得られ
る原料組成物を仮焼せしめ、次いでその仮焼物を粉砕
し、そして所望の形状に成形した後、焼成することによ
り、複合ペロブスカイト型結晶構造を有するＢａＯ−Ｍ
ｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器を製造するに際して、前
記ＢａＯ源原料として、ＢＥＴ比表面積が６ｍ2 ／ｇ以
上の微細な炭酸バリウム粉末を用いる。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、誘電体磁器の製造方法に係り、
特に高周波用誘電体材料として好適なＢａＯ−ＭｇＯ−
Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器を有利に製造する方法に関する
ものである。
特に高周波用誘電体材料として好適なＢａＯ−ＭｇＯ−
Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器を有利に製造する方法に関する
ものである。
【０００２】
【背景技術】複合ペロブスカイト型結晶構造を有するＢ
ａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系の磁器材料は、特開昭５３
−６０５４４号公報等において明らかにされ、高周波用
誘電体磁器材料として、特に低損失材料として優れた特
性を有するものであることが認められているが、かかる
ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器は、１６００
℃の高温で数十時間焼成しても緻密化しないため、極め
て焼結が難しいものとされており、原料調合→混合粉砕
→仮焼→粉砕→造粒→成形→焼成の各工程からなる通常
のセラミック製造手法によっては、容易に焼結せしめ得
ず、そのために、その焼結性の向上を図り、また低損失
化の特性を有利に発揮すべく、従来から種々なる提案が
為されている。
ａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系の磁器材料は、特開昭５３
−６０５４４号公報等において明らかにされ、高周波用
誘電体磁器材料として、特に低損失材料として優れた特
性を有するものであることが認められているが、かかる
ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器は、１６００
℃の高温で数十時間焼成しても緻密化しないため、極め
て焼結が難しいものとされており、原料調合→混合粉砕
→仮焼→粉砕→造粒→成形→焼成の各工程からなる通常
のセラミック製造手法によっては、容易に焼結せしめ得
ず、そのために、その焼結性の向上を図り、また低損失
化の特性を有利に発揮すべく、従来から種々なる提案が
為されている。
【０００３】例えば、特開昭５８−２０６００３号公報
や特開昭６０−２１０５６８号公報においては、Ｍｎや
Ｖ2 Ｏ5 の添加による低損失化の向上が図られており、
また特開昭６２−２３５２５１号公報には、湿式合成粉
末を用いることにより低温焼結性を改善し、低損失化を
達成する技術が、更に特開平２−２２５３６７号公報に
は、急速昇温法を採用した二段焼成手法によって緻密化
を達成する技術が、それぞれ明らかにされ、そして「新
素材産業情報」，１９９０年１２月５日号，第９〜１０
頁には、原料粉体を短時間でサブミクロンオーダー以下
の微粒子に粉砕するナノパウダープロセス法により、均
質高密度化を達成する技術が明らかにされており、そし
てまた、特開平２−２２３１０３号公報には、リンの添
加による緻密化の達成とＱの向上を図る技術が、明らか
にされている。
や特開昭６０−２１０５６８号公報においては、Ｍｎや
Ｖ2 Ｏ5 の添加による低損失化の向上が図られており、
また特開昭６２−２３５２５１号公報には、湿式合成粉
末を用いることにより低温焼結性を改善し、低損失化を
達成する技術が、更に特開平２−２２５３６７号公報に
は、急速昇温法を採用した二段焼成手法によって緻密化
を達成する技術が、それぞれ明らかにされ、そして「新
素材産業情報」，１９９０年１２月５日号，第９〜１０
頁には、原料粉体を短時間でサブミクロンオーダー以下
の微粒子に粉砕するナノパウダープロセス法により、均
質高密度化を達成する技術が明らかにされており、そし
てまた、特開平２−２２３１０３号公報には、リンの添
