JPH05201967A - ４−置換プロピルアゼチジン−２−オン誘導体の製造方法 - Google Patents
４−置換プロピルアゼチジン−２−オン誘導体の製造方法Info
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- JPH05201967A JPH05201967A JP4102430A JP10243092A JPH05201967A JP H05201967 A JPH05201967 A JP H05201967A JP 4102430 A JP4102430 A JP 4102430A JP 10243092 A JP10243092 A JP 10243092A JP H05201967 A JPH05201967 A JP H05201967A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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Abstract
(57)【要約】
【構成】
【化１】
式中、Ｒ1は水酸基の保護基を表わし、Ｒ2は水素原子又
はアミノ保護基を表わす、で示される化合物に、カルボ
ン酸活性化剤、塩基及びイミダゾールを反応させ、次い
でマグネシウム化合物を反応させることを特徴とする 【化２】 式中、Ｒ3はカルボキシ保護基を表わす、で示される化
合物の製造方法。 【効果】 従来の方法よりも安価に化合物（Ｉ）を製造
できる。
はアミノ保護基を表わす、で示される化合物に、カルボ
ン酸活性化剤、塩基及びイミダゾールを反応させ、次い
でマグネシウム化合物を反応させることを特徴とする 【化２】 式中、Ｒ3はカルボキシ保護基を表わす、で示される化
合物の製造方法。 【効果】 従来の方法よりも安価に化合物（Ｉ）を製造
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は４−置換プロピルアゼチ
ジン−２−オン誘導体の製造方法に関し、より詳細に
は、下記式
ジン−２−オン誘導体の製造方法に関し、より詳細に
は、下記式
【０００２】
【化４】
【０００３】式中、Ｒ1は水酸基の保護基を表わし、Ｒ2
は水素原子又はアミノ保護基を表わす、で示される化合
物に、カルボン酸活性化剤、塩基及びイミダゾールを反
応させ、次いで下記式
は水素原子又はアミノ保護基を表わす、で示される化合
物に、カルボン酸活性化剤、塩基及びイミダゾールを反
応させ、次いで下記式
【０００４】
【化５】 Ｍｇ(Ｏ2ＣＣＨ2ＣＯ2Ｒ3)2 （ＩＩ） 式中、Ｒ3はカルボキシ保護基を表わす、で示されるマ
グネシウムマロネート化合物を反応させることを特徴と
する下記式（Ｉ）
グネシウムマロネート化合物を反応させることを特徴と
する下記式（Ｉ）
【０００５】
【化６】
【０００６】式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前記定義のとお
りである、で示される４−置換プロピルアゼチジン−２
−オン誘導体の製造方法に関する。
りである、で示される４−置換プロピルアゼチジン−２
−オン誘導体の製造方法に関する。
【０００７】
【従来の技術と問題点】上記式（Ｉ）で示される（３
Ｓ，４Ｒ）−３−［（１Ｒ）−１−置換オキシエチル］
−４−［（１Ｒ）−１−メチル−３−置換オキシカルボ
ニル−２−オキソ］プロピルアゼチジン−２−オン誘導
体は、抗菌活性を有する１β−メチルカルバペネム化合
物の重要な合成中間体となり得ることが知られている
（例えば特開昭６３−１７０３７７号公報）。
Ｓ，４Ｒ）−３−［（１Ｒ）−１−置換オキシエチル］
−４−［（１Ｒ）−１−メチル−３−置換オキシカルボ
ニル−２−オキソ］プロピルアゼチジン−２−オン誘導
体は、抗菌活性を有する１β−メチルカルバペネム化合
物の重要な合成中間体となり得ることが知られている
（例えば特開昭６３−１７０３７７号公報）。
【０００８】かかる式（Ｉ）の化合物は、その１つの方
法として式（ＩＩＩ）で示される（３Ｓ，４Ｒ）−３−
［（１Ｒ）−１−置換オキシエチル］−４−［（１Ｒ）
−１−カルボキシエチル］アゼチジン−２−オン誘導体
を原料として合成できることが報告されている（ヘテロ
サイクルズ、ｖｏｌ．２１、ｐ２９（１９８４））。こ
の方法は、式（ＩＩＩ）の化合物にカルボン酸活性化剤
であるカルボニルジイミダゾール及びマグネシウムマロ
ネート化合物を反応させることによって、式（Ｉ）の化
合物を得る方法である。
法として式（ＩＩＩ）で示される（３Ｓ，４Ｒ）−３−
［（１Ｒ）−１−置換オキシエチル］−４−［（１Ｒ）
−１−カルボキシエチル］アゼチジン−２−オン誘導体
を原料として合成できることが報告されている（ヘテロ
サイクルズ、ｖｏｌ．２１、ｐ２９（１９８４））。こ
の方法は、式（ＩＩＩ）の化合物にカルボン酸活性化剤
であるカルボニルジイミダゾール及びマグネシウムマロ
ネート化合物を反応させることによって、式（Ｉ）の化
合物を得る方法である。
【０００９】しかしながら、上記文献記載の方法を工業
的規模で実施しようとすると、試薬として用いられるカ
ルボニルジイミダゾールが高価であり、常温で不安定で
あることから、製造コストの上昇、原料の長期保存が困
難である等の問題が生じる。かかる問題は、式（Ｉ）の
化合物を大量に生産しようとする場合に上記方法の重大
な欠点となるものであるが、これまで、この欠点を克服
するための試みは全くなされていないのが現状である。
的規模で実施しようとすると、試薬として用いられるカ
ルボニルジイミダゾールが高価であり、常温で不安定で
あることから、製造コストの上昇、原料の長期保存が困
難である等の問題が生じる。かかる問題は、式（Ｉ）の
化合物を大量に生産しようとする場合に上記方法の重大
な欠点となるものであるが、これまで、この欠点を克服
するための試みは全くなされていないのが現状である。
【００１０】
【問題を解決するための手段】本発明は上記実情に鑑み
なされたものであり、式（ＩＩＩ）の化合物を原料とし
