JPS63314877A - 半導体レ−ザ光源 - Google Patents
半導体レ−ザ光源Info
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- JPS63314877A JPS63314877A JP15077287A JP15077287A JPS63314877A JP S63314877 A JPS63314877 A JP S63314877A JP 15077287 A JP15077287 A JP 15077287A JP 15077287 A JP15077287 A JP 15077287A JP S63314877 A JPS63314877 A JP S63314877A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- circuit
- light
- temperature
- photodiode
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザ光源部の湿度と出力売場とを安
定化する手段に関するものである。
定化する手段に関するものである。
（従来の技術〕
半導体レーザダイオード（以下単にＬＤと記す）の寿命
は、温度に影響される。これを第４図を用いて説明する
。第４図はＬＤの電流−光出力特性を示している。同図
で示したパラメータＴは温度を表わし、その温度値は、
ｔ、＜ｔ２ ＜ｔ３の関係にある。同図から分るように
出力光ｆｆ１ｐ＋を得る場合、温度が高い程大きな電流
をＬＤに加えなければならない。その結果、高い温度状
態ではＬＤの寿命が短くなるのである。そこでＬＤが設
けられたパッケージの温度を調節することが行なわれて
いる。
は、温度に影響される。これを第４図を用いて説明する
。第４図はＬＤの電流−光出力特性を示している。同図
で示したパラメータＴは温度を表わし、その温度値は、
ｔ、＜ｔ２ ＜ｔ３の関係にある。同図から分るように
出力光ｆｆ１ｐ＋を得る場合、温度が高い程大きな電流
をＬＤに加えなければならない。その結果、高い温度状
態ではＬＤの寿命が短くなるのである。そこでＬＤが設
けられたパッケージの温度を調節することが行なわれて
いる。
また、出力されるレーザ波長を成る値に制御する場合も
、半導体レーザダイオードの温度を管理する必要がある
ので、ＬＤの温度を検出・測定することが行われる。
、半導体レーザダイオードの温度を管理する必要がある
ので、ＬＤの温度を検出・測定することが行われる。
ＬＤが設けられたパッケージの温度を制御するには、温
度を検出する温度センサをパッケージに取付ける必要が
ある。
度を検出する温度センサをパッケージに取付ける必要が
ある。
第３図は従来の温度検出手段を示す図である。
同図において、１はＬＤ、３はＬＤＩが組込まれたパッ
ケージ、２１はパッケージ３が取付けられたプレート、
２２はプレート２１に密着して設けられた熱容量体、２
３は熱容量体２２の中に埋め込まれた温度センナである
。
ケージ、２１はパッケージ３が取付けられたプレート、
２２はプレート２１に密着して設けられた熱容量体、２
３は熱容量体２２の中に埋め込まれた温度センナである
。
温度センサ２３は、一般に成る程度の熱容量を持ったも
のでないと正確な温度を測定することができないので、
第３図に示すように熱容量体２２に埋め込んだ状態とし
てパッケージ３部に取付ける。
のでないと正確な温度を測定することができないので、
第３図に示すように熱容量体２２に埋め込んだ状態とし
てパッケージ３部に取付ける。
その結果、温度センサ２３を取付けた従来の半導体レー
ザ光源の形状は大きくなり好ましくない。
ザ光源の形状は大きくなり好ましくない。
本発明の目的は、特別に外付の温度センかを設けること
なくＬＤの温度を検出してＬＤのｆＡａを制御するとと
もに、出力光量もｉＩｌｍできる半導体レーザ光源を提
供することである。
なくＬＤの温度を検出してＬＤのｆＡａを制御するとと
もに、出力光量もｉＩｌｍできる半導体レーザ光源を提
供することである。