加による緻密化の達成とＱの向上を図る技術が、明らか
にされている。
【０００４】しかしながら、これらの従来技術におい
て、一般に、ＢａＯ成分とＭｇＯ成分とＴａ2 Ｏ5 成分
とからなる主原料成分以外の第三成分の添加は、緻密化
の達成には有効であるものの、得られる誘電体磁器にお
けるＱ値を小さくすることが多く、また特殊な原材料の
使用や特殊なプロセスの導入は、製造工程が複雑となる
ことが避けられず、量産化の点で実用的でないばかりで
なく、コスト高ともなっているのである。
て、一般に、ＢａＯ成分とＭｇＯ成分とＴａ2 Ｏ5 成分
とからなる主原料成分以外の第三成分の添加は、緻密化
の達成には有効であるものの、得られる誘電体磁器にお
けるＱ値を小さくすることが多く、また特殊な原材料の
使用や特殊なプロセスの導入は、製造工程が複雑となる
ことが避けられず、量産化の点で実用的でないばかりで
なく、コスト高ともなっているのである。
【０００５】
【解決課題】ここにおいて、本発明は、かかる事情を背
景にして為されたものであって、その課題とするところ
は、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系材料の焼結性を高め
て、Ｑ値等の特性に優れた誘電体磁器を有利に得ること
にあり、なかでも、複雑な製造工程や特別な粉砕法・焼
成法等を何等採用することなく、通常のセラミック製造
工程に従って、難焼結性のＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5
系誘電体磁器を効果的に焼結せしめ、且つ充分に高いＱ
値を持つ誘電体磁器を有利に製造し得る手法を提供する
ことにある。
景にして為されたものであって、その課題とするところ
は、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系材料の焼結性を高め
て、Ｑ値等の特性に優れた誘電体磁器を有利に得ること
にあり、なかでも、複雑な製造工程や特別な粉砕法・焼
成法等を何等採用することなく、通常のセラミック製造
工程に従って、難焼結性のＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5
系誘電体磁器を効果的に焼結せしめ、且つ充分に高いＱ
値を持つ誘電体磁器を有利に製造し得る手法を提供する
ことにある。
【０００６】
【解決手段】そして、本発明は、かかる課題を解決する
ために、ＢａＯ源原料、ＭｇＯ源原料、及びＴａ2 Ｏ5
源原料を主体とする原料成分を均一に混合して得られる
原料組成物を仮焼せしめ、次いでその仮焼物を粉砕し、
そして所望の形状に成形した後、焼成することにより、
複合ペロブスカイト型結晶構造を有するＢａＯ−ＭｇＯ
−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器を製造するに際して、前記Ｂ
ａＯ源原料として、ＢＥＴ比表面積が６ｍ2 ／ｇ以上の
微細な炭酸バリウム粉末を用いることを特徴とするもの
である。
ために、ＢａＯ源原料、ＭｇＯ源原料、及びＴａ2 Ｏ5
源原料を主体とする原料成分を均一に混合して得られる
原料組成物を仮焼せしめ、次いでその仮焼物を粉砕し、
そして所望の形状に成形した後、焼成することにより、
複合ペロブスカイト型結晶構造を有するＢａＯ−ＭｇＯ
−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器を製造するに際して、前記Ｂ
ａＯ源原料として、ＢＥＴ比表面積が６ｍ2 ／ｇ以上の
微細な炭酸バリウム粉末を用いることを特徴とするもの
である。
【０００７】なお、かくの如き本発明に従って得られ
る、複合ペロブスカイト型結晶構造を有するＢａＯ−Ｍ
ｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器は、次の一般式：Ｂａx
Ｍｇy Ｔａ(1-y) Ｏz （但し、ｘ＝０．９７〜１．０
３，ｙ＝０．３０〜０．３６，ｚ＝Ｂａ，Ｍｇ，Ｔａの
陽イオンの合計の電荷を中和し、磁器全体として電気的
に中性とする数）にて表わされる組成を有している。
る、複合ペロブスカイト型結晶構造を有するＢａＯ−Ｍ
ｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器は、次の一般式：Ｂａx
