JPH05205213A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH05205213A JPH05205213A JP1055492A JP1055492A JPH05205213A JP H05205213 A JPH05205213 A JP H05205213A JP 1055492 A JP1055492 A JP 1055492A JP 1055492 A JP1055492 A JP 1055492A JP H05205213 A JPH05205213 A JP H05205213A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ラミネート層が形成された子基板に反りが発
生することなく、一つの母基板から製造できる個数の増
大を実現容易とすることにある。 【構成】 高飽和磁束密度を有する金属磁性膜（12）と
絶縁薄膜（13）とを交互に積層したラミネート層（14）
を非磁性体からなる角棒状の子基板（11）に被着形成
し、その複数の子基板（11）を、非磁性体からなる平板
状の母基板（15）に整列状態で刻設された複数の収納溝
（16）に嵌入させ、その母基板（15）から切り出された
一対のコアブロック（17）を接合一体化した上で定ピッ
チでスライスしてコアチップ（18）を得る磁気ヘッドの
製造方法において、上記子基板（11）の対向両面にラミ
ネート層（14）を被着形成する。
生することなく、一つの母基板から製造できる個数の増
大を実現容易とすることにある。 【構成】 高飽和磁束密度を有する金属磁性膜（12）と
絶縁薄膜（13）とを交互に積層したラミネート層（14）
を非磁性体からなる角棒状の子基板（11）に被着形成
し、その複数の子基板（11）を、非磁性体からなる平板
状の母基板（15）に整列状態で刻設された複数の収納溝
（16）に嵌入させ、その母基板（15）から切り出された
一対のコアブロック（17）を接合一体化した上で定ピッ
チでスライスしてコアチップ（18）を得る磁気ヘッドの
製造方法において、上記子基板（11）の対向両面にラミ
ネート層（14）を被着形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ヘッドの製造方法に
関し、詳しくは、ＶＴＲ装置に使用され、高飽和磁束密
度を有する金属磁性膜と絶縁薄膜とを交互に積層したラ
ミネート層を有する積層タイプの磁気ヘッドの製造方法
に関する。
関し、詳しくは、ＶＴＲ装置に使用され、高飽和磁束密
度を有する金属磁性膜と絶縁薄膜とを交互に積層したラ
ミネート層を有する積層タイプの磁気ヘッドの製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、高密度記録用のＶＴＲ装置に使
用される磁気ヘッドには、高飽和磁束密度を有する金属
磁性膜と絶縁薄膜とを交互に積層したラミネート層を有
する積層タイプのものがある。
用される磁気ヘッドには、高飽和磁束密度を有する金属
磁性膜と絶縁薄膜とを交互に積層したラミネート層を有
する積層タイプのものがある。
【０００３】この種の磁気ヘッドの製造方法として、本
出願人は以下の工程からなる新たなる製造方法を先に提
案している〔特願平３−３４０６９２号〕。
出願人は以下の工程からなる新たなる製造方法を先に提
案している〔特願平３−３４０６９２号〕。
【０００４】まず、図６の（ａ）に示すようにセラミッ
ク等の非磁性体からなる角棒状の子基板（1）を用意
し、その子基板（1）の片面に、高飽和磁束密度を有す
るセンダスト等の金属磁性膜（2）とＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2
等の絶縁薄膜（3）とを交互に積層したラミネート層
（4）をスパッタリングにより被着形成する。
ク等の非磁性体からなる角棒状の子基板（1）を用意
し、その子基板（1）の片面に、高飽和磁束密度を有す
るセンダスト等の金属磁性膜（2）とＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2
等の絶縁薄膜（3）とを交互に積層したラミネート層
（4）をスパッタリングにより被着形成する。
【０００５】一方、図６の（ｂ）に示すようにセラミッ
ク等の非磁性体からなる平板状の母基板（5）を用意
