JPH05204167A - 静電荷像担持用誘電体部材およびその製造方法 - Google Patents
静電荷像担持用誘電体部材およびその製造方法Info
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- JPH05204167A JPH05204167A JP3398292A JP3398292A JPH05204167A JP H05204167 A JPH05204167 A JP H05204167A JP 3398292 A JP3398292 A JP 3398292A JP 3398292 A JP3398292 A JP 3398292A JP H05204167 A JPH05204167 A JP H05204167A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 帯電性が優れ、表面硬度が高く、かつ、特性
の信頼性が高い静電荷像担持用誘電体部材およびその製
造方法を提供する。 【構成】 支持体と該支持体上に無機高分子化合物によ
り形成されてなる誘電体層を有する静電荷像担持用誘電
体部材、および誘電体層を、支持体上に無機高分子化合
物膜形成材料を塗布し、乾燥した後、得られた塗膜を真
空中で加熱することにより形成することを特徴とするそ
の製法。
の信頼性が高い静電荷像担持用誘電体部材およびその製
造方法を提供する。 【構成】 支持体と該支持体上に無機高分子化合物によ
り形成されてなる誘電体層を有する静電荷像担持用誘電
体部材、および誘電体層を、支持体上に無機高分子化合
物膜形成材料を塗布し、乾燥した後、得られた塗膜を真
空中で加熱することにより形成することを特徴とするそ
の製法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオノグラフィーに使
用するための静電荷像担持用誘電体部材およびその製造
方法に関する。
用するための静電荷像担持用誘電体部材およびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、複写または印刷の一方法として、
静電体皮膜を有する支持体ドラムを静電荷像担持用誘電
体部材として用い、イオン（荷電粒子）発生手段によっ
てイオンを発生させ、そのイオンによって該誘電体部材
表面に静電荷像を形成し、形成された静電荷像をトナー
によって現像し、複写材に転写・定着する、いわゆるイ
オノグラフィーによる画像形成方法が実施されるように
なっている。このイオノグラフィーに使用する静電荷像
担持用誘電体部材において、誘電体層としては、多孔質
陽極酸化アルミニウム皮膜が使用されている。多孔質陽
極酸化アルミニウム皮膜は、皮膜自体、無数の微細孔が
開いているため、耐磨耗性に劣り、また、孔にトナー粒
子が侵入して、画像劣化を引き起こす等の欠点がある。
そのため、多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜形成した
後、シランカップリング材で吸着処理を行い、その後、
エポキシ樹脂を含浸させる方法、又はシランカップリン
グ材を配合したエポキシ樹脂を含浸させる方法が提案さ
れている（特開昭６３−２９４５８６号公報）。多孔質
陽極酸化アルミニウム皮膜の封孔処理については、ワッ
クス類を含浸させる方法（特開昭６０−５００８３号公
報）、ポリテトラフルオロエチレンを含浸させる方法
（特開昭６１−１９３１５７号公報）等も知られてい
る。また、上記多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜とは別
の誘電体層として、無機質粉末と滑剤と成膜用樹脂から
なる混合物を用たもの（特開昭６１−１４４６５１号公
報）等も知られている。
静電体皮膜を有する支持体ドラムを静電荷像担持用誘電
体部材として用い、イオン（荷電粒子）発生手段によっ
てイオンを発生させ、そのイオンによって該誘電体部材
表面に静電荷像を形成し、形成された静電荷像をトナー
によって現像し、複写材に転写・定着する、いわゆるイ
オノグラフィーによる画像形成方法が実施されるように
なっている。このイオノグラフィーに使用する静電荷像
担持用誘電体部材において、誘電体層としては、多孔質
陽極酸化アルミニウム皮膜が使用されている。多孔質陽
極酸化アルミニウム皮膜は、皮膜自体、無数の微細孔が
開いているため、耐磨耗性に劣り、また、孔にトナー粒
子が侵入して、画像劣化を引き起こす等の欠点がある。
そのため、多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜形成した
後、シランカップリング材で吸着処理を行い、その後、
エポキシ樹脂を含浸させる方法、又はシランカップリン
グ材を配合したエポキシ樹脂を含浸させる方法が提案さ
れている（特開昭６３−２９４５８６号公報）。多孔質
陽極酸化アルミニウム皮膜の封孔処理については、ワッ
クス類を含浸させる方法（特開昭６０−５００８３号公
報）、ポリテトラフルオロエチレンを含浸させる方法
（特開昭６１−１９３１５７号公報）等も知られてい
る。また、上記多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜とは別
の誘電体層として、無機質粉末と滑剤と成膜用樹脂から
なる混合物を用たもの（特開昭６１−１４４６５１号公
報）等も知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記シランカップリン
グ材の吸着処理後、エポキシ樹脂を含浸させた場合、或
いは、シランカップリング材を含有するエポキシ樹脂を