本発明は、上記問題点を解決するために光重モニタ用ホ
トダイオードを同一パッケージ内に備えた半導体レーザ
ダイオードと、前記パッケージを加熱・冷Ｗ７ｊる手段
と、前記光量モニタ用ホトダイオードの開放電圧を検出
し、このｎ放電圧に基づいて加熱・冷却手段を制御する
手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードのＦ：Ｊ絡雷流を検出
し、この短絡電流に基づいて半導体レーザダイオードに
流す電流値をＩＩＩ！２ＩＩＩする手段と、前記光量モ
ニタ用ホトダイオードの開放電圧の検出と、短絡電流の
検出とを時分割で行うように制御するタイミング回路と
、 を備えるようにしたものである。
トダイオードを同一パッケージ内に備えた半導体レーザ
ダイオードと、前記パッケージを加熱・冷Ｗ７ｊる手段
と、前記光量モニタ用ホトダイオードの開放電圧を検出
し、このｎ放電圧に基づいて加熱・冷却手段を制御する
手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードのＦ：Ｊ絡雷流を検出
し、この短絡電流に基づいて半導体レーザダイオードに
流す電流値をＩＩＩ！２ＩＩＩする手段と、前記光量モ
ニタ用ホトダイオードの開放電圧の検出と、短絡電流の
検出とを時分割で行うように制御するタイミング回路と
、 を備えるようにしたものである。
（実施例）
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明に係る半導体レーザ光源の一実滴例を
示した図である。
示した図である。
同図において、１は半導体レーザダイオード（ＬＤ）
、２はＬＤｌと同一のパッケージ３内に設けられた光量
モニタ用ホトダイオード（以下ＰＤと記す〉である。Ｌ
ＤｌとＰＤ２の一方の端子は共通に回路アースに接続さ
れる。
、２はＬＤｌと同一のパッケージ３内に設けられた光量
モニタ用ホトダイオード（以下ＰＤと記す〉である。Ｌ
ＤｌとＰＤ２の一方の端子は共通に回路アースに接続さ
れる。
４はパッケージ３部に設けられた加熱・冷却器であり、
後述する温度調節器のｌｌ１ｌＪ Ｉｌｌの下にパッケ
ージ３ （ＬＤｌとも古える）を加熱したり、冷却した
りするものである。
後述する温度調節器のｌｌ１ｌＪ Ｉｌｌの下にパッケ
ージ３ （ＬＤｌとも古える）を加熱したり、冷却した
りするものである。
５はＰＤ２の開放電圧ｖ０を受ける増幅器であり、ここ
では高い入力インピーダンスの特性を有するボルテージ
フォロワ回路で構成している。
では高い入力インピーダンスの特性を有するボルテージ
フォロワ回路で構成している。
６はＩ・■変換器であり、スイッチ手段７を介して導入
したＰＤ２の短絡電流１ｓ１Ｆ！：電圧値に変換するも
のである。
したＰＤ２の短絡電流１ｓ１Ｆ！：電圧値に変換するも
のである。
７はスイッチ手段であり、後述するタイミング回路から
加えられる制御信号Ｓ、により制御されるもので、例え
ばアナログスイッチ等により構成することができる。
加えられる制御信号Ｓ、により制御されるもので、例え
ばアナログスイッチ等により構成することができる。
８．９はホールド回路でありホールド回路８は後述する
タイミング回路から加えられる制御信号Ｓ２が“”ｈｉ
ｇｈ”の期間において増幅器５を介して導入したＰＤ２
の開放電圧をホールドし、信号Ｓｂを次段へ出力するも
のである。なお、制御信号Ｓ２がｌｏｗ ”の期間は増
幅器５の出力Ｓ８をそのまま出力する。
タイミング回路から加えられる制御信号Ｓ２が“”ｈｉ
ｇｈ”の期間において増幅器５を介して導入したＰＤ２
の開放電圧をホールドし、信号Ｓｂを次段へ出力するも
のである。なお、制御信号Ｓ２がｌｏｗ ”の期間は増
幅器５の出力Ｓ８をそのまま出力する。
また、ホールド回路９は後述するタイミング回路から加
えられる制御信号Ｓ１が“旧ｇｈ″の期間において■・
■変換器６の出力ＳＡをホールドし、信号Ｓａを次段へ
出力するものである。なお、制御信号Ｓ＋が“ｔｏｙ”
の期間は■・■変換器６の出力ＳＡをそのまま出力する
。
