JPH05199065A

JPH05199065A - 表面弾性波素子

Info

Publication number: JPH05199065A
Application number: JP23457092A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Nakahata; 英章中幡; Akihiro Yagou; 昭広八郷; Kenjiro Higaki; 賢次郎桧垣; Shinichi Shikada; 真一鹿田; Naoharu Fujimori; 直治藤森
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1991-09-26
Filing date: 1992-09-02
Publication date: 1993-08-06
Anticipated expiration: 2017-01-21
Also published as: EP0534411A1; JP3248258B2

Abstract

(57)【要約】【目的】特性が安定に維持され、かつ高い電気機械結
合係数および伝搬速度を有する表面弾性波素子を提供す
る。【構成】基板１上にはダイヤモンドまたはダイヤモン
ド状炭素膜からなる第１の層２が形成される。第１の層
２上にはくし型電極３および圧電体層４が形成される。
圧電体層４はダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素か
らなる第２の層５で覆われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、たとえば高周波フィ
ルタなどに用いることができる表面弾性波素子に関し、
特に、ダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素膜と圧電
体とを組合せた表面弾性波素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】表面弾性波素子は、弾性体表面を伝搬す
る表面波を利用した電気−機械変換素子であり、たとえ
ば、図２８に示すような一般的構造を有する。表面弾性
波素子３０において、表面波の励振には圧電体３４によ
る圧電現象が利用される。圧電体３４に設けられた一方
のくし型電極３３に電気信号を印加すると、圧電体３４
に歪みが生じ、これが表面弾性波となって圧電体３４を
伝搬し、もう一方のくし型電極３３′で電気信号として
取出される。この素子の周波数特性は、図に示すよう
に、くし型電極における電極の周期をλ₀、表面弾性波
の速度をｖとすれば、ｆ₀＝ｖ／λ₀で定められる周波
数ｆ₀を中心とした帯域通過特性を有する。

【０００３】表面弾性波素子は、部品点数が少なく、小
型にすることができ、しかも表面波の伝搬経路上におい
て信号の出入が容易である。この素子は、フィルタ、遅
延線、発振器、共振器、コンボルバーおよび相関器等に
応用することができる。特に、表面弾性波フィルタは、
早くからテレビの中間周波数フィルタとして実用化さ
れ、さらにＶＴＲならびに、自動車電話および携帯電話
など各種の通信機器用フィルタに応用されてきている。

【０００４】従来の一般的な表面弾性波素子として、Ｌ
ｉＮｂＯ₃およびＬｉＴａＯ₃等の圧電体単結晶上に、
くし型電極を形成した構造からなる素子がある。また、
ＺｎＯ等の圧電体薄膜をガラス等の基板上にスパッタ等
の技術を用いて形成したものも用いられている。

【０００５】しかしながら、上述した従来の素子構造を
用いて、高周波域（ＧＨｚ帯）で使用する素子を製造す
ることは困難である。圧電体単結晶上にくし型電極を形
成しただけの素子では、表面波の速度ｖが小さいため、
１ＧＨｚ以上の高い中心周波数ｆ₀を得ることは困難で
ある。また、周波数ｆ₀を増加させるためガラス上に形
成されたＺｎＯ等の圧電体膜は、通常、配向性のある多
結晶質であり、散乱による損失が多く、１００ＭＨｚ以
上の高周波帯域で使用するには適していない。

【０００６】上述した式からも示唆されるように、表面
弾性波素子の周波数特性がより高い中心周波数を有する
ためには、くし型電極の周期λ。すなわち電極の間隔を
小さくするか、表面弾性波の速度ｖを大きくする必要が
ある。

【０００７】くし型電極の電極間距離を小さくして中心
周波数を高くすることは、リソグラフィー等を用いる微
細加工技術により制限される。このため、表面波の速度
を増加させる技術が検討されてきた。

【０００８】特公昭５４−３８８７４号公報は、弾性波
の伝搬速度が圧電体中におけるよりも大きなサファイア
層を基板と圧電体膜の間に設けた素子を開示している。
また、イマイらによる特開昭６４−６２９１１号公報お
よびナカハタらによる特開平３−１９８４１２号公報
は、表面弾性波の速度ｖを大きくするため、ダイヤモン
ド層上に圧電体膜を積層させた素子を開示している。図
２９（ａ）〜（ｄ）は、これらの公報に開示された素子
の例を示している。

【０００９】図２９（ａ）に示す素子では、ダイヤモン
ド層４２上に圧電体層４４が形成され、これらの層の間
にくし型電極４３が設けられる。図２９（ｂ）に示す素
子は、図２９（ａ）に示す素子の圧電体層上に短絡用電
極４６が設けられたものである。図２９（ｃ）に示す素
子では、ダイヤモンド層４２上に圧電体層４４が形成さ
れ、圧電体層４４上にくし型電極４３が設けられてい
る。図２９（ｄ）に示す素子は、図２９（ｃ）に示す素
子において圧電体層とダイヤモンド層との間に短絡用電
極４６が設けられたものである。

【００１０】特開平３−１９８４１２号公報では、図２
９（ａ）〜（ｄ）に示す素子について、高い伝搬速度お
よび高い電気機械結合係数を得るため、ＺｎＯからなる
圧電体層の厚み、および励振モードが検討されている。

【００１１】さらに、ナカハタらによる特開平１−１０
３３１０号公報は、速度ｖを大きくするため、ダイヤモ
ンド状炭素膜上に圧電体層を堆積させた表面弾性波素子
を開示している。この公報に開示される素子は、図２９
（ａ）〜（ｄ）に示す素子において、ダイヤモンド層の
代わりにダイヤモンド状炭素膜を用いている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上述したとおり、表面
弾性波フィルタは、各種の通信機器用フィルタに応用さ
れてきており、特に携帯電話などの高周波フィルタとし
て検討されている。周知のとおり、携帯電話は、さまざ
まな環境で用いられるため、この電話に組込まれた素子
は、湿気および不純物などの影響を受けるおそれがあ
る。したがって、携帯電話に用いられる表面弾性波素子
は、使用環境において安定した特性を保持することが要
求される。