含浸させた場合には、表面硬度等の点で未だ充分ではな
く、また、比誘電率が約７以上と大きく、そのため、充
分に高い帯電性が得られないという問題があった。さら
に、これ等の場合、含浸工程の後の樹脂焼き付け処理工
程、およびその後の樹脂表層の除去処理工程が必要であ
り、工程の複雑化、それによる歩留りの低下、特性の再
現性の低下等の問題があった。また、封孔材としてワッ
クス類や、ポリテトラフロロエチレンを含浸させた場合
にも、帯電性や表面硬度が低い、或いは誘電体層である
多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜との付着性が悪い等の
問題があった。また、前記無機質粉末と滑剤と成膜用樹
脂からなる混合物を用いる場合、無機質粉末の存在によ
る誘電体層の脆弱化、製造工程の複雑化、それによる歩
留りの低下等の問題があった。
グ材の吸着処理後、エポキシ樹脂を含浸させた場合、或
いは、シランカップリング材を含有するエポキシ樹脂を
含浸させた場合には、表面硬度等の点で未だ充分ではな
く、また、比誘電率が約７以上と大きく、そのため、充
分に高い帯電性が得られないという問題があった。さら
に、これ等の場合、含浸工程の後の樹脂焼き付け処理工
程、およびその後の樹脂表層の除去処理工程が必要であ
り、工程の複雑化、それによる歩留りの低下、特性の再
現性の低下等の問題があった。また、封孔材としてワッ
クス類や、ポリテトラフロロエチレンを含浸させた場合
にも、帯電性や表面硬度が低い、或いは誘電体層である
多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜との付着性が悪い等の
問題があった。また、前記無機質粉末と滑剤と成膜用樹
脂からなる混合物を用いる場合、無機質粉末の存在によ
る誘電体層の脆弱化、製造工程の複雑化、それによる歩
留りの低下等の問題があった。
【０００４】本発明は、従来の技術における上記のよう
な実状に鑑み、その問題点を解決するためになされたも
のである。すなわち、本発明の目的は、帯電性が優れ、
表面硬度が高く、かつ、特性の信頼性が高い静電荷像担
持用誘電体部材およびその製造方法を提供することにあ
る。
な実状に鑑み、その問題点を解決するためになされたも
のである。すなわち、本発明の目的は、帯電性が優れ、
表面硬度が高く、かつ、特性の信頼性が高い静電荷像担
持用誘電体部材およびその製造方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【問題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意検討
した結果、支持体上に、無機高分子化合物により形成さ
れてなる誘電体層を設けることによって、上記目的を達
成できることを見出だし、本発明を完成するに至った。
した結果、支持体上に、無機高分子化合物により形成さ
れてなる誘電体層を設けることによって、上記目的を達
成できることを見出だし、本発明を完成するに至った。
【０００６】すなわち、本発明の静電荷像担持用誘電体
部材は、支持体と該支持体上に誘電体層を有する静電荷
像担持用誘電体部材において、該誘電体層が無機高分子
化合物により形成されていることを特徴とする。
部材は、支持体と該支持体上に誘電体層を有する静電荷
像担持用誘電体部材において、該誘電体層が無機高分子
化合物により形成されていることを特徴とする。
【０００７】また、本発明の静電荷像担持用誘電体部材
の製造方法は、支持体上に無機高分子化合物により形成
されてなる誘電体層を設ける工程を有するものであっ
て、該誘電体層を、支持体上に無機高分子化合物膜形成
材料を塗布した後、得られた塗膜を真空中で加熱するこ
とにより形成することを特徴とする。
の製造方法は、支持体上に無機高分子化合物により形成
されてなる誘電体層を設ける工程を有するものであっ
て、該誘電体層を、支持体上に無機高分子化合物膜形成
材料を塗布した後、得られた塗膜を真空中で加熱するこ
とにより形成することを特徴とする。
【０００８】以下、本発明について詳細に説明する。図
１は、本発明の静電荷像担持用誘電体部材の模式的断面
図である。図１において、１は支持体であり、２は誘電
体層である。上記支持体は、アルミニウム及びその合金
（以下、これらを単にアルミニウムという）、ステンン
レス鋼、ニッケル、クロム等の金属およびその合金等の
導電性支持体、およびガラス、セラミックス、絶縁性樹
脂等の絶縁性支持体が用いられる。絶縁性支持体の場合
は、誘電体層と接する面を導電化処理することが必要で
ある。また、絶縁性支持体の場合は、支持体を積層構造
にする等の処置により導電化処理面を当該絶縁性支持体
の内部あるいは下部に設けることにより、絶縁性支持体
の一部あるいは全部を誘電体層に組み入れることも可能
である。
１は、本発明の静電荷像担持用誘電体部材の模式的断面
図である。図１において、１は支持体であり、２は誘電
体層である。上記支持体は、アルミニウム及びその合金
（以下、これらを単にアルミニウムという）、ステンン
レス鋼、ニッケル、クロム等の金属およびその合金等の
導電性支持体、およびガラス、セラミックス、絶縁性樹
脂等の絶縁性支持体が用いられる。絶縁性支持体の場合
は、誘電体層と接する面を導電化処理することが必要で
ある。また、絶縁性支持体の場合は、支持体を積層構造
にする等の処置により導電化処理面を当該絶縁性支持体
の内部あるいは下部に設けることにより、絶縁性支持体
の一部あるいは全部を誘電体層に組み入れることも可能
である。
【０００９】上記アルミニウム材料としては、純アルミ