えられる制御信号Ｓ１が“旧ｇｈ″の期間において■・
■変換器６の出力ＳＡをホールドし、信号Ｓａを次段へ
出力するものである。なお、制御信号Ｓ＋が“ｔｏｙ”
の期間は■・■変換器６の出力ＳＡをそのまま出力する
。
１０は温度調節器であり、ホールド回路８から導入した
信号Ｓｂに基づいて加熱・冷却器４を制御し、パッケー
ジ３の温度を所望の温度にコントロールするものである
。なお、この温度調節器１０は公知なものを使用するこ
とができる。
信号Ｓｂに基づいて加熱・冷却器４を制御し、パッケー
ジ３の温度を所望の温度にコントロールするものである
。なお、この温度調節器１０は公知なものを使用するこ
とができる。
１１は電流調節器であり、ホールド回路９から導入した
信号Ｓａに基づいてＬＤｌへ制御ｌＩ雷電流流し、所望
の出力光量が得られるようにコントロールするものであ
る。なお、この電流［１器１１は公知なものを使用する
ことができる。
信号Ｓａに基づいてＬＤｌへ制御ｌＩ雷電流流し、所望
の出力光量が得られるようにコントロールするものであ
る。なお、この電流［１器１１は公知なものを使用する
ことができる。
１２はタイミング回路であり、スイッチ手段７とホール
ド回路８．９の動作タイミングを制御するものである。
ド回路８．９の動作タイミングを制御するものである。
本発明の特徴点を述べる。市販されている半導体レーザ
ダイオードにおいては、ＬＤＩの出力光量をモニタする
ために、通常、同一のパッケージの中に光量モニタ用の
ホトダイオードが設けられている。本発明は、この光量
モニタ用ホトダイオードを光量モニタ用と、ＬＤＩの温
度センサ用と時分割で使い分けている点に特徴がある。
ダイオードにおいては、ＬＤＩの出力光量をモニタする
ために、通常、同一のパッケージの中に光量モニタ用の
ホトダイオードが設けられている。本発明は、この光量
モニタ用ホトダイオードを光量モニタ用と、ＬＤＩの温
度センサ用と時分割で使い分けている点に特徴がある。
以下、第１図装置の動作を第２図に示すタイムチャート
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
市販されている一般的なＬＤｌの外観例を第５図に示す
。第５図において、３はパッケージであり、第５図では
円筒状を成し、プレート２１とで小さな空間を形成して
いる。この空間部に部材３ｂに取付けられたＬＤｌが設
けられている。そして透明カバー３８が、パッケージ３
の前面に設けられ、この透明カバー３ａを通してＬＤＩ
の出力レーザビームが照射される。また、第５図では、
隠れて見えないが、このパッケージ３とプレート２１で
構成される空間内に、ＬＤｌの出力光量をモニタする光
量モニタ用ホトダイオードＰＤ２が設けられている。
。第５図において、３はパッケージであり、第５図では
円筒状を成し、プレート２１とで小さな空間を形成して
いる。この空間部に部材３ｂに取付けられたＬＤｌが設
けられている。そして透明カバー３８が、パッケージ３
の前面に設けられ、この透明カバー３ａを通してＬＤＩ
の出力レーザビームが照射される。また、第５図では、
隠れて見えないが、このパッケージ３とプレート２１で
構成される空間内に、ＬＤｌの出力光量をモニタする光
量モニタ用ホトダイオードＰＤ２が設けられている。
第１図己おいて、タイミング回路１２は、第２図（１）
と（３）と（６）に示す位相関係にある制御信ＱＳ＋。
と（３）と（６）に示す位相関係にある制御信ＱＳ＋。
８２．３３をスイッチ手段７と、ホールド回路８゜９に
加えている。
加えている。
そして制御信号Ｓ、が“旧ｇｈ″の時、ホールド回路９
は制御信号Ｓ、の立上がりエツジが発生した時の■・Ｖ
変換器６の出力Ｓ＾ （第２図（２参照）を取込み、こ
れを“ｈｉｇｈ”の期間中、ホールドする（第２図（４
）参照）。
は制御信号Ｓ、の立上がりエツジが発生した時の■・Ｖ
変換器６の出力Ｓ＾ （第２図（２参照）を取込み、こ
れを“ｈｉｇｈ”の期間中、ホールドする（第２図（４
）参照）。
一方、制御信号＄２がｈｉｇｈ”の時、ホールド回路８
は制御信号Ｓ２の立上がりエツジが発生した時の増幅器