し、その母基板（5）に複数の収納溝（6）を整列状態で
刻設する。そして、図７の（ａ）に示すようにラミネー
ト層（4）が形成された複数の子基板（1）を、母基板
（5）の各収納溝（6）に嵌入させ、ガラスモールドによ
り母基板（5）と子基板（1）との隙間にガラス〔図示せ
ず〕を充填する。
ク等の非磁性体からなる平板状の母基板（5）を用意
し、その母基板（5）に複数の収納溝（6）を整列状態で
刻設する。そして、図７の（ａ）に示すようにラミネー
ト層（4）が形成された複数の子基板（1）を、母基板
（5）の各収納溝（6）に嵌入させ、ガラスモールドによ
り母基板（5）と子基板（1）との隙間にガラス〔図示せ
ず〕を充填する。
【０００６】その後、図示しないが、溶着用溝の形成、
その溶着用溝へのガラス充填、巻線窓用溝の形成を経
て、図中鎖線で示すように母基板（5）を子基板（1）が
伸びる方向と直交する方向に切断することにより一対の
コアブロック（7）を切り出す。そして、図７の（ｂ）
に示すようにこの切り出された一対のコアブロック
（7）（7）をギャップスペーサとなるＳｉＯ2等の非磁
性体薄膜〔図示せず〕を介して突き合わせて接合一体化
する。
その溶着用溝へのガラス充填、巻線窓用溝の形成を経
て、図中鎖線で示すように母基板（5）を子基板（1）が
伸びる方向と直交する方向に切断することにより一対の
コアブロック（7）を切り出す。そして、図７の（ｂ）
に示すようにこの切り出された一対のコアブロック
（7）（7）をギャップスペーサとなるＳｉＯ2等の非磁
性体薄膜〔図示せず〕を介して突き合わせて接合一体化
する。
【０００７】次に、図示しないが巻線係止溝の形成後、
この接合一体化された一対のコアブロック（7）（7）
を、図中鎖線で示すようにその短手方向に沿って定ピッ
チでコアチップ（8）ごとにスライスすることにより、
ラミネート層（4）を有する積層タイプの磁気ヘッドが
製造されることになる。
この接合一体化された一対のコアブロック（7）（7）
を、図中鎖線で示すようにその短手方向に沿って定ピッ
チでコアチップ（8）ごとにスライスすることにより、
ラミネート層（4）を有する積層タイプの磁気ヘッドが
製造されることになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の製造方法では、母基板（5）にセッティングされる
子基板（1）には、その片面のみにラミネート層（4）が
被着形成されているため、子基板（1）を構成する非磁
性体とラミネート層（4）を構成する金属磁性膜（2）と
の熱膨張係数の違いにより、ラミネート層（4）を形成
した子基板（1）に反りが発生することがある。このよ
うに子基板（1）に反りが生じると、後工程でその子基
板（1）を母基板（5）にセッティングするに際して子基
板（1）を母基板（5）の収納溝（6）に嵌入させること
が困難となる。
来の製造方法では、母基板（5）にセッティングされる
子基板（1）には、その片面のみにラミネート層（4）が
被着形成されているため、子基板（1）を構成する非磁
性体とラミネート層（4）を構成する金属磁性膜（2）と
の熱膨張係数の違いにより、ラミネート層（4）を形成
した子基板（1）に反りが発生することがある。このよ
うに子基板（1）に反りが生じると、後工程でその子基
板（1）を母基板（5）にセッティングするに際して子基
板（1）を母基板（5）の収納溝（6）に嵌入させること
が困難となる。
【０００９】このような問題があると、子基板（1）の
厚みを小さくして母基板（5）にセッティングできる子
基板（1）の個数を増やして一つの母基板（5）で製造で
きる磁気ヘッドの個数を増加させようとしても、上述し
た子基板（1）の反りが顕著となり、子基板（1）の母基
板（5）へのセッティングが困難となる。
厚みを小さくして母基板（5）にセッティングできる子
基板（1）の個数を増やして一つの母基板（5）で製造で
きる磁気ヘッドの個数を増加させようとしても、上述し
た子基板（1）の反りが顕著となり、子基板（1）の母基
板（5）へのセッティングが困難となる。
【００１０】そこで、本発明は上記問題点に鑑みて提案
されたもので、その目的とするところは、ラミネート層
を形成した子基板に反りが発生することなく、一つの母
基板から製造できる個数の増大を実現容易にし得る磁気
ヘッドの製造方法を提供することにある。
されたもので、その目的とするところは、ラミネート層