ニウムの他に、Ａｌ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系、Ａ
ｌ−Ｍｇ−Ｍｏ系、Ａｌ−Ｍｎ系、Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ
系、Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉ系、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｓｉ
系、Ａｌ−Ｃｕ−Ｚｎ系、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ系、Ａｌ−
Ｍｇ−Ｓｉ系等のアルミニウム合金材料の中から適宜選
択して使用することができる。
ニウムの他に、Ａｌ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系、Ａ
ｌ−Ｍｇ−Ｍｏ系、Ａｌ−Ｍｎ系、Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ
系、Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉ系、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｓｉ
系、Ａｌ−Ｃｕ−Ｚｎ系、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ系、Ａｌ−
Ｍｇ−Ｓｉ系等のアルミニウム合金材料の中から適宜選
択して使用することができる。
【００１０】本発明において、上記支持体上には、無機
高分子化合物により形成される誘電体層が設けられる。
該無機高分子化合物は、骨格結合鎖が、無機元素から構
成されるもので、例えば、シリコーン樹脂や有機金属化
合物から形成される高分子化合物があげられる。上記支
持体上には、誘電体層が設けられるが、誘電体として十
分な帯電性および電荷保持能を有すると共に、高い耐摩
耗性、耐圧力性および耐オゾン性を有し、かつ転写効率
が十分に高いものでなければならない。このような要求
を満足するものとして、本発明においては、骨格結合鎖
が無機元素から形成された無機高分子化合物より構成さ
れる誘電体層が用いられる。なかでも、誘電体層が、シ
ロキサン結合からなる無機高分子化合物により構成され
た場合には、前記の帯電性、電荷保持能、耐磨耗性、耐
圧力性および耐オゾン性に優れているので、特に好まし
い。この場合、無機高分子化合物は、赤外吸収スペクト
ルにおいて、１１００ｃｍ-1付近にシロキサン結合によ
る吸収が存在することによって特徴づけられる。本発明
において、無機高分子化合物より構成される誘電体層
は、無機高分子化合物膜形成材料を支持体の上に塗布し
た後、加熱することによって形成することができる。使
用される無機高分子化合物膜形成材料としては、シリコ
ーン樹脂、有機ケイ素化合物、有機金属化合物等、種々
のものが使用される。
高分子化合物により形成される誘電体層が設けられる。
該無機高分子化合物は、骨格結合鎖が、無機元素から構
成されるもので、例えば、シリコーン樹脂や有機金属化
合物から形成される高分子化合物があげられる。上記支
持体上には、誘電体層が設けられるが、誘電体として十
分な帯電性および電荷保持能を有すると共に、高い耐摩
耗性、耐圧力性および耐オゾン性を有し、かつ転写効率
が十分に高いものでなければならない。このような要求
を満足するものとして、本発明においては、骨格結合鎖
が無機元素から形成された無機高分子化合物より構成さ
れる誘電体層が用いられる。なかでも、誘電体層が、シ
ロキサン結合からなる無機高分子化合物により構成され
た場合には、前記の帯電性、電荷保持能、耐磨耗性、耐
圧力性および耐オゾン性に優れているので、特に好まし
い。この場合、無機高分子化合物は、赤外吸収スペクト
ルにおいて、１１００ｃｍ-1付近にシロキサン結合によ
る吸収が存在することによって特徴づけられる。本発明
において、無機高分子化合物より構成される誘電体層
は、無機高分子化合物膜形成材料を支持体の上に塗布し
た後、加熱することによって形成することができる。使
用される無機高分子化合物膜形成材料としては、シリコ
ーン樹脂、有機ケイ素化合物、有機金属化合物等、種々
のものが使用される。
【００１１】誘電体層の形成方法について更に詳細に説
明すると、液状シリコーン樹脂を使用する場合には、通
常の塗布法により塗布し、加熱乾燥すればよい。また、
ゾル−ゲル法によって誘電体層を形成する場合には、無
機高分子化合物膜形成材料として、例えば、Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）4 、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、Ｓｉ（ＯＣ3 Ｈ7 ）
4 、Ｓｉ（ＯＣ4 Ｈ9 ）4 、Ａｌ（ＯＣＨ3 ）3 、Ａｌ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、Ａｌ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 、Ｔｉ（ＯＣ
3 Ｈ7 ）4 、Ｚｒ（ＯＣ3 Ｈ7 ）4 、Ｙ（ＯＣ3 Ｈ7 ）
3 、Ｙ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 、Ｆｅ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、Ｆｅ
（ＯＣ3 Ｈ7 ）3 、Ｆｅ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 、Ｎｂ（ＯＣ