Ｍｇy Ｔａ(1-y) Ｏz （但し、ｘ＝０．９７〜１．０
３，ｙ＝０．３０〜０．３６，ｚ＝Ｂａ，Ｍｇ，Ｔａの
陽イオンの合計の電荷を中和し、磁器全体として電気的
に中性とする数）にて表わされる組成を有している。
【０００８】
【具体的構成】ところで、このような本発明に従う誘電
体磁器の製造方法において、原料組成物は、目的とする
Ｂａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 にて与えられる複合ペロ
ブスカイト型の結晶構造を生成すべく、ＢａＯ源原料、
ＭｇＯ源原料、及びＴａ2 Ｏ5 源原料にて主として構成
されることとなるが、またそれら原料成分（出発原料）
に加えて、更に、必要に応じて、温度特性を補正するた
めの助剤や他の誘電体磁器特性等を改善するための成分
を添加することも可能である。例えば、τf 値を任意の
値に、特に０ｐｐｍ／℃に調整する目的で、Ｃａ，Ｓｒ
等のアルカリ土類金属；Ｃｏ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｎｂ等の金属元素、及びＮｄ，
Ｓｍ等のランタノイド元素等の酸化物が添加されたり、
或いはＢａ，Ｍｇ，Ｔａに対して置換される場合があ
る。なお、それら原料成分の中で、ＢａＯ源原料として
は、後述のように、特定の比表面積を有する微細な炭酸
バリウム粉末が用いられるが、他のＭｇＯ源原料やＴａ
2 Ｏ5 源原料は、何れも、従来と同様に、Ｍｇ，Ｔａの
酸化物、水酸化物の他、炭酸塩等の無機酸塩、酢酸塩等
の有機酸塩等の形態において、用いられることとなる。
体磁器の製造方法において、原料組成物は、目的とする
Ｂａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 にて与えられる複合ペロ
ブスカイト型の結晶構造を生成すべく、ＢａＯ源原料、
ＭｇＯ源原料、及びＴａ2 Ｏ5 源原料にて主として構成
されることとなるが、またそれら原料成分（出発原料）
に加えて、更に、必要に応じて、温度特性を補正するた
めの助剤や他の誘電体磁器特性等を改善するための成分
を添加することも可能である。例えば、τf 値を任意の
値に、特に０ｐｐｍ／℃に調整する目的で、Ｃａ，Ｓｒ
等のアルカリ土類金属；Ｃｏ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｎｂ等の金属元素、及びＮｄ，
Ｓｍ等のランタノイド元素等の酸化物が添加されたり、
或いはＢａ，Ｍｇ，Ｔａに対して置換される場合があ
る。なお、それら原料成分の中で、ＢａＯ源原料として
は、後述のように、特定の比表面積を有する微細な炭酸
バリウム粉末が用いられるが、他のＭｇＯ源原料やＴａ
2 Ｏ5 源原料は、何れも、従来と同様に、Ｍｇ，Ｔａの
酸化物、水酸化物の他、炭酸塩等の無機酸塩、酢酸塩等
の有機酸塩等の形態において、用いられることとなる。
【０００９】そして、本発明者等の検討によれば、目的
とするＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器を構成
する主原料成分たるＢａＯ源原料として、ＢＥＴ比表面
積が６ｍ2 ／ｇ以上の微細な炭酸バリウム粉末を用いる
ことにより、難焼結性とされているＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔ
ａ2 Ｏ5 系誘電体磁器の焼結が効果的に進行せしめら
れ、また得られる誘電体磁器のＱ特性も充分に高められ
得ることが明らかとなったのである。勿論、かかるＢＥ
Ｔ比表面積が６ｍ2 ／ｇよりも小さくなると、焼結性が
悪化し、またＱ特性も充分に改善し得なくなることは言
うまでもないところである。
とするＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器を構成
する主原料成分たるＢａＯ源原料として、ＢＥＴ比表面
積が６ｍ2 ／ｇ以上の微細な炭酸バリウム粉末を用いる
ことにより、難焼結性とされているＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔ
ａ2 Ｏ5 系誘電体磁器の焼結が効果的に進行せしめら
れ、また得られる誘電体磁器のＱ特性も充分に高められ
得ることが明らかとなったのである。勿論、かかるＢＥ
Ｔ比表面積が６ｍ2 ／ｇよりも小さくなると、焼結性が