【００１３】また、上述したように、表面弾性波素子に
関して移動通信等の分野に用いられるフィルタは、周波
数の割当に応じて１．５〜３ＧＨｚのより高い周波数で
使用できることが望まれている。このようなフィルタを
実現するには、高い効率で電気機械的変換を行なうこと
ができ、かつ高い伝搬速度ｖを有する素子構造が要求さ
れる。

【００１４】この発明の目的は、環境に対して安定した
性能を維持できる表面弾性波素子を提供することにあ
る。

【００１５】この発明のさらなる目的は、１ＧＨｚ以上
の高周波数域で使用できる実用的な表面弾性波素子を提
供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】この発明に従う表面弾性
波素子は、ダイヤモンドおよびダイヤモンド状炭素膜の
少なくともいずれかから本質的になる第１の層と、第１
の層上に形成される圧電体層と、圧電体層上に形成さ
れ、ダイヤモンドおよびダイヤモンド状炭素膜の少なく
ともいずれかから本質的になる第２の層と、圧電体層と
組合されて電気信号と表面弾性波との間の電気−機械変
換を行なうための電極とを有する。

【００１７】この発明において、圧電体層は、第１の層
と第２の層の間に挟まれている。このようなサンドイッ
チ構造は、圧電体および電極からなる素子中枢部を保護
し、かつ高い電気機械的結合をもたらす。

【００１８】第１の層または第２の層を形成するダイヤ
モンド状炭素膜は、ｉ−カーボンとも呼ばれる。ダイヤ
モンド状炭素膜は、ダイヤモンドの気相合成に関する研
究の過程で見出されたものであり、多くの研究者により
その材質が詳しく調べられ、明らかにされてきた。ダイ
ヤモンド状炭素膜を１つの物質として定義することにつ
いての定説はないが、この膜は、ダイヤモンド、グラフ
ァイト、アモルファスカーボンなどとは顕著に異なるも
ので、次に示すような性質を有している。

【００１９】（１）炭素と水素からなる組成物で、水
素のほうが少ない。（２）結晶状態はアモルファスである。

【００２０】（３）少なくとも一般の金属に比べては
るかに硬い。（４）電気的には絶縁体である。

【００２１】（５）光を透過する。また、ダイヤモンドは〜１０，０００（Ｈｖ）の硬度を
有する一方、ダイヤモンド状炭素膜は、たとえば、１，
０００〜５，０００（Ｈｖ）の硬度を有する。

【００２２】ダイヤモンド状炭素膜は、ダイヤモンドの
合成と同様にプラズマＣＶＤ、イオンビーム蒸着法およ
びスパッタリング等の気相プロセスに従って製造するこ
とができる。

【００２３】この発明において、第１の層および第２の
層は、ダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素膜からな
ることが好ましいが、少量の不純物を含んでもよい。伝
搬速度および電気機械的変換の効率を高める点からいえ
ば、第１の層および／または第２の層は、ダイヤモンド
からなることが好ましい。

【００２４】一方、ダイヤモンドは気相合成のため７０
０℃以上の温度が必要であるのに対し、ダイヤモンド状
炭素膜は室温でも気相合成できる。このため、ダイヤモ
ンド状炭素膜は、膜がその上に形成されるべき基材の選
択の幅を大きく広げる。また、ダイヤモンド状炭素膜に
ついて、大面積の膜を容易に得ることができ、しかも高
い精度で膜厚を制御できるため、高い精度で中心周波数
をコントロールしたい場合、第２の層としてダイヤモン
ド状炭素膜を圧電体層上に形成することが好ましい。さ
らに、ダイヤモンド状炭素膜は、ダイヤモンドに比べて
より平滑な表面を有する。

【００２５】この発明において、第１の層は、基板上に
形成されていてもよい。ダイヤモンドから本質的になる
第１の層を形成するための基板は、特に限定されない
が、たとえば、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｗ、ＧａＡｓ、またはＬｉ
ＮｂＯ₃など、半導体材料、無機材料または金属材料か
ら構成することができる。一方、ダイヤモンド状炭素膜
から本質的になる第１の層を形成するため、ダイヤモン
ドよりも広い範囲の基板を適用することができる。この
ような基板は、たとえば、合成樹脂等の有機化合物から
なる基板を含む。

【００２６】基板上に形成するダイヤモンド層は、単結
晶であってもよいし、多結晶であってもよい。気相合成
によるダイヤモンド層は、通常、多結晶構造を有する。

【００２７】また、第１の層は、単結晶のダイヤモンド
から本質的になる基板で構成されてもよい。単結晶ダイ
ヤモンドの基板は、伝搬速度および電気機械結合を高め
るため好ましく用いられる。このような基板として、天
然のダイヤモンドまたは超高圧合成法により製造された
合成ダイヤモンドを用いることができる。

【００２８】ダイヤモンド層を基板上に形成させる方法
として、たとえば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、マイク
ロ波ＣＶＤ、光ＣＶＤおよびレーザＣＶＤ等のＣＶＤ、
スパッタリング、ならびにイオンビーム蒸着を挙げるこ
とができる。ダイヤモンド状炭素膜も、ダイヤモンドと
同様の方法を用いて基板上に形成させることができる。

【００２９】原料ガスを分解励起してダイヤモンドを気
相成長させる方法についてより具体的に挙げると、たと
えば、１）熱電子放射材を１５００Ｋ以上の温度に加熱
して原料ガスを活性化する方法、２）直流波、交流波ま
たはマイクロ波電界による放電を利用する方法、３）イ
オン衝撃を利用する方法、４）レーザなどの光を照射す
る方法、５）原料ガスを燃焼させる方法、がある。

【００３０】ダイヤモンドおよびダイヤモンド状炭素膜
を気相合成するため使用する原料物質には、炭素含有化
合物が一般的に用いられる。この炭素含有化合物は、好
ましくは水素ガスと組合せて用いられる。また、必要に
応じて、酸素含有化合物および／または不活性ガスが原
料ガス中に添加される。

