JPH05199057A - 表面弾性波素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 耐マイグレーション特性に優れ、信頼性が高
く、電極のサイズをより小さくすることによって、より
高い周波数域で作動できるようにした表面弾性波素子を
提供する。 【構成】 圧電体３と、圧電体３に密着するくし型電極
２ａ、２ｂとを備え、かつ、くし型電極２ａ、２ｂが集
束イオンビームを用いてＡｕから形成されることを特徴
とする表面弾性波素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高周波フィルタなどに
用いられる表面弾性波素子およびその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】表面
弾性波素子は、弾性体表面を伝搬する表面波を利用した
電気−機械変換素子であり、たとえば、図６に示すよう
な一般的構造を有する。

【０００３】図６に示す表面弾性波素子５０において、
表面波の励振には圧電体５１による圧電現象が利用され
る。圧電体５１に設けられた一方のくし型電極５２に電
気信号を印加すると、圧電体５１に歪みが生じる。これ
が表面弾性波となって圧電体５１を伝搬し、もう一方の
くし型電極５３で電気信号として取出される。

【０００４】図に示すように、くし型電極における電極
の周期をλ₀ 、表面弾性波の速度をｖとすれば、素子
は、ｆ₀ ＝ｖ／λ₀ で定められる周波数ｆ₀ を中心とし
た帯域通過特性を有する。

【０００５】表面弾性波素子は、部品点数が少なく、小
型にすることができ、しかも表面波の伝搬経路上におい
て信号の出し入れが容易である。この素子は、フィル
タ、遅延線、発振器、共振器、コンボルバおよび相関器
等に応用することができる。

【０００６】特に、表面弾性波フィルタは、早くからテ
レビの中間周波数フィルタとして実用化され、さらにＶ
ＴＲおよび各種の通信機器用フィルタに応用されてきて
いる。

【０００７】上記表面弾性波素子に関して、たとえば、
移動通信や衛星通信等の分野に用いられる表面弾性波フ
ィルタなどは、より高い周波数域で使用できる素子が望
まれている。上式で示されるように、電極の周期λ₀ が
より小さくなるか、または、表面波の速度ｖがより大き
くなれば、素子の周波数特性はより高い中心周波数ｆ ₀
を有するようになる。

【０００８】そこで、弾性波がより早く伝搬される材
料、たとえばサファイヤまたはダイヤモンド等の上に圧
電体膜を積層させた表面弾性波素子が開発されてきてい
る（たとえば、特開昭５４−３８８７４号公報および特
開昭６４−６２９１１号公報参照）。特に、ダイヤモン
ド中の音速は現在知られている物質中で最も大きく、し
かもダイヤモンドは物理的および化学的に安定であるた
め、ダイヤモンドは素子のｆ₀ を大きくするため適当な
材料であるといえる。

【０００９】一方、くし型電極は、従来、フォトリソグ
ラフィーを用いて形成されてきた。フォトリソグラフィ
ーを用いる場合、微細加工技術上の制約から、電極幅お
よび電極間隔を０．５μｍ程度より小さくすることは困
難であった。上述したようにダイヤモンドを用いること
によって、素子の周波数ｆ₀ を大きくすることができる
が、それ以上にｆ₀ を大きくしたい場合、電極幅または
電極間隔をより小さくして電極の周期λ₀ をより小さく
していく必要があった。

【００１０】一方、くし型電極は、通常、Ａｌを用いて
形成される。Ａｌ電極は、作製が容易であり、比重が小
さく、電気負荷質量効果が少なく、さらに電気伝導性が
高いという長所を備えている。

【００１１】しかしながら、Ａｌ電極は、エレクトロマ
イグレーションやストレスマイグレーションにより劣化
することが、ＬＳＩの分野においてよく知られている。
表面弾性波素子でも、ストレスマイグレーションや圧電
効果による特有のマイグレーションのため、Ａｌ電極の
劣化が起こる。