を形成した子基板に反りが発生することなく、一つの母
基板から製造できる個数の増大を実現容易にし得る磁気
ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明における上記目的
を達成するための技術的手段は、高飽和磁束密度を有す
る金属磁性膜と絶縁薄膜とを交互に積層したラミネート
層を非磁性体からなる角棒状の子基板に被着形成し、そ
の複数の子基板を、非磁性体からなる平板状の母基板に
整列状態で刻設された複数の収納溝に嵌入させ、その母
基板から切り出された一対のコアブロックを接合一体化
した上で定ピッチでスライスしてコアチップを得る磁気
ヘッドの製造方法において、上記子基板の対向両面にラ
ミネート層を被着形成するようにしたことである。
を達成するための技術的手段は、高飽和磁束密度を有す
る金属磁性膜と絶縁薄膜とを交互に積層したラミネート
層を非磁性体からなる角棒状の子基板に被着形成し、そ
の複数の子基板を、非磁性体からなる平板状の母基板に
整列状態で刻設された複数の収納溝に嵌入させ、その母
基板から切り出された一対のコアブロックを接合一体化
した上で定ピッチでスライスしてコアチップを得る磁気
ヘッドの製造方法において、上記子基板の対向両面にラ
ミネート層を被着形成するようにしたことである。
【００１２】
【作用】本発明方法では、子基板の対向両面にラミネー
ト層を被着形成するようにしたから、子基板を構成する
非磁性体とラミネート層を構成する金属磁性膜との熱膨
張係数の違いは両面のラミネート層でもって相殺される
ので反りが発生することはない。従って、上記子基板を
母基板の収納溝に嵌入させることが容易になると共に、
子基板の厚みを小さくすることができて一つの母基板に
セッティングできる子基板の個数も増加させることが実
現容易となる。
ト層を被着形成するようにしたから、子基板を構成する
非磁性体とラミネート層を構成する金属磁性膜との熱膨
張係数の違いは両面のラミネート層でもって相殺される
ので反りが発生することはない。従って、上記子基板を
母基板の収納溝に嵌入させることが容易になると共に、
子基板の厚みを小さくすることができて一つの母基板に
セッティングできる子基板の個数も増加させることが実
現容易となる。
【００１３】
【実施例】本発明方法の実施例を図１乃至図５に示して
説明する。
説明する。
【００１４】まず、図１の（ａ）に示すようにセラミッ
ク等の非磁性体からなる角棒状の子基板（11）を用意
し、同図の（ｂ）に示すようにその子基板（11）の対向
両面に、高飽和磁束密度を有するセンダスト等の金属磁
性膜（12）とＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ 2等の絶縁薄膜（13）と
を交互に積層したラミネート層（14）をスパッタリング
により被着形成する。このように子基板（11）の両面に
ラミネート層（14）を形成することにより、子基板（1
1）を構成する非磁性体とラミネート層（14）を構成す
る金属磁性膜（12）との熱膨張係数の違いが相殺される
ので反りが発生することはない。
ク等の非磁性体からなる角棒状の子基板（11）を用意
し、同図の（ｂ）に示すようにその子基板（11）の対向
両面に、高飽和磁束密度を有するセンダスト等の金属磁
性膜（12）とＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ 2等の絶縁薄膜（13）と
を交互に積層したラミネート層（14）をスパッタリング
により被着形成する。このように子基板（11）の両面に
ラミネート層（14）を形成することにより、子基板（1
1）を構成する非磁性体とラミネート層（14）を構成す
る金属磁性膜（12）との熱膨張係数の違いが相殺される
ので反りが発生することはない。
【００１５】一方、図２の（ａ）に示すようにセラミッ
ク等の非磁性体からなる平板状の母基板（15）を用意
し、その母基板（15）に複数の収納溝（16）を整列状態
で刻設する。そして、同図の（ｂ）に示すように両面に
ラミネート層（14）が形成された複数の子基板（11）を
母基板（15）の各収納溝（16）に嵌入させる。この時、
上述したように両面にラミネート層（14）を形成したそ
れぞれの子基板（11）は反りが発生していないので母基
板（15）へのセッティングが容易となる。また、子基板