【００３１】炭素含有化合物としては、たとえば、メタ
ン、エタン、プロパンおよびブタン等のパラフィン系炭
化水素、エチレン、プロピレンおよびブチレン等のオレ
フィン系炭化水素、アセチレンおよびアリレン等のアセ
チレン系炭化水素、ブタジエン等のジオレフィン系炭化
水素、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン
およびシクロヘキサン等の脂環式炭化水素、シクロブタ
ジエン、ベンゼン、トルエン、キシレンおよびナフタレ
ン等の芳香族炭化水素、アセトン、ジエチルケトンおよ
びベンゾフェノン等のケトン類、メタノールおよびエタ
ノール等のアルコール類、トリメチルアミンおよびトリ
エチルアミンなどのアミン類、炭酸ガスならびに一酸化
炭素などを挙げることができる。これらは、１種を単独
で用いることもできるし、２種以上を併用することもで
きる。また、炭素含有化合物は、グラファイト、石炭、
コークスなどの炭素原子のみからなる物質であってもよ
い。

【００３２】原料ガスに添加される酸素含有化合物とし
ては、酸素、水、一酸化炭素、二酸化炭素、または過酸
化水素が容易に入手できるゆえ好ましい。

【００３３】原料ガスに添加できる不活性ガスとして
は、たとえば、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプト
ン、キセノン、またはラドンを用いることができる。

【００３４】この発明において、圧電体は、ＺｎＯ、Ａ
ｌＮ、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚ
ｒ，Ｔｉ）Ｏ₃、ＬｉＴａＯ₃、ＬｉＮｂＯ₃、ＳｉＯ
₂、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｎｂ₂Ｏ₅、ＢｅＯ、Ｌｉ₂Ｂ
₄Ｏ₇、ＫＮｂＯ₃、ＺｎＳ、ＺｎＳｅまたはＣｄＳな
どを主成分とすることができる。圧電体層は、単結晶お
よび多結晶のいずれであってもよいが、素子をより高周
波域で使用するためには、表面波の散乱が少ない単結晶
がより好ましい。ＺｎＯ、ＡｌＮおよびＰｂ（Ｚｒ，Ｔ
ｉ）Ｏ₃等の圧電体層は、ＣＶＤまたはスパッタ等によ
って形成することができる。

【００３５】この発明において、電気−機械変換、すな
わち電気信号と表面弾性波との間の変換を行なうための
電極は、典型的には、くし型電極またはインターデジタ
ル・トランデューサ（ＩＤＴ）と呼ばれる電極である。
くし型電極は、たとえば、図３０および図３１に示すよ
うな形状を有している。図３０に示すくし型電極は、幅
ｄの電極片が３ｄの隙間をもって一体に形成されたもの
が、１対向い合っているものである。１つおきに同極の
電極があり、隣接するものは異極である。これは最も標
準的なくし型電極であり、このようなくし型電極により
励振される表面弾性波の波長λ₀は４ｄである。図３１
に示されるくし型電極は、幅ｄの電極片が間隔ｄをおい
て２つずつ並び、これが５ｄの間隔をもって繰返すよう
に形成されている。くし型電極は、１対の電極片が向き
合った構造を有している。図３１に示すくし型電極にお
いて励振される表面弾性波の波長λ₀は８ｄ／３であ
る。

【００３６】くし型電極は、フォトリソグラフィーを用
いて１．２μｍ程度の電極間隔を有するものまで製作す
ることができる。電極を形成する材料としては、抵抗率
の小さな金属が好ましく、Ａｕ、ＡｇおよびＡｌなどの
低温で蒸着が可能な金属、ならびにＴｉ、ＷおよびＭｏ
などの高融点金属を用いることができる。電極作製の容
易さからは、ＡｌおよびＴｉが好ましく、ダイヤモンド
との密着性からはＷおよびＭｏが好ましい。くし型電極
は、単一の金属材料から形成されてもよいし、Ｔｉの上
にＡｌを形成するように、２種類以上の金属層を組合せ
て形成してもよい。

【００３７】くし型電極の作製において、まず、上述し
た材料からなる金属膜が所定の場所に形成される。次
に、レジスト膜を金属膜上に形成した後、ガラス等の透
明平板上にくし型電極のパターンを形成させたマスクを
レジスト膜の上方に設け、水銀ランプなどを用いてレジ
スト膜を露光する。その後、現像によりレジストパター
ンが得られる。レジストパターンの形成には、上述した
方法のほかに、電子ビームによりレジスト膜を直接露光
する方法等を用いることもできる。

【００３８】レジストパターンの形成の後、エッチング
により金属膜が所定の形状に加工される。Ａｌなどの低
融点金属からなる膜をエッチングするには、たとえば、
水酸化ナトリウム溶液などのアルカリ性溶液または硝酸
などの酸性溶液が用いられる一方、高融点金属をエッチ
ングする場合、フッ酸と硝酸の混合溶液が用いられる。
また、ＢＣｌ₃などのガスを用いる反応性イオンエッチ
ングを金属膜の加工のため用いることもできる。

【００３９】一方、この発明において、電極は、導電性
を有するダイヤモンドから形成することができる。導電
性を有するダイヤモンドは、Ｂ、Ａｌ、ＰまたはＳなど
の不純物を供給しながらダイヤモンドを気相成長させる
方法、絶縁性のダイヤモンドにこれらの不純物をイオン
注入によりドーピングする方法、絶縁性のダイヤモンド
に電子線を照射して格子欠陥を導入する方法または絶縁
性のダイヤモンドを水素化する方法等により形成するこ
とができる。

【００４０】この発明において、くし型電極は、第１の
層と圧電体層の間、または圧電体層と第２の層の間に形
成することができる。加えて、くし型電極は、短絡用電
極とともに形成することができる。くし型電極が第１の
層と圧電体層の間に設けられる場合、短絡用電極は、圧
電体層と第２の層の間および／または第２の層の上に設
けることができる。くし型電極が圧電体層と第２の層の
間に形成される場合、短絡用電極は、第１の層と圧電体
層の間および／または第２の層の上に設けることができ
る。

【００４１】圧電体膜を基板上に形成した表面弾性波素
子において、基板材料の音速が圧電体の音速よりも大き
いときには、伝搬速度ｖの異なる複数の表面弾性波が励
起される。この場合、励振モードは、ｖの小さいほうか
ら０次モード、１次モード、２次モード、３次モード、
…というように規定される。この発明において、くし型
電極が第１の層と圧電体層の間に設けられる表面弾性波
素子は、０次モードの励振構造を有する素子として適用
できる。しかしながら、第２の層の厚みが圧電体層の厚
みよりも十分薄い場合、くし型電極が第１の層と圧電体
層の間に形成される表面弾性波素子は、１次モードの励
振構造を有する素子として適用できる。