【００１２】この対策のため、ＬＳＩでよく知られてい
るＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金を電極の材料に用いた表面弾性
波素子も提案されている。また、アルミニウムに、Ｃ
ｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｐｄ等の耐マイグレーション特
性に優れた物質を微量添加した材料からなる電極も検討
されている（たとえば、特開平３−４０５１０号公報参
照）。

【００１３】しかしながら、上述した電極の改良は十分
とはいえなかった。特に、電極のサイズをサブミクロン
のオーダにまで小さくしてより高い周波数域で使用でき
る表面弾性波素子を製作する場合、ストレスマイグレー
ションはより発生しやすくなり、上述した従来の電極で
は、マイグレーションによる素子特性の劣化を十分に抑
制することは困難であった。

【００１４】本発明の目的は、素子の信頼性を低下させ
ることなく、電極幅をより狭くすることによって、より
高い周波数で作動できるようにした表面弾性波素子を提
供することにある。

【００１５】本発明の他の目的は、耐マイグレーション
特性に優れた電極を有する表面弾性波素子を提供するこ
とにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明に従って、圧電体
と圧電体に密着するくし型電極とを有する表面弾性波素
子において、くし型電極が集束イオンビームを用いて形
成されていることを特徴とする素子が提供される。

【００１７】集束イオンビームは、通常、イオン源とし
て電解電離型液体金属が用いられる。集束イオンビーム
は、イオン注入、イオンビーム支援エッチング、イオン
ビームリソグラフィー、イオンビームモディフィケーシ
ョンおよびデポジション等に利用されるが、このような
技術の中でくし型電極の形成にはデポジションおよびエ
ッチングが特に有用である。

【００１８】集束イオンビームによるデポジションにお
いては、たとえば、基材表面に吸着したガス分子をイオ
ンビームの照射によって分解させ、生成した不揮発性の
解離原子を堆積させる方法によりくし型電極を形成させ
ることができる。この方法において、原料ガスには、た
とえば、ジメチルゴールドヘキサフルオロアセチルアセ
トネート（ＤＭＧＦＡ）が用いられ、これにＡｒビーム
（イオン源：Ａｒ）を照射することによってＡｕ膜が電
極として形成される。

【００１９】また、ＤＭＧＦＡを用いる方法において、
Ａｒビームの代わりに、Ｇａビーム（イオン源：Ａｕ−
ＧａもしくはＧａ）、Ｈｅビーム（イオン源：Ｈｅ）ま
たはＡｕビーム（イオン源：Ａｕ−Ｇａ、Ａｕ−Ｂｅ−
ＳｉもしくはＡｕ−Ｓｉ）を用いることができる。以上
に挙げたビームの中で、ＡｒビームまたはＡｕが９０％
以上を占めるＡｕビームがデポジションにおいてより好
ましく用いられる。

【００２０】一方、集束イオンビームによるデポジショ
ンにおいて、原料ガスとしてトリメチルアルミニウム
（ＴＭＡ）を用いることもできる。この場合、原料ガス
にＡｒビーム、Ｇａビーム、ＨｅビームまたはＡｕビー
ムを照射することによって、Ａｌからなるくし型電極を
形成することができる。

【００２１】以上に示すように、有機金属化合物からな
る原料ガスに集束イオンビームを照射して生成する金属
を堆積させることにより、金属薄膜からなるくし型電極
を形成することができる。

【００２２】また、集束イオンビームによるエッチング
を用いる場合、１０ｍＴｏｒｒ程度のＣｌ₂ 、ＢＣ
ｌ₂ 、ＣＨＦ₃ 、ＸｅＣｌ₂ またはＸｅＦ₂ 等の反応ガ
ス雰囲気中で導電層に集束イオンビームを照射すること
によって導電層をエッチングして、くし型電極を形成す
ることができる。

【００２３】反応ガスとして、反応チャンバの腐蝕を防
止する点から、ＸｅＦ₂ またはＣＨＦ₃ が好ましく用い
られる。エッチングのための集束イオンビームとして
は、ＡｕビームまたはＧｅビームを好ましく用いること
ができる。Ａｕビームは、エッチング速度が大きいこと
から、より好ましい。

