JPH05198727A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05198727A JPH05198727A JP4009989A JP998992A JPH05198727A JP H05198727 A JPH05198727 A JP H05198727A JP 4009989 A JP4009989 A JP 4009989A JP 998992 A JP998992 A JP 998992A JP H05198727 A JPH05198727 A JP H05198727A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- semiconductor device
- wire
- bonding wire
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、細線状のボンディングワイヤにより
チップの電極と外部リードとが接続される構造を有する
半導体装置に関し、ボンディングワイヤの長さが長くて
もモールディングの際のボンディングワイヤのフロー・
変形を防止することができる半導体装置の提供を目的と
する。 【構成】チップ１５と、チップ１５が固着されているダ
イステージ１２と、チップ１５の辺に対向し、かつ辺に
沿って設置された外部リード19ａ〜19ｐと、チップ１５
の電極と外部リード19ａ〜19ｐとを接続し、かつアーチ
状に張り渡されたボンディングワイヤ16ａ〜16ｐと、チ
ップ１５と外部リードとの間に設置され、ボンディング
ワイヤ16ａ〜16ｐを支持する支持体１８とを有する半導
体装置において、支持体１８は、ボンディングワイヤ16
ａ〜16ｐの支持面にボンディングワイヤ16ａ〜16ｐを掛
止する凹凸を有することを含み構成する。
チップの電極と外部リードとが接続される構造を有する
半導体装置に関し、ボンディングワイヤの長さが長くて
もモールディングの際のボンディングワイヤのフロー・
変形を防止することができる半導体装置の提供を目的と
する。 【構成】チップ１５と、チップ１５が固着されているダ
イステージ１２と、チップ１５の辺に対向し、かつ辺に
沿って設置された外部リード19ａ〜19ｐと、チップ１５
の電極と外部リード19ａ〜19ｐとを接続し、かつアーチ
状に張り渡されたボンディングワイヤ16ａ〜16ｐと、チ
ップ１５と外部リードとの間に設置され、ボンディング
ワイヤ16ａ〜16ｐを支持する支持体１８とを有する半導
体装置において、支持体１８は、ボンディングワイヤ16
ａ〜16ｐの支持面にボンディングワイヤ16ａ〜16ｐを掛
止する凹凸を有することを含み構成する。
Description
【０００１】 （目次） ・産業上の利用分野 ・従来の技術（図６，図７） ・発明が解決しようとする課題 ・課題を解決するための手段 ・作用 ・実施例 （１）第１の実施例（図１〜図３） （２）第２の実施例（図４） （３）第３の実施例（図５） ・発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、更
に詳しく言えば、細線状のボンディングワイヤによりチ
ップの電極と外部リードとが接続される構造を有する半
導体装置に関する。
に詳しく言えば、細線状のボンディングワイヤによりチ
ップの電極と外部リードとが接続される構造を有する半
導体装置に関する。
【０００３】
【従来の技術】図６（ａ）〜（ｄ），図７（ｅ）〜
（ｇ）は、従来例の、Ａｕ線或いはＡｌ線等の細線状の
ボンディングワイヤによりチップと外部リードとが接続
される構造を有する半導体装置の製造方法について説明
する図である。
（ｇ）は、従来例の、Ａｕ線或いはＡｌ線等の細線状の
ボンディングワイヤによりチップと外部リードとが接続
される構造を有する半導体装置の製造方法について説明
する図である。
【０００４】図６（ａ）はリードフレーム１の斜視図
で、２はチップが固着されるダイステージで、タイバー
４ａにより支持部材４ｃに固定されており、樹脂封止の
後にタイバー４ａが切断され、支持部剤４ｃから分離さ
れる。３ａ〜３ｐはダイステージ２の周辺部に配置され
た複数の外部リードで、タイバー４ｂにより互いに固定
されており、樹脂封止の後にタイバー４ｂが切断されて
互いに分離される。また、ダイステージ２の周辺近傍の
外部リード３ａ〜３ｐの先端部は、チップ５の電極と外
部リード３ａ〜３ｐとを接続するためのボンディングワ
イヤを固着するワイヤボンディングパッド９ａ〜９ｐと
なっている。
で、２はチップが固着されるダイステージで、タイバー
４ａにより支持部材４ｃに固定されており、樹脂封止の
後にタイバー４ａが切断され、支持部剤４ｃから分離さ
れる。３ａ〜３ｐはダイステージ２の周辺部に配置され
た複数の外部リードで、タイバー４ｂにより互いに固定
されており、樹脂封止の後にタイバー４ｂが切断されて
互いに分離される。また、ダイステージ２の周辺近傍の
外部リード３ａ〜３ｐの先端部は、チップ５の電極と外
部リード３ａ〜３ｐとを接続するためのボンディングワ
イヤを固着するワイヤボンディングパッド９ａ〜９ｐと
なっている。