【００４２】一方、くし型電極が圧電体層と第２の層の
間に形成される表面弾性波素子は、１次モードの励振構
造を有する素子として適用できる。

【００４３】また、この発明に従って、０次モードにお
いて伝搬速度が約７，０００ｍ／ｓ以上であり、かつ
０．３％以上の電気機械結合係数を有する表面弾性波素
子を提供することができる。電気機械結合係数は、電気
的エネルギが機械的エネルギに変換される際の変換効率
を表す指標である。さらに、この発明に従って、１次モ
ードにおける伝搬速度が約９，０００ｍ／ｓ以上であ
り、かつ０．３％以上の電気機械結合係数を有する表面
弾性波素子を提供することができる。

【００４４】

【発明の作用効果】以上説明してきたとおり、この発明
に従う表面弾性波素子では、圧電体層の上にダイヤモン
ド状炭素膜またはダイヤモンドからなる第２の層が形成
されている。この第２の層は、電気的に絶縁体であり、
しかも高い硬度を有している。したがって、第２の層
は、外部環境から、圧電体層およびくし型電極からなる
素子中枢部を保護するパッシベーション膜としての役割
を果たす。第２の層は、外部環境からの湿気および不純
物などの影響を極力小さくすることができるため、素子
の特性は、長期にわたって安定に維持される。

【００４５】さらに、以下の実施例で示すとおり、本発
明者らは、圧電体層およびくし型電極が第１の層と第２
の層の間に挟まれたサンドイッチ構造を有する素子にお
いて、圧電体層および第２の層の厚みを適当な値に設定
することで、第２の層のない場合に比べて電気機械結合
係数および伝搬速度ｖ、特に電気機械結合係数を大きく
できることを見出した。すなわち、この発明に従えば、
第２の層をまったく有していない従来の表面弾性波素子
よりも高い効率で電気機械的変換を行なうことができ、
しかも高い中心周波数を有する表面弾性波素子を提供す
ることができる。このように、第２の層は、パッシベー
ション膜としての役割を果たすだけでなく、表面弾性波
素子について電気−機械変換の性能を向上させる。

【００４６】

【実施例】実施例１１０×１０×１ｍｍのＳｉ基板を準備し、これをプラズ
マＣＶＤ装置内に設置した。反応室内を排気するととも
に、反応室内にＨ₂：ＣＨ₂＝２００：１の混合ガスを
導入した。反応室内の圧力：約４０Ｔｏｒｒ、基板温
度：８５０℃、マイクロ波パワー：４００Ｗの条件下
で、プラズマＣＶＤを行ない、基板上に厚さ２５μｍの
ダイヤモンド薄膜を成長させた。

【００４７】次いで、大気中に４５０℃で１０分間放置
してダイヤモンド薄膜の抵抗値を高めた。次に、ダイヤ
モンド薄膜の表面を研摩した後、厚さ５００ÅのＡｌ層
を抵抗加熱法により蒸着した。次いで、フォトリソグラ
フィー法を用いてＡｌ層から２μｍの電極間隔を有する
くし型電極を形成した。

【００４８】次に、スパッタ出力１５０Ｗ、基板温度３
８０℃の条件下、ＺｎＯ多結晶体をＡｒ：Ｏ₂＝１：１
の混合ガスでスパッタするマグネトロンスパッタリング
により、厚み０．９３μｍのＺｎＯ膜を堆積させた。

【００４９】次に、プラズマＣＶＤにより、ＺｎＯ膜の
上にダイヤモンド状炭素膜層を形成した。ダイヤモンド
状炭素膜層の形成に際しては、プラズマＣＶＤ装置の反
応室内にメタンガスを約５ｓｃｃｍで導入し、反応室内
の圧力を約０．００２Ｔｏｒｒに維持した。基板温度を
２５℃に設定して、電力密度２Ｗ／ｃｍ²で放電を行な
いプラズマ状態を形成した。約０．５時間で、厚さ４０
０Åのダイヤモンド状炭素膜層を形成した。

【００５０】図１は、以上の構成で形成された表面弾性
波素子を示す断面図である。図１を参照して、Ｓｉ基板
１上にはダイヤモンド薄膜２が形成されている。ダイヤ
モンド薄膜２の上にはくし型電極３が形成され、その上
にＺｎＯ薄膜４が形成されている。ＺｎＯ薄膜４の上に
ダイヤモンド状炭素膜層５が形成されている。

【００５１】なお、比較として、図２に示すようなダイ
ヤモンド状炭素膜層の形成されていない表面弾性波素子
を作製した。図２を参照して、Ｓｉ基板１１の上には、
ダイヤモンド薄膜１２が形成され、ダイヤモンド薄膜１
２の上にくし型電極１３およびＺｎＯ薄膜１４が形成さ
れている。この比較の表面弾性波素子は、ダイヤモンド
状炭素膜層を形成しないこと以外、上記の実施例と同様
にして作製した。

【００５２】以上のようにして得た表面弾性波素子のそ
れぞれの表面に５％希塩酸を滴下し、５分後に表面を洗
浄した後、フィルタ特性評価した。その結果、図１に示
すこの発明の表面弾性波素子では特性に変化はなかった
が、図２に示す比較の表面弾性波素子ではＺｎＯ薄膜が
エッチングされ、フィルタ特性を示さなくなっていた。
このように、圧電体層上に形成されたダイヤモンド状炭
素膜層は、外部環境から表面弾性波素子を保護する。

【００５３】実施例２図３に示す構造を有する表面弾性波素子を作製した。図
３を参照して、Ｓｉ基板２１ａ上にはダイヤモンド薄膜
２２ａが形成されており、ダイヤモンド薄膜２２ａの上
にＺｎＯ薄膜２４ａが形成されている。ＺｎＯ薄膜２４
ａの上にくし型電極２３ａが形成され、その上にダイヤ
モンド層２５ａが形成されている。

【００５４】このような構造を有する素子の製作におい
て、ダイヤモンド膜２２ａおよびダイヤモンド層２５ａ
は、実施例１と同様の条件を用いるプラズマＣＶＤによ
り形成された。ダイヤモンド膜２２ａの厚みは約２５μ
ｍである一方、ダイヤモンド層２５ａは、素子の特性の
変化を調べるため種々の厚みとされた。また、圧電体層
としてのＺｎＯ薄膜およびくし型電極は、実施例１と同
様にして形成した。