【００２４】以上に示した集束イオンビームのビーム径
は、最小で数十ｎｍとすることができるため、微細な構
造（クォーターミクロンレベルの構造）を集束イオンビ
ームを用いて形成することができる。また、集束イオン
ビームは非集束イオンビームに比べ電流密度が高く、ビ
ーム径もより小さい。このため、ガスにビーム照射する
場合は、より高い活性化率が得られ、またより精度の高
い電極形成を行なうことができる。

【００２５】したがって、本発明の素子は、従来の技術
では形成が困難であった０．５μｍ以下のライン＆スペ
ースで形成されるくし型電極を有することができる。本
発明において、くし型電極は、たとえば０．１〜０．５
μｍのライン＆スペースを有することができ、より好ま
しくは、０．２〜０．３５μｍのライン＆スペースを高
い信頼性とともに有することができる。

【００２６】なお、本発明におけるくし型電極は、電気
信号から表面弾性波を送波したり、あるいはその逆に受
波する電気−機械変換器で、すだれ状電極、交差指電
極、またはインターデジタル・トランデューサ（ＩＤ
Ｔ）などとも呼ばれるものである。

【００２７】本発明において、圧電体は、ＺｎＯ、Ａｌ
Ｎ、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃ 、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，
Ｔｉ）Ｏ₃ 、ＬｉＴａＯ₃ 、ＬｉＮｂＯ₃ 、ＳｉＯ₂ 、
Ｔａ ₂ Ｏ₅ 、Ｎｂ₂ Ｏ₅ 、ＢｅＯ、Ｌｉ₂ Ｂ₄ Ｏ₇ 、Ｋ
ＮｂＯ₃ 、ＺｎＳ、ＺｎＳｅおよびＣｄＳからなる群か
ら選択された１つまたは２つ以上の化合物を主成分とす
ることができる。

【００２８】圧電体は、単結晶および多結晶のいずれで
あってもよいが、素子をより高周波域で使用するために
は、表面波の散乱が少ない単結晶がより好ましい。ま
た、上記材料の中で、ＺｎＯ、ＡｌＮおよびＰｂ（Ｚ
ｒ，Ｔｉ）Ｏ₃ 等の圧電体は、ＣＶＤまたはスパッタに
よって形成することができる。

【００２９】また、本発明に従う素子において、より高
い周波数域で作動させるため、圧電体よりも弾性波の伝
搬速度が大きい材料（たとえば、ダイヤモンド、ダイヤ
モンド状炭素膜、窒化硼素およびサファイヤ等）を圧電
体に密着させてもよい。

【００３０】ダイヤモンドは、たとえば、天然の単結晶
ダイヤモンド、超高圧下で人工的に合成された単結晶ダ
イヤモンドおよびＣＶＤ、イオンビーム蒸着またはスパ
ッタにより気相成長された多結晶ダイヤモンドなどを含
む。

【００３１】ダイヤモンド状炭素膜は、ｉ−カーボンと
も呼ばれ、炭素と水素からなる組成物である。ダイヤモ
ンド状炭素膜は、アモルファスであり、電気的に絶縁体
である。ダイヤモンド状炭素膜は、光を透過し、たとえ
ば、１，０００〜５，０００（Ｈｖ）の硬度を有する。
ダイヤモンド状炭素膜は、ＣＶＤ、イオンビーム蒸着お
よびスパッタ等の気相プロセスによりダイヤモンドと同
様に合成できる。

【００３２】また、本発明に従って、圧電体と、圧電体
に密着するくし型電極とを備える表面弾性波素子におい
て、くし型電極がＡｕで形成されていることを特徴とす
る素子が提供される。

【００３３】Ａｕ電極は、本発明に従う素子において耐
エレクトロマイグレーションおよび耐ストレス・マイグ
レーションに優れており、極めて微細な電極を形成する
のに適している。特に、本発明において、Ａｕ電極のラ
イン＆スペースは、サブミクロンまたはクォーターミク
ロンのオーダとすることができる。

【００３４】本発明の表面弾性波素子において、Ａｕ電
極は、集束イオンビームを用いるプロセス、リフトオフ
プロセスまたはイオンミリングを用いるプロセスにより
好ましく形成することができる。