５の出力（ＩＦｆｌ放電圧■０に対応・・・第２図（５
）自照）を取込み、これをｈｉｇｈ″の期間中、ホール
ドする。
は制御信号Ｓ２の立上がりエツジが発生した時の増幅器
５の出力（ＩＦｆｌ放電圧■０に対応・・・第２図（５
）自照）を取込み、これをｈｉｇｈ″の期間中、ホール
ドする。
また、制御信号Ｓ３がｈｉｇｈ″の期間は、スイッチ手
段７はオンとなる。
段７はオンとなる。
このようなタイミングで制御することにより、光量モニ
タ用ホトダイオードＰＤ２を光量モニタ用と、温度セン
サ用とに時分割で使用できる。以下、その動作を説明す
る。
タ用ホトダイオードＰＤ２を光量モニタ用と、温度セン
サ用とに時分割で使用できる。以下、その動作を説明す
る。
第２図において時刻ｔ１では、スイッチ手段７はオン、
ホールド回路８はホールド状態、ホールド回路９はスル
ーの状態である。スイッチ手段７がオンであるから、Ｐ
Ｏ２の開放電圧Ｖ。はＩ・■変換器６を構成する増幅器
Ｕの仮想接地電位となりＱｖである（第２図（５）参照
） （Ａ） 時刻ｔ２にて、Ｉｌｌ ｆｌｉｔ信号Ｓ１が立上がると
（（３）参照）、この立上がりエツジが発生した時のＩ
・■変換器６の出力Ｓ＾の値をホールド回路９はホール
ドする（第２図（４）参照）。そしてこのホールドした
１ｌｆＩＳ ａをＷ流調部器１１は取込み、この信号Ｓ
ａに基づいてＬＤｌに流す電流をｉｉｌ１ｗＪシて、出
力光量を制御する。
ホールド回路８はホールド状態、ホールド回路９はスル
ーの状態である。スイッチ手段７がオンであるから、Ｐ
Ｏ２の開放電圧Ｖ。はＩ・■変換器６を構成する増幅器
Ｕの仮想接地電位となりＱｖである（第２図（５）参照
） （Ａ） 時刻ｔ２にて、Ｉｌｌ ｆｌｉｔ信号Ｓ１が立上がると
（（３）参照）、この立上がりエツジが発生した時のＩ
・■変換器６の出力Ｓ＾の値をホールド回路９はホール
ドする（第２図（４）参照）。そしてこのホールドした
１ｌｆＩＳ ａをＷ流調部器１１は取込み、この信号Ｓ
ａに基づいてＬＤｌに流す電流をｉｉｌ１ｗＪシて、出
力光量を制御する。
（Ｂ）
時刻ｔ３にてスイッチ手段７はオフとなる。従って、■
・Ｖ変換器６の出力はＯ■となる（第２図（２）参照）
とともにＰＯ２の開放電圧Ｖ０は成るレベルの値となる
ので増幅器５の出力Ｓａは、第２図（５）のように変化
する。そして時刻ｔ４にて制御信号Ｓ２が“１０Ｗ′と
なるとホールド回路８の出力Ｓｂは第２図（７）のよう
に変化し、時刻ｔ５にて制御信号Ｓ２が立上がると、こ
の立上がりエツジが発生した時（ｔ５）の増幅器５の出
力Ｓｓの値をホールドする。このホールドした値Ｓｂを
温度調節器１０は取込み、この信号Ｓｂに基づいて加熱
・冷却器４を制御してパッケージ３の温度を所望の値に
する。
・Ｖ変換器６の出力はＯ■となる（第２図（２）参照）
とともにＰＯ２の開放電圧Ｖ０は成るレベルの値となる
ので増幅器５の出力Ｓａは、第２図（５）のように変化
する。そして時刻ｔ４にて制御信号Ｓ２が“１０Ｗ′と
なるとホールド回路８の出力Ｓｂは第２図（７）のよう
に変化し、時刻ｔ５にて制御信号Ｓ２が立上がると、こ
の立上がりエツジが発生した時（ｔ５）の増幅器５の出
力Ｓｓの値をホールドする。このホールドした値Ｓｂを
温度調節器１０は取込み、この信号Ｓｂに基づいて加熱
・冷却器４を制御してパッケージ３の温度を所望の値に
する。
以下、時刻ｔ６にてスイッチ手段７が再びオンとなるの
で、ＰＯ２の短絡電流Ｉｓが再びＩ・■変換器６に流れ
込むとともに（第２図（り参照）、開放電圧ＶｏがＱｖ
となって（第２図（５）参照）、時刻ｔ１と同じ状態に
戻る。
で、ＰＯ２の短絡電流Ｉｓが再びＩ・■変換器６に流れ
込むとともに（第２図（り参照）、開放電圧ＶｏがＱｖ
となって（第２図（５）参照）、時刻ｔ１と同じ状態に
戻る。
このように本発明では、ＰＯ２の短絡電流Ｉｓを電圧変
換し、ホールド回路出力電圧にとして電流調節器１１に
導入し、ＬＤＩに流す電流を調節することにより出力光
量を制御している。
換し、ホールド回路出力電圧にとして電流調節器１１に
導入し、ＬＤＩに流す電流を調節することにより出力光