【０００５】まず、このようなリードフレーム１のダイ
ステージ２に絶縁性接着剤又は共晶合金等によりチップ
５を固着する。続いて、ワイヤボンダーを用いて、チッ
プ５に形成されている複数の電極と、対応する電極と接
続すべき外部リード３ａ〜３ｐのワイヤボンディングパ
ッド９ａ〜９ｐとの間を張り渡すように金線等からなる
細線状のボンディングワイヤ６ａ〜６ｐをボンディング
する（図６（ｂ））。なお、図６（ｃ）はＡ方向の側面
図、図６（ｄ）はＢ方向の側面図である。
ステージ２に絶縁性接着剤又は共晶合金等によりチップ
５を固着する。続いて、ワイヤボンダーを用いて、チッ
プ５に形成されている複数の電極と、対応する電極と接
続すべき外部リード３ａ〜３ｐのワイヤボンディングパ
ッド９ａ〜９ｐとの間を張り渡すように金線等からなる
細線状のボンディングワイヤ６ａ〜６ｐをボンディング
する（図６（ｂ））。なお、図６（ｃ）はＡ方向の側面
図、図６（ｄ）はＢ方向の側面図である。
【０００６】次に、このようにチップの取りつけられた
組み立て半完成の半導体装置を、ダイステージ２，外部
リード３ａ〜３ｐ及びボンディングワイヤ６ａ〜６ｐの
固定のため、及びこれらの相互の絶縁のため、チップ
５，ボンディングワイヤ６ａ〜６ｐ及び外部リード３ａ
〜３ｐのワイヤボンディングパッド９ａ〜９ｐを樹脂体
により被覆すべく、ワイヤボンディング後の組立半完成
品をモールド型にセットした後、モールド型に樹脂を流
しこみ、圧力を加えて固め、樹脂体７を形成する（図７
（ｅ））。なお、図７（ｆ）はＡ方向の側面図、図７
（ｇ）はＢ方向の側面図である。
組み立て半完成の半導体装置を、ダイステージ２，外部
リード３ａ〜３ｐ及びボンディングワイヤ６ａ〜６ｐの
固定のため、及びこれらの相互の絶縁のため、チップ
５，ボンディングワイヤ６ａ〜６ｐ及び外部リード３ａ
〜３ｐのワイヤボンディングパッド９ａ〜９ｐを樹脂体
により被覆すべく、ワイヤボンディング後の組立半完成
品をモールド型にセットした後、モールド型に樹脂を流
しこみ、圧力を加えて固め、樹脂体７を形成する（図７
（ｅ））。なお、図７（ｆ）はＡ方向の側面図、図７
（ｇ）はＢ方向の側面図である。
【０００７】その後、タイバー４ａ，４ｂをカットし、
リード整形すると半導体装置が完成する。
リード整形すると半導体装置が完成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電源接続端
子等、それぞれが特定の電気的な機能を有する接続端子
となっているチップ５の電極の配置は、通常、品種毎に
異なるが、一方で、外部リード３ａ〜３ｐの電気的な機
能配置は品種によらず決まっているため、複数の品種に
特定のリードフレームを用いようとすると、一の品種に
対してボンディングワイヤ６ａ〜６ｐがあまり長くなら
ないように適切に設計されていても、他の品種に対して
はボンディングワイヤ６ａ〜６ｐを長く張り渡すことに
なる場合がある。このため、モールディングするためモ
ールド型に樹脂を流しこむ際の圧力によりボンディング
ワイヤ６ａ〜６ｐが押し流されて変形し、絶縁すべき、
ボンディングワイヤ６ａ〜６ｐ相互間やボンディングワ
イヤ６ａ〜６ｐ／ダイステージ２間等がショートする場
合があり、問題である。
子等、それぞれが特定の電気的な機能を有する接続端子
となっているチップ５の電極の配置は、通常、品種毎に
異なるが、一方で、外部リード３ａ〜３ｐの電気的な機
能配置は品種によらず決まっているため、複数の品種に
特定のリードフレームを用いようとすると、一の品種に
対してボンディングワイヤ６ａ〜６ｐがあまり長くなら
ないように適切に設計されていても、他の品種に対して
はボンディングワイヤ６ａ〜６ｐを長く張り渡すことに
なる場合がある。このため、モールディングするためモ
ールド型に樹脂を流しこむ際の圧力によりボンディング
ワイヤ６ａ〜６ｐが押し流されて変形し、絶縁すべき、
ボンディングワイヤ６ａ〜６ｐ相互間やボンディングワ
イヤ６ａ〜６ｐ／ダイステージ２間等がショートする場
合があり、問題である。
【０００９】従って、原則として品種毎に異なるリード
フレームを用いることになるが、品種数が増加してくる
に従って、製造上の管理が困難になるという問題があ
る。本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みて創作さ
れたものであり、ボンディングワイヤの長さが長くても
モールディングの際のボンディングワイヤのフロー・変
形を防止することができる半導体装置の提供を目的とす
る。
フレームを用いることになるが、品種数が増加してくる
に従って、製造上の管理が困難になるという問題があ
る。本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みて創作さ
れたものであり、ボンディングワイヤの長さが長くても
モールディングの際のボンディングワイヤのフロー・変
形を防止することができる半導体装置の提供を目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、チ
ップが固着されているダイステージと、前記チップの辺
に対向し、かつ該辺に沿って設置された外部リードと、