【００３５】本発明に従い、集束イオンビームを用いて
Ａｕ電極を有する素子を製作する場合、Ａｕ電極のライ
ン＆スペースは、たとえば、０．１〜０．５μｍ、好ま
しくは０．２〜０．３５μｍとすることができる。

【００３６】集束イオンビームを用いる場合、本発明に
従って、圧電体と圧電体に密着するくし型電極とを有す
る表面弾性波素子を製造する方法であって、Ａｕを含む
有機金属化合物を主成分とする原料ガスに集束イオンビ
ームを照射して生成されるＡｕを堆積させることによ
り、くし型電極を形成することを特徴とする表面弾性波
素子の製造方法を提供することができる。

【００３７】この方法において、Ａｕを含む有機金属化
合物として、たとえば、ジメチルゴールドヘキサフルオ
ロアセチルアセトネート（ＤＭＧＦＡ）を用いることが
できる。また、集束イオンビームとして、上述したＡｒ
ビーム、Ｇａビーム、Ｈｅビーム、Ａｕビーム等を用い
ることができる。

【００３８】一方、リフトオフプロセスまたはイオンミ
リングを用いるプロセスでは、本発明に従うＡｕ電極の
ライン＆スペースをサブミクロンのオーダにすることが
できる。

【００３９】リフトオフプロセスでは、電極を形成すべ
き領域に、予めレジストパターンを形成させておき、そ
の上からＡｕ膜を付着させた後、レジストパターンの除
去とともに所定の形状を有するくし型電極を形成する。
このプロセスは、微細なパターン形成に適している。

【００４０】イオンミリングを用いるプロセスでは、Ａ
ｕ膜をまず形成しておき、その上にレジストパターンを
形成した後、レジストで保護されていないＡｕ膜をイオ
ンビームによりエッチングして、所定の形状を有する電
極を形成する。このプロセスも微細加工に適している。

【００４１】以上に示した製造方法において、準備され
た基板上にくし型電極を形成し、その上に圧電体層を形
成することもできる。基板は、Ｓｉ等の半導体、ダイヤ
モンド、サファイヤ、または窒化硼素などから構成する
ことができる。Ｓｉ等の半導体基板を用いる場合、基板
上に、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素膜、サファイ
ヤまたは窒化硼素からなる薄膜を形成し、その上にくし
型電極を形成してもよい。これらの薄膜は、ＣＶＤ、イ
オンビーム蒸着またはスパッタリングを用いて形成する
ことができる。

【００４２】一方、くし型電極は、上述した基板上に形
成された圧電体上に形成してもよい。

【００４３】

【発明の作用効果】本発明に従う表面弾性波素子は、集
束イオンビームを用いてくし型電極を形成しているた
め、電極幅または電極間隔をクォーターミクロンのレベ
ルにすることができる。また、電極幅および電極間隔
は、高い精度を有する。したがって、本発明の素子は、
従来よりも高い周波数域で作動させることができ、しか
も優れた信頼性を有する。

【００４４】また、集束イオンビームによる電極形成
は、マスクレスで実施することができる。すなわち、本
発明の素子は、レジスト形成工程なしにくし型電極を直
接形成できるので、その製造工程を大幅に短縮すること
ができる。

【００４５】さらに、集束イオンビームによる電極形成
はコンピュータに蓄積された情報に従って行なうことが
できるため、電極についてカスタムメイドの表面弾性波
素子を容易に提供することができる。このように、本発
明の素子は多品種少量生産にも適している。

【００４６】またさらに、くし型電極をＡｕで形成する
ことにより、エレクトロマイグレーションおよびストレ
ス・マイグレーションを防止して、信頼性の高い表面弾
性波素子を提供することが可能になる。

【００４７】特に、Ａｕからなるくし型電極を集束イオ
ンビームを用いて形成すれば、従来では非常に困難であ
った微細な電極幅または電極間隔を有するくし型電極を
形成することができる。しかも、この電極は耐マイグレ
ーション特性に優れている。このように、微細なくし型
電極をＡｕで形成することによって、高周波領域で高い
信頼性を備える表面弾性波素子を提供することができ
る。

