JPH0519984B2 - - Google Patents

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JPH0519984B2
JPH0519984B2 JP62024919A JP2491987A JPH0519984B2 JP H0519984 B2 JPH0519984 B2 JP H0519984B2 JP 62024919 A JP62024919 A JP 62024919A JP 2491987 A JP2491987 A JP 2491987A JP H0519984 B2 JPH0519984 B2 JP H0519984B2
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JP
Japan
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power element
power
base body
substrate
cover
Prior art date
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JP62024919A
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English (en)
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JPS62193157A (ja
Inventor
Zaipuraa Deiitaa
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Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
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Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Publication of JPS62193157A publication Critical patent/JPS62193157A/ja
Publication of JPH0519984B2 publication Critical patent/JPH0519984B2/ja
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Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体またはICのようなパワー素
子パツケージに関する。
従来の技術 公知のようにたとえば半導体またはICのよう
なパワー素子には多量の熱損失が発生し、連続動
作の際素子を損傷しないようにこの熱を素子から
導出しなければならない。この理由からパワー素
子を金属板に実装し、場合によりセラミツクまた
は同様の材料で絶縁し、それによつて損失熱を使
用した材料の高い熱伝導度によつてできるだけ早
く導出することができる。このようなパワー素子
の実装または後からの絶縁はもちろん非常に高価
である。
発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は公知技術の上記欠点を除去する
ことである。
問題点を解決するための手段 この問題点は、特許請求の範囲第１項に記載の
特徴により、即ちパワー素子パツケージがチツ化
アルミニウムからなる基体と熱硬化性注型樹脂か
らなるカバーから構成され、該パワー素子が基板
上に設けられた銅またはニツケルからなる金属層
に固定されかつ基体は一方の側に凹所を備え、そ
れに接続ピンが圧入またははんだ付けされている
ことによつて解決される。
作 用 本発明によるパワー素子は基体が電気的絶縁体
なので、パワー素子の下面を電気的に絶縁し、そ
れにも拘わらず良好な熱結合を達成する可能性が
生ずる。
従属請求項に記載の手段によつて特許請求の範
囲第１項記載のパワー素子の有利な形成および改
善が可能である。基体を形成するチツ化アルミニ
ウムは高い熱伝導度を特徴とするので、チツ化ア
ルミニウムの厚さを２〜６mmの範囲に選択するの
が有利であり、この範囲内で選択する厚さは導出
すべき損失熱量に依存する。パワー素子は、チツ
化アルミニウムの基板上に設けられた金属層には
んだ付することができる。さらにこのような金属
層は適当なプリントおよびエツチング法で直接パ
ワー素子接続のための導体路および配置場所を形
成するため使用することができる。最後に、基体
は有利には、接続ピンの突出している側と反対側
で、その一部がカバーを備えておらず、この個所
に孔を有し、この孔によりパワー素子パツケージ
を台板等にねじで取付けることができる。
実施例 次に本発明の実施例を図面により説明する。図
示の実装したパワー素子はチツ化アルミニウムか
らなる厚さ約４mmのセラミツク板の形の基体１を
有する。基体１上にたとえば銅の金属層２があ
り、この層は厚膜としてまたは後続の電気メツキ
により強化する無電解メツキで設けられる。パワ
ー素子３は金属層２へははんだ付され、その際素
子３は金属層２が同時に配置場所として役立つよ
うに設定される。基体１に凹所が備えられ、ここ
へたとえば銅ブロンズからなる接続ピン４が圧入
され、またはあらかじめ凹所を金属化した後はん
だ付される。接続ピン４とパワー素子３の配置場
所の間はワイヤ５によつて結合され、このワイヤ
はパワー素子の配置場所にも接続ピン４にも超音
波によつて溶接される。最後に全体に熱硬化性注
型樹脂からなるカバー６を設け、その際接続ピン
４は１つの辺から突出し、基体１の反対側では基
体の一部がカバー６を備えず、孔７を有し、この
孔により実装したパワー素子をソケツト等へねじ
で取付けることができる。
前記のように基体１を形成するチツ化アルミニ
ウムは高い熱伝導度を特徴とし、さらにパワー素
子３は被覆した金属層２を介して基体１と結合し
ているので、損失熱は迅速に導出され、カバー６
を熱硬化性注型樹脂から製造することは容易に可
能である。さらにチツ化アルミニウムの熱膨張は
ケイ素のそれと良く適合するので、ケイ素チツプ
の熱負荷は機械的応力したがつて欠陥の原因にな
らない。
【図面の簡単な説明】
図面は実装したパワー素子の一部切開いた斜視
図である。 １……基体、２……金属層、３……パワー素
子、４……接続ピン、５……ワイヤ、６……注型
樹脂、７……孔。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ チツ化アルミニウムからなる基体１と熱硬化
    性注型樹脂からなるカバー６から構成され、パワ
    ー素子３が基板１上に設けられた銅またはニツケ
    ルからなる金属層２に固定されかつ基体は一方の
    側に凹所を備え、それに接続ピン４が圧入または
    はんだ付けされていることを特徴とするパワー素
    子パツケージ。 ２ チツ化アルミニウムの基体１の厚さが２〜６
    mmである特許請求の範囲第１項記載のパワー素子
    パツケージ。 ３ 基体１がカバー６の外部に、実装したパワー
    半導体の固定に使用される孔１０を有する特許請
    求の範囲第１項または第２項記載のパワー素子パ
    ツケージ。
JP62024919A 1986-02-08 1987-02-06 パワー素子パッケージ Granted JPS62193157A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19863604075 DE3604075A1 (de) 1986-02-08 1986-02-08 Verpackung von leistungsbauelementen
DE3604075.4 1986-02-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62193157A JPS62193157A (ja) 1987-08-25
JPH0519984B2 true JPH0519984B2 (ja) 1993-03-18

Family

ID=6293754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62024919A Granted JPS62193157A (ja) 1986-02-08 1987-02-06 パワー素子パッケージ

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPS62193157A (ja)
DE (1) DE3604075A1 (ja)
IT (1) IT1202453B (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
IT8719214A0 (it) 1987-01-30
JPS62193157A (ja) 1987-08-25
IT1202453B (it) 1989-02-09
DE3604075A1 (de) 1987-08-13

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