（11）に反りが発生しないため、子基板（11）の厚みを
小さくすることができるので、母基板（15）にセッティ
ングできる子基板（11）の個数を増加させることが実現
容易となる。
ク等の非磁性体からなる平板状の母基板（15）を用意
し、その母基板（15）に複数の収納溝（16）を整列状態
で刻設する。そして、同図の（ｂ）に示すように両面に
ラミネート層（14）が形成された複数の子基板（11）を
母基板（15）の各収納溝（16）に嵌入させる。この時、
上述したように両面にラミネート層（14）を形成したそ
れぞれの子基板（11）は反りが発生していないので母基
板（15）へのセッティングが容易となる。また、子基板
（11）に反りが発生しないため、子基板（11）の厚みを
小さくすることができるので、母基板（15）にセッティ
ングできる子基板（11）の個数を増加させることが実現
容易となる。
【００１６】その後、図３の（ａ）に示すようにガラス
モールドにより母基板（15）と子基板（11）との隙間に
ガラス〔図示せず〕を充填した上で母基板（15）の表面
をラッピングする。更に、同図の（ｂ）に示すように各
子基板（11）の長手方向に沿って溶着用溝（19）を刻設
し、その刻設方向と直交する方向に沿ってＶ溝（20）を
切削加工する。次に、図４の（ａ）に示すようにガラス
モールドにより上記溶着用溝（19）及びＶ溝（20）にガ
ラス（21）を充填した上でその表面をラッピングし、上
記Ｖ溝（20）と対応する部位に巻線窓用溝（22）を切削
加工する。
モールドにより母基板（15）と子基板（11）との隙間に
ガラス〔図示せず〕を充填した上で母基板（15）の表面
をラッピングする。更に、同図の（ｂ）に示すように各
子基板（11）の長手方向に沿って溶着用溝（19）を刻設
し、その刻設方向と直交する方向に沿ってＶ溝（20）を
切削加工する。次に、図４の（ａ）に示すようにガラス
モールドにより上記溶着用溝（19）及びＶ溝（20）にガ
ラス（21）を充填した上でその表面をラッピングし、上
記Ｖ溝（20）と対応する部位に巻線窓用溝（22）を切削
加工する。
【００１７】そして、同図の（ｂ）に示すように母基板
（15）を子基板（11）が伸びる方向と直交する方向に切
断することにより一対のコアブロック（17a）（17b）を
切り出す。そして、図５の（ａ）に示すように切り出さ
れた一対のコアブロック（17a）（17b）をギャップスペ
ーサとなるＳｉＯ2等の非磁性体薄膜〔図示せず〕を介
して突き合わせて接合一体化する。次に、同図の（ｂ）
に示すように接合一体化されたコアブロック（17）の両
外側面に巻線係止溝（23）を形成した上で、図示しない
が頂面を面研磨加工することにより媒体摺動面を形成す
る。その後、コアブロック（17）をその短手方向に沿っ
て定ピッチでコアチップ（18）ごとにスライスすること
により、ラミネート層（14）を有する積層タイプの磁気
ヘッドが製造されることになる。
（15）を子基板（11）が伸びる方向と直交する方向に切
断することにより一対のコアブロック（17a）（17b）を
切り出す。そして、図５の（ａ）に示すように切り出さ
れた一対のコアブロック（17a）（17b）をギャップスペ
ーサとなるＳｉＯ2等の非磁性体薄膜〔図示せず〕を介
して突き合わせて接合一体化する。次に、同図の（ｂ）
に示すように接合一体化されたコアブロック（17）の両
外側面に巻線係止溝（23）を形成した上で、図示しない
が頂面を面研磨加工することにより媒体摺動面を形成す
る。その後、コアブロック（17）をその短手方向に沿っ
て定ピッチでコアチップ（18）ごとにスライスすること
により、ラミネート層（14）を有する積層タイプの磁気
ヘッドが製造されることになる。
【００１８】
【発明の効果】本発明方法によれば、子基板の対向両面
にラミネート層を被着形成するようにしたから、子基板
を構成する非磁性体とラミネート層を構成する金属磁性
膜との熱膨張係数の違いは両面のラミネート層でもって
相殺されるので反りが発生することはない。従って、上
記子基板を母基板の収納溝に嵌入させることが容易にな
って作業性が大幅に向上する。また、上述したように反
りが発生することがないので、子基板の厚みを小さくす
ることができて一つの母基板にセッティングできる子基
板の個数も増加させることが実現容易となって製造効率
も大幅に向上する。
にラミネート層を被着形成するようにしたから、子基板