【００４８】また特に、ダイヤモンドを基板に用いた素
子では、耐熱性に優れたダイヤモンドとＡｕの組合せ
で、耐熱表面弾性波素子を実現することもできる。

【００４９】

【実施例】実施例１ 本発明に従う高周波フィルタを以下のとおり作製した。

【００５０】図１（ａ）を参照して、まず単結晶ダイヤ
モンドの基板１を準備した。この基板を集束イオンビー
ム装置に設置し、ジメチルゴールドヘキサフルオロアセ
チルアセトネート（ＤＭＧＦＡ）をソースガスとして、
これを基板１上に導入した。次に、１ｋｅＶのＡｒビー
ムを基板１上に照射し、ビームを操作することによって
基板１上に０．３μｍライン＆スペースでＡｕのくし型
電極２ａおよび２ｂを形成させた（図１（ｂ））。

【００５１】次に、電極形成した基板を集束イオンビー
ム装置からマグネトロンスパッタ装置に移し、スパッタ
パワー１００Ｗ、基板温度３８０℃の条件下、ＺｎＯ多
結晶体をＡｒ：Ｏ₂ ＝１：１の混合ガスでスパッタする
マグネトロンスパッタリングによりＺｎＯ圧電体３を基
板１上に堆積させた（図１（ｃ））。

【００５２】以上の方法により形成させた高周波フィル
タの共振周波数は、約８ＧＨｚであった。

【００５３】なお、上記実施例において、Ａｒビームの
代わりに、Ｇａビーム（イオン源：Ａｕ−ＧａまたはＧ
ａ）、Ｈｅビーム（イオン源：Ｈｅ）、またはＡｕビー
ム（イオン源：Ａｕ−Ｇａ、Ａｕ−Ｂｅ−ＳｉまたはＡ
ｕ−Ｓｉ）を用いることができる。

【００５４】実施例２ まず、図２（ａ）に示すように、単結晶ダイヤモンドの
基板１上に抵抗加熱法を用いて約７００μｍの厚さでＡ
ｌ層４を蒸着させた。次に、この基板を集束イオンビー
ム装置の反応室に設置し、Ａｕ−Ｂｅ−Ｓｉをイオン源
とするＡｕ⁺ イオンビームを２０ｍＴｏｒｒのＸｅＦ₂
中で照射した。

【００５５】Ａｕ⁺ イオンビームを操作しながらＡｌ層
４に照射することによってエッチングを行なった結果、
０．３μｍライン＆スペースでＡｌのくし型電極１２
ａ、１２ｂを形成することができた（図２（ｂ））。そ
の後、実施例１と同様にして、ＺｎＯ圧電体３を堆積さ
せた（図２（ｃ））。

【００５６】以上の方法により形成した高周波フィルタ
の共振周波数は、約８ＧＨｚであった。

【００５７】一方、比較として通常のフォトリソグラフ
ィーおよび反応性イオンエッチングを用いて、０．６μ
ｍライン＆スペースでＡｌのくし型電極をダイヤモンド
基板上に形成させた後、ＺｎＯ圧電体を堆積させて高周
波フィルタを得た。このフィルタの共振周波数は４ＧＨ
ｚであった。

【００５８】なお、上記実施例２において、ＸｅＦ₂ の
代わりに、Ｃｌ₂ 、ＢＣｌ₂ 、ＣＨＦ₃ またはＸｅＣｌ
₂ を用いることができる。さらに、Ａｕ⁺ ビームの代わ
りにＧａイオンビームを用いることができる。

【００５９】以上の実施例より、本発明に従う素子は、
くし型電極について、従来では形成が非常に困難であっ
た小さいライン＆スペースを有し、そのため、より高い
周波数領域で作動できることが明らかとなった。

