JPH05201467A - テーピング包装材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＩＣなどの小型電子部品の高集積化に対応す
るために、長期に亘り優れた帯電防止能を発揮するシー
ルテープとエンボステープから成るテーピング包装材を
提供する。 【構成】 小型電子部品用のテーピング包装材におい
て、シールテープを、(a) ベースフィルム層(11)、(b)
該ベースフィルム層のエンボステープ側表面に形成され
た熱融着シーラント層(12)、(c) 該熱融着シーラント層
の表面に形成されたテトラシアノキノジメタン錯体を含
む導電性最内層(13)、及び(d) 該ベースフィルム層のも
う一方の表面に形成されたテトラシアノキノジメタン錯
体を含む導電性最外層(14)の四層構造で構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、小型電子部品をパッケ
ージするシールテープとエンボステープから成るテーピ
ング包装材に関する。更に詳しくは、本発明はテーピン
グ包装材のシールテープの最外・最内の両表面に導電性
薄膜層を形成することにより、パッケージされた収納物
の静電破壊を完全に防止するようにしたテーピング包装
材に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近、半導体、抵抗器、コンデンサー、
コイルなど電子部品のチップ化の推進に伴い、これら電
子部品の量産化とそのパッケージのための自動そう入機
械、ならびに使用時の自動取出し機械に関連して効率的
なテーピング包装の技術がますます要求されている。周
知のように、この種のチップ化された小型電子部品のテ
ーピング包装には、電子部品を収納するための凹部を有
するエンボステープ（キャリヤーテープ）と、該エンボ
ステープの凹部に電子部品が収納されたあとに該凹部を
シールするためのシールテープ（カバーテープ）とから
構成されるものである。なお、エンボステープの縁部に
は、これら電子部品の自動装入および取出し機の搬送に
便利なように送り穴が設けられたりする。また、これら
テーピング包装体はテーピング用リールに巻き取られて
保管、移送される。

【０００３】この種のテーピング包装体において特に問
題となるのは、小型化、高性能化した各種の電子部品を
静電（帯電）破壊からいかに保護するかということであ
る。特に、最近においてはＩＣ（集積回路）の集積度が
極めて高密度なものに進展しており（１メガ，４メガ，
１６メガ ビットなど）、これに伴なって電子部品の静
電破壊の問題も極めて重要になって来ている。

【０００４】静電破壊を誘起する静電気発生機構につい
ては種々の態様のものが知られているが、例えば、接触
している二物体の分離、剥離過程において、静電容量の
減少に伴い電荷は非常に高い電位を示し、二物体が絶縁
体であると電気的二重層の電荷はそのまま残留すること
になる。このため、テーピング包装においてはシールテ
ープを剥離角度１７０〜１８０°，剥離速度１２０mm／
分、常温環境下という条件下で剥離させるとき、剥離帯
電が瞬時にゼロボルト（０Ｖ）になることが要求されて
いる。また、当然のことながらエンボステープの側にお
いても優れた帯電防止能が要求されている。

【０００５】従来から、前記した剥離帯電の低減化をね
らったシールテープ（カバーテープ）として種々のもの
が提案されている。例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレ
フタレート）などのベースフィルム上にＳｎＯ₂ を蒸着
させて導電性層を形成するとともに、エンボステープ側
にプライマー層を介して帯電防止剤を練り込んだホット
メルト型接着剤層を形成したもの、あるいはＰＥＴなど
のベースフィルム上に静電気（帯電）防止剤をコーティ
ング加工するとともにエンボステープ側に接着層を介し
て帯電防止剤を練り込んだホットメルト型接着剤層を形
成したものなどが知られている。

【０００６】しかしながら、これらシールテープの帯電
防止技術においては、前者のＳｎＯ₂ を蒸着するものは
蒸着手段という煩雑なプロセスを採用しなければなら
ず、かつ生産コストも高いものになる。また、後者のベ
ースフィルム上に静電気（帯電）防止剤をコーティング
するものは、使用する静電気（帯電）防止剤が界面活性
剤のような有機の低分子化合物のものからエチルシリケ
ート（Ｓｉ（ＯＥｔ）₄ ）の部分加水分解物、具体的に
はコルコートＰ（コルコート（株）社製）のような半永
久的な帯電防止能を有する高分子量のポリシロキサン系
のもの（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有する）が使用されてい
るが、この種のシールテープに要求される帯電防止能か
らみて十分に満足のいくものではない。なお、ポリシロ
キサン系の帯電防止剤は、ＰＥＴなどのベースフィルム
の表面にコーティングされて強固な無機質の帯電防止性
の被膜を形成するため好ましいものであるが、ベースフ
ィルムのエンボステープと接する裏面側に同様なコーテ
ィング膜を形成した場合、該コーティング膜が無機質の
薄膜であるためにこの薄膜上にエンボステープとの接着
を行なわせるための接着剤層をじかに（直接に）形成す
ることが極めて困難である。