【００５５】以下、図３に示す表面弾性波素子の構造を
Ａ構造として示す。また、ダイヤモンド層２５ａの厚み
を変えた場合の特性変化を後に示す。

【００５６】実施例３図４に示す構造を有する素子を作製した。図４を参照し
て、Ｓｉ基板２１ｂ上には、ダイヤモンド膜２２ｂが形
成されている。ダイヤモンド膜２２ｂの上に短絡用電極
２６ｂが形成され、さらにその上にＺｎＯ薄膜２４ｂが
形成されている。ＺｎＯ薄膜２４ｂ上にはくし型電極２
３ｂが形成され、その上にはダイヤモンド層２５ｂが堆
積されている。

【００５７】図４に示す素子の製造にあたり、ダイヤモ
ンド薄膜２２ｂおよびダイヤモンド層２５ｂは実施例１
の合成条件と同様の条件を用いてプラズマＣＶＤにより
形成された。また、ＺｎＯ薄膜２４ｂおよびくし型電極
２３ｂも実施例１と同様の条件で形成された。一方、短
絡用電極２６ｂは、ダイヤモンド薄膜２２ｂの研摩され
た表面上に、厚さ５００ÅのＡｌ層を抵抗加熱法により
蒸着した後、フォトリソグラフィーを用いて形成され
た。図４に示す素子において、短絡用電極２６ｂは、素
子の励起効率を向上させるため、くし型電極２３ｂが形
成される領域を覆うように形成される。

【００５８】以下、図４に示す構造をＢ構造とする。ま
た、ダイヤモンド層２５ｂの厚みを変えたときの特性変
化を後に示す。

【００５９】実施例４図５に示す構造の素子を作製した。図５を参照して、Ｓ
ｉ基板２１ｃ上にダイヤモンド薄膜２２ｃが形成され、
その上にＺｎＯ薄膜２４ｃが形成されている。ＺｎＯ薄
膜２４ｃの上にくし型電極２３ｃが形成され、そのうえ
にダイヤモンド層２５ｃが形成されている。ダイヤモン
ド層２５ｃは、くし型電極２３ｃおよびＺｎＯ薄膜２４
ｃを覆う。ダイヤモンド層２５ｃ上には短絡用電極２６
ｃが形成されている。

【００６０】図５に示す素子の製造にあたり、それぞれ
の層および電極は実施例１〜実施例３と同様の条件を用
いて形成された。以下、図５に示す構造をＣ構造として
表す。また、ダイヤモンド層２５ｃの厚みを変化させた
ときの特性変化を後に示す。

【００６１】実施例５図６に示す構造の表面弾性波素子を作製した。図６を参
照して、Ｓｉ基板２１ｄ上には、ダイヤモンド薄膜２２
ｄが形成されている。ダイヤモンド薄膜２２ｄ上には短
絡用電極２６ｄが形成され、その上にＺｎＯ薄膜２４ｄ
が堆積されている。ＺｎＯ薄膜２４ｄ上にはくし型電極
２３ｄが形成され、その上にダイヤモンド層２５ｄが堆
積されている。ダイヤモンド層２５ｄ上には、くし型電
極２３ｄの形成される領域を覆うように短絡用電極２６
ｄ′がさらに設けられている。このような構造の素子
も、実施例１〜実施例３と同様の条件を用いて形成する
ことができた。以下、図６に示す素子の構造をＤ構造と
する。また、ダイヤモンド層２５ｄの厚さを変化させた
ときの素子特性の変化を後に示す。

【００６２】実施例６図７に示す構造の素子を作製した。図７に示す素子は、
Ｓｉ基板２１ｅ上にダイヤモンド薄膜２２ｅ、ＺｎＯ薄
膜２４ｅおよびダイヤモンド層２５ｅが順次堆積された
構造において、くし型電極２３ｅがダイヤモンド薄膜２
２ｅとＺｎＯ薄膜２４ｅに挟まれた構造を有している。
このような構造において、それぞれの層および電極は実
施例１と同様の条件を用いて作製することができた。以
下、この構造をＥ構造として示す。また、ダイヤモンド
層２５ｅの厚さを変化させたときの素子特性の変化を後
に示す。

【００６３】実施例７図８に示す素子を作製した。Ｓｉ基板２１ｆ上にはダイ
ヤモンド薄膜２２ｆが形成され、その上にくし型電極２
３ｆが形成される。ダイヤモンド薄膜２２ｆおよびくし
型電極２３ｆを覆うようにＺｎＯ薄膜２４ｆが形成さ
れ、その上に短絡用電極２６ｆおよびダイヤモンド層２
５ｆが形成される。この素子は、実施例１〜実施例３と
同様の条件を用いて作製することができた。以下、図８
に示す構造をＦ構造とする。また、ダイヤモンド層２５
ｆを種々の厚みにした場合の素子特性の変化を後に示
す。

【００６４】実施例８図９に示す表面弾性波素子を作製した。図９に示す素子
は、Ｓｉ基板２１ｇ、ダイヤモンド薄膜２２ｇ、くし型
電極２３ｇ、ＺｎＯ薄膜２４ｇ、ダイヤモンド層２５ｇ
および短絡用電極２６ｇを有し、図７に示す構造の素子
においてダイヤモンド層上に短絡用電極を設けたもので
ある。この素子も、実施例１〜実施例３と同様の条件を
用いて作製することができた。以下、図９に示す構造を
Ｇ構造とする。また、ダイヤモンド層２５ｇの厚みを変
えた場合の素子特性の変化を後に示す。

【００６５】実施例９図１０に示す表面弾性波を作製した。図１０を参照し
て、Ｓｉ基板２１ｈ上にはダイヤモンド薄膜２２ｈが形
成され、その上にくし型電極２３ｈが設けられる。ダイ
ヤモンド薄膜２２ｈおよびくし型電極２３ｈを覆うよう
にＺｎＯ薄膜２４ｈが形成され、その上に短絡用電極２
６ｈおよびダイヤモンド層２５ｈが形成される。ダイヤ
モンド層２５ｈ上には短絡用電極２６ｈ′がさらに形成
される。このような構造を有する素子も、実施例１〜実
施例３と同様の条件を用いて形成することができた。以
下、図１０に示す構造をＨ構造とする。また、ダイヤモ
ンド層２５ｈを種々の厚みに変えた場合の素子特性の変
化を後に示す。