を構成する非磁性体とラミネート層を構成する金属磁性
膜との熱膨張係数の違いは両面のラミネート層でもって
相殺されるので反りが発生することはない。従って、上
記子基板を母基板の収納溝に嵌入させることが容易にな
って作業性が大幅に向上する。また、上述したように反
りが発生することがないので、子基板の厚みを小さくす
ることができて一つの母基板にセッティングできる子基
板の個数も増加させることが実現容易となって製造効率
も大幅に向上する。
【図１】本発明方法を説明するためのもので、（ａ）は
子基板を示す斜視図、（ｂ）は両面にラミネート層を形
成した子基板を示す一部拡大図を併示した斜視図
子基板を示す斜視図、（ｂ）は両面にラミネート層を形
成した子基板を示す一部拡大図を併示した斜視図
【図２】（ａ）は収納溝を形成した母基板を示す斜視
図、（ｂ）は複数の子基板をセッティングした母基板を
示す斜視図
図、（ｂ）は複数の子基板をセッティングした母基板を
示す斜視図
【図３】（ａ）はガラスモールドした上でラッピングし
た母基板を示す斜視図、（ｂ）は溶着用溝及びＶ溝を形
成した母基板を示す斜視図
た母基板を示す斜視図、（ｂ）は溶着用溝及びＶ溝を形
成した母基板を示す斜視図
【図４】（ａ）はガラスモールド後にラッピングした上
で巻線窓用溝を形成した母基板を示す斜視図、（ｂ）は
母基板から切り出されたコアブロックを示す斜視図
で巻線窓用溝を形成した母基板を示す斜視図、（ｂ）は
母基板から切り出されたコアブロックを示す斜視図
【図５】（ａ）は一対のコアブロックを接合一体化した
状態を示す斜視図、（ｂ）は接合一体化したコアブロッ
クをコアチップごとにスライスした状態を示す斜視図
状態を示す斜視図、（ｂ）は接合一体化したコアブロッ
クをコアチップごとにスライスした状態を示す斜視図
【図６】従来製法を説明するためのもので、（ａ）は片
面にラミネート層を形成した子基板を示す一部拡大図を
併示した斜視図、（ｂ）は収納溝を形成した母基板を示
す斜視図
面にラミネート層を形成した子基板を示す一部拡大図を
併示した斜視図、（ｂ）は収納溝を形成した母基板を示
す斜視図
【図７】（ａ）はガラスモールドした上でラッピングし
た母基板を示す斜視図、（ｂ）は一対のコアブロックを
接合一体化した状態を示す斜視図
た母基板を示す斜視図、（ｂ）は一対のコアブロックを
接合一体化した状態を示す斜視図
11 子基板 12 金属磁性膜 13 絶縁薄膜 14 ラミネート層 15 母基板 16 収納溝 17、17a、17b コアブロック 18 コアチップ
Claims (1)
- 【請求項１】 高飽和磁束密度を有する金属磁性膜と絶
縁薄膜とを交互に積層したラミネート層を非磁性体から
なる角棒状の子基板に被着形成し、その複数の子基板
を、非磁性体からなる平板状の母基板に整列状態で刻設
された複数の収納溝に嵌入させ、その母基板から切り出
された一対のコアブロックを接合一体化した上で定ピッ
チでスライスしてコアチップを得る磁気ヘッドの製造方
法において、 上記子基板の対向両面にラミネート層を被着形成するよ
うにしたことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055492A JPH05205213A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055492A JPH05205213A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05205213A true JPH05205213A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11753476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1055492A Pending JPH05205213A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05205213A (ja) |
-
1992
- 1992-01-24 JP JP1055492A patent/JPH05205213A/ja active Pending
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