て、安価に式（Ｉ）の化合物を大量合成することができ
る製造方法を提供するものである。
なされたものであり、式（ＩＩＩ）の化合物を原料とし
て、安価に式（Ｉ）の化合物を大量合成することができ
る製造方法を提供するものである。
【００１１】以下に本発明を詳細に説明するが、理解を
容易ならしめるため、本発明の製造方法を下記模式図の
３工程に分けて説明する。
容易ならしめるため、本発明の製造方法を下記模式図の
３工程に分けて説明する。
【００１２】
【化７】
【００１３】式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前記定義のとお
りである。
りである。
【００１４】本明細書において、「低級」なる語は、こ
の語が付された基または化合物の炭素原子数が１〜７
個、好ましくは１〜４個であることを意味する。「低級
アルキル基」は直鎖状または分枝鎖状のいずれであって
もよく、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプ
ロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ
ｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ｎ−ヘ
キシル、イソヘキシル基等が包含される。
の語が付された基または化合物の炭素原子数が１〜７
個、好ましくは１〜４個であることを意味する。「低級
アルキル基」は直鎖状または分枝鎖状のいずれであって
もよく、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプ
ロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ
ｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ｎ−ヘ
キシル、イソヘキシル基等が包含される。
【００１５】さらに「水酸基の保護基」としては例えば
トリメチルシリル、トリエチルシリル、ｔｅｒｔ−ブチ
ルジメチルシリル、ジフェニル−ｔｅｒｔ−ブチルシリ
ル等のシリル基、ベンジルオキシカルボニル、ｐ−ニト
ロベンジルオキシカルボニル、ｏ−ニトロベンジルオキ
シカルボニル等の置換または未置換のベンジルオキシカ
ルボニル基、その他通常使用される水酸基の保護基が包
含される。
トリメチルシリル、トリエチルシリル、ｔｅｒｔ−ブチ
ルジメチルシリル、ジフェニル−ｔｅｒｔ−ブチルシリ
ル等のシリル基、ベンジルオキシカルボニル、ｐ−ニト
ロベンジルオキシカルボニル、ｏ−ニトロベンジルオキ
シカルボニル等の置換または未置換のベンジルオキシカ
ルボニル基、その他通常使用される水酸基の保護基が包
含される。
【００１６】さらに「アミノ保護基」は、ペプチド化学
の分野においてアミノ基の保護基としてそれ自体既知の
任意の保護基であることができ、例えば、芳香族アシ
ル基：例えば、フタロイル；ベンゾイル、またはクロロ
ベンゾイル、ｐ−ニトロベンゾイル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブ
チルベンゾイル、トルオイルなどのハロゲン、ニトロも
しくは低級アルキルで置換されたベンゾイル；ナフトイ
ル；フェニルアセチル;フェノキシアセチル；ベンゼン
スルホニル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニ
ル、トルエンスルホニルなどの低級アルキル置換ベンゼ
ンスルホニル等、脂肪族またはハロゲン化脂肪族カル
ボン酸アシル基：例えば、カンフアスルホニル、メタン
スルホニル、ホルミル、アセチル、バレリル、カプリリ
ル、ｎ−デカノイル、アクリロイル、ピバロイル、ハロ
ゲノアセチル（例、モノクロロアセチル、モノブロモア
セチル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル）等、
エステル化されたカルボキシ基：例えば、エトキシカ
ルボニル、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル、アリル
オキシカルボニル、イソボルニルオキシカルボニル、フ
ェニルオキシカルボニル、トリクロロエトキシカルボニ
ル、ベンジルオキシカルボニル、ｐ−ニトロベンジルオ
キシカルボニル等、カルバモイルまたはチオカルバモ
イル基：例えば、メチルカルバモイル、フェニルカルバ
モイル、ナフチルカルバモイル等もしくはこれらに対応
するチオカルバモイル基等が挙げられる。
の分野においてアミノ基の保護基としてそれ自体既知の
任意の保護基であることができ、例えば、芳香族アシ
ル基：例えば、フタロイル；ベンゾイル、またはクロロ
ベンゾイル、ｐ−ニトロベンゾイル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブ
チルベンゾイル、トルオイルなどのハロゲン、ニトロも
しくは低級アルキルで置換されたベンゾイル；ナフトイ
ル；フェニルアセチル;フェノキシアセチル；ベンゼン
スルホニル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニ
ル、トルエンスルホニルなどの低級アルキル置換ベンゼ
ンスルホニル等、脂肪族またはハロゲン化脂肪族カル
ボン酸アシル基：例えば、カンフアスルホニル、メタン
スルホニル、ホルミル、アセチル、バレリル、カプリリ
ル、ｎ−デカノイル、アクリロイル、ピバロイル、ハロ
ゲノアセチル（例、モノクロロアセチル、モノブロモア
セチル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル）等、
エステル化されたカルボキシ基：例えば、エトキシカ
ルボニル、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル、アリル
オキシカルボニル、イソボルニルオキシカルボニル、フ
ェニルオキシカルボニル、トリクロロエトキシカルボニ
ル、ベンジルオキシカルボニル、ｐ−ニトロベンジルオ
