JPH05198376A - 薄膜ｅｌパネルの製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌパネルの製造方法Info
- Publication number
- JPH05198376A JPH05198376A JP4008913A JP891392A JPH05198376A JP H05198376 A JPH05198376 A JP H05198376A JP 4008913 A JP4008913 A JP 4008913A JP 891392 A JP891392 A JP 891392A JP H05198376 A JPH05198376 A JP H05198376A
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- JP
- Japan
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- film
- panel
- glass
- thin film
- back electrode
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 キャラクタやグラフィックスなどの表示に用
いる薄膜ＥＬパネルの外部導出電極と背面電極のパター
ンをフォトレジストの代わりにガラスペーストを用いて
作成する。 【構成】 ガラス基板１の上にＩＴＯ膜２を成膜パター
ニングし、その上に第１誘電体層３、ＥＬ発光体層４、
第２誘電体層５を成膜する。次にアルミニウム膜６を所
定の領域に蒸着し、次に外部導出電極として金膜７をメ
タルマスクを用いて蒸着する。次にガラスペースト８で
背面電極パターンを形成する。次にアルミニウム膜６を
エッチングし、次にエッチングした後にガラスペースト
を埋めて乾燥焼成する。この構成によりプロセスの簡略
化とコスト削減に寄与できる薄膜ＥＬパネルの製造方法
を提供できる。
いる薄膜ＥＬパネルの外部導出電極と背面電極のパター
ンをフォトレジストの代わりにガラスペーストを用いて
作成する。 【構成】 ガラス基板１の上にＩＴＯ膜２を成膜パター
ニングし、その上に第１誘電体層３、ＥＬ発光体層４、
第２誘電体層５を成膜する。次にアルミニウム膜６を所
定の領域に蒸着し、次に外部導出電極として金膜７をメ
タルマスクを用いて蒸着する。次にガラスペースト８で
背面電極パターンを形成する。次にアルミニウム膜６を
エッチングし、次にエッチングした後にガラスペースト
を埋めて乾燥焼成する。この構成によりプロセスの簡略
化とコスト削減に寄与できる薄膜ＥＬパネルの製造方法
を提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、キャラクタやグラフィ
ックスなどの表示に用いる薄膜ＥＬパネルの製造方法に
関する。
ックスなどの表示に用いる薄膜ＥＬパネルの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より電場発光素子を用いた固体表示
パネルとしてＸ−Ｙマトリックス表示パネルが知られて
いる。このパネルは電場発光層の両面に水平電極群と垂
直電極群とを互いに直交するように配置し、それぞれの
電極群に接続された給電線により切り換え装置を通して
信号を加えて両電極の交点部分の電場発光層を発光させ
（この交点の発光部分を絵素と称する）、発光した絵素
の組み合わせによって文字や図形などを表示させるもの
である。ここで用いられる固体表示パネルとしては、通
常ガラスなどの透光性基板上に透明な平行電極群を形成
し、その上に第１誘電体層、ＥＬ発光体層、第２誘電体
層を順次積層し、さらにその上に背面電極群を下層の透
明電極群に直交する配置で積層して形成する。一般に透
明平行電極としては平滑なガラス基板上に酸化錫や錫添
加酸化インジウム（以下ＩＴＯと称する）を被着する。
直交する背面電極としてはアルミニウムなどの金属膜が
真空蒸着などにより形成される。外部導出電極は、背面
電極膜形成後にその所定領域に成膜しフォトリソ法を用
いてパターン形成した後、順次エッチングを行う方法が
とられていた。すなわちアルミニウム膜を成膜後にニッ
ケル膜を背面電極および透明電極の外部導出部分に成膜
し、レジストパターンを形成した後ニッケル膜をエッチ
ングし、続いてアルミニウム膜をエッチングする方法が
とられている。その後シールドガラスをかぶせ、接着剤
などで封止する。
パネルとしてＸ−Ｙマトリックス表示パネルが知られて
いる。このパネルは電場発光層の両面に水平電極群と垂
直電極群とを互いに直交するように配置し、それぞれの
電極群に接続された給電線により切り換え装置を通して
信号を加えて両電極の交点部分の電場発光層を発光させ
（この交点の発光部分を絵素と称する）、発光した絵素
の組み合わせによって文字や図形などを表示させるもの
である。ここで用いられる固体表示パネルとしては、通