Ｈ3 ）5 、Ｎｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 、Ｎｂ（ＯＣ3 Ｈ7 ）
5 、Ｔａ（ＯＣ3 Ｈ7 ）5 、Ｔａ（ＯＣ4 Ｈ9 ）4 、Ｖ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、Ｖ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 等のアルコキシ
ド化合物や、トリス（アセチルアセトナト）鉄、ビス
（アセチルアセトナト）コバルト、ビス（アセチルアセ
トナト）ニッケル、ビス（アセチルアセトナト）銅等の
有機金属錯体を使用することができる。ゾル−ゲル法に
よる場合には、これらの化合物をアルコール中に溶解
し、攪拌しながら加水分解し、反応によって生成したゾ
ル液をスプレー法、浸漬法によって支持体上に塗布した
後、５０〜３００℃で３０分〜２４時間加熱乾燥し、硬
化させればよい。
明すると、液状シリコーン樹脂を使用する場合には、通
常の塗布法により塗布し、加熱乾燥すればよい。また、
ゾル−ゲル法によって誘電体層を形成する場合には、無
機高分子化合物膜形成材料として、例えば、Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）4 、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、Ｓｉ（ＯＣ3 Ｈ7 ）
4 、Ｓｉ（ＯＣ4 Ｈ9 ）4 、Ａｌ（ＯＣＨ3 ）3 、Ａｌ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、Ａｌ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 、Ｔｉ（ＯＣ
3 Ｈ7 ）4 、Ｚｒ（ＯＣ3 Ｈ7 ）4 、Ｙ（ＯＣ3 Ｈ7 ）
3 、Ｙ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 、Ｆｅ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、Ｆｅ
（ＯＣ3 Ｈ7 ）3 、Ｆｅ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 、Ｎｂ（ＯＣ
Ｈ3 ）5 、Ｎｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 、Ｎｂ（ＯＣ3 Ｈ7 ）
5 、Ｔａ（ＯＣ3 Ｈ7 ）5 、Ｔａ（ＯＣ4 Ｈ9 ）4 、Ｖ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 、Ｖ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 等のアルコキシ
ド化合物や、トリス（アセチルアセトナト）鉄、ビス
（アセチルアセトナト）コバルト、ビス（アセチルアセ
トナト）ニッケル、ビス（アセチルアセトナト）銅等の
有機金属錯体を使用することができる。ゾル−ゲル法に
よる場合には、これらの化合物をアルコール中に溶解
し、攪拌しながら加水分解し、反応によって生成したゾ
ル液をスプレー法、浸漬法によって支持体上に塗布した
後、５０〜３００℃で３０分〜２４時間加熱乾燥し、硬
化させればよい。
【００１２】また、シロキサン結合からなる無機高分子
化合物よりなる誘電体層を形成する場合には、無機高分
子化合物膜形成材料として、例えば、官能基としてメト
キシ基、エトキシ基等を有する２官能性、３官能性、４
官能性アルコキシシランを用いることができる。これら
のアルコキシシランは、置換基として、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、フェニル基等を有
していてもよい。これらのアルコキシシランは、硬化後
の膜の硬さや密着性、可撓性、耐候性等の点から適宜選
択して用いられる。これらアルコキシシラン化合物を用
いる場合には、適当な有機溶剤によって希釈し、粘度を
調整した後、スプレー塗布または浸漬塗布等により支持
体上に塗布し、１００〜３００℃の温度で３０分〜２４
時間加熱硬化すればよい。また、上記アルコキシシラン
をアミド酸基含有アルコキシシランと併用することも可
能である。その場合、シロキサン結合を有するアミド酸
が形成され、成膜によって、シロキサン結合とイミド結
合とからなる無機高分子化合物により構成される誘電体
層が形成される。
化合物よりなる誘電体層を形成する場合には、無機高分
子化合物膜形成材料として、例えば、官能基としてメト
キシ基、エトキシ基等を有する２官能性、３官能性、４
官能性アルコキシシランを用いることができる。これら
のアルコキシシランは、置換基として、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、フェニル基等を有
していてもよい。これらのアルコキシシランは、硬化後
の膜の硬さや密着性、可撓性、耐候性等の点から適宜選
択して用いられる。これらアルコキシシラン化合物を用
いる場合には、適当な有機溶剤によって希釈し、粘度を
調整した後、スプレー塗布または浸漬塗布等により支持
体上に塗布し、１００〜３００℃の温度で３０分〜２４
時間加熱硬化すればよい。また、上記アルコキシシラン
をアミド酸基含有アルコキシシランと併用することも可
能である。その場合、シロキサン結合を有するアミド酸
が形成され、成膜によって、シロキサン結合とイミド結
合とからなる無機高分子化合物により構成される誘電体
層が形成される。
【００１３】本発明においては、上記誘電体層形成に際