キシカルボニル等、カルバモイルまたはチオカルバモ
イル基：例えば、メチルカルバモイル、フェニルカルバ
モイル、ナフチルカルバモイル等もしくはこれらに対応
するチオカルバモイル基等が挙げられる。
【００１７】「カルボキシ保護基」としては例えばエス
テル残基を例示することができ、かかるエステル残基と
してはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、
ｎ−、ｉｓｏ−、ｓｅｃ−、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ヘ
キシルエステル等の低級アルキルエステル残基；ベンジ
ル、ｐ−ニトロベンジル、ｏ−ニトロベンジル、ｐ−メ
トキシベンジル等のアラルキルエステル残基；アセトキ
シメチル、プロピオニルオキシメチル、ｎ−、ｉｓｏ
−、ブチリルオキシメチル、ピバロイルオキシメチル等
の低級脂肪族アシルオキシメチル残基等が包含される。
テル残基を例示することができ、かかるエステル残基と
してはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、
ｎ−、ｉｓｏ−、ｓｅｃ−、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ヘ
キシルエステル等の低級アルキルエステル残基；ベンジ
ル、ｐ−ニトロベンジル、ｏ−ニトロベンジル、ｐ−メ
トキシベンジル等のアラルキルエステル残基；アセトキ
シメチル、プロピオニルオキシメチル、ｎ−、ｉｓｏ
−、ブチリルオキシメチル、ピバロイルオキシメチル等
の低級脂肪族アシルオキシメチル残基等が包含される。
【００１８】以下に、前記模式図の各工程に従って、本
発明を説明する。
発明を説明する。
【００１９】（ａ）本工程は、不活性有機溶媒中、式
（ＩＩＩ）の化合物と塩基、およびカルボン酸活性化剤
（但し、カルボニルジイミダゾールを除く）を反応させ
る工程である。
（ＩＩＩ）の化合物と塩基、およびカルボン酸活性化剤
（但し、カルボニルジイミダゾールを除く）を反応させ
る工程である。
【００２０】本工程で用いられる不活性有機溶媒として
は、例えばエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、シクロヘキ
サン等の炭化水素系溶媒；ジクロルメタン、クロロホル
ム等のハロゲン化炭化水素系溶媒；酢酸エチル；アセト
ニトリルなどを挙げることができるが、特にアセトニト
リルが好適に使用される。
は、例えばエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、シクロヘキ
サン等の炭化水素系溶媒；ジクロルメタン、クロロホル
ム等のハロゲン化炭化水素系溶媒；酢酸エチル；アセト
ニトリルなどを挙げることができるが、特にアセトニト
リルが好適に使用される。
【００２１】塩基としては、例えばトリメチルアミン、
トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ−エチ
ルアミン等のトリ（低級）アルキルアミン；例えばピリ
ジン、ピコリン、ルチジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピ
リジンのようなＮ，Ｎ−ジ（低級）アルキルアミノピリ
ジン等のピリジン化合物；キノリン；例えばＮ−メチル
モルホリン等のＮ−（低級）アルキルモルホリン；例え
ばＮ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン等のＮ，Ｎ−ジ（低
級）アルキルベンジルアミン等を挙げることができる
が、好ましくは、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アミノピリジン等を用いることができる。塩基の使用量
は使用されるカルボン酸活性化剤の種類によっても異な
るが、通常、式（ＩＩＩ）の化合物１モル当り約０．０
５〜約３モル、好ましくは０．０８〜２．２モルの割合
で用いるのが適当である。
トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ−エチ
ルアミン等のトリ（低級）アルキルアミン；例えばピリ
ジン、ピコリン、ルチジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピ
リジンのようなＮ，Ｎ−ジ（低級）アルキルアミノピリ
ジン等のピリジン化合物；キノリン；例えばＮ−メチル
モルホリン等のＮ−（低級）アルキルモルホリン；例え
ばＮ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン等のＮ，Ｎ−ジ（低
級）アルキルベンジルアミン等を挙げることができる
が、好ましくは、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アミノピリジン等を用いることができる。塩基の使用量
は使用されるカルボン酸活性化剤の種類によっても異な
るが、通常、式（ＩＩＩ）の化合物１モル当り約０．０
５〜約３モル、好ましくは０．０８〜２．２モルの割合
で用いるのが適当である。
【００２２】カルボン酸活性化剤としては、カルボニル
ジイミダゾールに比較して安価で、かつ、常温で長期保
存に耐え得るものが好ましく、例えばクロル炭酸メチ
ル、クロル炭酸エチル、クロル炭酸イソブチル等のクロ
ル炭酸アルキル化合物；塩化ジフェニルホスホリル；塩
化メチルスルホニル；塩化チオニル；無水トリフルオロ
酢酸；ジシクロヘキシルカルボジイミドが用いられ、特
にクロル炭酸エチル、クロル炭酸イソブチル等が好まし
い。これらカルボン酸活性化剤の使用量は臨界的でなく
適宜変更することができるが、通常、式（ＩＩＩ）の化
合物１モル当り約０．５〜約３モル、好ましくは０．７
〜１．５モルの割合で用いるのが適当である。
ジイミダゾールに比較して安価で、かつ、常温で長期保
存に耐え得るものが好ましく、例えばクロル炭酸メチ
ル、クロル炭酸エチル、クロル炭酸イソブチル等のクロ