悪化し、またＱ特性も充分に改善し得なくなることは言
うまでもないところである。
【００１０】本発明においては、かかるＢａＯ源原料と
しての微細な炭酸バリウム粉末と共に、ＭｇＯ源原料及
びＴａ2 Ｏ5 源原料を主体とする原料成分が、目的とす
る誘電体磁器を与える組成において調合され、そして混
合粉砕せしめられて、均一な原料組成物とされた後、公
知の各種のセラミック製造工程に従って、一般的には通
常の製造工程に従って、仮焼、粉砕、造粒、成形、焼成
の各操作が実施されて、目的とする誘電体磁器が製造さ
れるのである。
しての微細な炭酸バリウム粉末と共に、ＭｇＯ源原料及
びＴａ2 Ｏ5 源原料を主体とする原料成分が、目的とす
る誘電体磁器を与える組成において調合され、そして混
合粉砕せしめられて、均一な原料組成物とされた後、公
知の各種のセラミック製造工程に従って、一般的には通
常の製造工程に従って、仮焼、粉砕、造粒、成形、焼成
の各操作が実施されて、目的とする誘電体磁器が製造さ
れるのである。
【００１１】なお、本発明においては、上記原料組成物
の仮焼に際して、得られる仮焼物中に実質的に複合ペロ
ブスカイト型結晶構造が生成しないようにして、仮焼を
行なうことが推奨される。そのような原料組成物の仮焼
は、仮焼後の粉末中に、調合に用いられた原料が、目的
とする複合ペロブスカイトを生成せず、未反応のまま残
存するような条件下において、行なわれるものであっ
て、具体的には６００℃〜９００℃程度、好ましくは７
００℃〜９００℃程度の仮焼温度を採用して、そのよう
な温度下に、１分間以上、望ましくは２〜４時間程度保
持することにより、実施され、これによって、得られる
誘電体磁器のＱ特性が有利に改善されることとなる。
の仮焼に際して、得られる仮焼物中に実質的に複合ペロ
ブスカイト型結晶構造が生成しないようにして、仮焼を
行なうことが推奨される。そのような原料組成物の仮焼
は、仮焼後の粉末中に、調合に用いられた原料が、目的
とする複合ペロブスカイトを生成せず、未反応のまま残
存するような条件下において、行なわれるものであっ
て、具体的には６００℃〜９００℃程度、好ましくは７
００℃〜９００℃程度の仮焼温度を採用して、そのよう
な温度下に、１分間以上、望ましくは２〜４時間程度保
持することにより、実施され、これによって、得られる
誘電体磁器のＱ特性が有利に改善されることとなる。
【００１２】そして、このような本発明に従って形成さ
れるＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器にあって
は、有利には、次のような一般式：Ｂａx Ｍｇy Ｔａ
(1-y) Ｏz （但し、ｘ＝０．９７〜１．０３，ｙ＝０．
３０〜０．３６，ｚ＝Ｂａ，Ｍｇ，Ｔａの陽イオンの合
計の電荷を中和し、磁器全体として電気的に中性とする
数）にて表わされる組成を有しており、その中でも、最
適値は、ｘ＝１．００，ｙ＝０．３３であって、この限
定されたｘ，ｙ，ｚの範囲外では、焼成に際しての緻密
化が困難となるのである。
れるＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器にあって
は、有利には、次のような一般式：Ｂａx Ｍｇy Ｔａ
(1-y) Ｏz （但し、ｘ＝０．９７〜１．０３，ｙ＝０．
３０〜０．３６，ｚ＝Ｂａ，Ｍｇ，Ｔａの陽イオンの合
計の電荷を中和し、磁器全体として電気的に中性とする
数）にて表わされる組成を有しており、その中でも、最
適値は、ｘ＝１．００，ｙ＝０．３３であって、この限
定されたｘ，ｙ，ｚの範囲外では、焼成に際しての緻密
化が困難となるのである。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明の実施例を示し、本発明を更
に具体的に明らかにすることとするが、本発明が、その
ような実施例の記載によって、何等の制約をも受けるも
のでないことは、言うまでもないところである。また、
本発明には、以下に示される実施例の他にも、本発明の
趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づい
て、種々なる変更、修正、改良等を加え得るものである
ことが、理解されるべきである。
に具体的に明らかにすることとするが、本発明が、その
ような実施例の記載によって、何等の制約をも受けるも
のでないことは、言うまでもないところである。また、