前記チップの電極と前記外部リードとを接続し、かつア
ーチ状に張り渡されたボンディングワイヤと、前記チッ
プと前記外部リードとの間に設置され、前記ボンディン
グワイヤを支持する支持体とを有する半導体装置におい
て、前記支持体は、前記ボンディングワイヤの支持面に
前記ボンディングワイヤを掛止する凹凸を有することを
特徴とする半導体装置によって達成され、第２に、チッ
プが固着されているダイステージと、前記チップの辺に
対向し、かつ該辺に沿って設置された外部リードと、前
記チップの電極と前記外部リードとを接続し、かつアー
チ状に張り渡されたボンディングワイヤと、前記チップ
と前記外部リードとの間に設置され、前記ボンディング
ワイヤを支持する支持体とを有する半導体装置におい
て、前記支持体は、前記ボンディングワイヤの支持面に
前記ボンディングワイヤを粘着する粘着材が形成されて
いることを特徴とする半導体装置によって達成され、第
３に、前記チップ，ダイステージ，ボンディングワイ
ヤ，支持体及びボンディングワイヤが接続されている部
分の外部リードは樹脂体により被覆されていることを特
徴とする第１又は第２の発明に記載の半導体装置によっ
て達成され、第４に、前記支持体は、前記チップ周辺部
のダイステージに樹脂が塗布されたことを特徴とする第
１，第２又は第３いずれかの発明に記載の半導体装置に
よって達成される。
ップが固着されているダイステージと、前記チップの辺
に対向し、かつ該辺に沿って設置された外部リードと、
前記チップの電極と前記外部リードとを接続し、かつア
ーチ状に張り渡されたボンディングワイヤと、前記チッ
プと前記外部リードとの間に設置され、前記ボンディン
グワイヤを支持する支持体とを有する半導体装置におい
て、前記支持体は、前記ボンディングワイヤの支持面に
前記ボンディングワイヤを掛止する凹凸を有することを
特徴とする半導体装置によって達成され、第２に、チッ
プが固着されているダイステージと、前記チップの辺に
対向し、かつ該辺に沿って設置された外部リードと、前
記チップの電極と前記外部リードとを接続し、かつアー
チ状に張り渡されたボンディングワイヤと、前記チップ
と前記外部リードとの間に設置され、前記ボンディング
ワイヤを支持する支持体とを有する半導体装置におい
て、前記支持体は、前記ボンディングワイヤの支持面に
前記ボンディングワイヤを粘着する粘着材が形成されて
いることを特徴とする半導体装置によって達成され、第
３に、前記チップ，ダイステージ，ボンディングワイ
ヤ，支持体及びボンディングワイヤが接続されている部
分の外部リードは樹脂体により被覆されていることを特
徴とする第１又は第２の発明に記載の半導体装置によっ
て達成され、第４に、前記支持体は、前記チップ周辺部
のダイステージに樹脂が塗布されたことを特徴とする第
１，第２又は第３いずれかの発明に記載の半導体装置に
よって達成される。
【００１１】
【作 用】本発明の半導体装置においては、ボンディン
グワイヤを支持する支持体を有し、かつボンディングワ
イヤの支持面にボンディングワイヤを掛止する凹凸を有
している。従って、ボンディングワイヤの支持面が平坦
な支持体が設けられただけでは、樹脂によりモールディ
ングされる際に、樹脂の流れの圧力により、支持面をボ
ンディングワイヤが滑って互いに接触する可能性がある
が、本発明の半導体装置のボンディングワイヤの支持体
は、ボンディングワイヤの支持面にボンディングワイヤ
を係止する凹凸を有しているので、ボンディングワイヤ
が押し流されるのを防止して、ボンディングワイヤとダ
イステージとの間がショートするのを防止することがで
き、かつ、ボンディングワイヤ相互間がショートするの
を防止することができる。
グワイヤを支持する支持体を有し、かつボンディングワ
イヤの支持面にボンディングワイヤを掛止する凹凸を有
している。従って、ボンディングワイヤの支持面が平坦
な支持体が設けられただけでは、樹脂によりモールディ
ングされる際に、樹脂の流れの圧力により、支持面をボ
ンディングワイヤが滑って互いに接触する可能性がある
が、本発明の半導体装置のボンディングワイヤの支持体
は、ボンディングワイヤの支持面にボンディングワイヤ
を係止する凹凸を有しているので、ボンディングワイヤ
が押し流されるのを防止して、ボンディングワイヤとダ
イステージとの間がショートするのを防止することがで
き、かつ、ボンディングワイヤ相互間がショートするの
を防止することができる。
【００１２】
【実施例】（１）第１の実施例 図１（ａ），（ｂ），図２（ｃ）〜（ｆ），図３（ｇ）
は、本発明の第１の実施例の、Ａｕ線或いはＡｌ線等の
細線状のボンディングワイヤによりチップと外部リード
とが接続される構造を有する半導体装置の製造方法につ
いて説明する図である。
は、本発明の第１の実施例の、Ａｕ線或いはＡｌ線等の
細線状のボンディングワイヤによりチップと外部リード
とが接続される構造を有する半導体装置の製造方法につ
いて説明する図である。
【００１３】図１（ａ）はリードフレーム１１の斜視図
である。１２はチップ１５が固着されるダイステージ
で、タイバー14ａにより支持部材14ｃに固定されてお