ル炭酸アルキル化合物；塩化ジフェニルホスホリル；塩
化メチルスルホニル；塩化チオニル；無水トリフルオロ
酢酸；ジシクロヘキシルカルボジイミドが用いられ、特
にクロル炭酸エチル、クロル炭酸イソブチル等が好まし
い。これらカルボン酸活性化剤の使用量は臨界的でなく
適宜変更することができるが、通常、式（ＩＩＩ）の化
合物１モル当り約０．５〜約３モル、好ましくは０．７
〜１．５モルの割合で用いるのが適当である。
【００２３】反応は、以下のいずれかの方法、すなわ
ち、 （１）不活性有機溶媒中で、式（ＩＩＩ）の化合物に塩
基を加えて撹拌した後、カルボン酸活性化剤を加えて更
に撹拌する方法； （２）不活性有機溶媒中で、カルボン酸活性化剤に塩基
を加えて撹拌した後、式（ＩＩＩ）の化合物を加えて更
に撹拌する方法； （３）不活性有機溶媒中で式（ＩＩＩ）の化合物に塩基
を加えて撹拌し、得られた反応液を、予めカルボン酸活
性化剤を不活性有機溶媒に溶解して得られた溶液に加え
て、更に撹拌する方法； を実施することによって行なうことができる。
ち、 （１）不活性有機溶媒中で、式（ＩＩＩ）の化合物に塩
基を加えて撹拌した後、カルボン酸活性化剤を加えて更
に撹拌する方法； （２）不活性有機溶媒中で、カルボン酸活性化剤に塩基
を加えて撹拌した後、式（ＩＩＩ）の化合物を加えて更
に撹拌する方法； （３）不活性有機溶媒中で式（ＩＩＩ）の化合物に塩基
を加えて撹拌し、得られた反応液を、予めカルボン酸活
性化剤を不活性有機溶媒に溶解して得られた溶液に加え
て、更に撹拌する方法； を実施することによって行なうことができる。
【００２４】添加、及び撹拌の際の温度は、用いられる
カルボン酸活性化剤の種類によって異なるが、上記いず
れの方法を用いる場合でも、一般に、−７８℃〜室温程
度の比較的低温であることが好ましい。
カルボン酸活性化剤の種類によって異なるが、上記いず
れの方法を用いる場合でも、一般に、−７８℃〜室温程
度の比較的低温であることが好ましい。
【００２５】また、反応時間は上記いずれの方法を用い
るかによって異なるが、通常、５分間〜４時間程度の範
囲であることができる。
るかによって異なるが、通常、５分間〜４時間程度の範
囲であることができる。
【００２６】なお、必須ではないが、本工程において用
いられる溶媒は無水であることが好ましく、また、撹拌
は不活性雰囲気下、例えば窒素ガス、アルゴンカケス雰
囲気下で行なうのが望ましい。
いられる溶媒は無水であることが好ましく、また、撹拌
は不活性雰囲気下、例えば窒素ガス、アルゴンカケス雰
囲気下で行なうのが望ましい。
【００２７】（ｂ）本工程は、上記工程（ａ）で得られ
た反応液にイミダゾールを加えて撹拌する工程である。
た反応液にイミダゾールを加えて撹拌する工程である。
【００２８】加えられるイミダゾールの量は、特に限定
されず、一般に、式（ＩＩＩ）の化合物１モル当り約
０.５〜約３モル、好ましくは０.７〜２.５モルの割合
で用いるのが適当である。
されず、一般に、式（ＩＩＩ）の化合物１モル当り約
０.５〜約３モル、好ましくは０.７〜２.５モルの割合
で用いるのが適当である。
【００２９】添加、及び撹拌の際の温度はカルボン酸活
性化剤の種類によっても異なるが、通常、−７８℃〜室
温程度の比較的低温であることが好ましい。
性化剤の種類によっても異なるが、通常、−７８℃〜室
温程度の比較的低温であることが好ましい。
【００３０】かかる条件下で、撹拌は一般に、５分間〜
２時間行なうことができる。
２時間行なうことができる。
【００３１】なお、本工程は、必須ではないが、不活性
雰囲気下、例えば窒素ガス、アルゴンガス雰囲気下で行
なうのが望ましい。
雰囲気下、例えば窒素ガス、アルゴンガス雰囲気下で行
なうのが望ましい。
【００３２】（ｃ）本工程は、上記工程（ｂ）で得られ
た反応液に式（ＩＩ）のマグネシウムマロネート化合物
を加えて反応させ、式（Ｉ）の化合物を得る工程であ
る。
た反応液に式（ＩＩ）のマグネシウムマロネート化合物
を加えて反応させ、式（Ｉ）の化合物を得る工程であ
る。
【００３３】加えられるマグネシウムマロネート化合物
の量は臨界的でなく適宜変更することができるが、通
常、式（ＩＩＩ）の化合物１モル当り約０．５〜約３モ
ル、好ましくは０．７〜２．５モルの割合であることが
適当である。
の量は臨界的でなく適宜変更することができるが、通
常、式（ＩＩＩ）の化合物１モル当り約０．５〜約３モ
ル、好ましくは０．７〜２．５モルの割合であることが
適当である。
【００３４】反応温度は厳密に制限されるものではない
が、一般に、室温程度〜約１００℃、好ましくは約４０
℃〜約８０℃であることができる。
が、一般に、室温程度〜約１００℃、好ましくは約４０
℃〜約８０℃であることができる。
【００３５】かかる条件下で、反応は、一般に、３０分
間〜３６時間程度で完了する。
間〜３６時間程度で完了する。
【００３６】なお、本反応に使用する前記マグネシウム
マロネート化合物にあっては、次式：
マロネート化合物にあっては、次式：
【００３７】
【化８】ＨＯＣＯＣＨ2ＣＯＯＲ3 式中、Ｒ3は前記定義のとおりである、で示されるマロ
ン酸半エステルを使用し、前記不活性有機溶媒中塩基の
存在下に無水塩化マグネシウムと反応させて上記マグネ
シウムマロネート化合物に誘導したのち、単離すること
なく前記工程（ｂ）で得られた反応液に添加して、前記
と同様の条件下で反応させることによっても実施するこ
とができる。この場合におけるマロン酸半エステルの使
用量は、通常塩化マグネシウムの約２モル当量であるこ
とが好ましく、また使用する塩基はトリエチルアミンが
好ましい。
ン酸半エステルを使用し、前記不活性有機溶媒中塩基の
存在下に無水塩化マグネシウムと反応させて上記マグネ
シウムマロネート化合物に誘導したのち、単離すること
なく前記工程（ｂ）で得られた反応液に添加して、前記
と同様の条件下で反応させることによっても実施するこ
とができる。この場合におけるマロン酸半エステルの使
用量は、通常塩化マグネシウムの約２モル当量であるこ
とが好ましく、また使用する塩基はトリエチルアミンが
好ましい。