【０００７】また、実開平１−１１２５９９号には導電
性付与物質として知られているテトラシアノキノジメタ
ン錯体を使用したチップ型電子部品の包装用シールテー
プが提案されている。このもののシールテープの概要
は、内層がヒートシール性の接着剤層、中間層がＰＥＴ
（ポリエチレンテレフタレート）などの二軸延伸フィル
ム層、及び最外層が前記したテトラシアノキノジメタン
錯体を利用した半導電層より成る三層構造のものであ
る。いうまでもなく、前記シールテープにおいて内層の
ヒートシール性の接着剤層をエンボステープ（キャリヤ
ーテープ）側にヒートシールしてチップ型電子部品を包
装するものである。

【０００８】しかしながら、前記実開平１−１１２５９
９号に提案の構造のシールテープは、ＩＣの超高集積化
された部品などの静電（帯電）破壊に対しては十分な能
力を発揮することができない。これは最外層のみを半導
電層とし、反対面、即ちエンボステープ（キャリアーテ
ープ）に当接する層を接着剤層としているためである。
このような構造のシールテープにおいては、最外層に帯
電しようとする静電気は効果的に放電されて非帯電の状
態となり、あるいはテーピング包装材全体の電気力線
（放射状の電気力線）はエンボステープ側から半導電層
側に指向するためシールテープの剥離時に収納物（ＩＣ
チップなど）がカバーテープに付着して外部へ持ち出さ
れる（紛失する）ことはないという利点を得ることがで
きる。しかしながら、接着剤層とエンボステープとの界
面に表面電位が残留したり、また該界面において剥離時
の剥離帯電を自己放電させる能力に問題がある。

【０００９】

【発明が解決しようとする問題点】本発明者らは、前記
した従来技術の問題点を解消すべく鋭意検討を加えた。
その結果、前記従来技術の解決には本発明者らの先に提
案したシールテープを構成するベースフィルムの両表面
に帯電防止層を設けるという技術（特願平１−３２７１
２２号）の適応が効果的であることを見い出した。

【００１０】すなわち、本発明者らは、エンボステープ
に当接するカバーテープの接着剤層の上に、更に薄膜状
のテトラシアノキノジメタン錯体とバインダー樹脂から
なる導電層を設けたとき、エンボステープとの接着に何
らの問題がなく、かつ優れた剥離帯電防止性を有するカ
バーテープが得られることを見し、本発明を完成するに
至った。

【００１１】

【問題点を解決するための手段】本発明を概説すれば、
本発明は、小型電子部品用のシールテープ(1) とエンボ
ステープ(2) から成るテーピング包装材において、前記
シールテープ(1) が、(a) ベースフィルム層(11)、(b)
前記ベースフィルム層のエンボステープ側表面に形成さ
れた熱融着性シーラント層(12)、(c) 前記熱融着性シー
ラント層の表面に形成されたテトラシアノキノジメタン
錯体とバインダー樹脂から成る導電性最内層(13)、及
び、(d) ベースフィルム層のもう一方の表面に形成され
たテトラシアノキノジメタン錯体とバインダー樹脂から
成る導電性最外層(14)、により構成されたものであるこ
とを特徴とするテーピング包装材に関するものである。
以下、本発明の技術的構成を図面を参照して詳しく説明
する。

【００１２】まず、本発明のテーピング包装材を構成す
るシールテープを説明する前に、テーピング包装材の全
体概要について図面を参照して説明する。周知の如く、
テーピング包装材は、第２図〜第３図に示されるような
ものである。第２図はテーピング包装材(A) の平面図
で、第３図は第２図Ｘ−Ｘ線断面図である。ＩＣ、ＬＳ
Ｉなどの小型電子部品(D) はディバイス装着用凹部(B)
に収納される。その収納状態は、第３図に示される。即
ち、エンボステープ(2) に設けられた凹部にディバイス
が装着され、シールテープ(1) によりシールされる。な
お、第２図において送り用丸穴(C) は、この種のテーピ
ング包装材(A) にディバイス(D) を自動装着したり、あ
るいはテーピング包装材(A) からディバイス(D)を自動
取出するときに装着機や取出機にテーピング包装材(A)
を案内させるためのものである。