り、樹脂封止の後にタイバー14ａが切断されて支持部材
14ｃから分離される。13ａ〜13ｐはダイステージ１２の
周辺部に設置された複数の外部リードで、タイバー14ｂ
により互いに固定されており、樹脂封止の後にタイバー
14ｂが切断されて互いに分離される。また、ダイステー
ジ１２の周辺近傍の外部リード13ａ〜13ｐの先端部は、
チップ１５の電極と外部リード13ａ〜13ｐとを接続する
ためのボンディングワイヤを固着するワイヤボンディン
グパッド19ａ〜19ｐとなっている。
である。１２はチップ１５が固着されるダイステージ
で、タイバー14ａにより支持部材14ｃに固定されてお
り、樹脂封止の後にタイバー14ａが切断されて支持部材
14ｃから分離される。13ａ〜13ｐはダイステージ１２の
周辺部に設置された複数の外部リードで、タイバー14ｂ
により互いに固定されており、樹脂封止の後にタイバー
14ｂが切断されて互いに分離される。また、ダイステー
ジ１２の周辺近傍の外部リード13ａ〜13ｐの先端部は、
チップ１５の電極と外部リード13ａ〜13ｐとを接続する
ためのボンディングワイヤを固着するワイヤボンディン
グパッド19ａ〜19ｐとなっている。
【００１４】まず、チップ１５の周辺部を囲むように予
め枠状に形成され、かつチップ１５の厚さよりも高さが
高く、張り渡されるボンディングワイヤに沿って凹状の
溝をボンディングワイヤの支持面に有する支持体１８を
上記のリードフレーム１１のダイステージ１２上に絶縁
性接着剤等により固着する（図１（ｂ））。
め枠状に形成され、かつチップ１５の厚さよりも高さが
高く、張り渡されるボンディングワイヤに沿って凹状の
溝をボンディングワイヤの支持面に有する支持体１８を
上記のリードフレーム１１のダイステージ１２上に絶縁
性接着剤等により固着する（図１（ｂ））。
【００１５】次に、真空チャック等によりチップ１５を
吸着して、又はコレットによりチップ１５を掴んで支持
体１８の枠の内側に露出するダイステージ１２に絶縁性
接着剤により固着する。これにより、チップ１５の周辺
部はチップ厚よりも高さの高い支持体１８により囲まれ
る（図２（ｃ））。
吸着して、又はコレットによりチップ１５を掴んで支持
体１８の枠の内側に露出するダイステージ１２に絶縁性
接着剤により固着する。これにより、チップ１５の周辺
部はチップ厚よりも高さの高い支持体１８により囲まれ
る（図２（ｃ））。
【００１６】次に、ワイヤボンダーを用いて、チップ１
５に形成されている不図示の複数の電極と、これらの電
極と接続すべき外部リード13ａ〜13ｐのワイヤボンディ
ングパッド19ａ〜19ｐとの間を張り渡すようにＡｕ線等
の細線状のボンディングワイヤ16ａ〜16ｐをボンディン
グする。このとき、図２（ｄ）のＣ方向の側面図及び支
持体１８の支持面の拡大図の図２（ｅ）に示すように、
Ａｕ線16ａ〜16ｐは支持体１８の凹状の溝に掛止され
る。
５に形成されている不図示の複数の電極と、これらの電
極と接続すべき外部リード13ａ〜13ｐのワイヤボンディ
ングパッド19ａ〜19ｐとの間を張り渡すようにＡｕ線等
の細線状のボンディングワイヤ16ａ〜16ｐをボンディン
グする。このとき、図２（ｄ）のＣ方向の側面図及び支
持体１８の支持面の拡大図の図２（ｅ）に示すように、
Ａｕ線16ａ〜16ｐは支持体１８の凹状の溝に掛止され
る。
【００１７】次いで、ダイステージ１２，外部リード13
ａ〜13ｐ及びＡｕ線16ａ〜16ｐの固定のため、及びこれ
らの相互の絶縁のため、チップ１５，Ａｕ線16ａ〜16ｐ
及び13ａ〜13ｐのワイヤボンディングパッド19ａ〜19ｐ
を樹脂体により被覆すべく、図２（ｄ）に示すワイヤボ
ンディング後の組立半完成品をモールド型にセットした
後、モールド型に樹脂を流しこみ、圧力を加えて固め、
樹脂体１７を形成する。
ａ〜13ｐ及びＡｕ線16ａ〜16ｐの固定のため、及びこれ
らの相互の絶縁のため、チップ１５，Ａｕ線16ａ〜16ｐ
及び13ａ〜13ｐのワイヤボンディングパッド19ａ〜19ｐ
を樹脂体により被覆すべく、図２（ｄ）に示すワイヤボ
ンディング後の組立半完成品をモールド型にセットした
後、モールド型に樹脂を流しこみ、圧力を加えて固め、
樹脂体１７を形成する。
【００１８】その後、タイバー14ａ，14ｂをカットし、
リード整形すると半導体装置が完成する（図３
（ｆ））。以上のように、本発明の半導体装置において
は、Ａｕ線16ａ〜16ｐを支持する支持体１８を有し、か
つＡｕ線16ａ〜16ｐの支持面にＡｕ線16ａ〜16ｐを掛止
する凹状の溝を有している。従って、Ａｕ線16ａ〜16ｐ
の支持面が平坦な支持体が設けられただけでは、樹脂に
よりモールディングされる際に、樹脂の流れの圧力によ
り、支持面をボンディングワイヤが滑って接触する可能
性があるが、本発明の半導体装置のＡｕ線16ａ〜16ｐの
支持体１８は、Ａｕ線16ａ〜16ｐの支持面にＡｕ線16ａ
〜16ｐを掛止する凹状の溝を有しているので、Ａｕ線16
ａ〜16ｐが押し流されるのを防止して、Ａｕ線16ａ〜16
ｐとダイステージ１２との間がショートするのを防止す
ることができるとともに、Ａｕ線16ａ〜16ｐ相互間がシ
ョートするのを防止することができる。