しての塗膜の加熱硬化は、大気雰囲気中のほか、真空雰
囲気中で実施することができる。特に、加熱硬化を真空
雰囲気中で行うと、加熱硬化後の誘電体膜の緻密性が一
層向上し、帯電性、電荷保持能、耐摩耗性、耐圧力性お
よび耐オゾン性に格段に優れた誘電体を得ることができ
るのでより好ましい。本発明において、誘電体層の膜厚
は、任意に設定できるが、通常３μｍ〜７０μｍ、好ま
しくは５μｍ〜３０μｍである。３μｍ未満では帯電電
位が低くなり、７０μｍを越えると製造コストが高くな
り好ましくない。
しての塗膜の加熱硬化は、大気雰囲気中のほか、真空雰
囲気中で実施することができる。特に、加熱硬化を真空
雰囲気中で行うと、加熱硬化後の誘電体膜の緻密性が一
層向上し、帯電性、電荷保持能、耐摩耗性、耐圧力性お
よび耐オゾン性に格段に優れた誘電体を得ることができ
るのでより好ましい。本発明において、誘電体層の膜厚
は、任意に設定できるが、通常３μｍ〜７０μｍ、好ま
しくは５μｍ〜３０μｍである。３μｍ未満では帯電電
位が低くなり、７０μｍを越えると製造コストが高くな
り好ましくない。
【実施例】以下に本発明を実施例によって説明する。
【００１４】実施例１ 純度９９．９％のＡｌ−Ｍｇ合金からなる直径約１００
ｍｍの円筒状アルミニウムパイプを支持体として用い、
フロン洗浄と蒸留水中超音波洗浄を行った。次いで、該
支持体上に下記一般式（Ｉ）で示されるシリコンハード
コーティング剤（Ｘ−４１−９７１０Ｈ、信越化学工業
社製）５０重量部、
ｍｍの円筒状アルミニウムパイプを支持体として用い、
フロン洗浄と蒸留水中超音波洗浄を行った。次いで、該
支持体上に下記一般式（Ｉ）で示されるシリコンハード
コーティング剤（Ｘ−４１−９７１０Ｈ、信越化学工業
社製）５０重量部、
【化１】 メチルセルソルブ５０重量部から成る塗布液をスプレー
塗布法により塗布した。これを大気雰囲気中１９０℃で
４時間加熱反応硬化させ、厚さ１８μｍの誘電体層を得
た。また合わせてシリコンウェハー上にも同一塗布法、
同一硬化法により膜を形成した。この膜の赤外線吸収ス
ペクトルを図１に示す。赤外線吸収スペクトルを調べた
ところ、１７００ｃｍ-1のイミド結合と１１００ｃｍ-1
のシロキサン結合によるピークが明瞭に観察された。
塗布法により塗布した。これを大気雰囲気中１９０℃で
４時間加熱反応硬化させ、厚さ１８μｍの誘電体層を得
た。また合わせてシリコンウェハー上にも同一塗布法、
同一硬化法により膜を形成した。この膜の赤外線吸収ス
ペクトルを図１に示す。赤外線吸収スペクトルを調べた
ところ、１７００ｃｍ-1のイミド結合と１１００ｃｍ-1
のシロキサン結合によるピークが明瞭に観察された。
【００１５】得られた静電荷像担持用誘電体部材の比誘
電率は３．４であり、電荷密度として１４２．８ｎＣ／
ｃｍ2 の表面電荷を与えた時の帯電電位（表面電位）は
８２９Ｖであった。また、帯電後の時間経過に伴う帯電
電位の減衰は、極めて少ないものであった。この静電荷
像担持用誘電体部材の表面硬度を測定したところ、ビッ
カース硬度は７００であり、非常に硬いものであった。
この静電荷像担持用誘電体部材を圧力転写方式のイオノ
グラフィーによる画像形成装置に入れて、画像を評価し
たところ、欠点のない鮮明な画像が得られた。
電率は３．４であり、電荷密度として１４２．８ｎＣ／
ｃｍ2 の表面電荷を与えた時の帯電電位（表面電位）は
８２９Ｖであった。また、帯電後の時間経過に伴う帯電
電位の減衰は、極めて少ないものであった。この静電荷
像担持用誘電体部材の表面硬度を測定したところ、ビッ
カース硬度は７００であり、非常に硬いものであった。
この静電荷像担持用誘電体部材を圧力転写方式のイオノ
グラフィーによる画像形成装置に入れて、画像を評価し
たところ、欠点のない鮮明な画像が得られた。
【００１６】実施例２ 純度９９．９％のＡｌ−Ｍｇ合金からなる直径約１００
ｍｍの円筒状のアルミニウムパイプを支持体として用
い、フロン洗浄と蒸留水中超音波洗浄を行った。次い
で、該支持体上に上記一般式（Ｉ）で示されるシリコン
ハードコーティング剤（Ｘ−４１−９７１０Ｈ、信越化
学工業社製）５０重量部、メチルセロソルブ５０重量部
から成る塗布液をスプレー塗布法により塗布した。これ
を１×１０-3Ｔｏｒｒの真空雰囲気中１９０℃で４時間
加熱反応硬化させ、厚さ１７μｍの誘電体層を得た。ま
た合わせてシリコンウェハー上にも同一塗布法、同一硬
化法により膜を形成した。この膜は、実施例１と同様１
７００ｃｍ-1のイミド結合と１１００ｃｍ-1のシロキサ
ン結合によるピークが明瞭に観察された。
ｍｍの円筒状のアルミニウムパイプを支持体として用
い、フロン洗浄と蒸留水中超音波洗浄を行った。次い
で、該支持体上に上記一般式（Ｉ）で示されるシリコン
ハードコーティング剤（Ｘ−４１−９７１０Ｈ、信越化
学工業社製）５０重量部、メチルセロソルブ５０重量部
から成る塗布液をスプレー塗布法により塗布した。これ
を１×１０-3Ｔｏｒｒの真空雰囲気中１９０℃で４時間
加熱反応硬化させ、厚さ１７μｍの誘電体層を得た。ま
た合わせてシリコンウェハー上にも同一塗布法、同一硬
化法により膜を形成した。この膜は、実施例１と同様１
７００ｃｍ-1のイミド結合と１１００ｃｍ-1のシロキサ
ン結合によるピークが明瞭に観察された。
【００１７】得られた静電荷像担持用誘電体部材の比誘
電率は３．２であり、電荷密度として１４２．８ｎＣ／
ｃｍ2 の表面電荷を与えた時の帯電電位（表面電位）は
８５７Ｖであった。また、帯電後の時間経過に伴う帯電
電位の減衰は、極めて少ないものであった。この静電荷
像担持用誘電体部材の表面硬度を測定したところ、ビッ
カース硬度は８００であり、非常に硬いものであった。