常ガラスなどの透光性基板上に透明な平行電極群を形成
し、その上に第１誘電体層、ＥＬ発光体層、第２誘電体
層を順次積層し、さらにその上に背面電極群を下層の透
明電極群に直交する配置で積層して形成する。一般に透
明平行電極としては平滑なガラス基板上に酸化錫や錫添
加酸化インジウム（以下ＩＴＯと称する）を被着する。
直交する背面電極としてはアルミニウムなどの金属膜が
真空蒸着などにより形成される。外部導出電極は、背面
電極膜形成後にその所定領域に成膜しフォトリソ法を用
いてパターン形成した後、順次エッチングを行う方法が
とられていた。すなわちアルミニウム膜を成膜後にニッ
ケル膜を背面電極および透明電極の外部導出部分に成膜
し、レジストパターンを形成した後ニッケル膜をエッチ
ングし、続いてアルミニウム膜をエッチングする方法が
とられている。その後シールドガラスをかぶせ、接着剤
などで封止する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】以上のような従来の構
成では、背面電極、外部導出電極のプロセスの数が多
く、フォトリソ工程ではフォトレジストの塗布、剥離等
でパネルの歩留り低下をきたし、時間もかかるという課
題があった。
成では、背面電極、外部導出電極のプロセスの数が多
く、フォトリソ工程ではフォトレジストの塗布、剥離等
でパネルの歩留り低下をきたし、時間もかかるという課
題があった。
【０００４】本発明は上記課題を解決するもので、簡略
化したプロセスで、コスト削減に寄与する薄膜ＥＬパネ
ルの製造方法を提供することを目的とする。
化したプロセスで、コスト削減に寄与する薄膜ＥＬパネ
ルの製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成させるた
めに本発明は、第２誘電体層上に背面電極となる金属膜
を形成する工程と、その金属膜上にシールドガラスをス
クリーン印刷でパターン形成する工程と、そのガラスペ
ーストを乾燥してシールドガラスを形成する工程と、そ
のシールドガラスをマスクにして上記金属膜をエッチン
グして背面電極を形成する工程と、少なくともシールド
ガラスの形成されていない部分に新たにシールドガラス
を埋めて乾燥焼成してシールドガラスを形成する工程と
を少なくとも有する構成よりなる。
めに本発明は、第２誘電体層上に背面電極となる金属膜
を形成する工程と、その金属膜上にシールドガラスをス
クリーン印刷でパターン形成する工程と、そのガラスペ
ーストを乾燥してシールドガラスを形成する工程と、そ
のシールドガラスをマスクにして上記金属膜をエッチン
グして背面電極を形成する工程と、少なくともシールド
ガラスの形成されていない部分に新たにシールドガラス
を埋めて乾燥焼成してシールドガラスを形成する工程と
を少なくとも有する構成よりなる。
【０００６】
【作用】上記構成により、背面電極のパターン形成をシ
ールドガラスをマスクとして行なうので、フォトリソ工
程が省略でき、シールドガラスもそのままシールド材と
して利用できる。
ールドガラスをマスクとして行なうので、フォトリソ工
程が省略でき、シールドガラスもそのままシールド材と
して利用できる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明による薄膜ＥＬパネルの作成プ
ロセスを順に示した図である。本発明の実施例を上面図
と断面図を参照しながら説明する。
ロセスを順に示した図である。本発明の実施例を上面図
と断面図を参照しながら説明する。
【０００８】図１（ａ）のようにガラス基板１上にスパ
ッタリング法により基板温度４５０℃で厚さ６００ｎｍ
のＩＴＯ膜２を形成した後、所定のマスクを用いてフォ
トリソグラフィーとエッチングによりＩＴＯ膜２をスト
ライプ状に加工した。つぎにその上に第１誘電体層とし
てアルミナ膜［ＡＩ2Ｏ3］３を基板温度２００℃でスパ
ッタリング法により、厚さ３００ｎｍに形成した。次に
その上に蒸着法により、基板温度２００℃で厚さ５００
ｎｍのマンガン添加硫化亜鉛膜からなるＥＬ発光体層４
を形成した。次にタンタル酸バリウム［ＢａＴａ2Ｏ6］
薄膜を、基板温度１５０℃でスパッタリング法により厚
さ２００ｎｍの第２誘電体層５を形成した。次にＥＬ発
光体層４の熱処理活性化を微量の酸素を含む窒素雰囲気
で５５０℃１時間行う。次に図１（ｂ）のように、アル
ミニウム膜６を所定の領域に厚さ３５０ｎｍ蒸着する。
次に厚さ２００ｎｍの金膜７をメタルマスクを用いて外
部導出電極として蒸着する。次に図１（ｃ）のようにガ
ラスペースト８をスクリーン印刷法でパータンを印刷
し、乾燥してシールドガラスとする。次に図１（ｄ）の
ようにそのシールドガラスをマスクにしてアルミニウム
膜６をエッチングし、エッチングされたあとに新たにガ
ラスペーストを埋めて乾燥焼成する。以上のプロセスで
本発明の実施例の薄膜ＥＬパネルを完成した。なおここ
でガラスペーストは３００℃から３５０℃で焼成できる
ものを選んだ。これでもなお金属に対する酸化は避けら