リード整形すると半導体装置が完成する（図３
（ｆ））。以上のように、本発明の半導体装置において
は、Ａｕ線16ａ〜16ｐを支持する支持体１８を有し、か
つＡｕ線16ａ〜16ｐの支持面にＡｕ線16ａ〜16ｐを掛止
する凹状の溝を有している。従って、Ａｕ線16ａ〜16ｐ
の支持面が平坦な支持体が設けられただけでは、樹脂に
よりモールディングされる際に、樹脂の流れの圧力によ
り、支持面をボンディングワイヤが滑って接触する可能
性があるが、本発明の半導体装置のＡｕ線16ａ〜16ｐの
支持体１８は、Ａｕ線16ａ〜16ｐの支持面にＡｕ線16ａ
〜16ｐを掛止する凹状の溝を有しているので、Ａｕ線16
ａ〜16ｐが押し流されるのを防止して、Ａｕ線16ａ〜16
ｐとダイステージ１２との間がショートするのを防止す
ることができるとともに、Ａｕ線16ａ〜16ｐ相互間がシ
ョートするのを防止することができる。
【００１９】なお、第１の実施例では、支持体１８の支
持面にＡｕ線16ａ〜16ｐが掛止される凹状の溝を有して
いるが、支持面にＡｕ線が固着される接着剤が予め形成
されてもよい。
持面にＡｕ線16ａ〜16ｐが掛止される凹状の溝を有して
いるが、支持面にＡｕ線が固着される接着剤が予め形成
されてもよい。
【００２０】（２）第２の実施例 図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施例の、Ａｕ
線或いはＡｌ線等の細線状のボンディングワイヤにより
チップと外部リードとが接続される構造を有する半導体
装置の製造方法について説明する図である。
線或いはＡｌ線等の細線状のボンディングワイヤにより
チップと外部リードとが接続される構造を有する半導体
装置の製造方法について説明する図である。
【００２１】まず、コレットによりチップ２５を掴ん
で、図１（ａ）に示すのと同様なリードフレーム１１の
ダイステージ１２に絶縁性接着剤により固着する（図４
（ａ））。
で、図１（ａ）に示すのと同様なリードフレーム１１の
ダイステージ１２に絶縁性接着剤により固着する（図４
（ａ））。
【００２２】次いで、ノズル３０により樹脂を吐出し
て、チップ２５の厚さよりも高さが高くなるようにチッ
プ２５の周辺部を囲んで支持体２８を形成した後、加熱
して固める。このとき、支持体２８のボンディングワイ
ヤの支持面には自然に凹凸が形成される（図４
（ｂ））。
て、チップ２５の厚さよりも高さが高くなるようにチッ
プ２５の周辺部を囲んで支持体２８を形成した後、加熱
して固める。このとき、支持体２８のボンディングワイ
ヤの支持面には自然に凹凸が形成される（図４
（ｂ））。
【００２３】次に、ワイヤボンダーを用いて、チップ２
５に形成されている不図示の複数の電極と、これらの電
極と接続すべき外部リード13ａ〜13ｐのワイヤボンディ
ングパッド19ａ〜19ｐとの間を張り渡すようにＡｕ線等
のボンディングワイヤ26ａ〜26ｐをボンディングする。
このとき、図４（ｃ）の支持体２８の支持面付近の拡大
図に示すように、Ａｕ線26ａ〜26ｐは支持体２８の支持
面の凹凸により掛止される。
５に形成されている不図示の複数の電極と、これらの電
極と接続すべき外部リード13ａ〜13ｐのワイヤボンディ
ングパッド19ａ〜19ｐとの間を張り渡すようにＡｕ線等
のボンディングワイヤ26ａ〜26ｐをボンディングする。
このとき、図４（ｃ）の支持体２８の支持面付近の拡大
図に示すように、Ａｕ線26ａ〜26ｐは支持体２８の支持
面の凹凸により掛止される。
【００２４】次いで、ダイステージ１２，外部リード13
ａ〜13ｐ及びＡｕ線26ａ〜26ｐの固定のため、及びこれ
らの相互の絶縁のため、チップ２５，Ａｕ線26ａ〜26ｐ
及び外部リード13ａ〜13ｐのワイヤボンディングパッド
19ａ〜19ｐを樹脂体により被覆すべく、図４（ｃ）に示
すワイヤボンディング後の組立半完成品をモールド型に
セットした後、モールド型に樹脂を流しこみ、圧力を加
えて固める。
ａ〜13ｐ及びＡｕ線26ａ〜26ｐの固定のため、及びこれ
らの相互の絶縁のため、チップ２５，Ａｕ線26ａ〜26ｐ
及び外部リード13ａ〜13ｐのワイヤボンディングパッド
19ａ〜19ｐを樹脂体により被覆すべく、図４（ｃ）に示
すワイヤボンディング後の組立半完成品をモールド型に
セットした後、モールド型に樹脂を流しこみ、圧力を加
えて固める。
【００２５】その後、タイバー14ａ，14ｂをカットし、
リード整形すると半導体装置が完成する。以上のよう
に、本発明の第２の実施例の半導体装置においては、Ａ
ｕ線26ａ〜26ｐを支持する支持体２８を有し、かつＡｕ
線26ａ〜26ｐの支持面にＡｕ線26ａ〜26ｐを掛止する凹
凸を有している。従って、Ａｕ線26ａ〜26ｐが押し流さ
れるのを防止して、Ａｕ線26ａ〜26ｐとダイステージ１
２との間がショートするのを防止することができるとと
もに、Ａｕ線26ａ〜26ｐ相互間がショートするのを防止
することができる。
リード整形すると半導体装置が完成する。以上のよう
に、本発明の第２の実施例の半導体装置においては、Ａ
ｕ線26ａ〜26ｐを支持する支持体２８を有し、かつＡｕ
線26ａ〜26ｐの支持面にＡｕ線26ａ〜26ｐを掛止する凹