【００６０】さらに、本発明の素子は、レジスト膜を形
成することなくくし型電極を形成できるため、従来より
も少ない工程で製作することができる。

【００６１】なお、上記実施例１および２では、ダイヤ
モンド結晶自体を基板としたが、ダイヤモンド以外の基
板を用いても差支えない。たとえば、図３に示すよう
に、Ｓｉ基板１０の上にダイヤモンド層１１をＣＶＤに
よって形成し、さらにくし型電極１２ａ、１２ｂおよび
圧電体１３を積層させてもよい。また、このダイヤモン
ド層の代わりにダイヤモンド状炭素膜、サファイヤ層ま
たは窒化硼素層等を用いることもできる。

【００６２】実施例３ まず、シリコン基板上に（１１０）配向が支配的なダイ
ヤモンド薄膜を、熱フィラメントＣＶＤにより以下の条
件で形成した。

【００６３】 （形成条件） 原料ガス（流量）：ＣＨ₄ ／Ｈ₂ ＝３％（２ＳＬＭ） ガス圧：８０Ｔｏｒｒ フィラメント温度：２２００℃ 基板温度：９６０℃ 以上の条件により、図４（ａ）に示すように、シリコン
基板２１上に（１１０）配向の強いダイヤモンド薄膜２
２を厚さ５０μｍで形成することができた。

【００６４】ダイヤモンド薄膜の結晶成長の終了面側を
鏡面加工した後、ダイヤモンド薄膜の表面に、ノボラッ
ク系ポジ型レジストを用いて厚さ１．０μｍのレジスト
層を形成した。次に、図４（ｂ）に示すように、所望の
電極パターンと反転パターンのマスク２４でレジスト層
２３を覆い、紫外光を照射してレジスト層２３を露光し
た。

【００６５】次に、レジスト層を１２０℃で３０分間ベ
ークした後、図４（ｃ）に示すように、紫外線を照射し
て、レジスト層２３の全面を露光した。

【００６６】現像により、図４（ｄ）に示すような最初
に露光されなかった部分が残存するレジストパターン２
３′が得られた。

【００６７】次に、抵抗蒸着によりレジストパターン２
３′が形成された基板上にＡｕを蒸着させ、Ａｕ膜２５
を形成した。

【００６８】次いで、アセトン浸漬によるレジストの除
去とともに、レジスト上に堆積されたＡｕ膜を除去し
て、図４（ｆ）に示すような所望の形状を有するくし型
電極２６を形成させた。

【００６９】次に、図４（ｇ）に示すように、実施例１
と同様にしてＺｎＯ圧電体２７を堆積させた。

【００７０】以上の工程に従って、イメージリバースを
用いた単層リフトオフプロセスにより、１．０μｍライ
ン＆スペースのＡｕからなるくし型電極を形成した後、
ＺｎＯ圧電体膜をその上に形成して２．５ＧＨｚの共振
周波数を有するダイヤモンドＳＡＷバンドパスフィルタ
を作製した。

【００７１】この素子について、表面弾性波応力が１．
５×１０⁵ Ｎ／ｍ² になるよう高周波を印加し、素子の
特性を経時的に観測していった。特性劣化の判断は、表
面弾性波の中心周波数が５００ｋＨｚずれるまでの時間
を測定することによって行なった。その結果、３００時
間まで劣化は観測されなかった。

【００７２】これに対し、比較として通常のフォトリソ
グラフィーおよび反応性イオンエッチングを用いて、
１．０μｍライン＆スペースでＡｌのくし型電極をダイ
ヤモンド薄膜が形成されたＳｉ基板上に形成させた後、
ＺｎＯ圧電体を堆積させて高周波フィルタを得た。この
フィルタについて、上記と同様に高周波を印加して素子
の特性を経時的に観測した結果、２時間で特性劣化が観
測された。

【００７３】また、上述した比較例においてＡｌ電極の
代わりに、Ｓｉを０．５％、Ｃｕを１．０％添加したア
ルミニウム合金からなる電極を形成し、他は同様の構造
を有する表面弾性波素子を作製した。この素子につい
て、同様に高周波を印加して特性劣化を測定したとこ
ろ、１０時間で素子の特性劣化が観測された。