【００１３】次に、本発明のシールテープ(1) の構造を
図１に示す。図１に示されるように、本発明のシールテ
ープ(1) は、ベースフィルム層(11)を中心にしてエンボ
ステープ側に熱融着性シーラント層(12)，更に該熱融着
性シーラント層(12)の上にテトラシアノキノジメタン錯
体を使用した導電性最内層(13)を形成し、一方、ベース
フィルム層(11)の他の表面（エンボステープ側とは反対
方向の表面）にテトラシアノキノジメタン錯体を使用し
た導電性最外層(14)を形成するようにして構成されるも
のである。以下、各層について説明する。

【００１４】ベースフィルム層(11)は、この種の用途に
使用されている二軸延伸フィルムで構成されることが好
適であり、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）フィルム、ポリアミドフィルム、ポリオレフィン
（例えばポリプロピレン）フィルムなどで構成される。
これらのフィルムの厚さは、ベースフィルムとしての機
能（収納物の保持力、外力に対する強度など）から１０
〜２５μの厚さのものが好ましい。

【００１５】熱融着性シーラント層(12)は、通常のホッ
トメルト型接着剤で構成すれば良い。例えばエチレンー
酢酸ビニル系共重合体のホットメルト型接着剤を使用し
てシーラント層を構成すればよい。該熱融着シーラント
層(12)の厚さは、後述するプライマー層(15)を含めて十
分な熱シール性を与えるために３５〜５５μの厚さが好
ましい。

【００１６】導電性最内層(13)は、導電性付与物質とし
て知られているテトラシアノキノジメタン錯体とバイン
ダー樹脂とにより構成すればよい。前記テトラシアノキ
ノジメタン錯体とは、7,7,8,8 −テトラシアノキノジメ
タン電子受容体（エレクトロンアクセプター）と電子供
与体物質（エレクトロンドナー）とから形成される錯体
を総称するものであり、容易に入手することができる。
該テトラシアノキノジメタン錯体は電子供与体物質（エ
レクトロンドナー）により電子が供給されることにより
分子内で安定なラジカル塩を生成しており、これが導電
性の付与に大きな役割を演じるものである。前記テトラ
シアノキノジメタン錯体は固体であるため、所望の溶媒
にバインダー樹脂とともに溶解させてコーティング液を
調製し、これを前記熱融着性シーラント層(12)の上にコ
ーティング処理して最内層(13)を形成する。前記テトラ
シアノキノジメタン錯体の溶解に際しては、良溶媒に制
限があるものの、例えば、テトラシアノキノジメタン錯
体（日本カーリット社製，ＣＯＳ）１wt％，アクリディ
ックＡ−811 （大日本インキ化学工業社製，イソシアネ
ート硬化型アクリル樹脂系バインダー）１wt％，バーノ
ックＤＮ−980 （大日本インキ化学工業社製，イソシア
ネート架橋剤）０．５wt％，ＤＭＦ（N,N-ジメチルホル
ムアミド、溶媒）４０wt％，酢酸ブチル（溶媒）５７．
５wt％からなるコーティング液を調製し、これにより最
内層(13)を形成すればよい。本発明において、熱融着シ
ーラント層(12)の上に最内層(13)を形成するため、該シ
ーラント層(12)のヒートシール性を損なわないように最
内層(13)の厚さは十分に薄いものであることが必要であ
る。本発明者らにより該最内層(13)が十分に薄膜層であ
るとき、何んら熱シール性が損なわれないことが見い出
された。また、この点はテトラシアノキノジメタン錯体
が非常に高価なものであることから、本発明に経済的メ
リットを付与することになる。該最内層(13)の厚さは、
０．０１〜０．５μにコントロールすればよい。

【００１７】導電性最外層(14)は、前記最内層(13)と同
様のコーティング剤を用いて形成されるものである。最
外層(14)の厚さは、最内層(13)と同様、あるいは多少厚
さを増してもよいが経済性の観点から０．０５〜０．５
μが好ましい。

【００１８】本発明において、シールテープ(1) 剥離時
にベースフィルム層(11)と熱融着シーラント層(12)が分
離しないように両者の界面にプライマー層(15)を形成し
てもよいことはいうまでもないことである。あるいは、
ＰＥＴなどのベースフィルムの表面を通常の方法により
活性化処理を行ってもよいことはいうまでもないことで
ある。この種のプライマーとしては、例えばポリエチレ
ン（ＰＥ）系プライマーなどが使用され、通常、該プラ
イマー層(15)の厚みは５μ程度のものである。