凸を有している。従って、Ａｕ線26ａ〜26ｐが押し流さ
れるのを防止して、Ａｕ線26ａ〜26ｐとダイステージ１
２との間がショートするのを防止することができるとと
もに、Ａｕ線26ａ〜26ｐ相互間がショートするのを防止
することができる。
【００２６】（３）第３の実施例 図５（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３の実施例の、Ａｕ
線或いはＡｌ線等の細線状のボンディングワイヤにより
チップと外部リードとが接続される構造を有する半導体
装置の製造方法について説明する図である。
線或いはＡｌ線等の細線状のボンディングワイヤにより
チップと外部リードとが接続される構造を有する半導体
装置の製造方法について説明する図である。
【００２７】まず、図１（ａ）に示すのと同様なリード
フレーム１１のダイステージ１２上にチップ３５の固着
面よりも広い範囲に渡ってノズル４０により接着性を有
する樹脂を吐出し、チップ３５の厚さよりも厚い樹脂層
３８を形成する（図５（ａ））。
フレーム１１のダイステージ１２上にチップ３５の固着
面よりも広い範囲に渡ってノズル４０により接着性を有
する樹脂を吐出し、チップ３５の厚さよりも厚い樹脂層
３８を形成する（図５（ａ））。
【００２８】次いで、コレットによりチップ３５を掴ん
で、樹脂層３８の上から樹脂を押圧し、チップ３５の周
辺部にチップ３５の厚さよりも高い高さの枠状の樹脂が
残って支持体３８が形成されるように、チップ３５を固
着した後、加熱して固める。このとき、支持体３８表面
のボンディングワイヤの支持面には自然に凹凸が形成さ
れる（図５（ｂ））。
で、樹脂層３８の上から樹脂を押圧し、チップ３５の周
辺部にチップ３５の厚さよりも高い高さの枠状の樹脂が
残って支持体３８が形成されるように、チップ３５を固
着した後、加熱して固める。このとき、支持体３８表面
のボンディングワイヤの支持面には自然に凹凸が形成さ
れる（図５（ｂ））。
【００２９】次に、ワイヤボンダーを用いて、チップ３
５に形成されている不図示の複数の電極と、これらの電
極と接続すべき外部リード33ａ〜33ｐのワイヤボンディ
ングパッド19ａ〜19ｐとの間を張り渡すようにＡｕ線等
のボンディングワイヤ36ａ〜36ｐをボンディングする。
このとき、図５（ｃ）の支持体３８近辺の拡大図に示す
ように、Ａｕ線36ａ〜36ｐは支持体３８の凹部に掛止さ
れる。
５に形成されている不図示の複数の電極と、これらの電
極と接続すべき外部リード33ａ〜33ｐのワイヤボンディ
ングパッド19ａ〜19ｐとの間を張り渡すようにＡｕ線等
のボンディングワイヤ36ａ〜36ｐをボンディングする。
このとき、図５（ｃ）の支持体３８近辺の拡大図に示す
ように、Ａｕ線36ａ〜36ｐは支持体３８の凹部に掛止さ
れる。
【００３０】次いで、ダイステージ１２，外部リード13
ａ〜13ｐ及びＡｕ線36ａ〜36ｐの固定のため、及びこれ
らの相互の絶縁のため、チップ３５，Ａｕ線36ａ〜36ｐ
及び外部リード13ａ〜13ｐのワイヤボンディングパッド
19ａ〜19ｐを樹脂により被覆すべく、図５（ｃ）に示す
ワイヤボンディング後の組立半完成品をモールド型にセ
ットした後、モールド型に樹脂を流しこみ、圧力を加え
て固める。
ａ〜13ｐ及びＡｕ線36ａ〜36ｐの固定のため、及びこれ
らの相互の絶縁のため、チップ３５，Ａｕ線36ａ〜36ｐ
及び外部リード13ａ〜13ｐのワイヤボンディングパッド
19ａ〜19ｐを樹脂により被覆すべく、図５（ｃ）に示す
ワイヤボンディング後の組立半完成品をモールド型にセ
ットした後、モールド型に樹脂を流しこみ、圧力を加え
て固める。
【００３１】その後、タイバー14ａ，14ｂをカットし、
リード整形すると半導体装置が完成する。以上のよう
に、本発明の第２の実施例の半導体装置においては、Ａ
ｕ線36ａ〜36ｐを支持する支持体３８を有し、かつＡｕ
線36ａ〜36ｐの支持面にＡｕ線36ａ〜36ｐを掛止する凹
凸を有している。従って、Ａｕ線36ａ〜36ｐが押し流さ
れるのを防止して、Ａｕ線36ａ〜36ｐとダイステージ１
２との間がショートするのを防止することができるとと
もに、Ａｕ線36ａ〜36ｐ相互間がショートするのを防止
することができる。
リード整形すると半導体装置が完成する。以上のよう
に、本発明の第２の実施例の半導体装置においては、Ａ
ｕ線36ａ〜36ｐを支持する支持体３８を有し、かつＡｕ
線36ａ〜36ｐの支持面にＡｕ線36ａ〜36ｐを掛止する凹
凸を有している。従って、Ａｕ線36ａ〜36ｐが押し流さ
れるのを防止して、Ａｕ線36ａ〜36ｐとダイステージ１
２との間がショートするのを防止することができるとと
もに、Ａｕ線36ａ〜36ｐ相互間がショートするのを防止
することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体装置にお
いては、ボンディングワイヤを支持する支持体を有し、
かつボンディングワイヤを支持する面にボンディングワ
イヤを掛止する凹凸を有している。従って、ボンディン
グワイヤを支持する面が平坦な支持体が設けられただけ
では、樹脂によりモールディングされる際に、樹脂の流
れの圧力により、支持体の表面をボンディングワイヤが