【００３８】本工程の以上の反応は、必須ではないが、
無水の条件下、不活性雰囲気中、例えば窒素ガス、アル
ゴンガス雰囲気中で行なうことが望ましい。
無水の条件下、不活性雰囲気中、例えば窒素ガス、アル
ゴンガス雰囲気中で行なうことが望ましい。
【００３９】反応終了後、通常行なわれる処理、精製手
段に付すことによつて、目的とする式（Ｉ）の化合物を
単離することができる。
段に付すことによつて、目的とする式（Ｉ）の化合物を
単離することができる。
【００４０】以上の工程に従って本発明を実施すれば、
式（ＩＩＩ）の化合物から、容易にかつ収率よく、式
（Ｉ）の化合物を製造することができ、特に高価な試
薬、例えばカルボニルジイミダゾールを用いる必要がな
い。かかる点で、本発明は前記した、従来の製造方法
（ヘテロサイクルズ、ｖｏｌ．２１、ｐ２９（１９８
４））に比べて工業的製造に適した方法であるというこ
とができる。
式（ＩＩＩ）の化合物から、容易にかつ収率よく、式
（Ｉ）の化合物を製造することができ、特に高価な試
薬、例えばカルボニルジイミダゾールを用いる必要がな
い。かかる点で、本発明は前記した、従来の製造方法
（ヘテロサイクルズ、ｖｏｌ．２１、ｐ２９（１９８
４））に比べて工業的製造に適した方法であるというこ
とができる。
【００４１】以下、実施例によつて本発明を更に詳細に
説明するが、本発明はこれらの記載によって何ら限定さ
れるものでないことはいうまでもない。
説明するが、本発明はこれらの記載によって何ら限定さ
れるものでないことはいうまでもない。
【００４２】また、以下の記載においては、次の略号を
用いることとする。
用いることとする。
【００４３】ＰＮＢ； ｐ−ニトロベンジル
【００４４】
実施例１クロル炭酸エチル（１）
【００４５】
【化９】
【００４６】化合物（１）１ｇの無水アセトニトリル１
０ｍｌ溶液に、窒素気流中、トリエチルアミン０．４６
ｍｌを加えて室温にて５分間撹拌する。この溶液に、氷
冷下クロル炭酸エチル３６０ｍｇを加えて１０分間撹拌
した後イミダゾール２７１ｍｇを加え、室温に戻して３
０分間撹拌する。一方、マロン酸モノｐ−ニトロベンジ
ルエステル１．３４５ｇ及び無水塩化マグネシウム２６
８ｍｇの無水アセトニトリル５ｍｌ溶液に、窒素気流中
氷冷下トリエチルアミン０.７８ｍｌを加え、室温まで
戻して１時間撹拌する。この溶液を上記で得られた反応
液に添加した後、窒素気流中、６５℃で２時間撹拌す
る。反応終了後、溶媒を減圧下留去して得られた残渣を
酢酸エチル６．３ｍｌに溶解し、１規定塩酸水溶液、５
％炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄
する。得られた溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥した
後溶媒を減圧下留去し、得られた残渣をシリカゲルクロ
マトグラフィーに付して、目的化合物（２）を白色結晶
として１．３４４ｇ（収率８４．８％）得た。
０ｍｌ溶液に、窒素気流中、トリエチルアミン０．４６
ｍｌを加えて室温にて５分間撹拌する。この溶液に、氷
冷下クロル炭酸エチル３６０ｍｇを加えて１０分間撹拌
した後イミダゾール２７１ｍｇを加え、室温に戻して３
０分間撹拌する。一方、マロン酸モノｐ−ニトロベンジ
ルエステル１．３４５ｇ及び無水塩化マグネシウム２６
８ｍｇの無水アセトニトリル５ｍｌ溶液に、窒素気流中
氷冷下トリエチルアミン０.７８ｍｌを加え、室温まで
戻して１時間撹拌する。この溶液を上記で得られた反応
液に添加した後、窒素気流中、６５℃で２時間撹拌す
る。反応終了後、溶媒を減圧下留去して得られた残渣を
酢酸エチル６．３ｍｌに溶解し、１規定塩酸水溶液、５
％炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄
する。得られた溶液を無水硫酸マグネシウムで乾燥した
後溶媒を減圧下留去し、得られた残渣をシリカゲルクロ
マトグラフィーに付して、目的化合物（２）を白色結晶
として１．３４４ｇ（収率８４．８％）得た。
【００４７】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ：１.２５
（３Ｈ，ｄ）、１.３０（３Ｈ，ｄ）、２.９０（２Ｈ，
ｍ）、３.６５（２Ｈ，ｓ）、３.８３（１Ｈ，ｍ）、
４.１５（１Ｈ，ｍ）、５.２７（２Ｈ，ｓ）、６.０３
（１Ｈ，ｂｓ）、７.５５、８.２７（４Ｈ，芳香環プロ
トン） 実施例２クロル炭酸エチル（２） 化合物（１）１２０.６ｇの無水アセトニトリル１.２ｌ
溶液に、窒素気流中、トリエチルアミン４２.５ｇを加
えて室温にて１０分間撹拌する。この溶液に、氷冷下ク
ロル炭酸エチル４５.５７ｇを加えて１０分間撹拌した
後、イミダゾール３２.６８ｇを加え、室温に戻して３
０分間撹拌する。一方、マロン酸モノｐ−ニトロベンジ
ルエステル１６２.７ｇ及び無水塩化マグネシウム３２.
３８ｇの無水アセトニトリル６０９ｍｌ溶液に、窒素気
流中氷冷下、トリエチルアミン６８.８２ｇの無水アセ
トニトリル６１ｍｌ溶液を加え、室温まで戻して３０分
間撹拌する。この溶液を上記で得られた反応液に添加し
た後、窒素気流中、６５℃で４時間撹拌する。得られた
反応液を実施例１に記載する方法に準じて処理すること
により、目的化合物（２）を白色結晶として１１６.９
８ｇ（収率６１.２％）得た。
（３Ｈ，ｄ）、１.３０（３Ｈ，ｄ）、２.９０（２Ｈ，
ｍ）、３.６５（２Ｈ，ｓ）、３.８３（１Ｈ，ｍ）、
４.１５（１Ｈ，ｍ）、５.２７（２Ｈ，ｓ）、６.０３
（１Ｈ，ｂｓ）、７.５５、８.２７（４Ｈ，芳香環プロ
トン） 実施例２クロル炭酸エチル（２） 化合物（１）１２０.６ｇの無水アセトニトリル１.２ｌ
溶液に、窒素気流中、トリエチルアミン４２.５ｇを加
えて室温にて１０分間撹拌する。この溶液に、氷冷下ク
ロル炭酸エチル４５.５７ｇを加えて１０分間撹拌した
後、イミダゾール３２.６８ｇを加え、室温に戻して３
０分間撹拌する。一方、マロン酸モノｐ−ニトロベンジ
ルエステル１６２.７ｇ及び無水塩化マグネシウム３２.