【００６６】以下にＡ構造〜Ｈ構造において、ＺｎＯ薄
膜を所定の厚みとし、最上層に設けられるダイヤモンド
層の厚みを変化させたときの電気機械結合係数の変化を
グラフとして示す。ダイヤモンド層の厚みと電気機械結
合係数の関係を示すにあたり、次に示すパラメータを規
定する。

【００６７】 λ＝くし型電極の周期（表面弾性波の波長）ｃ＝２π／λ Ｈ₁＝ＺｎＯ薄膜の厚さＨ₂＝ダイヤモンド層の厚さＫ²＝電気機械結合係数Ｂ構造の素子においてｃＨ₁を０．３０としたときのｃ
Ｈ₂とＫ²の関係を図１１に示す。ここでｃＨ₁および
ｃＨ₂を用いたのは、くし型電極の電極間隔すなわち電
極の周期が変わってもＫ²とｃＨ₂の関係が変わらない
ことを示したいからである。

【００６８】図１１に示すように、Ｂ構造において、ｃ
Ｈ₁＝０．３０、ｃＨ₂≧０．５のとき、０次モードの
Ｋ²を０．３％以上にすることができる。また、図に示
すように、ｃＨ₂が０．５以上であれば、ダイヤモンド
層を形成しない場合（ｃＨ₂＝０）よりもＫ²を大きく
することができる。

【００６９】Ｄ構造を有する素子において、ｃＨ₁が
０．３０の場合のＫ²とｃＨ₂の関係を図１２に示す。
図に示すように、Ｄ構造において、ｃＨ₁＝０．３０、
ｃＨ₂≧０．５のとき、０次モードのＫ²を０．３％以
上にすることができる。また、図に示すように、ｃＨ₂
を０．３より大きくすれば、０次モードにおいてＫ²を
ダイヤモンド層を用いない場合（ｃＨ₂＝０）よりも大
きくすることができる。

【００７０】Ｅ構造を有する素子において、ｃＨ₁を
０．３０としたときのＫ²とｃＨ₂を関係を図１３に示
す。図に示すとおり、ｃＨ₁＝０．３０、ｃＨ₂≧０．
５のとき、０次モードのＫ²を０．３％以上にすること
ができる。また、図１３は、圧電体層上にダイヤモンド
層を形成することで、電気機械結合係数を増加させるこ
とができることを示している。

【００７１】Ｆ構造を有する素子において、ｃＨ₁が
０．３０の場合のＫ²とｃＨ₂の関係を図１４に示す。
図に示すように、ＣＨ₂を０．３５以上とすることで、
０次モードのＫ²を０．３％以上にすることができる。
また、ｃＨ₂を０．３５より大きくすることで、ダイヤ
モンド層を設けない場合よりもＫ²を大きくすることが
できる。

【００７２】Ｇ構造を有する素子において、ｃＨ₁を
０．３０としたときのＫ²とｃＨ₂の関係を図１５に示
す。図から明らかなように、ｃＨ₁＝０．３０、ｃＨ₂
≧０．４５において０次モードのＫ²を０．３％以上に
することができる。また、ｃＨ ₂を０．４５より大きく
すれば、ダイヤモンド層を設けない場合よりも電気機械
結合係数を大きくすることができる。

【００７３】図１６は、Ｈ構造を有する素子において、
ｃＨ₁が０．３０の場合のＫ²とｃＨ₂の関係を示すグ
ラフである。このグラフから明らかなように、ｃＨ₂を
０．３５以上とすることで０次モードのＫ²を０．３％
以上にすることができる。また、ｃＨ₂を０．４より大
きくすれば、ダイヤモンド層を設けない場合よりもＫ ²
を大きくすることができる。

【００７４】また、以上に示したＢ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇお
よびＨ構造を有する素子におけるＫ ²とｃＨ₂の関係に
関して、ｃＨ₁が０．２５〜０．３５の範囲にある場
合、上述したと同等の傾向が認められた。

【００７５】なお、以上に示したＢ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇお
よびＨ構造を有する素子において、Ｓｉ基板上に設けら
れるダイヤモンド薄膜の厚みは約２５μｍであった。下
層に設けられるダイヤモンド薄膜の厚み（Ｈ）は、増加
するほど伝搬速度ｖを大きくしていくが、ｃＨが４．０
を越えると伝搬速度はさほど増加しないようになる。し
たがって、下層のダイヤモンド薄膜の厚さは、ｃＨ＝
４．０となる程度で十分である。

【００７６】以上に示した、Ｂ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇおよび
Ｈ構造において、ｃＨ₁が０．３０の場合の伝搬速度ｖ
とｃＨ₂の関係は図１７に示すとおりである。この図よ
り、０次モードおよび１次モードとも高い伝搬速度を有
していることが分かる。０次モードにおいては、ダイヤ
モンド層の厚みが増すにつれて伝搬速度が若干減少して
いく傾向が認められるが、ｃＨ₂＝０．８で約９，００
０ｍ／ｓと十分大きな伝搬速度が得られることが分か
る。

【００７７】構造Ａにおいて、ｃＨ₁を０．７０に設定
したときのＫ²とｃＨ₂の関係を図１８に示す。図に示
すように、ｃＨ₂が０．１以上である構造Ａは、１次モ
ードにおいて０．３％以上のＫ²を有している。この図
は、１次モードにおいて、構造Ａがダイヤモンド層を有
していない従来の表面弾性波素子よりも高い電気機械結
合を有することを示している。

【００７８】ｃＨ₁が０．７０である構造Ｂにおいて、
Ｋ²とｃＨ₂の関係を図１９に示す。このケースでは、
ダイヤモンド層を形成することで特に１次モードのＫ²
を大きくすることができる。図に示すとおり、ｃＨ₁が
０．７０である構造Ｂの１次モードは、ｃＨ₂０．１付
近でＫ²の最大値を有する。このケースでは、１次モー
ドにおいて４〜４．７％のＫ²が得られることから、ｃ
Ｈ₂の範囲は０．０７〜０．３０が好ましい。さらに、
ｃＨ₂を０．０７〜１．０３の範囲に収めることで０次
モードのＫ²を０．３％以下とすることができ、不要波
を小さく抑えてスプリアス特性を向上させることができ
る。