れないが、窒素あるいはアルゴンガス雰囲気下で行なう
ことによりある程度を抑えられることが実験でわかっ
た。また乾燥においても窒素雰囲気下で行なった。
ッタリング法により基板温度４５０℃で厚さ６００ｎｍ
のＩＴＯ膜２を形成した後、所定のマスクを用いてフォ
トリソグラフィーとエッチングによりＩＴＯ膜２をスト
ライプ状に加工した。つぎにその上に第１誘電体層とし
てアルミナ膜［ＡＩ2Ｏ3］３を基板温度２００℃でスパ
ッタリング法により、厚さ３００ｎｍに形成した。次に
その上に蒸着法により、基板温度２００℃で厚さ５００
ｎｍのマンガン添加硫化亜鉛膜からなるＥＬ発光体層４
を形成した。次にタンタル酸バリウム［ＢａＴａ2Ｏ6］
薄膜を、基板温度１５０℃でスパッタリング法により厚
さ２００ｎｍの第２誘電体層５を形成した。次にＥＬ発
光体層４の熱処理活性化を微量の酸素を含む窒素雰囲気
で５５０℃１時間行う。次に図１（ｂ）のように、アル
ミニウム膜６を所定の領域に厚さ３５０ｎｍ蒸着する。
次に厚さ２００ｎｍの金膜７をメタルマスクを用いて外
部導出電極として蒸着する。次に図１（ｃ）のようにガ
ラスペースト８をスクリーン印刷法でパータンを印刷
し、乾燥してシールドガラスとする。次に図１（ｄ）の
ようにそのシールドガラスをマスクにしてアルミニウム
膜６をエッチングし、エッチングされたあとに新たにガ
ラスペーストを埋めて乾燥焼成する。以上のプロセスで
本発明の実施例の薄膜ＥＬパネルを完成した。なおここ
でガラスペーストは３００℃から３５０℃で焼成できる
ものを選んだ。これでもなお金属に対する酸化は避けら
れないが、窒素あるいはアルゴンガス雰囲気下で行なう
ことによりある程度を抑えられることが実験でわかっ
た。また乾燥においても窒素雰囲気下で行なった。
【０００９】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように本発明
は、パターン形成されたシールドガラスをマスクにして
背面電極をエッチングし、そのマスクとして利用したシ
ールドガラスもそのままシールド材として利用できるの
で、プロセスの簡略化と、コスト削減に寄与できる薄膜
ＥＬパネルの製造方法を提供できる。
は、パターン形成されたシールドガラスをマスクにして
背面電極をエッチングし、そのマスクとして利用したシ
ールドガラスもそのままシールド材として利用できるの
で、プロセスの簡略化と、コスト削減に寄与できる薄膜
ＥＬパネルの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の薄膜ＥＬパネルの製造方法
の工程上面図および断面図
の工程上面図および断面図
１ ガラス基板（透光性基板） ２ ＩＴＯ膜（透明電極） ３ アルミナ膜（第１誘電体層） ４ ＥＬ発光体層 ５ 第２誘電体層 ６ アルミニウム膜（背面電極） ７ 金膜 ８ ガラスペースト
Claims (1)
- 【請求項１】透光性基板上に透明電極、第１誘電体層、
ＥＬ発光体層、第２誘電体層、背面電極およびシールド
ガラスを順次積層形成する工程を少なくとも有する薄膜
ＥＬパネルの製造方法において、前記背面電極およびシ
ールドガラスを形成する工程が、前記第２誘電体層上に
背面電極となる金属膜を形成する工程と、その金属膜上
にガラスペーストをスクリーン印刷でパターン形成する
工程と、そのガラスペーストを乾燥してシールドガラス
を形成する工程と、そのシールドガラスをマスクにして
前記金属膜をエッチングして背面電極を形成する工程
と、少なくとも前記シールドガラスの形成されていない
部分に新たにガラスペーストを埋めて乾燥焼成してシー
ルドガラスを形成する工程とを少なくとも有することを
特徴とする薄膜ＥＬパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4008913A JPH05198376A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4008913A JPH05198376A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198376A true JPH05198376A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=11705903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4008913A Pending JPH05198376A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198376A (ja) |
-
1992
- 1992-01-22 JP JP4008913A patent/JPH05198376A/ja active Pending
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