この静電荷像担持用誘電体部材を圧力転写方式のイオノ
グラフィーによる画像形成装置に入れて、画像を評価し
たところ、欠点のない鮮明な画像が得られた。
電率は３．２であり、電荷密度として１４２．８ｎＣ／
ｃｍ2 の表面電荷を与えた時の帯電電位（表面電位）は
８５７Ｖであった。また、帯電後の時間経過に伴う帯電
電位の減衰は、極めて少ないものであった。この静電荷
像担持用誘電体部材の表面硬度を測定したところ、ビッ
カース硬度は８００であり、非常に硬いものであった。
この静電荷像担持用誘電体部材を圧力転写方式のイオノ
グラフィーによる画像形成装置に入れて、画像を評価し
たところ、欠点のない鮮明な画像が得られた。
【００１８】実施例３ 純度９９．９％のＡｌ−Ｍｇ合金からなる直径約１００
ｍｍの円筒状のアルミニウムパイプを支持体として用
い、フロン洗浄と蒸留水中超音波洗浄を行った。次い
で、該支持体上にテトラエトキシシラン５０重量部、エ
チルアルコール５０重量部から成る塗布液を、浸漬塗布
法により繰り返し塗布した。これを大気雰囲気中１９０
℃で４時間加熱反応硬化させ、厚さ１０μｍの誘電体層
を得た。
ｍｍの円筒状のアルミニウムパイプを支持体として用
い、フロン洗浄と蒸留水中超音波洗浄を行った。次い
で、該支持体上にテトラエトキシシラン５０重量部、エ
チルアルコール５０重量部から成る塗布液を、浸漬塗布
法により繰り返し塗布した。これを大気雰囲気中１９０
℃で４時間加熱反応硬化させ、厚さ１０μｍの誘電体層
を得た。
【００１９】得られた静電荷像担持用誘電体部材の比誘
電率は３．６であり、電荷密度として１４２．８ｎＣ／
ｃｍ2 の表面電荷を与えた時の帯電電位（表面電位）は
４４８Ｖであった。また、帯電後の時間経過に伴う帯電
電位の減衰は、極めて少ないものであった。この静電荷
像担持用誘電体部材の表面硬度を測定したところ、ビッ
カース硬度は６５０であり、非常に硬いものであった。
この静電荷像担持用誘電体部材を圧力転写方式のイオノ
グラフィーによる画像形成装置に入れて、画像を評価し
たところ、欠点のない鮮明な画像が得られた。
電率は３．６であり、電荷密度として１４２．８ｎＣ／
ｃｍ2 の表面電荷を与えた時の帯電電位（表面電位）は
４４８Ｖであった。また、帯電後の時間経過に伴う帯電
電位の減衰は、極めて少ないものであった。この静電荷
像担持用誘電体部材の表面硬度を測定したところ、ビッ
カース硬度は６５０であり、非常に硬いものであった。
この静電荷像担持用誘電体部材を圧力転写方式のイオノ
グラフィーによる画像形成装置に入れて、画像を評価し
たところ、欠点のない鮮明な画像が得られた。
【００２０】実施例４ 純度９９．９％のＡｌ−Ｍｇ合金からなる直径約１００
ｍｍの円筒状のアルミニウムパイプを支持体として用
い、フロン洗浄と蒸留水中超音波洗浄を行った。次い
で、該支持体上にテトラエトキシシラン５０重量部、エ
チルアルコール５０重量部から成る塗布液を、浸漬塗布
法により繰り返し塗布した。これを１×１０-3Ｔｏｒｒ
の真空雰囲気中１９０℃で４時間加熱反応硬化させ、厚
さ１０μｍの誘電体層を得た。
ｍｍの円筒状のアルミニウムパイプを支持体として用
い、フロン洗浄と蒸留水中超音波洗浄を行った。次い
で、該支持体上にテトラエトキシシラン５０重量部、エ
チルアルコール５０重量部から成る塗布液を、浸漬塗布
法により繰り返し塗布した。これを１×１０-3Ｔｏｒｒ
の真空雰囲気中１９０℃で４時間加熱反応硬化させ、厚
さ１０μｍの誘電体層を得た。
【００２１】得られた静電荷像担持用誘電体部材の比誘
電率は３．４であり、電荷密度として１４２．８ｎＣ／
ｃｍ2 の表面電荷を与えた時の帯電電位（表面電位）は
４７４Ｖであった。また、帯電後の時間経過に伴う帯電
電位の減衰は、極めて少ないものであった。この静電荷
像担持用誘電体部材の表面硬度を測定したところ、ビッ
カース硬度は７００であり、非常に硬いものであった。
この静電荷像担持用誘電体部材を圧力転写方式のイオノ
グラフィーによる画像形成装置に入れて、画像を評価し
たところ、欠点のない鮮明な画像が得られた
電率は３．４であり、電荷密度として１４２．８ｎＣ／
ｃｍ2 の表面電荷を与えた時の帯電電位（表面電位）は
４７４Ｖであった。また、帯電後の時間経過に伴う帯電
電位の減衰は、極めて少ないものであった。この静電荷
像担持用誘電体部材の表面硬度を測定したところ、ビッ
カース硬度は７００であり、非常に硬いものであった。
この静電荷像担持用誘電体部材を圧力転写方式のイオノ
グラフィーによる画像形成装置に入れて、画像を評価し
たところ、欠点のない鮮明な画像が得られた
【００２２】比較例 純度９９．９％のＡｌ−Ｍｇ合金からなる直径約１００
ｍｍの円筒状のアルミニウムパイプを支持体として用
い、フロン洗浄と蒸留水中超音波洗浄を行った。引き継
いて、電解質溶液として３重量％のしゅう酸溶液をを用
い、液温２８℃に維持しながら、直流電圧３０Ｖをアル
ミニウムパイプと円筒状陰極でアルミニウム板との間に
印加し、６０分間陽極酸化を行った。形成された陽極酸
化アルミニウム皮膜は、膜厚２０μｍであった。形成さ
れた多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜に、シランカップ
リング材処理およびエポキシ樹脂含浸処理処理を施し
た。即ち、シランカップリング材として、γ−グリシド
キシルプロピル・トリメトキシシランを使用し、浴温２
０℃で１重量％水溶液に、上記陽極酸化ある皮膜が形成
されたアルミニウムパイプを２分間浸漬し、引き上げた
後、１００℃で１５分間加熱した。次いで、エポキシ樹
脂塗料（ＫＡＮＣＯＡＴ ５１−Ｌ１０５８、関西ペイ