【００７９】また、ｃＨ₂を０．２５以上とすることで
０次モードのＫ²を１〜２．７％とダイヤモンド層を設
けない場合よりも大きくすることができる。

【００８０】ｃＨ₁が０．７０である構造Ｃにおいて、
Ｋ²とｃＨ₂の関係を図２０に示す。図に示すように、
ｃＨ₁＝０．７０、ｃＨ₂≧０．３とすることで、１次
モードのＫ²を０．３％以上にすることができる。ま
た、図２０は、ダイヤモンド層を設けることにより、１
次モードのＫ²をダイヤモンド層を設けない場合よりも
大きくできることを示している。

【００８１】図２１は、ｃＨ₁が０．７０である構造Ｄ
について、Ｋ²とｃＨ₂の関係を示している。構造Ｄに
おいて、ｃＨ₁＝０．７０のとき、ｃＨ₂を０．０５以
上にすることで１次モードのＫ²を０．３％〜２．５％
にすることができる。また、ｃＨ₂を０．２以上にする
ことで、０次モードのＫ²を０．３％〜２．２％とする
ことができる。１次モードのみを励起させたい場合は、
０次モードのＫ²が小さい０．０５〜０．３の範囲のｃ
Ｈ₂を設定すればよい。

【００８２】図２２は、構造ＥにおいてｃＨ₁が０．７
０のときのＫ²とｃＨ₂の関係を示している。図に示す
ように、ｃＨ₂を０．０２〜１．００の範囲とすること
で、１次モードのＫ²を１．５〜１．７％とする大きく
することができる一方、０次モードのＫ²を０．３％以
下と小さくすることができる。このような範囲にｃＨ ₂
を設定すれば、表面弾性波素子のスプリアス特性を改善
することができる。また、ｃＨ₂を０．１５以上にする
ことで０次モードのＫ²を０．５％以上にすることがで
きる。

【００８３】図２３は、構造ＦにおいてｃＨ₁が０．７
０のときのＫ²とｃＨ₂との関係を示している。図に示
すとおり、０．０５〜０．２の範囲にｃＨ₂を設定する
ことで、１次モードのＫ²を４〜５．７％と大きくする
ことができる一方、０次モードのＫ²を小さく抑えるこ
とができる。この範囲にｃＨ₂を設定することで、高い
電気機械結合係数を有し、かつ優れたスプリアス特性を
有する素子を提供することができる。一方、０次モード
に関しては、ｃＨ₂を０．２以上とすることでダイヤモ
ンド層を設けない場合よりもＫ²を大きくすることがで
きる。

【００８４】構造ＧにおいてｃＨ₁が０．７０のときの
Ｋ²とｃＨ₂の関係を図２４に示す。この場合、ｃＨ₂
を０．０５〜０．１３の範囲に設定することで、１次モ
ードのＫ²を大きくし、かつ０次モードのＫ²を小さく
抑えることができる。また、０次モードに関しては、ｃ
Ｈ₂を０．２以上にすることでＫ²をダイヤモンド層を
用いない場合よりも大きくすることができる。

【００８５】図２５は、構造Ｈにおいて、ｃＨ₁＝０．
７０のときのＫ²とｃＨ₂の関係を示している。この場
合、ｃＨ₂を０．０５〜０．２の範囲に設定すること
で、１次モードにおいて優れたスプリアス特性を有する
素子を提供することができる。また、０次モードについ
ては、ｃＨ₂を０．２以上とすることでＫ²をダイヤモ
ンド層を用いない従来の素子よりも大きくすることがで
きる。

【００８６】図１８〜図２５において示したＡ〜Ｈ構造
の素子においては、ｃＨ₁が０．６５〜０．７５の範囲
にある場合、図１８〜図２５に示したと同等の効果が認
められた。

【００８７】なお、ｃＨ₁が０．６５〜０．７５の範囲
にあるＡ〜Ｈ構造の素子でも、下層に設けられるダイヤ
モンド薄膜の厚み（Ｈ）は、増加するほど伝搬速度ｖを
大きくしていく。しかしながら、上述したとおり、ｃＨ
が４．０を越えると、伝搬速度の増加はさほど顕著でな
くなるため、ダイヤモンド薄膜の厚さ（Ｈ）は、ｃＨ＝
４．０となる程度でよい。Ａ構造〜Ｈ構造において、ｃ
Ｈ₁が０．７０の場合の伝搬速度ｖとｃＨ₂の関係を図
２６に示す。この場合、ダイヤモンド層を設けること
で、１次モードの伝搬速度をダイヤモンド層を設けない
場合より大きくすることができる。１次モードの場合、
ダイヤモンド層の厚みを増加させることで伝搬速度をよ
り大きくしていくことができ、ｃＨ₂＝０．８では約１
０，０００ｍ／ｓの伝搬速度を得ることができる。

【００８８】一方、０次モードでは、ダイヤモンド層の
厚みが増加するに従って伝搬速度が若干減少していく傾
向にあるが、ｃＨ₂＝０．８でも７，０００ｍ／ｓと十
分大きな伝搬速度を得ることができる。

【００８９】実施例２〜実施例９では、圧電体層が２つ
のダイヤモンド層の間にはさまれた構造を有する素子を
示したが、ダイヤモンド状炭素膜層／圧電体層／ダイヤ
モンド状炭素膜層、ダイヤモンド状炭素膜層／圧電体層
／ダイヤモンド層およびダイヤモンド層／圧電体層／ダ
イヤモンド状炭素膜層（右側が上層を示す）のいずれの
構造を有する素子においても、電気機械結合係数および
伝搬速度に関して、上記実施例と同様の効果が得られ
る。