３８ｇの無水アセトニトリル６０９ｍｌ溶液に、窒素気
流中氷冷下、トリエチルアミン６８.８２ｇの無水アセ
トニトリル６１ｍｌ溶液を加え、室温まで戻して３０分
間撹拌する。この溶液を上記で得られた反応液に添加し
た後、窒素気流中、６５℃で４時間撹拌する。得られた
反応液を実施例１に記載する方法に準じて処理すること
により、目的化合物（２）を白色結晶として１１６.９
８ｇ（収率６１.２％）得た。
【００４８】本品のＮＭＲスペクトルは、実施例１で得
られたものと完全に一致した。
られたものと完全に一致した。
【００４９】実施例３クロル炭酸エチル（３） クロル炭酸エチル２６.０４ｇの無水アセトニトリル４
５７ｍｌ溶液を約−５℃まで冷却し、この溶液にトリエ
チルアミン２６.３１ｇの無水アセトニトリル１５２ｍ
ｌ溶液を５２分間で滴下し、更に同温度にて３０分間撹
拌する。得られる反応液に、窒素気流中同温度にて、化
合物（１）６０.３ｇを加えて３０分間撹拌し、次い
で、イミダゾール１９.０７ｇを加え、室温に戻した後
３０分間撹拌する。一方、マロン酸モノｐ−ニトロベン
ジルエステル８１.３３ｇ及び無水塩化マグネシウム１
６.１８ｇの無水アセトニトリル４５７ｍｌ溶液に、窒
素気流中氷冷下、トリエチルアミン３４.４１ｇの無水
アセトニトリル３０.５ｍｌ溶液を加え、室温に戻した
後３０分間撹拌する。この溶液を上記で得られた反応液
に添加した後、窒素気流中、６５℃で３時間撹拌する。
得られた反応液を実施例１に記載する方法に準じて処理
することにより、目的化合物（２）を白色結晶として８
３.０８ｇ（収率８６.８％）得た。
５７ｍｌ溶液を約−５℃まで冷却し、この溶液にトリエ
チルアミン２６.３１ｇの無水アセトニトリル１５２ｍ
ｌ溶液を５２分間で滴下し、更に同温度にて３０分間撹
拌する。得られる反応液に、窒素気流中同温度にて、化
合物（１）６０.３ｇを加えて３０分間撹拌し、次い
で、イミダゾール１９.０７ｇを加え、室温に戻した後
３０分間撹拌する。一方、マロン酸モノｐ−ニトロベン
ジルエステル８１.３３ｇ及び無水塩化マグネシウム１
６.１８ｇの無水アセトニトリル４５７ｍｌ溶液に、窒
素気流中氷冷下、トリエチルアミン３４.４１ｇの無水
アセトニトリル３０.５ｍｌ溶液を加え、室温に戻した
後３０分間撹拌する。この溶液を上記で得られた反応液
に添加した後、窒素気流中、６５℃で３時間撹拌する。
得られた反応液を実施例１に記載する方法に準じて処理
することにより、目的化合物（２）を白色結晶として８
３.０８ｇ（収率８６.８％）得た。
【００５０】本品のＮＭＲスペクトルは、実施例１で得
られたものと完全に一致した。
られたものと完全に一致した。
【００５１】実施例４クロル炭酸エチル（４） 化合物（１）１８０.９ｇの無水アセトニトリル４５７
ｍｌ溶液に、窒素気流中室温下、トリエチルアミン７
８.９４ｇを加えて２０分間撹拌する。得られる反応液
を、−１９℃まで冷却したクロル炭酸エチル７８.１２
ｇの無水アセトニトリル１３７０ｍｌ溶液に４５分間で
滴下し、同温度にて３０分間撹拌する。得られる反応液
に、氷冷下、イミダゾール５７.１９ｇを加えた後、室
温まで戻しながら３０分間撹拌する。一方、マロン酸モ
ノｐ−ニトロベンジルエステル２４４ｇ及び無水塩化マ
グネシウム４８.６ｇの無水アセトニトリル１３７０ｍ
ｌ溶液に、窒素気流中氷冷下、トリエチルアミン１０
３.２ｇの無水アセトニトリル９１ｍｌ溶液を加え、室
温に戻して後３０分間撹拌する。この溶液を上記で得ら
れた反応液に添加した後、窒素気流中、６５℃で３時間
撹拌する。得られた反応液を実施例１に記載する方法に
準じて処理することにより、目的化合物（２）を白色結
晶として２５８.２ｇ（収率８９.９％）得た。
ｍｌ溶液に、窒素気流中室温下、トリエチルアミン７
８.９４ｇを加えて２０分間撹拌する。得られる反応液
を、−１９℃まで冷却したクロル炭酸エチル７８.１２
ｇの無水アセトニトリル１３７０ｍｌ溶液に４５分間で
滴下し、同温度にて３０分間撹拌する。得られる反応液
に、氷冷下、イミダゾール５７.１９ｇを加えた後、室
温まで戻しながら３０分間撹拌する。一方、マロン酸モ
ノｐ−ニトロベンジルエステル２４４ｇ及び無水塩化マ
グネシウム４８.６ｇの無水アセトニトリル１３７０ｍ
ｌ溶液に、窒素気流中氷冷下、トリエチルアミン１０
３.２ｇの無水アセトニトリル９１ｍｌ溶液を加え、室
温に戻して後３０分間撹拌する。この溶液を上記で得ら
れた反応液に添加した後、窒素気流中、６５℃で３時間
撹拌する。得られた反応液を実施例１に記載する方法に
準じて処理することにより、目的化合物（２）を白色結
晶として２５８.２ｇ（収率８９.９％）得た。
【００５２】本品のＮＭＲスペクトルは、実施例１で得
られたものと完全に一致した。
られたものと完全に一致した。
【００５３】実施例５クロル炭酸エチル（５） 化合物（１）３６１.８ｇの無水アセトニトリル９１５
ｍｌ溶液に、窒素気流中室温下、トリエチルアミン１５
７.９ｇを加えて室温にて２０分間撹拌する。得られる
反応液を、−２５℃まで冷却したクロル炭酸エチル１５
６.２ｇの無水アセトニトリル２７４０ｍｌ溶液に６２
分間で滴下し、同温度にて３５分間撹拌する。得られる
反応液に、同温度で、イミダゾール１１４.４ｇを加え
た後、室温まで戻しながら３０分間撹拌する。一方、マ
ロン酸モノｐ−ニトロベンジルエステル４８８ｇ及び無
水塩化マグネシウム９７ｇの無水アセトニトリル２７４
１ｍｌ溶液に、窒素気流中氷冷下、トリエチルアミン２
０６.４ｇの無水アセトニトリル１８３ｍｌ溶液を加
え、室温まで戻した後１時間撹拌する。この溶液を上記
で得られた反応液に添加した後、窒素気流中、６５℃で
２時間半撹拌する。得られた反応液を実施例１に記載す
る方法に準じて処理することにより、目的化合物（２）
を白色結晶として５０１.９ｇ（収率８７.４％）得た。
ｍｌ溶液に、窒素気流中室温下、トリエチルアミン１５
７.９ｇを加えて室温にて２０分間撹拌する。得られる
反応液を、−２５℃まで冷却したクロル炭酸エチル１５
６.２ｇの無水アセトニトリル２７４０ｍｌ溶液に６２
分間で滴下し、同温度にて３５分間撹拌する。得られる
反応液に、同温度で、イミダゾール１１４.４ｇを加え
た後、室温まで戻しながら３０分間撹拌する。一方、マ