本発明には、以下に示される実施例の他にも、本発明の
趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づい
て、種々なる変更、修正、改良等を加え得るものである
ことが、理解されるべきである。
【００１４】先ず、ＢＥＴ比表面積が、それぞれ、炭酸
バリウム：７．０３ｍ2 ／ｇまたは１２．４ｍ2 ／ｇ、
酸化マグネシウム：２５．４ｍ2 ／ｇ、酸化タンタル：
２．７ｍ2 ／ｇである高純度の炭酸バリウム粉末、酸化
マグネシウム粉末、及び酸化タンタル粉末を用い、それ
らをＢａ：Ｍｇ：Ｔａ＝３：１：２のモル比となるよう
に秤量し、そしてそれら原料成分を、ポリエチレン製ポ
ットの中にジルコニア玉石と共に投入して、純水を加
え、１６時間湿式混合せしめた。次いで、その得られた
混合物をポットから取り出して、乾燥し、白金皿中にお
いて、８５０℃の仮焼温度下に２時間保持して、仮焼を
行なった。
バリウム：７．０３ｍ2 ／ｇまたは１２．４ｍ2 ／ｇ、
酸化マグネシウム：２５．４ｍ2 ／ｇ、酸化タンタル：
２．７ｍ2 ／ｇである高純度の炭酸バリウム粉末、酸化
マグネシウム粉末、及び酸化タンタル粉末を用い、それ
らをＢａ：Ｍｇ：Ｔａ＝３：１：２のモル比となるよう
に秤量し、そしてそれら原料成分を、ポリエチレン製ポ
ットの中にジルコニア玉石と共に投入して、純水を加
え、１６時間湿式混合せしめた。次いで、その得られた
混合物をポットから取り出して、乾燥し、白金皿中にお
いて、８５０℃の仮焼温度下に２時間保持して、仮焼を
行なった。
【００１５】その後、この得られた仮焼物を、ジルコニ
ア玉石と共に、再び、ポリエチレン製ポットに投入し、
更に純水を加えて、１６時間湿式粉砕せしめた。更にそ
の後、この得られた粉砕物を乾燥して、４０メッシュの
篩を通すことにより、造粒を行なった。
ア玉石と共に、再び、ポリエチレン製ポットに投入し、
更に純水を加えて、１６時間湿式粉砕せしめた。更にそ
の後、この得られた粉砕物を乾燥して、４０メッシュの
篩を通すことにより、造粒を行なった。
【００１６】そして、このようにして造粒された粉砕物
を、プレス成形機を用いて、面圧：１ton ／cm2 にて成
形し、１２mmφ×６mmt のサイズの円盤状のサンプルを
得た。更にその後、このようにして成形したサンプル
を、純酸素雰囲気中において、１６００℃の温度で、１
０時間，２０時間，または２００時間の各時間の下に焼
成した。
を、プレス成形機を用いて、面圧：１ton ／cm2 にて成
形し、１２mmφ×６mmt のサイズの円盤状のサンプルを
得た。更にその後、このようにして成形したサンプル
を、純酸素雰囲気中において、１６００℃の温度で、１
０時間，２０時間，または２００時間の各時間の下に焼
成した。
【００１７】かくして得られた各種のサンプルについ
て、その比誘電率（εｒ）及び無負荷Ｑを公知の平行導
体板型誘電体共振器法によって測定し、その結果を、下
記表１に示した。また、比較のため、同様の方法で、Ｂ
ＥＴ比表面積が６ｍ2 ／ｇ未満の炭酸バリウム粉末を用
いて得られたサンプルについても測定し、その結果を併
わせ示した。
て、その比誘電率（εｒ）及び無負荷Ｑを公知の平行導
体板型誘電体共振器法によって測定し、その結果を、下
記表１に示した。また、比較のため、同様の方法で、Ｂ
ＥＴ比表面積が６ｍ2 ／ｇ未満の炭酸バリウム粉末を用
いて得られたサンプルについても測定し、その結果を併
わせ示した。
【００１８】
【表１】
【００１９】かかる表１の結果から明らかなように、Ｂ
ａＯ源原料として、ＢＥＴ比表面積が６ｍ2 ／ｇ以上の
炭酸バリウム微粉末を用いた場合にあっては、短時間で
緻密化が認められ、そしてＱ特性に優れた誘電体磁器を
得ることが出来た。
ａＯ源原料として、ＢＥＴ比表面積が６ｍ2 ／ｇ以上の
炭酸バリウム微粉末を用いた場合にあっては、短時間で
緻密化が認められ、そしてＱ特性に優れた誘電体磁器を
得ることが出来た。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に従って、ＢａＯ源原料として、ＢＥＴ比表面積が６ｍ
2 ／ｇ以上の微細な炭酸バリウム粉末を用いて、原料組
成物を調製し、そしてそれから、目的とするＢａＯ−Ｍ
ｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器を製造することにより、
ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系材料の焼結性を効果的に
高め得て、Ｑ値等の特性に優れた誘電体磁器が有利に得
られることとなったのであり、なかでも、複雑な製造工
程や特別な粉砕法・焼成法等を何等採用することなく、
通常のセラミック製造工程に従って、難焼結性のＢａＯ
−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器を効果的に焼結せし
めることが出来、以て充分に高いＱ値を持つ誘電体磁器
を有利に製造することが出来ることとなったのである。
に従って、ＢａＯ源原料として、ＢＥＴ比表面積が６ｍ
2 ／ｇ以上の微細な炭酸バリウム粉末を用いて、原料組
成物を調製し、そしてそれから、目的とするＢａＯ−Ｍ
ｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器を製造することにより、
ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系材料の焼結性を効果的に
高め得て、Ｑ値等の特性に優れた誘電体磁器が有利に得
られることとなったのであり、なかでも、複雑な製造工
程や特別な粉砕法・焼成法等を何等採用することなく、
通常のセラミック製造工程に従って、難焼結性のＢａＯ
−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器を効果的に焼結せし
めることが出来、以て充分に高いＱ値を持つ誘電体磁器
を有利に製造することが出来ることとなったのである。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＢａＯ源原料、ＭｇＯ源原料、及びＴａ
2 Ｏ5 源原料を主体とする原料成分を均一に混合して得
られる原料組成物を仮焼せしめ、次いでその仮焼物を粉
砕し、そして所望の形状に成形した後、焼成することに
より、複合ペロブスカイト型結晶構造を有するＢａＯ−
ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電体磁器を製造するに際して、 前記ＢａＯ源原料として、ＢＥＴ比表面積が６ｍ2 ／ｇ
以上の微細な炭酸バリウム粉末を用いることを特徴とす
る誘電体磁器の製造方法。 - 【請求項２】 前記ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系誘電
体磁器が、一般式：Ｂａx Ｍｇy Ｔａ(1-y) Ｏz （但
し、ｘ＝０．９７〜１．０３，ｙ＝０．３０〜０．３
６，ｚ＝Ｂａ，Ｍｇ，Ｔａの陽イオンの合計の電荷を中
和し、磁器全体として電気的に中性とする数）にて表わ
される組成を有している請求項１に記載の誘電体磁器の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4027273A JPH05198209A (ja) | 1992-01-18 | 1992-01-18 | 誘電体磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4027273A JPH05198209A (ja) | 1992-01-18 | 1992-01-18 | 誘電体磁器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198209A true JPH05198209A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=12216475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4027273A Pending JPH05198209A (ja) | 1992-01-18 | 1992-01-18 | 誘電体磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198209A (ja) |
-
1992
- 1992-01-18 JP JP4027273A patent/JPH05198209A/ja active Pending
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