【００９０】また、上記実施例では、基板上にダイヤモ
ンド薄膜を形成した例を示したが、図２７（ａ）および
（ｂ）に示すように、ダイヤモンド基板上に圧電体層を
形成させた素子も、上記実施例と同様の効果を奏する。
図２７（ａ）に示す素子では、ダイヤモンド基板５２上
に、ＺｎＯ薄膜５４が形成されている。ＺｎＯ薄膜５４
の上にくし型電極５３が形成され、その上にダイヤモン
ドまたはダイヤモンド状炭素膜からなる層５５が形成さ
れる。図２７（ｂ）に示す素子では、ダイヤモンド基板
５２′上にくし型電極５３′が形成される。ダイヤモン
ド基板５２′およびくし型電極５３′を覆うようにＺｎ
Ｏ薄膜５４′が形成され、その上にダイヤモンドまたは
ダイヤモンド状炭素膜からなる層５５′が形成される。

【００９１】以上の実施例で示したとおり、この発明に
よれば、従来の表面弾性波素子よりも高い効率で電気機
械変換を行なうことができ、しかも極高周波域において
使用することができる表面弾性波素子を提供することが
できる。この発明に従う表面弾性波素子は、特に、自動
車電話および携帯電話などの通信機器に用いられる高周
波フィルタとして適用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１において作製されたこの発明の表面弾
性波素子を示す断面図である。

【図２】比較例として作製された従来の表面弾性波素子
を示す断面図である。

【図３】実施例２として作製されたこの発明に従う表面
弾性波素子を示す断面図である。

【図４】実施例３として作製されたこの発明に従う表面
弾性波素子を示す断面図である。

【図５】実施例４として作製されたこの発明に従う表面
弾性波素子を示す断面図である。

【図６】実施例５として作製されたこの発明に従う表面
弾性波素子を示す断面図である。

【図７】実施例６として作製されたこの発明に従う表面
弾性波素子を示す断面図である。

【図８】実施例７として作製されたこの発明に従う表面
弾性波素子を示す断面図である。

【図９】実施例８として作製されたこの発明に従う表面
弾性波素子を示す断面図である。

【図１０】実施例９として作製されたこの発明に従う表
面弾性波素子を示す断面図である。

【図１１】実施例３の表面弾性波素子において、ダイヤ
モンドからなる第２の層の厚みと電気機械結合係数との
関係を示す図である。

【図１２】実施例５の表面弾性波素子において、ダイヤ
モンドからなる第２の層の厚みと電気機械結合係数との
関係を示す図である。

【図１３】実施例６の表面弾性波素子において、ダイヤ
モンドからなる第２の層の厚みと電気機械結合係数との
関係を示す図である。

【図１４】実施例７の表面弾性波素子において、ダイヤ
モンドからなる第２の層の厚みと電気機械結合係数との
関係を示す図である。

【図１５】実施例８の表面弾性波素子において、ダイヤ
モンドからなる第２の層の厚みと電気機械結合係数との
関係を示す図である。

【図１６】実施例９の表面弾性波素子において、ダイヤ
モンドからなる第２の層の厚みと電気機械結合係数との
関係を示す図である。

【図１７】実施例３、実施例５、実施例６、実施例７、
実施例８および実施例９の表面弾性波素子において、ダ
イヤモンドからなる第２の層の厚みと表面弾性波の伝搬
速度との関係を示す図である。

【図１８】実施例２の表面弾性波素子において、ダイヤ
モンドからなる第２の層の厚みと電気機械結合係数との
関係を示す図である。

【図１９】図１１で示したのと異なる厚みの圧電体層を
有する実施例３の表面弾性波素子において、ダイヤモン
ドからなる第２の層の厚みと電気機械結合係数との関係
を示す図である。

【図２０】実施例４の表面弾性波素子において、ダイヤ
モンドからなる第２の層の厚みと電気機械結合係数との
関係を示す図である、。

【図２１】図１２で示したのと異なる厚みの圧電体層を
有する実施例５の表面弾性波素子において、ダイヤモン
ドからなる第２の層の厚みと電気機械結合係数との関係
を示す図である。

【図２２】図１３で示したのと異なる厚みの圧電体層を
有する実施例６の表面弾性波素子において、ダイヤモン
ドからなる第２の層の厚みと電気機械結合係数との関係
を示す図である。

【図２３】図１４で示したのと異なる厚みの圧電体層を
有する実施例７の表面弾性波素子において、ダイヤモン
ドからなる第２の層の厚みと電気機械結合係数との関係
を示す図である、。

【図２４】図１５で示したのと異なる厚みの圧電体層を
有する実施例８の表面弾性波素子において、ダイヤモン
ドからなる第２の層の厚みと電気機械結合係数との関係
を示す図である。

【図２５】図１６で示したのと異なる厚みの圧電体層を
有する実施例９の表面弾性波素子において、ダイヤモン
ドからなる第２の層の厚みと電気機械結合係数との関係
を示す図である。

【図２６】圧電体層の厚みについて図１７で示すのとは
異なる態様を用い、実施例２〜実施例９の構造を有する
表面弾性波素子について、ダイヤモンドからなる第２の
層の厚みと表面弾性波の伝搬速度との関係を示す図であ
る。

【図２７】本発明に従って、ダイヤモンド基板を用いた
表面弾性波素子の例を示す図である。

【図２８】表面弾性波素子の一般的な構造を模式的に示
す斜視図である。

【図２９】従来の表面弾性波素子を示す断面図である。

【図３０】くし型電極の形状についてその一例を示す平
面図である。

【図３１】くし型電極の形状についてもう１つの例を示
す平面図である。

【符号の説明】

１、１１、２１ａ〜ｈＳｉ基板２、１２、２２ａ〜ｈダイヤモンド薄膜３、１３、２３ａ〜ｈくし型電極４、１４、２４ａ〜ｈＺｎＯ薄膜５ダイヤモンド状炭素膜層２５ａ〜ｈダイヤモンド層２６ｂ、２６ｃ、２６ｄ、２６ｄ′、２６ｆ、２６ｇ、
２６ｈ、２６ｈ′ 短絡用電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鹿田真一兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号住友電気工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者藤森直治兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号住友電気工業株式会社伊丹製作所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ダイヤモンドおよびダイヤモンド状炭素
膜の少なくともいずれかから本質的になる第１の層と、前記第１の層上に形成される圧電体層と、前記圧電体層上に形成され、ダイヤモンドおよびダイヤ
モンド状炭素膜の少なくともいずれかから本質的になる
第２の層と、前記圧電体層と組合されて電気−機械変換を行なうため
の電極とを備える、表面弾性波素子。