ロン酸モノｐ−ニトロベンジルエステル４８８ｇ及び無
水塩化マグネシウム９７ｇの無水アセトニトリル２７４
１ｍｌ溶液に、窒素気流中氷冷下、トリエチルアミン２
０６.４ｇの無水アセトニトリル１８３ｍｌ溶液を加
え、室温まで戻した後１時間撹拌する。この溶液を上記
で得られた反応液に添加した後、窒素気流中、６５℃で
２時間半撹拌する。得られた反応液を実施例１に記載す
る方法に準じて処理することにより、目的化合物（２）
を白色結晶として５０１.９ｇ（収率８７.４％）得た。
【００５４】本品のＮＭＲスペクトルは、実施例１で得
られたものと完全に一致した。
られたものと完全に一致した。
【００５５】実施例６クロル炭酸イソブチル 化合物（１）１ｇの無水アセトニトリル１０ｍｌ溶液
に、窒素気流中、トリエチルアミン０.４６ｍｌを加え
て室温にて５分間撹拌する。この溶液を−３０℃まで冷
却した後、クロル炭酸イソブチル０.５０ｍｌを加えて
同条件下で４分間撹拌する。次いで、イミダゾール２７
１ｍｇを加えて−３０°〜−１５℃で１５分間撹拌した
後、室温まで戻して更に１５分間撹拌する。一方、マロ
ン酸モノｐ−ニトロベンジルエステル１.３４５ｇ及び
無水塩化マグネシウム２６８ｍｇの無水アセトニトリル
５ｍｌ溶液に、窒素気流中氷冷下トリエチルアミン０.
７８ｍｌを加えた後、室温まで戻して１時間撹拌する。
この溶液を上記で得られた反応液に添加した後、窒素気
流中、６５℃で２.５時間撹拌する。反応終了後、溶媒
を減圧下留去して得られた残渣を酢酸エチル６.３ｍｌ
に溶解し、１規定塩酸水溶液、５％炭酸水素ナトリウム
水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄する。得られた溶液を
無水硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を減圧下留去
し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィーに付
して目的化合物（２）を白色結晶として１.３７９ｇ
（収率８６.９％）得た。
に、窒素気流中、トリエチルアミン０.４６ｍｌを加え
て室温にて５分間撹拌する。この溶液を−３０℃まで冷
却した後、クロル炭酸イソブチル０.５０ｍｌを加えて
同条件下で４分間撹拌する。次いで、イミダゾール２７
１ｍｇを加えて−３０°〜−１５℃で１５分間撹拌した
後、室温まで戻して更に１５分間撹拌する。一方、マロ
ン酸モノｐ−ニトロベンジルエステル１.３４５ｇ及び
無水塩化マグネシウム２６８ｍｇの無水アセトニトリル
５ｍｌ溶液に、窒素気流中氷冷下トリエチルアミン０.
７８ｍｌを加えた後、室温まで戻して１時間撹拌する。
この溶液を上記で得られた反応液に添加した後、窒素気
流中、６５℃で２.５時間撹拌する。反応終了後、溶媒
を減圧下留去して得られた残渣を酢酸エチル６.３ｍｌ
に溶解し、１規定塩酸水溶液、５％炭酸水素ナトリウム
水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄する。得られた溶液を
無水硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を減圧下留去
し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィーに付
して目的化合物（２）を白色結晶として１.３７９ｇ
（収率８６.９％）得た。
【００５６】本品のＮＭＲスペクトルは、実施例１で得
られたものと完全に一致した。
られたものと完全に一致した。
【００５７】実施例７ジシクロヘキシルカルボジイミド 化合物（１）５００ｍｇ及びジメチルアミノピリジン２
０ｍｇのアセトニトリル５ｍｌ溶液に、氷冷下、窒素気
流中でジシクロヘキシルカルボジイミド３７６ｍｇを加
えた後、室温まで戻して１５分間撹拌する。この溶液に
イミダゾール１２４ｍｇを加えて更に１時間撹拌する。
一方、マロン酸モノｐ−ニトロベンジルエステル６７４
ｍｇ及び無水塩化マグネシウム１３４ｍｇの無水アセト
ニトリル２.５ｍｌ溶液に、窒素気流中氷冷下トリエチ
ルアミン０.３９ｍｌを加えた後、室温まで戻して１時
間撹拌する。この溶液を上記で得られた反応液に添加し
た後、窒素気流中、６０℃で２時間撹拌する。反応終了
後、溶媒を減圧下留去して得られた残渣を酢酸エチル
３．２ｍｌに溶解し、不溶物を濾去して得られた溶液を
１規定塩酸水溶液、５％炭酸水素ナトリウム水溶液及び
飽和食塩水で順次洗浄する。得られた溶液を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した後溶媒を減圧下留去し、得られた
残渣をシリカゲルクロマトグラフィーに付して、目的化
合物（２）を白色結晶として５７３ｍｇ（収率７２.２
４％）得た。
０ｍｇのアセトニトリル５ｍｌ溶液に、氷冷下、窒素気
流中でジシクロヘキシルカルボジイミド３７６ｍｇを加
えた後、室温まで戻して１５分間撹拌する。この溶液に
イミダゾール１２４ｍｇを加えて更に１時間撹拌する。
一方、マロン酸モノｐ−ニトロベンジルエステル６７４
ｍｇ及び無水塩化マグネシウム１３４ｍｇの無水アセト
ニトリル２.５ｍｌ溶液に、窒素気流中氷冷下トリエチ
ルアミン０.３９ｍｌを加えた後、室温まで戻して１時
間撹拌する。この溶液を上記で得られた反応液に添加し
た後、窒素気流中、６０℃で２時間撹拌する。反応終了
後、溶媒を減圧下留去して得られた残渣を酢酸エチル
３．２ｍｌに溶解し、不溶物を濾去して得られた溶液を
１規定塩酸水溶液、５％炭酸水素ナトリウム水溶液及び
飽和食塩水で順次洗浄する。得られた溶液を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した後溶媒を減圧下留去し、得られた
残渣をシリカゲルクロマトグラフィーに付して、目的化
合物（２）を白色結晶として５７３ｍｇ（収率７２.２
４％）得た。
【００５８】本品のＮＭＲスペクトルは、前記実施例１
で得られたものと完全に一致した。 実施例８塩化チオニル 化合物（１）５００ｍｇの無水アセトニトリル５ｍｌ溶
液を−３０℃まで冷却し、トリエチルアミン０.２３ｍ
ｌ及び塩化チオニル０.１７ｍｌを添加して、窒素気流