【００７４】実施例４ まず、図５（ａ）に示すように、実施例３と同様の条件
を用いてシリコン基板３１上に厚さ５０μｍの（１１
０）配向が支配的なダイヤモンド薄膜３２を形成した。

【００７５】次に、図５（ｂ）に示すように、抵抗蒸着
を用いてダイヤモンド薄膜３２上に膜厚１０００ÅのＡ
ｕを蒸着させ、Ａｕ層３４を形成した。

【００７６】その後、図５（ｃ）に示すように、ノボラ
ック系ポジ型レジストを用い、常法に従ってＡｕ層３４
上にレジストパターン３３を形成させた。

【００７７】次に、基板をイオンミリング装置に移し、
Ａｒイオンを用いるイオンミリングにより、レジストで
保護されていないＡｕ層を除去した（図５（ｄ））。

【００７８】次に、酸素アッシングによりレジストを除
去して、図５（ｅ）に示すようなＡｕからなるくし型電
極３６を形成させた。その後、図５（ｆ）に示すよう
に、実施例１と同様にしてＺｎＯ圧電体３７を堆積さ
せ、１．０μｍライン＆スペースのＡｕくし型電極を有
し、２．５ＧＨｚの共振周波数で使用できるダイヤモン
ドＳＡＷバンドパスフィルタを作製した。

【００７９】この素子について、実施例３と同様にして
高周波を印加し、素子の特性を経時的に測定した。その
結果、３００時間まで特性劣化が観測されなかった。

【００８０】一方、上述したとおり、１．０μｍのライ
ン＆スペースでＡｌ電極を形成した素子は２時間で特性
劣化が観測され、Ａｌ合金でくし型電極を形成した素子
では、１０時間で素子の特性劣化が観測された。

【００８１】以上の結果より明らかなように、本発明に
従ってＡｕ電極を有する表面弾性波素子は、従来の表面
弾性波素子に比べ、耐マイグレーション特性が著しく向
上している。本発明に従う表面弾性波素子は、耐マイグ
レーション特性が著しく向上している結果、特性劣化や
断線等を生じにくく、優れた信頼性を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従う実施例１の表面弾性波素子を製造
していく工程を示す概略断面図である。

【図２】本発明に従う実施例２の表面弾性波素子を製造
していく工程を示す概略断面図である。

【図３】本発明に従う他の実施例の表面弾性波素子を示
す概略断面図である。

【図４】本発明に従う実施例３の表面弾性波素子を製造
していく工程を示す概略断面図である。

【図５】本発明に従う実施例４の表面弾性波素子を製造
していく工程を示す概略断面図である。

【図６】表面弾性波素子の一般的構造を説明するための
斜視図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ａ、２ｂ、１２ａ、１２ｂ、２６、３６ くし型電極 ３、２７、３７ ＺｎＯ圧電体 ２１、３１ シリコン基板

フロントページの続き (72)発明者 藤森 直治 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 圧電体と、前記圧電体に密着するくし型
   電極とを備える表面弾性波素子において、 前記くし型電極が集束イオンビームを用いて形成されて
   いることを特徴とする、表面弾性波素子。
2. 【請求項２】 圧電体と、前記圧電体に密着するくし型
   電極とを備える表面弾性波素子において、 前記くし型電極が、Ａｕで形成されていることを特徴と
   する、表面弾性波素子。
3. 【請求項３】 圧電体と、前記圧電体に密着するくし型
   電極とを有する表面弾性波素子を製造する方法であっ
   て、 有機金属化合物を主成分とする原料ガスに集束イオンビ
   ームを照射して生成される金属を堆積させることによ
   り、前記くし型電極を形成することを特徴とする、表面
   弾性波素子の製造方法。
4. 【請求項４】 圧電体と、前記圧電体に密着するくし型
   電極とを有する表面弾性波素子を製造する方法であっ
   て、 反応ガス雰囲気中で、集束イオンビームを導電層に照射
   して、前記導電層をエッチングすることにより前記くし
   型電極を形成することを特徴とする、表面弾性波素子の
   製造方法。