滑って接触する可能性があるが、本発明の半導体装置の
ボンディングワイヤの支持体は、ボンディングワイヤの
支持面にボンディングワイヤを掛止する凹凸を有してい
るので、ボンディングワイヤが押し流されるのを防止し
て、ボンディングワイヤとダイステージとの間，及びボ
ンディングワイヤ相互間がショートするのを防止するこ
とができる。
いては、ボンディングワイヤを支持する支持体を有し、
かつボンディングワイヤを支持する面にボンディングワ
イヤを掛止する凹凸を有している。従って、ボンディン
グワイヤを支持する面が平坦な支持体が設けられただけ
では、樹脂によりモールディングされる際に、樹脂の流
れの圧力により、支持体の表面をボンディングワイヤが
滑って接触する可能性があるが、本発明の半導体装置の
ボンディングワイヤの支持体は、ボンディングワイヤの
支持面にボンディングワイヤを掛止する凹凸を有してい
るので、ボンディングワイヤが押し流されるのを防止し
て、ボンディングワイヤとダイステージとの間，及びボ
ンディングワイヤ相互間がショートするのを防止するこ
とができる。
【図１】本発明の第１の実施例の半導体装置の製造方法
について説明する図（その１）である。
について説明する図（その１）である。
【図２】本発明の第１の実施例の半導体装置の製造方法
について説明する図（その２）である。
について説明する図（その２）である。
【図３】本発明の第１の実施例の半導体装置の製造方法
について説明する図（その３）である。
について説明する図（その３）である。
【図４】本発明の第２の実施例の半導体装置の製造方法
について説明する図である。
について説明する図である。
【図５】本発明の第３の実施例の半導体装置の製造方法
について説明する図である。
について説明する図である。
【図６】従来例の半導体装置の製造方法について説明す
る図（その１）である。
る図（その１）である。
【図７】従来例の半導体装置の製造方法について説明す
る図（その２）である。
る図（その２）である。
１１ リードフレーム、 １２ ダイステージ、 13ａ〜13ｐ 外部リード、 14ａ，14ｂ タイバー、 14ｃ 支持部材、 １５，２５，３５ チップ、 16ａ〜16ｐ，26ａ〜26ｐ，36ａ〜36ｐ Ａｕ線（ボンデ
ィングワイヤ）、 １７ 樹脂体、 １８，２８，３８ 支持体、 19ａ〜19ｐ ワイヤボンディングパッド、 ３０，４０ ノズル。
ィングワイヤ）、 １７ 樹脂体、 １８，２８，３８ 支持体、 19ａ〜19ｐ ワイヤボンディングパッド、 ３０，４０ ノズル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 文仁 宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘１番 地の１株式会社富士通宮城エレクトロニク ス内 (72)発明者 小林 均 宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘１番 地の１株式会社富士通宮城エレクトロニク ス内 (72)発明者 奥山 重徳 宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘１番 地の１株式会社富士通宮城エレクトロニク ス内
Claims (4)
- 【請求項１】 チップが固着されているダイステージ
と、前記チップの辺に対向し、かつ該辺に沿って設置さ
れた外部リードと、前記チップの電極と前記外部リード
とを接続し、かつアーチ状に張り渡されたボンディング
ワイヤと、前記チップと前記外部リードとの間に設置さ
れ、前記ボンディングワイヤを支持する支持体とを有す
る半導体装置において、 前記支持体は、前記ボンディングワイヤの支持面に前記
ボンディングワイヤを掛止する凹凸を有することを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項２】 チップが固着されているダイステージ
と、前記チップの辺に対向し、かつ該辺に沿って設置さ
れた外部リードと、前記チップの電極と前記外部リード
とを接続し、かつアーチ状に張り渡されたボンディング
ワイヤと、前記チップと前記外部リードとの間に設置さ
れ、前記ボンディングワイヤを支持する支持体とを有す
る半導体装置において、 前記支持体は、前記ボンディングワイヤの支持面に前記
ボンディングワイヤを粘着する粘着材が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 前記チップ，ダイステージ，ボンディン
グワイヤ，支持体及びボンディングワイヤが接続されて
いる部分の外部リードは樹脂体により被覆されているこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体装
置。 - 【請求項４】 前記支持体は、前記チップ周辺部のダイ
ステージに樹脂が塗布されたことを特徴とする請求項