ント社製）を刷毛塗り塗布によって塗布し、２１０℃で
３０分間加熱硬化させた。次いで、表面の樹脂層をナイ
フによって取り除き、研磨紙により表面研磨して、静電
荷像担持用誘電体部材を形成した。
ｍｍの円筒状のアルミニウムパイプを支持体として用
い、フロン洗浄と蒸留水中超音波洗浄を行った。引き継
いて、電解質溶液として３重量％のしゅう酸溶液をを用
い、液温２８℃に維持しながら、直流電圧３０Ｖをアル
ミニウムパイプと円筒状陰極でアルミニウム板との間に
印加し、６０分間陽極酸化を行った。形成された陽極酸
化アルミニウム皮膜は、膜厚２０μｍであった。形成さ
れた多孔質陽極酸化アルミニウム皮膜に、シランカップ
リング材処理およびエポキシ樹脂含浸処理処理を施し
た。即ち、シランカップリング材として、γ−グリシド
キシルプロピル・トリメトキシシランを使用し、浴温２
０℃で１重量％水溶液に、上記陽極酸化ある皮膜が形成
されたアルミニウムパイプを２分間浸漬し、引き上げた
後、１００℃で１５分間加熱した。次いで、エポキシ樹
脂塗料（ＫＡＮＣＯＡＴ ５１−Ｌ１０５８、関西ペイ
ント社製）を刷毛塗り塗布によって塗布し、２１０℃で
３０分間加熱硬化させた。次いで、表面の樹脂層をナイ
フによって取り除き、研磨紙により表面研磨して、静電
荷像担持用誘電体部材を形成した。
【００２３】このものの比誘電率は７．０であり、電荷
密度として１４２．８ｎＣ／ｃｍ2 の表面電荷を与えた
時の帯電電位（表面電位）は４６１Ｖであった。また、
帯電後の時間経過に伴う帯電電位の減衰が観察された。
この静電荷像担持用誘電体部材の表面硬度を測定したと
ころ、ビッカース硬度は４１０であった。この静電荷像
担持用誘電体部材を圧力転写方式のイオノグラフィーに
よる画像形成装置に入れて、画像を評価したところ、一
部に圧力転写ドラムや金属製のクリーニングブレードに
よる欠陥のある画像が得られた。
密度として１４２．８ｎＣ／ｃｍ2 の表面電荷を与えた
時の帯電電位（表面電位）は４６１Ｖであった。また、
帯電後の時間経過に伴う帯電電位の減衰が観察された。
この静電荷像担持用誘電体部材の表面硬度を測定したと
ころ、ビッカース硬度は４１０であった。この静電荷像
担持用誘電体部材を圧力転写方式のイオノグラフィーに
よる画像形成装置に入れて、画像を評価したところ、一
部に圧力転写ドラムや金属製のクリーニングブレードに
よる欠陥のある画像が得られた。
【００２４】
【発明の効果】本発明の静電荷像担持用誘電体部材は、
上記構成を有するので、帯電性および電荷保持能が優
れ、また、表面硬度が高く、したがって、耐摩耗性およ
び耐圧力性に優れ、かつ耐オゾン性においても優れてい
る。
上記構成を有するので、帯電性および電荷保持能が優
れ、また、表面硬度が高く、したがって、耐摩耗性およ
び耐圧力性に優れ、かつ耐オゾン性においても優れてい
る。
【図１】 本発明の静電荷像担持用誘電体部材の模式的
断面図である。
断面図である。
【図２】 本発明の表面層の赤外線吸収スペクトル図で
ある。
ある。
１…支持体、２…誘電体層
フロントページの続き (72)発明者 東 武敏 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松事業所内
Claims (6)
- 【請求項１】 支持体と該支持体上に誘電体層を有する
静電荷像担持用誘電体部材において、誘電体層が無機高
分子化合物により形成されていることを特徴とする静電
荷像担持用誘電体部材。 - 【請求項２】 上記誘電体層が、シロキサン結合を含有
する無機高分子化合物により形成されてなることを特徴
とする請求項１記載の静電荷像担持用誘電体部材。 - 【請求項３】 上記誘電体層が、シロキサン結合とイミ
ド結合を含有する無機高分子化合物により形成されてな
ることを特徴とする請求項１記載の静電荷像担持用誘電
体部材。 - 【請求項４】 支持体上に無機高分子化合物により形成
されてなる誘電体層を設ける工程を有する静電荷像担持
用誘電体部材の製造方法において、該誘電体層を、支持
体上に無機高分子化合物膜形成材料を塗布した後、得ら
れた塗膜を真空中で加熱することにより形成することを
特徴とする静電荷像担持用誘電体部材の製造方法。 - 【請求項５】 上記無機高分子化合物膜形成材料が、シ
ロキサン結合を含有する無機高分子化合物膜を形成する
ものであることを特徴とする請求項４記載の静電荷像担
持用誘電体部材の製造方法。 - 【請求項６】 上記無機高分子化合物膜形成材料が、シ
ロキサン結合とイミド結合を含有する無機高分子化合物
膜を形成するものであることを特徴とする請求項４記載
の静電荷像担持用誘電体部材の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3398292A JPH05204167A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 静電荷像担持用誘電体部材およびその製造方法 |
| US08/008,975 US5422177A (en) | 1992-01-27 | 1993-01-26 | Polysiloxane dielectric member for carrying electrostatic latent image |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3398292A JPH05204167A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 静電荷像担持用誘電体部材およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05204167A true JPH05204167A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=12401694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3398292A Pending JPH05204167A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 静電荷像担持用誘電体部材およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5422177A (ja) |