量を制御している。
一方、ＬＤｌの温度の測定については、ＰＤ２の開放電
圧ｖＯを増幅器５で測定し、ホールド回路出力電圧Ｓｂ
として温度調部器１０に導入し、加熱・冷却器４を制御
することでＬＤｌの温度を所望の値に制御している。
圧ｖＯを増幅器５で測定し、ホールド回路出力電圧Ｓｂ
として温度調部器１０に導入し、加熱・冷却器４を制御
することでＬＤｌの温度を所望の値に制御している。
なお、ＰＤ２の短絡電流Ｉｓは、はぼ光１のみの関数で
あり、開放電圧Ｖ０は光量と温度の関数である。そして
本発明では短絡電流Ｉｓを検出してフィードバックをか
け、光量を安定化しているので、開放電圧ｖｏは温度の
みの関数と見なすことができる。この理由を詳しく説明
する。
あり、開放電圧Ｖ０は光量と温度の関数である。そして
本発明では短絡電流Ｉｓを検出してフィードバックをか
け、光量を安定化しているので、開放電圧ｖｏは温度の
みの関数と見なすことができる。この理由を詳しく説明
する。
図示していないが、一般にホトダイオードを等１西回路
で表わすと、照射された光量に比例した光電流ＩＬが流
れる定電流源Ａと、ダイオードｄの並列回路で表わすこ
とが知られている。従って、ＰＤ２の短＃Ｉｊ電流Ｉｓ
は光量に応じた１直の電流ＴＬである。
で表わすと、照射された光量に比例した光電流ＩＬが流
れる定電流源Ａと、ダイオードｄの並列回路で表わすこ
とが知られている。従って、ＰＤ２の短＃Ｉｊ電流Ｉｓ
は光量に応じた１直の電流ＴＬである。
また、ＰＤ２の開放電圧■。は次式で表わされる。
Ｖｏ’＃ ｉ’ｕ（ユＬ＋１）
土工
ｅ１爪
に：ボルツマン定数
ｅ：゛電子のＴｉ荷
Ｔ：ＰＤ２の絶対温度
■し＝入射光による発生電流
Ｉ頂：明電流（温度の関数）
ここで入射光用が一定ならば、
Ｖｏ 、ＣＴｅ Ｔ （ＣＴ ：ｍ度係数）
とすることができる。
とすることができる。
なお、
上式より、開放電圧ＶＯは約−２ｍＶ／にの温度係数を
持っており、本発明はこれを利用して温度を検出してい
る。
持っており、本発明はこれを利用して温度を検出してい
る。
以上述べたように、本発明によれば、次の効果が得られ
る。
る。
■ 特別に外付の温度センサを必要としないので、半導
体レーザ光源を小型化できる。
体レーザ光源を小型化できる。
■ ＰＤ２はＬＤチップと同一パッケージ内にあるので
外付センサよりも、よりＬＤチップ温度に近い値を測定
でき、適切な温度コントロールを行うことができる。
外付センサよりも、よりＬＤチップ温度に近い値を測定
でき、適切な温度コントロールを行うことができる。
第１図は本発明に係る半導体レーザ光源の構成例を示す
図、第２図は第１図装置の各部の信号のタイムチャート
、第３図は従来手段の構成を示す図、第４図は半導体レ
ーザダイオードの電流−光出力の関係を示す図、第５図
は市販されている半導体レーザダイオードの外観例を示
す図である。 １・・・ＬＤ、２・・・ＰＤ、３・・・パッケージ、４
・・・加熱・冷却器、５・・・増幅器、６・・・Ｉ−■
変換器、７・・・スイッチ手段、８．９・・・ホールド
回路、 １（＞・・・温度調節器、１１・・・電流調節
器、１２・・・タイミング回路。 第１図 第３図 第４図 り 乞５先 第５図 ペソプーシ゛プし一ト Ｊ ２１ ／ ３ｂ ＬＤ 咎Ｐｕ
図、第２図は第１図装置の各部の信号のタイムチャート
、第３図は従来手段の構成を示す図、第４図は半導体レ
ーザダイオードの電流−光出力の関係を示す図、第５図
は市販されている半導体レーザダイオードの外観例を示
す図である。 １・・・ＬＤ、２・・・ＰＤ、３・・・パッケージ、４
・・・加熱・冷却器、５・・・増幅器、６・・・Ｉ−■
変換器、７・・・スイッチ手段、８．９・・・ホールド
回路、 １（＞・・・温度調節器、１１・・・電流調節
器、１２・・・タイミング回路。 第１図 第３図 第４図 り 乞５先 第５図 ペソプーシ゛プし一ト Ｊ ２１ ／ ３ｂ ＬＤ 咎Ｐｕ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光量モニタ用ホトダイオードを同一パッケージ内に備え