中、同温度で２０分間撹拌する。次いで、イミダゾール
１１３ｍｇ及びトリエチルアミン０.２３ｍｌを加えて
更に２４時間撹拌する。一方、マロン酸モノｐ−ニトロ
ベンジルエステル６７４ｍｇ及び無水塩化マグネシウム
１３４ｍｇの無水アセトニトリル２.５ｍｌ溶液に、窒
素気流中氷冷下トリエチルアミン０.３９ｍｌを加えた
後、室温まで戻して１時間撹拌する。この溶液を上記で
得られた反応液に添加した後、窒素気流中、６０℃で
２.５時間撹拌する。反応終了後、溶媒を減圧下留去し
て得られた残渣を酢酸エチル３.２ｍｌに溶解し、１規
定塩酸水溶液、５％炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和
食塩水で順次洗浄する。得られた溶液を無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した後溶媒を減圧下留去し、得られた残渣
をシリカゲルクロマトグラフィーに付して、目的化合物
（２）を白色結晶として４９６ｍｇ（収率６２.６％）
得た。
で得られたものと完全に一致した。 実施例８塩化チオニル 化合物（１）５００ｍｇの無水アセトニトリル５ｍｌ溶
液を−３０℃まで冷却し、トリエチルアミン０.２３ｍ
ｌ及び塩化チオニル０.１７ｍｌを添加して、窒素気流
中、同温度で２０分間撹拌する。次いで、イミダゾール
１１３ｍｇ及びトリエチルアミン０.２３ｍｌを加えて
更に２４時間撹拌する。一方、マロン酸モノｐ−ニトロ
ベンジルエステル６７４ｍｇ及び無水塩化マグネシウム
１３４ｍｇの無水アセトニトリル２.５ｍｌ溶液に、窒
素気流中氷冷下トリエチルアミン０.３９ｍｌを加えた
後、室温まで戻して１時間撹拌する。この溶液を上記で
得られた反応液に添加した後、窒素気流中、６０℃で
２.５時間撹拌する。反応終了後、溶媒を減圧下留去し
て得られた残渣を酢酸エチル３.２ｍｌに溶解し、１規
定塩酸水溶液、５％炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和
食塩水で順次洗浄する。得られた溶液を無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した後溶媒を減圧下留去し、得られた残渣
をシリカゲルクロマトグラフィーに付して、目的化合物
（２）を白色結晶として４９６ｍｇ（収率６２.６％）
得た。
【００５９】本品のＮＭＲスペクトルは、実施例１で得
られたものと完全に一致した。
られたものと完全に一致した。
【００６０】実施例９塩化メチルスルホニル、塩化ジフェニルホスホリル、無
水トリフルオロ酢酸 上記実施例４に記載した方法に従って、塩化メチルスル
ホニル、塩化ジフェニルホスホリル及び無水トリフルオ
ロ酢酸を用いて反応を行ない、それぞれ５５.０％、５
１.３％、３８.０％の収率で目的化合物（２）を得た。
水トリフルオロ酢酸 上記実施例４に記載した方法に従って、塩化メチルスル
ホニル、塩化ジフェニルホスホリル及び無水トリフルオ
ロ酢酸を用いて反応を行ない、それぞれ５５.０％、５
１.３％、３８.０％の収率で目的化合物（２）を得た。
Claims (2)
- 【請求項１】 下記式 【化１】 式中、Ｒ1は水酸基の保護基を表わし、 Ｒ2は水素原子又はアミノ保護基を表わす、で示される
化合物に、カルボン酸活性化剤、塩基及びイミダゾール
を反応させ、次いで下記式 【化２】 Ｍｇ(Ｏ2ＣＣＨ2ＣＯ2Ｒ3)2 （ＩＩ） 式中、Ｒ3はカルボキシ保護基を表わす、で示されるマ
グネシウムマロネート化合物を反応させることを特徴と
する下記式（Ｉ） 【化３】 式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前記定義のとおりである、で
示される４−置換プロピルアゼチジン−２−オン誘導体
の製造方法。 - 【請求項２】 カルボン酸活性化剤がクロル炭酸メチ
ル、クロル炭酸エチル、クロル炭酸イソブチル、塩化ジ
フェニルホスホリル、塩化メチルスルホニル、塩化チオ
ニル、無水トリフルオロ酢酸、ジシクロヘキシルカルボ
ジイミドのいずれか１つである請求項１記載の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10243092A JP3219833B2 (ja) | 1991-03-30 | 1992-03-30 | ４−置換プロピルアゼチジン−２−オン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-122004 | 1991-03-30 | ||
| JP12200491 | 1991-03-30 | ||
| JP10243092A JP3219833B2 (ja) | 1991-03-30 | 1992-03-30 | ４−置換プロピルアゼチジン−２−オン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05201967A true JPH05201967A (ja) | 1993-08-10 |
| JP3219833B2 JP3219833B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=26443147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10243092A Expired - Lifetime JP3219833B2 (ja) | 1991-03-30 | 1992-03-30 | ４−置換プロピルアゼチジン−２−オン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3219833B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4463520B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2010-05-19 | 高砂香料工業株式会社 | カルバペネム誘導体の製造方法 |
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