| JP (1) | JPH05204167A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5604038A (en) * | 1994-11-18 | 1997-02-18 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Polymeric thin layer materials |
| US7632565B1 (en) | 1997-04-28 | 2009-12-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Porous metal/organic polymeric composites |
| US5895726A (en) * | 1997-04-28 | 1999-04-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Lightweight high damping porous metal/phthalonitrile composites |
| TWI540396B (zh) * | 2014-02-18 | 2016-07-01 | 奇美實業股份有限公司 | 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54141640A (en) * | 1978-04-27 | 1979-11-05 | Fujitsu Ltd | Electrostatic recording medium |
| JPS61184562A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-08-18 | Canon Inc | 静電記録装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61144651A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Canon Inc | 静電記録媒体 |
| JPS61193157A (ja) * | 1985-02-21 | 1986-08-27 | Olympus Optical Co Ltd | 静電印刷装置 |
| JPS635355A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-11 | Canon Inc | 静電荷像現像用電荷付与材 |
| JPS63294586A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-01 | Nippon Light Metal Co Ltd | 誘電イメ−ジ転写ドラム基体の誘電皮膜形成法 |
| JPS63296051A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-02 | Olympus Optical Co Ltd | 像保持部材 |
| US4885220A (en) * | 1988-05-25 | 1989-12-05 | Xerox Corporation | Amorphous silicon carbide electroreceptors |
| JPH0299962A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Kobe Steel Ltd | 静電式複写機用誘電体部材 |
| US5096796A (en) * | 1990-05-31 | 1992-03-17 | Xerox Corporation | Blocking and overcoating layers for electroreceptors |
-
1992
- 1992-01-27 JP JP3398292A patent/JPH05204167A/ja active Pending
-
1993
- 1993-01-26 US US08/008,975 patent/US5422177A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54141640A (en) * | 1978-04-27 | 1979-11-05 | Fujitsu Ltd | Electrostatic recording medium |
| JPS61184562A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-08-18 | Canon Inc | 静電記録装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5422177A (en) | 1995-06-06 |
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