た半導体レーザダイオードと、 前記パッケージを加熱・冷却する手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの開放電圧を検出し、
この開放電圧に基づいて加熱・冷却手段を制御する手段
と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの短絡電流を検出し、
この短絡電流に基づいて半導体レーザダイオードに流す
電流値を制御する手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの開放電圧の検出と、
短絡電流の検出とを時分割で行うように制御するタイミ
ング回路と、 を備えたことを特徴とする半導体レーザ光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15077287A JPS63314877A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 半導体レ−ザ光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15077287A JPS63314877A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 半導体レ−ザ光源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63314877A true JPS63314877A (ja) | 1988-12-22 |
| JPH051991B2 JPH051991B2 (ja) | 1993-01-11 |
Family
ID=15504085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15077287A Granted JPS63314877A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 半導体レ−ザ光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63314877A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001041888A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-02-16 | Byk Gardner Gmbh | 表面品質を決定するためのデバイスおよび方法 |
| WO2001024331A3 (de) * | 1999-09-30 | 2001-05-17 | Infineon Technologies Ag | Regelvorrichtung für laserdioden |
| EP1750335A1 (en) * | 2005-08-03 | 2007-02-07 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Driving circuit and driving method for laser light source |
| JP2013178495A (ja) * | 2012-01-30 | 2013-09-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電源回路、及びその駆動方法 |
-
1987
- 1987-06-17 JP JP15077287A patent/JPS63314877A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6643301B2 (en) | 1999-09-30 | 2003-11-04 | Infineon Technologies Ag | Control device for laser diodes |
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