【００１９】本発明のシールテープ(1) は、前記した層
構成を有するものである。次に、前記した層構成を有す
るシールテープ(1) の性能について、次のような試料を
作成して評価した。； (1) 二軸延伸ＰＥＴ層（厚さ16μ）上に熱融着シーラン
ト層（厚さ50μ）を設けた二層構造のシールテープ。 なお、熱融着シーラント層は、ＥＶＡ系（エチレン−酢
酸ビニル共重合体系）ホットメルト型接着剤（電気化学
工業社製 ＥＶＡテックス81）で構成した。 (2) 前記(1) の熱融着シーラント層上にテトラシアノキ
ノジメタン錯体を使用したコーティング液により最内層
（厚さ0.05μ）を設けた三層構造のシールテープ。 なお、コーティング液は、導電性最内層(13)のところで
説明したものを使用した。 (3) 前記(2) のものに、更にＰＥＴ層の他の表面にテト
ラシアノキノジメタン錯体を使用したコーティング液に
より最外層（厚さ0.05μ）を設けた四層構造のシールテ
ープ。 前記三つの試料について表面抵抗値を、東京電子社製の
表面抵抗測定器ＳＴＡＣＫ ＴＲ−３型を用い、２０
℃，６５％ＲＨの条件で測定した。この結果、試料(1)
のものは１０¹²〜１０¹³Ω、試料(2) のものは１０⁷ 〜
１０⁸ Ω、試料(3) （本発明品）は確実に１０⁶ Ω以下
の表面抵抗値を示した。そして、試料(3) （本発明品）
は、試料(2) のものと比較して表面抵抗値の効果だけで
なく、シールテープとエンボステープとの界面に表面電
位を残留させず、更に、シールテープの剥離時にシール
テープとエンボステープとの界面に発生する剥離帯電を
完全に自己放電するため、エンボステープに収納される
高集積化されたＩＣチップなどを確実に静電（帯電）破
壊から防ぐことが出来る。また、付加的な効果として
は、熱融着シーラント層（上例ではＥＶＡ系ホットメル
ト型接着剤で構成される）の耐熱性が導電性最内層（上
例ではアクリル系樹脂で構成される）により向上される
という利点がある。これは両者のガラス転移点からみて
明らかである。

【００２０】

【発明の効果】本発明はシールテープとエンボステープ
とから成るテーピング包装材において、シールテープの
構造を特殊な四層構造としたものである。特に、ベース
フィルム層のエンボステープに当接する側に熱融着シー
ラント層を形成するとともに、更にこのものの両表面
（最外面，最内面）に薄膜状のテトラシアノキノジメタ
ン錯体を使用した導電層を形成するものである。これに
より、熱融着シーラント層のシール特性を損なうことな
く、シールテープとエンボステープの界面に残留しよう
とする表面電位や、剥離時の剥離帯電を確実に自己放電
させることができる。従って本発明のテーピング包装材
は、長期に亘り高価かつ精密な小型電子部品を静電破壊
から守ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のテーピング包装材におけるシールテー
プの断面図である。

【図２】テーピング包装材の概要を示す図である。

【図３】図２のＸ−Ｘ線断面図である。

【符号の説明】 Ａ…………テーピング包装材 Ｂ…………ディバイス装着用凹部 Ｃ…………送り用丸穴 Ｄ…………ディバイス １…………シールテープ ２…………エンボステープ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】小型電子部品用のシールテープ(1) とエン
   ボステープ(2) から成るテーピング包装材において、前
   記シールテープ(1) が、 (a) ベースフィルム層(11)、 (b) 前記ベースフィルム層のエンボステープ側表面に形
   成された熱融着性シーラント層(12)、 (c) 前記熱融着性シーラント層の表面に形成されたテト
   ラシアノキノジメタン錯体とバインダー樹脂から成る導
   電性最内層(13)、及び、 (d) ベースフィルム層のもう一方の表面に形成されたテ
   トラシアノキノジメタン錯体とバインダー樹脂から成る
   導電性最外層(14)、により構成されたものであることを
   特徴とするテーピング包装材。
2. 【請求項２】ベースフィルム層(11)と熱融着性シーラン
   ト層(12)の間に、プライマー層(15)が設けられたもので
   ある請求項１に記載のテーピング包装材。
3. 【請求項３】ベースフィルム層(11)が、二軸延伸のポリ
   エチレンテレフタレートフィルムである請求項１に記載
   のテーピング包装材。
4. 【請求項４】熱融着性シーラント層(12)が、エチレン−
   酢酸ビニル共重合体樹脂である請求項１に記載のテーピ
   ング包装材。
5. 【請求項５】導電性最内層(13)及び導電性最外層(14)
   が、テトラシアノキノジメタン錯体、イソシアネート硬
   化性のアクリル樹脂、イソシアネート系硬化剤及び溶媒
   からなるコーティング剤を用いて形成されたものである
   請求項１に記載のテーピング包装材。
6. 【請求項６】プライマー層(15)が、ポリエチレンである
   請求項２に記載のテーピング包装材。