１，請求項２又は請求項３のいずれかに記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4009989A JPH05198727A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4009989A JPH05198727A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198727A true JPH05198727A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=11735284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4009989A Pending JPH05198727A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198727A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100392565C (zh) * | 2003-06-17 | 2008-06-04 | 统宝光电股份有限公司 | 触控式面板 |
-
1992
- 1992-01-23 JP JP4009989A patent/JPH05198727A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100392565C (zh) * | 2003-06-17 | 2008-06-04 | 统宝光电股份有限公司 | 触控式面板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6841414B1 (en) | Saw and etch singulation method for a chip package | |
| JP2957168B2 (ja) | リードフレーム及びこれを用いた半導体パッケージ | |
| US6921682B2 (en) | Method for manufacturing encapsulated electronic components, particularly integrated circuits | |
| JPS62259450A (ja) | 集積回路ダイ・リ−ドフレ−ム相互接続組立体及び方法 | |
| KR20050084598A (ko) | 테이핑된 리드 프레임 및 반도체 패키징에서 상기 리드프레임을 제조하고 사용하는 방법 | |
| JPH08255862A (ja) | リードフレーム、樹脂封止型半導体装置、その製造方法及び該製造方法で用いる半導体装置製造用金型 | |
| JPH05226564A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0455341B2 (ja) | ||
| JP2005223331A (ja) | リードフレーム、これを利用した半導体チップパッケージ及びその製造方法 | |
| JP3430976B2 (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH05198727A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06132442A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2001077285A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2002164497A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2000252235A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2002164496A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR200157363Y1 (ko) | 연결와이어를 사용하지 않고 칩의 본딩패드와 리드프레임의 리드를 접속한 반도체 장치 | |
| JP2564595B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3296339B2 (ja) | リードフレーム及び半導体装置 | |
| JPH09139457A (ja) | 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム | |
| JP2003007953A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH05198615A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10135374A (ja) | 樹脂封止型半導体パッケージの製造方法 | |
| JPH0766231A (ja) | 面実装型半導体装置の製造方法 | |
| JP2000114448A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000815 |